JP6350706B1 - 水質調整水製造装置 - Google Patents

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【課題】超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して、半導体ウェハの洗浄水等として有用な水質調整水を製造するに当たり、薬液からのDOの混入、薬液の発泡による薬注不良や流量計の計測不良といった問題を解決して、DO濃度の低い高水質の水質調整水を安定的に製造する。【解決手段】超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して水質調整水を製造する装置であって、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を含む薬液を貯留する薬液タンク1と、該薬液タンク1内の薬液を超純水に薬注する薬注配管3と、該超純水に薬注される薬液を脱気処理する脱気手段6とを備える水質調整水製造装置。【選択図】図1

Description

本発明は、超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して、半導体ウェハの洗浄水等として有用な水質調整水を製造する装置に関するものであって、特にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤の薬液中の溶存酸素(DO)の持ち込みや発泡による問題を解消して低DO濃度の水質調整水を安定的に製造する装置に関する。
金属が露出する半導体ウェハの洗浄・リンス水工程では、ウェハの帯電、金属腐食・溶解、微粒子付着を抑制する目的で、酸又はアルカリのpH調整剤や、酸化剤又は還元剤のような酸化還元電位調整剤を、必要最低限のごく低濃度で超純水に溶解させた水質調整水が洗浄水(リンス水を含む)として使用される場合がある(例えば特許文献1)。この洗浄水の製造方法としては、H、O、CO、NHといった還元性、酸化性、酸性、又はアルカリ性のガスを超純水に溶解させる方法もあるが、操作が簡便であることから、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を水に溶解させた薬液を薬注する方法が採用される場合が多い。薬液の薬注方法としては、ポンプを用いる方法、密閉容器とNなどの不活性ガスによる加圧を用いる方法があり、いずれも実用化されている。
図4は、従来の水質調整水製造装置を示す系統図であり、薬液タンク1内の薬液は、薬注ポンプ2により薬注配管3を経て超純水の送水配管4に薬注される。5は流量計であり一定流量で送水される超純水に対して、流量計5の測定値に基づき、薬注量が制御されることで所定の水質の水質調整水が製造される。
一方、薬液を薬注する超純水にDOが含まれると、洗浄・リンス時にウェハ材料の酸化などの問題を引き起こす。そのため、水質調整水製造のための超純水は通常十分な脱気処理がなされており、そのDO濃度は一般に10μg/L未満である。
しかしながら、pH調整剤や酸化還元電位調整剤の薬液を超純水に添加すると、薬液に含まれるDOが超純水に混入してしまい、得られる水質調整水のDO濃度は超純水のDO濃度よりも上昇してしまう。
また、薬液によっては発泡性を有するものもあり、発泡により薬注ポンプがエアロックを起こして薬注ができなくなったり、また薬注量を制御するための流量計が正しく表示されないなどの問題が起こる場合もある。
特開2016−139766号公報
本発明は、超純水に薬注される薬液によるDOの混入、薬液の発泡による薬注不良や流量計の計測不良といった問題を解決する水質調整水製造装置を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく検討を重ね、超純水に薬注する直前で、薬液を脱気手段で脱気処理することで、上記課題を解決することができることを見出した。
即ち、本発明は以下を要旨とする。
[1] 超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して水質調整水を製造する装置であって、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を含む薬液を貯留する薬液タンクと、該薬液タンク内の薬液を超純水に薬注する薬注配管と、該超純水に薬注される薬液を脱気処理する脱気手段とを備え、前記脱気手段は、前記薬注配管に設けられており、該脱気手段の下流側の薬注配管に薬注ポンプと流量計を有することを特徴とする水質調整水製造装置。
] [1]において、前記脱気手段で脱気処理された前記薬液の一部を前記薬液タンクに返送する返送配管を有することを特徴とする水質調整水製造装置。
] [1]又は2]において、前記薬液が、前記pH調整剤として、塩酸、酢酸、硝酸、リン酸、硫酸、フッ酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、又は炭酸アンモニウムを含むことを特徴とする水質調整水製造装置。
] [1]ないし[]のいずれかにおいて、前記薬液が前記酸化還元電位調整剤として、過酸化水素、又は硝酸を含むことを特徴とする水質調整水製造装置。
] [1]ないし[]のいずれかにおいて、前記水質調整水は、半導体ウェハの洗浄水又はリンス水であることを特徴とする水質調整水製造装置。
] [1]ないし[]のいずれかにおいて、前記超純水を使用場所に送水する送水配管を有し、前記薬注配管は該送水配管に接続されていることを特徴とする水質調整水製造装置。
本発明によれば、超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して、半導体ウェハの洗浄水等として有用な水質調整水を製造するに当たり、薬液からのDOの混入、薬液の発泡による薬注不良や流量計の計測不良といった問題を解決して、DO濃度の低い高水質の水質調整水を安定的に製造することが可能となる。
本発明の水質調整水製造装置の実施の形態の一例を示す系統図である。 本発明の水質調整水製造装置の実施の形態の他の例を示す系統図である。 本発明の水質調整水製造装置の実施の形態の別の例を示す系統図である。 従来の水質調整水製造装置を示す系統図である。 実施例1及び比較例1で得られた水質調整水のNHOH濃度の経時変化を示すグラフである。
以下に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図1〜3は本発明の水質調整水製造装置の実施の形態の一例を示す系統図であり、図1〜3において、図4に示す部材と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。
本発明の水質調整水製造装置は、超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して水質調整水を製造する装置であって、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を含む薬液を貯留する薬液タンク1と、この薬液タンク1内の薬液を超純水に薬注する薬注配管3と、超純水に薬注される薬液を脱気処理する脱気手段6とを備えるものであり、薬液タンク1からの薬液は、通常、一定流量で送水される超純水の送水配管4に対して、薬注ポンプ2及び流量計5で流量調整されて薬注される。
図1〜3の水質調整水製造装置では、この薬注配管3の薬注ポンプ2の上流側に脱気手段6が設けられており、薬液タンク1内の薬液が脱気手段6で脱気処理された後、薬注ポンプ2、流量計5を経て超純水の送水配管4に薬注される。
このように、脱気手段6の下流側の薬注配管3に薬注ポンプ2及び流量計5が位置するように脱気手段6を設けることにより、薬液中のDOを除去すると共に、薬液の発泡による薬注ポンプ2のエアロックや流量計5の誤作動も防止することができる。
図1〜3では脱気手段6としてガス透過膜で液相側と気相側を隔て、エゼクターや真空ポンプ6Aで気相側を真空引きして液相側に通液される薬液中の溶存ガスを脱気処理する膜脱気装置が設けられているが、脱気手段は何ら膜脱気装置に限定されるものではない。
脱気手段による脱気の程度は水質調整水に要求されるDO濃度を満足し得る低DO濃度の薬液を得ることができる程度であればよい。
図2は、脱気手段6で脱気処理した薬液の一部を薬液タンク1に返送する返送配管7を設けた例を示し、このように脱気処理液の一部を薬液タンク1に返送することで、薬液タンク1内の薬液のDO濃度を下げ、また、薬液タンク1内の薬液の気泡の発生を抑制することができる。
この場合、薬液タンク1に返送する脱気処理液の量は特に制限はないが、通常脱気処理液の30〜50%程度とすることが、処理効率を大きく低下させることなく、返送による上記効果を得る上で好ましい。
このように、脱気処理液の一部を薬液タンク1に返送する場合、薬液中の不純物除去のために返送配管7にフィルター8を設けてもよい。
図3の装置は、超純水の送水配管4の薬注点4Aの下流側に、脱気手段9を設けたものであり、このように薬注点4Aの下流側に脱気手段9を設けることで、送水配管4に供給される超純水のDO濃度が高い場合、例えばDO10μg/L以上の超純水であっても、低DO濃度の水質調整水を製造することができる。この場合、脱気手段9は、脱気手段6と真空引き手段を共用させることで、部材数を削減することができる。ただし、このように薬注点4Aの下流側に脱気手段9を設ける場合、大型の脱気手段が必要となるため、超純水のDO濃度が低い場合には、脱気手段9を設けないことが好ましい。
本発明において、超純水に薬注する薬液は、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を超純水に溶解させて調製した薬液であり、そのpH調整剤としては、塩酸、酢酸、硝酸、リン酸、硫酸、フッ酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、又は炭酸アンモニウム等を用いることができる。
また、酸化還元電位調整剤としては過酸化水素や硝酸を用いることができる。
本発明で用いる薬液は、通常、これらの薬剤を20〜48重量%程度の濃度で含むものであり、このような薬液を超純水に薬注して、通常、薬剤濃度0.1〜100mg/L程度の水質調整水が製造される。
一方、薬液を添加する超純水としてはDO濃度の低いものが好ましく、通常、DO濃度10μg/L未満、好ましくは1μg/L未満の低DO濃度の超純水が用いられる。ただし、超純水の送水配管に図3のように、脱気手段を設けることで、DO濃度10μg/L以上の超純水を用いることも可能である。
本発明では、このような超純水に前述の薬液を薬注して、DO濃度10μg/L以下、特に1μg/L未満の低DO濃度の水質調整水を製造する場合に有効である。
本発明により製造される水質調整水は、半導体ウェハの洗浄水やリンス水として有用であるが、何らこの用途に限らず、低DO濃度の水質調整水が要求される用途に有効に用いることができる。
以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
[実施例1]
図1に示す構成の本発明の水質調整水製造装置により、以下の条件で水質調整水の製造を行った。
超純水のDO濃度:1μg/L未満
超純水の流量:40L/min
薬液:1.0重量%NHOH水溶液
(撹拌により故意に発泡させたもの)
薬注量:80mL/min
水質調整水の目標NHOH濃度:20mg/L
脱気手段としては10インチの脱気膜を内蔵した膜脱気装置(リキセル社製)を用い、真空ポンプを用いて脱気処理した。
その結果、得られた水質調整水のDO濃度は1μg/L未満であり、水質調整水の製造に用いた超純水のDO濃度を上昇させることはなかった。
また、得られた水質調整水のNHOH濃度の経時変化は図5に示す通りであり、240minにわたって、水質調整水のNHOH濃度は目標値の20mg/Lで安定していた。
[比較例1]
図4に示す脱気手段のない従来装置を用いたこと以外は、実施例1と同様の条件で水質調整水を製造した。
その結果、得られた水質調整水のDO濃度は16μg/Lと超純水のDO濃度よりも大幅に上昇していた。
また、得られた水質調整水のNHOH濃度の経時変化は図5に示す通りであり、運転開始から50min後からNHOH濃度が下がり始め、80min後にはNHOH濃度が計測されなくなった。これは、薬注ポンプのダイヤフラム部にエアがたまり始め、最終的にエアロック状態になったためであった。
1 薬液タンク
2 薬注ポンプ
5 流量計
6,9 脱気手段

Claims (6)

  1. 超純水にpH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を添加して水質調整水を製造する装置であって、pH調整剤及び/又は酸化還元電位調整剤を含む薬液を貯留する薬液タンクと、該薬液タンク内の薬液を超純水に薬注する薬注配管と、該超純水に薬注される薬液を脱気処理する脱気手段とを備え、前記脱気手段は、前記薬注配管に設けられており、該脱気手段の下流側の薬注配管に薬注ポンプと流量計を有することを特徴とする水質調整水製造装置。
  2. 請求項1において、前記脱気手段で脱気処理された前記薬液の一部を前記薬液タンクに返送する返送配管を有することを特徴とする水質調整水製造装置。
  3. 請求項1又は2において、前記薬液が、前記pH調整剤として、塩酸、酢酸、硝酸、リン酸、硫酸、フッ酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、又は炭酸アンモニウムを含むことを特徴とする水質調整水製造装置。
  4. 請求項1ないしのいずれか1項において、前記薬液が前記酸化還元電位調整剤として、過酸化水素、又は硝酸を含むことを特徴とする水質調整水製造装置。
  5. 請求項1ないしのいずれか1項において、前記水質調整水は、半導体ウェハの洗浄水又はリンス水であることを特徴とする水質調整水製造装置。
  6. 請求項1ないしのいずれか1項において、前記超純水を使用場所に送水する送水配管を有し、前記薬注配管は該送水配管に接続されていることを特徴とする水質調整水製造装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11779645B2 (en) * 2018-05-23 2023-10-10 Hydrosome Holdings, Llc Compositions comprising water that exhibits increased cell permeability and methods of use thereof
US20200121715A1 (en) 2018-10-20 2020-04-23 MC Technology Holdings, LLC Composition comprising aqueous medium with reduced size water clusters to improve bioavailability of the aqueous medium and methods for making and using the compositions
JP6900975B2 (ja) * 2019-06-12 2021-07-14 栗田工業株式会社 pH調整水製造装置
JP6977845B1 (ja) * 2020-09-30 2021-12-08 栗田工業株式会社 電子部品・部材の洗浄水供給装置及び電子部品・部材の洗浄水の供給方法
JP7029839B1 (ja) 2021-03-18 2022-03-04 株式会社ミスターウォーターマン 整水システム及びそれに用いられる添加ユニット
JP6928408B1 (ja) * 2021-03-18 2021-09-01 株式会社ミスターウォーターマン 整水システム及びそれに用いられる添加ユニット

