JP5315631B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下図1〜図3を参照しつつ第1実施形態について説明する。
以下、図4及び図5を参照しつつ第1実施形態の変形例に係わる半導体製造装置20について説明する。この半導体製造装置20は、シール部材15への電力供給をジャケットヒータ13の電源を通じて行っている点で第1実施形態に係わる半導体装置10と相違する。
以下、図6〜図8を参照しつつ第2実施形態に係わる半導体製造装置30について説明する。本実施形態に係わる半導体製造装置30は、シール部材35においてシール部材内部の加熱を熱媒体(加熱した流体)によって行うことを特徴とする。
上述の実施形態では、上述の各実施形態では半導体製造装置の排気側の配管部を例に、配管内周面の温度分布を均一とする構成について説明したが、本発明はこれに限られず、以下の諸形態とすることも含まれる。
(付記8) 前記シール部材加熱手段は、抵抗発熱体であることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
Claims (7)
- 半導体基板に対して処理を行う反応装置と、
前記反応装置に接続された第1の配管部と、
前記第1の配管部にシール部材を介して接続された第2の配管部と、
前記第1の配管部と前記第2の配管部を加熱する被覆加熱手段と、
前記シール部材を内部から加熱するシール部材加熱手段と、
前記シール部材の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の検出値に基づいて、前記シール部材加熱手段の発熱量を調整し、前記シール部材の温度を前記反応装置内の反応ガスの昇華点以上で、且つ、前記第1の配管部、第2の配管部及び前記反応装置の温度と同一に保つ温度制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記温度検出手段は前記配管部の温度も検出し、前記温度制御手段は、前記被覆加熱手段の発熱量も調整し、前記シール部材の温度と前記配管部の温度とを同一温度にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記シール部材は、加熱した熱媒体を流す管状部材が内部に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記配管及び前記シール部材を介して前記反応装置に接続された前記反応ガスを排気する真空ポンプを更に備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記配管及び前記シール部材を介して前記反応装置に接続された、前記反応ガスを供給する原料供給装置を更に備えることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の半導体製造装置。
- 半導体基板に対して処理を行う反応装置に接続された第1の配管部に、シール部材を介して第2の配管部を接続し、前記シール部材の温度を検出しながら、前記反応装置内の反応ガスの昇華点以上の温度に前記シール部材と前記第1の配管部及び前記第2の配管部を加熱し、前記反応装置と前記シール部材と前記第1の配管部及び第2の配管部を同一温度にした状態で、前記第1の配管部及び第2の配管部を通じて前記反応装置に前記反応ガスを供給、又は前記第1の配管部及び第2の配管部を通じて前記反応装置から前記反応ガスを排気することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第1の配管部と第2の配管とは、前記シール部材を加熱した状態で接続されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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