JP2008311346A - 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及びこれらに使用するシール部材 - Google Patents
半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及びこれらに使用するシール部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008311346A JP2008311346A JP2007156280A JP2007156280A JP2008311346A JP 2008311346 A JP2008311346 A JP 2008311346A JP 2007156280 A JP2007156280 A JP 2007156280A JP 2007156280 A JP2007156280 A JP 2007156280A JP 2008311346 A JP2008311346 A JP 2008311346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- seal member
- manufacturing apparatus
- semiconductor manufacturing
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】減圧雰囲気中で半導体基板の処理を行う反応装置70と、前記反応装置内のガスを排気する真空ポンプ80と、前記反応装置70と真空ポンプ80とを接続する排気管部とを有する半導体製造装置10において、前記配管部を外部から加熱する被覆加熱手段13と、シール部材15を内部から加熱するシール部材加熱手段と、排気配管11及びシール部材15の温度を検出する温度センサ14,16を設ける。温度コントローラ17及び18により、排気配管11とシール部材15の内面を反応生成物よりも高い温度であって、かつ等しい温度とする。これにより排気管内の温度が均一となり、反応生成物の析出を抑制できる。
【選択図】図1
Description
以下図1〜図3を参照しつつ第1実施形態について説明する。
以下、図4及び図5を参照しつつ第1実施形態の変形例に係わる半導体製造装置20について説明する。この半導体製造装置20は、シール部材15への電力供給をジャケットヒータ13の電源を通じて行っている点で第1実施形態に係わる半導体装置10と相違する。
以下、図6〜図8を参照しつつ第2実施形態に係わる半導体製造装置30について説明する。本実施形態に係わる半導体製造装置30は、シール部材35においてシール部材内部の加熱を熱媒体(加熱した流体)によって行うことを特徴とする。
上述の実施形態では、上述の各実施形態では半導体製造装置の排気側の配管部を例に、配管内周面の温度分布を均一とする構成について説明したが、本発明はこれに限られず、以下の諸形態とすることも含まれる。
(付記8) 前記シール部材加熱手段は、抵抗発熱体であることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
Claims (7)
- 半導体基板に対して処理を行う反応装置と、
前記反応装置に接続された配管部と、
前記反応装置内又は前記配管部内の気密性を保つシール部材と、
前記シール部材を内部から加熱するシール部材加熱手段と、
前記シール部材の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の検出値に基づいて、前記シール部材加熱手段の発熱量を調整し、前記シール部材の温度を前記反応装置内の反応ガスの昇華点以上に保つ温度制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記温度制御手段は、前記シール部材加熱手段の発熱量を調整することにより、前記シール部材と前記配管部とを同一温度、又は前記シール部材と前記反応装置とを同一温度にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記シール部材は、前記配管部を構成する配管同士の接続部に設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造装置。
- 前記配管部を覆う被覆加熱手段を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記温度検出手段は前記配管部の温度も検出し、前記温度制御手段は、前記被覆加熱手段の発熱量も調整し、前記シール部材の温度と前記配管部の温度とを同一温度にすることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 半導体製造装置が備える反応装置内又は配管部内の気密を保つシール部材であって、加熱した熱媒体を流す管状部材が内部に設けられたシール部材。
- 半導体基板に対して処理を行う反応装置内又は配管内部の気密性を保つシール部材の温度を検出しながら、前記反応装置内の反応ガスの昇華点以上の温度に前記シール部材を加熱した状態で、前記配管部を通じて前記反応装置に前記反応ガスを供給、又は前記配管部を通じて前記反応装置から前記反応ガスを排気することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007156280A JP5315631B2 (ja) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007156280A JP5315631B2 (ja) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311346A true JP2008311346A (ja) | 2008-12-25 |
JP5315631B2 JP5315631B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=40238718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007156280A Expired - Fee Related JP5315631B2 (ja) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5315631B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016512392A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ポリマーを管理することによるエッチングシステムの生産性の向上 |
JP2016181661A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、加熱部、部材、半導体装置の製造方法および配管の加熱方法 |
WO2019004566A1 (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | (주)제이솔루션 | 설치가 용이한 반도체 및 lcd 제조공정의 배기가스 가열용 3중 배관 가열장치 |
WO2022210117A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | エドワーズ株式会社 | ガス配管温調システム及び温度動作装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61171965A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-08-02 | Hitachi Ltd | 封止部材およびその冷却方法 |
JPH06295882A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-10-21 | Matsushita Electron Corp | ドライエッチング装置 |
JPH08124866A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及びその方法 |
JPH10125666A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 成膜装置 |