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5858189A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Kurita Water Ind Ltd pH調節装置
JPS58131193A (ja) * 1982-01-30 1983-08-04 Nikkiso Co Ltd ヒドラジン注入によるボイラの給復水pH制御方法
JPH1177023A (ja) * 1997-09-02 1999-03-23 Kurita Water Ind Ltd 水素含有超純水の製造方法
JPH11267645A (ja) * 1998-03-25 1999-10-05 Kurita Water Ind Ltd 純水の製造方法
JP2000084368A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 薬液脱気用複合中空糸膜
JP2000317211A (ja) * 1999-05-13 2000-11-21 Mitsubishi Rayon Co Ltd 薬液脱気方法
JP2003334433A (ja) * 2002-05-16 2003-11-25 Kurita Water Ind Ltd 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置
JP2006250697A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Fuji Electric Systems Co Ltd 過酸化水素ガス滅菌処理システムと同システムにおける過酸化水素ガス濃度の検出装置および検出方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998008248A1 (fr) * 1996-08-20 1998-02-26 Organo Corporation Procede et dispositif pour laver des composants electroniques ou similaires
JP4367587B2 (ja) * 1998-12-01 2009-11-18 財団法人国際科学振興財団 洗浄方法
KR100780936B1 (ko) * 2001-09-07 2007-12-03 삼성전자주식회사 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법
JP2003136077A (ja) * 2001-10-31 2003-05-13 Nec Corp 半導体製造に用いる洗浄水又は浸漬水の製造装置
JP4109455B2 (ja) * 2002-01-15 2008-07-02 オルガノ株式会社 水素溶解水製造装置
JP2006071340A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Kurita Water Ind Ltd 液体中の溶存気体濃度の測定方法、測定装置及び窒素ガス溶解水の製造装置
JP5124946B2 (ja) * 2006-01-12 2013-01-23 栗田工業株式会社 超純水製造装置における超純水中の過酸化水素の除去方法
JP2007201111A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP4983069B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-25 栗田工業株式会社 純水給水ボイラ水系処理方法および処理装置
JP5326572B2 (ja) * 2006-10-31 2013-10-30 栗田工業株式会社 超純水の高純度化方法及び超純水製造システム
CA2689646A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 David T. Schwartzel Aqueous treatment apparatus utilizing precursor materials and ultrasonics to generate customized oxidation-reduction-reactant chemistry environments in electrochemical cells and/or similar devices
JP5251184B2 (ja) * 2008-03-14 2013-07-31 栗田工業株式会社 ガス溶解水供給システム
JP2009260020A (ja) 2008-04-16 2009-11-05 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム
CN102784496A (zh) * 2012-08-30 2012-11-21 常州捷佳创精密机械有限公司 清洗槽药液的脱气装置
WO2015012248A1 (ja) * 2013-07-24 2015-01-29 栗田工業株式会社 超純水製造システム、超純水製造供給システム及びその洗浄方法
SG11201602220TA (en) * 2013-09-25 2016-04-28 Organo Corp Substrate treatment method and substrate treatment device
JP6325658B2 (ja) * 2014-05-08 2018-05-16 オルガノ株式会社 ろ過処理方法
JP6228531B2 (ja) * 2014-12-19 2017-11-08 栗田工業株式会社 超純水製造装置及び超純水製造方法
JP6531406B2 (ja) 2015-01-29 2019-06-19 栗田工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6299913B1 (ja) * 2017-03-30 2018-03-28 栗田工業株式会社 pH・酸化還元電位調整水の製造装置
JP6299912B1 (ja) * 2017-03-30 2018-03-28 栗田工業株式会社 pH及び酸化還元電位を制御可能な希釈薬液の製造装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5858189A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Kurita Water Ind Ltd pH調節装置
JPS58131193A (ja) * 1982-01-30 1983-08-04 Nikkiso Co Ltd ヒドラジン注入によるボイラの給復水pH制御方法
JPH1177023A (ja) * 1997-09-02 1999-03-23 Kurita Water Ind Ltd 水素含有超純水の製造方法
JPH11267645A (ja) * 1998-03-25 1999-10-05 Kurita Water Ind Ltd 純水の製造方法
JP2000084368A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 薬液脱気用複合中空糸膜
JP2000317211A (ja) * 1999-05-13 2000-11-21 Mitsubishi Rayon Co Ltd 薬液脱気方法
JP2003334433A (ja) * 2002-05-16 2003-11-25 Kurita Water Ind Ltd 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置
JP2006250697A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Fuji Electric Systems Co Ltd 過酸化水素ガス滅菌処理システムと同システムにおける過酸化水素ガス濃度の検出装置および検出方法

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Publication number Publication date
WO2018179495A1 (ja) 2018-10-04
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