JP6362670B2 - ポリマーを管理することによるエッチングシステムの生産性の向上 - Google Patents
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Description
チャンバの壁およびドームに伴う、繰り返し発生する問題は、エッチング環境においてさえも、エッチング処理の副生成物に起因する残留物が壁およびドーム上に形成することがある、というものである。そのような副生成物は、基板から除去される、フォトレジスト層であることも、他の材料であることもある。副生成物は、気相状態にも、固相状態にもあり、チャンバの壁およびドーム上に堆積することがある。副生成物に加えて、いくつかのエッチング化学作用の場合、重合反応性ガスを使用して、基板上にエッチングされているあるタイプの特徴(すなわちビアまたはトレンチ)の側壁保護を強化することがある。この重合反応性ガスも、プラズマの付近の、壁やドームなどの内面上に堆積することがある。
チャンバの壁およびドームに付着している残留物は、剥離してチャンバの処理領域内に落ちることがある。基板上に落ちるそのようなどんな粒子も、基板上に作製されている集積回路の不良または信頼性の問題をもたらす可能性がある。コイルアンテナの誘電体窓として働くセラミックドームが使用されている場合、粒子の問題が悪化するおそれがある。ソースコイルは、大量のエネルギーをチャンバ内に結合するためのものであり、したがって、しばしば高電力レベルで動作する。必然的に、RFエネルギーのかなりの部分が、ドーム内で熱消散する。
しかし、基板がチャンバ内に、またチャンバから外に循環するので、コイルは断続的に動作するにすぎず、また、セラミックは一般に熱伝導性に乏しい。その結果、ドーム材料は、繰り返し起こる大幅な温度スイングを受け、それにより、ドームの熱膨張と熱収縮の繰り返しサイクルが生じる。この熱的影響は、コイルに直接隣接する領域内で最大になる。これらの条件の下で、残留物が剥離して粒子を生じさせる可能性がより高くなる。
前述したように、エッチング中に壁またはドーム上に残留物があることは、一般に望ましくない。残留物は、システム性能および結果として得られる基板上での結果に破壊的な影響を及ぼすおそれがある。残留物を管理する1つの方法は、ドームを定期的に交換することである。しかし、この方法は非常に高くつき、時間がかかる。残留物を管理する別の方法は、チャンバ内部を洗浄することである。しかし、この方法は、大幅なシステムダウンタイムを強い、技術者の人手による関与を必要とする。
別の実施形態では、ポリマーが堆積するのを制御する方法が提供される。方法は、1つまたは複数のRFコイルに電力を供給することよって、処理チャンバ内にプラズマを形成すること、RFコイルに実質的に電力が供給されていないときに、複数の熱源に電力を供給すること、およびRFコイルへの電力と熱源への電力とを交互させることによって誘電体天井の一定の温度を維持するように、熱源を構成することを含む。
別の実施形態では、ヒータジャケットが提供される。ヒータジャケットは、ポンプポートの周りに配設されたジャケット本体と、ポンプポートの第1の領域に隣接して配設された第1の発熱体と、ポンプポートの第2の領域に隣接して配設された第2の発熱体と、ポンプポートの第3の領域に隣接して配設された第3の発熱体とを備える。
本発明の上で列挙した特徴を詳細に理解することができるように、上で簡潔に要約した本発明のより詳細な説明を、添付の図面にそのいくつかが示されている実施形態を参照して行うことができる。しかし、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すにすぎず、したがって、本発明の範囲を限定するものとは、本発明が他の等しく効果的な実施形態を許容できるので、見なすべきでないことに留意されたい。
ここに記載する実施形態は、エッチング、堆積などのどんなプラズマ支援型基板処理にも有利となり得る。適切な処理の非限定的な例には、微小電気機械システム(MEMS)デバイスまたはSi貫通電極(TSV)適用物の形成に使用する、ディープシリコン(Si)エッチング処理がある。
図1は、エッチングリアクタ100の概略側面図である。エッチングリアクタ100は、単独で利用してもよく、より典型的には、Santa Clara、CAのApplied Materials,Inc.から入手可能なCENTURA(登録商標)統合半導体基板処理システムなどの統合半導体基板処理システム、すなわちクラスタツール、の処理モジュールとして利用してもよい。本明細書に記載する実施形態に従って修正することのできる適切なエッチングリアクタの例には、やはりApplied Material,Inc.、Santa Clara、CAから入手可能な、(AdvantEdge SまたはAdvantEdge Hなどの)ADVANTEDGE(商標)ラインのエッチングリアクタ、(DPS(登録商標)、DPS(登録商標)II、DPS(登録商標)AE、DPS(登録商標)HT、DPS(登録商標)G3ポリエッチャー、DPS(登録商標)+、DPS(登録商標)DT+DPS(登録商標)DTMなどの)DPS(登録商標)ラインのエッチングリアクタ、または他のエッチングリアクタがある。他のエッチングリアクタ、または堆積、表面処理などに使用する処理装置など、他の製造業者から入手可能なものを含む非エッチングプラズマ処理装置も、本明細書に記載する教示に従って修正することができる。
いくつかの実施形態では、ヒータジャケット160を提供することができる。ヒータジャケット160は、ポンプポート125をヒータジャケット160内に配設することができるように、ポンプポート125を実質的に取り囲むことができる。ヒータジャケット160は、ポンプポート125の均一な温度プロファイルを維持するように構成することのできる、抵抗体などの複数のヒータを備えることができる。
いくつかの実施形態では、電極は、少なくとも1つのRFコイル112を備えるアンテナ111とすることができる。いくつかの実施形態では、(図1に示す)アンテナ111を、誘電体天井120の上に配設することができ、また、処理容積115に供給された処理ガスにRFエネルギーを誘導結合するように構成することができる。処理ガスは処理容積115に、ガスパネル138から注入器(図示せず)によって供給することができる。アンテナ111は、第1の整合回路網119を介して信号発生器118に結合することができる。
Claims (10)
- 基板を処理するための装置であって、
粗面を有する誘電体天井と、
絶縁体内に配設された導電性本体とを備え、前記誘電体天井及び前記導電性本体は処理容積を画定しており、更に、
前記処理容積に配設される基板支持体と、
前記処理容積に対して非対称に配設されたポンプポートであって、前記導電性本体から水平に延びる第1の領域と、前記第1の領域から垂直に延びる環状の第2の領域と、前記第2の領域と前記絶縁体との間に延びる第3の領域とを有している、ポンプポートと、
前記ポンプポートの周りに配設されるヒータジャケットであって、その中に複数の発熱体を有し、ポンプポートの均一な温度プロファイルを維持するように構成される、ヒータジャケットと、
前記誘電体天井の均一な温度プロファイルを維持するように構成された複数の熱源と
を備える、装置。 - 前記ヒータジャケットが3つの発熱体を備える、請求項1に記載の装置。
- 第1の発熱体が、前記ポンプポートの前記第1の領域を加熱するように構成される、請求項2に記載の装置。
- 第2の発熱体が、前記ポンプポートの前記第2の領域を加熱するように構成される、請求項2に記載の装置。
- 第3の発熱体が、前記ポンプポートの前記第3の領域を加熱するように構成される、請求項2に記載の装置。
- 前記複数の発熱体が、前記ポンプポートの均一な温度プロファイルを維持するように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の発熱体が、前記ポンプポートを80℃から130℃の間の温度に維持する、請求項1に記載の装置。
- 前記熱源が、前記誘電体天井を80℃から130℃の間の一定の温度に維持する、請求項1に記載の装置。
- 基板を処理する装置であって、
導電性本体に接続される誘電体天井を備え、前記誘電体天井及び前記導電性本体が処理容積を画定しており、更に、
前記処理容積に対して非対称に配置されるポンプポートと、
前記ポンプポートの周りに配設されたジャケット本体と、
前記ポンプポートの第1の領域に隣接して前記ジャケット本体内に配設された第1の発熱体と、
前記ポンプポートの第2の領域に隣接して前記ジャケット本体内に配設された第2の発熱体と、
前記ポンプポートの第3の領域に隣接して前記ジャケット本体内に配設された第3の発熱体と
を備える、装置。 - 前記第1の発熱体が、第1の温度を維持するように構成され、前記第2の発熱体が、第2の温度を維持するように構成され、前記第3の発熱体が、第3の温度を維持するように構成され、前記第1の温度と、前記第2の温度と、前記第3の温度とが異なる、請求項9に記載の装置。
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JP2819073B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1998-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ドープド薄膜の成膜方法 |
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US20010054601A1 (en) * | 1996-05-13 | 2001-12-27 | Jian Ding | Low ceiling temperature process for a plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
JPH05275379A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3265047B2 (ja) * | 1993-04-26 | 2002-03-11 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置 |
JP3204866B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2001-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JPH08321492A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-12-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
US6007673A (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-28 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method of producing an electronic device |
JP3251215B2 (ja) * | 1996-10-02 | 2002-01-28 | 松下電器産業株式会社 | 電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
US6308654B1 (en) * | 1996-10-18 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
US6206971B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly |
US6623595B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Wavy and roughened dome in plasma processing reactor |
US6777045B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
US20030190870A1 (en) | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning ceramic surfaces |
KR100472011B1 (ko) * | 2003-01-30 | 2005-03-10 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP4586333B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理システム及び熱処理装置の温度制御方法 |
KR20050027697A (ko) * | 2003-09-16 | 2005-03-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비용 배기장치의 진공펌프 |
KR100615601B1 (ko) | 2004-09-09 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비용 가열배기라인, 그 가열장치 및 제어방법 |
KR100795662B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-01-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 배기 구조가 개선된 웨이퍼 식각 장치 |
JP5190214B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 |
JP5315631B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-10-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
KR20100006009A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조 장치 |
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WO2011016223A1 (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
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