JPH10168571A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-23 | Kokusai Electric Co Ltd | Oリングの冷却装置 |
JP2004324723A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fasl Japan 株式会社 | 配管接続構造及びヒータ内蔵シール部材 |
JP2006342386A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のシール構造 |
-
2007
- 2007-06-13 JP JP2007156280A patent/JP5315631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61171965A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-08-02 | Hitachi Ltd | 封止部材およびその冷却方法 |
JPH06295882A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-10-21 | Matsushita Electron Corp | ドライエッチング装置 |
JPH08124866A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及びその方法 |
JPH10125666A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 成膜装置 |
JPH10168571A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-23 | Kokusai Electric Co Ltd | Oリングの冷却装置 |
JP2004324723A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fasl Japan 株式会社 | 配管接続構造及びヒータ内蔵シール部材 |
JP2006342386A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のシール構造 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016512392A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ポリマーを管理することによるエッチングシステムの生産性の向上 |
JP2016181661A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、加熱部、部材、半導体装置の製造方法および配管の加熱方法 |
WO2019004566A1 (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | (주)제이솔루션 | 설치가 용이한 반도체 및 lcd 제조공정의 배기가스 가열용 3중 배관 가열장치 |
US11480285B2 (en) | 2017-06-27 | 2022-10-25 | J-Solution Co., Ltd. | Triple pipe heating device of easy installation for heating exhaust gas in semiconductor and LCD manufacturing process |
WO2022210117A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | エドワーズ株式会社 | ガス配管温調システム及び温度動作装置 |
JP2022157493A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | エドワーズ株式会社 | ガス配管温調システム及び温度動作装置 |
JP7322087B2 (ja) | 2021-03-31 | 2023-08-07 | エドワーズ株式会社 | ガス配管温調システム及び温度動作装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5315631B2 (ja) | 2013-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11168395B2 (en) | Temperature-controlled flange and reactor system including same | |
TWI500080B (zh) | 活動遮蔽之閘閥 | |
US6844273B2 (en) | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system | |
KR102410093B1 (ko) | 반도체 기판 프로세싱 장치의 컴포넌트의 내부 유체 습표면들을 코팅하기 위한 방법 및 코팅 시스템 | |
TW200535940A (en) | High productivity plasma processing chamber | |
JP5315631B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN101680090B (zh) | 真空处理装置 | |
US10351951B2 (en) | Substrate treatment apparatus including reaction tube with opened lower end, furnace opening member, and flange configured to cover upper surface of the furnace opening member | |
US8337619B2 (en) | Polymeric coating of substrate processing system components for contamination control | |
CN108389770B (zh) | 臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法 | |
WO2000074125A1 (fr) | Appareil pour la fabrication d'un dispositif a semiconducteur | |
US6730613B1 (en) | Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment | |
KR100781414B1 (ko) | 열처리장치 | |
JP2010016086A (ja) | 基板処理装置 | |
EP4117391A1 (en) | Substrate treatment device, manufacturing method of semiconductor device, substrate treatment method and program | |
JP2004324723A (ja) | 配管接続構造及びヒータ内蔵シール部材 | |
JP4640891B2 (ja) | 熱処理装置 | |
WO2009096379A1 (ja) | 圧力計測用加熱装置及び圧力計測装置 | |
KR101736683B1 (ko) | 배관계에 배기물의 부착퇴적을 방지하기 위한 배관계 부품 | |
JP2002286574A5 (ja) | ||
JP5346538B2 (ja) | 流体加熱装置およびこれを利用した半導体処理装置 | |
US6794308B2 (en) | Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment | |
KR20080103246A (ko) | 진공라인의 불순물 점착 방지용 블록히터가 구성된 반도체장비 | |
JP4184230B2 (ja) | 真空装置用排ガス配管 | |
JP2009270783A (ja) | 流体加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5315631 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |