JP6350323B2 - 単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6350323B2
JP6350323B2 JP2015024661A JP2015024661A JP6350323B2 JP 6350323 B2 JP6350323 B2 JP 6350323B2 JP 2015024661 A JP2015024661 A JP 2015024661A JP 2015024661 A JP2015024661 A JP 2015024661A JP 6350323 B2 JP6350323 B2 JP 6350323B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling water
rotating shaft
crucible
single crystal
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015024661A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016147772A (ja
Inventor
信平 阿部
信平 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2015024661A priority Critical patent/JP6350323B2/ja
Publication of JP2016147772A publication Critical patent/JP2016147772A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6350323B2 publication Critical patent/JP6350323B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

本発明は、単結晶製造装置、特に、溶液法によるSiC単結晶製造装置に関する。
単結晶を製造する方法として、チャンバ内に設置された坩堝内の原料溶液に、種結晶を浸漬させて引き上げる方法がある。
SiC(シリコンカーバイド)単結晶の製造方法として、溶液法がある。溶液法においては、チャンバー内に設けられた黒鉛坩堝に原料Si(シリコン)を装入し、加熱コイルで原料を溶融し、Si溶液とする。このSi溶液に黒鉛坩堝からCを溶解させてSi−C溶液とし、このSi−C溶液に種結晶を浸漬して引き上げ、単結晶を製造する。その際、種結晶と坩堝の少なくとも一方を回転する。
特許文献1には、チョクラルスキー法により、チャンバ内で坩堝を回転しつつ、Si単結晶を製造する装置及び方法が開示されている。特許文献1に開示される装置及び方法においては、坩堝に連結された回転軸に放熱用フィンが設置され、その放熱フィンに冷却ガスが吹き付けられる。
特開平8−91981号公報
回転軸には熱に弱いベアリング等が設置されている。Si単結晶を製造する場合は、シリコンカーバイドと比べて融点が低いため、ベアリング等が受ける熱の量は、それほど多くない。したがって、回転軸に設置された放熱フィンが、冷却ガスによって冷却される程度で足りる場合も多い。
また、回転軸に放熱フィンが設置されると、チャンバサイズが大きくなり、ひいては、単結晶製造装置が大型化する。
一方、SiC単結晶を製造する場合には、Si溶液内に黒鉛坩堝のCを溶解させたSi−Cとするため、Si溶液の温度を非常に高くする必要があり、ベアリング等が受ける熱の量は非常に多い。したがって、回転軸が冷却ガスによって冷却される程度では、冷却能力が不足する。特に、単結晶製造装置を小型化すると、ベアリング等が加熱コイルや原料溶液の熱源に近づき、冷却不足が深刻となる。
本発明は、上記課題を解決する単結晶製造装置を提供することを目的とする。
本発明の要旨は、次のとおりである。
〈1〉チャンバの内部に、坩堝と種結晶を備える単結晶製造装置であって、前記坩堝と前記種結晶の少なくとも一方に、回転軸が連結されており、前記回転軸の外周に、ベアリングを介して支持部材が設置されており、前記回転軸及び前記支持部材のいずれも、冷却水流路を有している、単結晶製造装置。
本発明によれば、ベアリング等が内径側と外径側の両方から充分に冷却されるため、回転軸を短くしてベアリング等が熱源に近くなっても、冷却能力が不足することがなく、単結晶製造装置を小型化することができる。
本発明に係る単結晶製造装置の実施形態の概略を示す図である。 本発明に係る単結晶製造装置の別の実施形態の概略を示す図である。
以下、本発明に係る単結晶製造装置の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明を限定するものではない。例えば、上述したように、本発明は、坩堝内の溶液の温度が非常に高温となるSiC単結晶の製造装置として用いて特に好適であるが、坩堝内の溶液の温度がそれほど高温とならないSi単結晶の製造装置として用いても当然よい。
図1は、本発明に係る単結晶製造装置の実施形態の概略を示す図である。
(本発明の単結晶製造装置の全体構造)
本発明の単結晶製造装置100は、坩堝1と、種結晶2と、加熱コイル3が、チャンバ4の内部に格納されている。
チャンバ4には、真空ポンプ5が連結される。また、チャンバ4には真空計6が連結される。チャンバ4の内部は、微少な酸素も混入しないよう、真空ポンプ5で排気した後、不活性ガス供給源(図示せず)から、ヘリウム等の不活性ガスを導入し、チャンバ4の内部を正圧とする。この状態で、加熱コイル3により原料を加熱、溶融して、原料溶液7とする。この原料溶液7に種結晶2を浸漬し、引き上げ機構(図示せず)により種結晶2を引き上げる。
種結晶2は、種結晶回転軸10と連結され、坩堝1は、坩堝回転軸50と連結される。
種結晶回転軸10には、種結晶回転軸10を回転させる機構(図示せず)が連結される。坩堝回転軸50には、坩堝回転軸50を回転させる機構(図示せず)が連結される。
種結晶回転軸10の外周には、ベアリング21a、21bを介して支持部材20が設置される。坩堝回転軸50の外周には、ベアリング61a、61bを介して支持部材60が設置される。
(種結晶回転軸の冷却)
種結晶回転軸10は、回転軸アウタ11aと回転軸インナ11bを備えた二重構造である。回転軸アウタ11aには軸方向に溝が設けられ、その溝と回転軸インナ11bとで、冷却水流路12が形成される。冷却水流路12の両端は、回転軸10を構成する回転軸アウタ11aの外周に開口部13a、13bを有する。
種結晶回転軸10の坩堝1と反対側の端部14は、チャンバ4の外部へ突出する。この端部14に、3本の環状パッキン15a、15b、15cが挿通される。環状パッキン15a、15b、15cを介して、種結晶回転軸10を構成する回転軸アウタ11aの外周に、シールハウジング16が設置される。シールハウジング16の内周は円筒状であり、シールハウジング16の内周が、環状パッキン15a、15b、15cの外周と接する。
3本の環状パッキン15a、15b、15cのうち、環状パッキン15aと環状パッキン15bは、隣り合う2本の環状パッキンである。環状パッキン15bと環状パッキン15cも同様である。
回転軸アウタ11aの外周と、環状パッキン15aと、シールハウジング16の内周と、環状パッキン15bとで冷却水供給室17aを形成する。この冷却水供給室17aに、冷却水流路12の一端の開口部13aが連通する。シールハウジング16に、冷却水導入口18aが設置され、この冷却水導入口18aは、冷却水供給室17aに連通する。
回転軸アウタ11aの外周と、環状パッキン15bと、シールハウジング16の内周と、環状パッキン15cとで冷却排出室17bを形成する。この冷却水排出室17bに、冷却水流路12の他端の開口部13bが連通する。シールハウジング16に、冷却水排出口18bが設置され、この冷却水排出口18bは、冷却水排出室17bに連通する。
このようにして形成された、冷却水供給室17aと冷却水排出室17bにより、回転中の種結晶回転軸10に冷却水を給排水することができる。
冷却水導入口18aから導入された冷却水は、冷却水流路12を経て、ベアリング21a、21bをそれらの内周側から冷却し、冷却水排出口18bから排出される。
回転軸アウタ11aと、3本の環状パッキン15a、15b、15cを介して設置されるシールハウジング16とで、回転シール19を構成する。回転シール19は、種結晶回転軸10の軸方向に貫通孔Hを有している。この貫通孔Hに種結晶回転軸10が挿通されることにより、種結晶回転軸10を回転させることができる。
冷却水供給室17aと冷却水排出室17bの内部にある冷却水は、3本の環状パッキン15a、15b、15cによって封止されている。また、3本の環状パッキン15a、15b、15cは、回転中の種結晶回転軸10を構成する回転軸アウタ11aと摩擦されている。したがって、回転シール19の冷却水漏れに対する信頼性は、高いとはいえない。
しかし、万が一、環状パッキン15a、15b、15cが破損し、回転シール19から水漏れが発生しても、回転シール19はチャンバ4の外部に設置されているため、目視によって、すぐに水漏れを発見することができる。
(種結晶回転軸を支持する部材の冷却)
支持部材20は、ハウジングアウタ22aとハウジングインナ22bを備えた二重構造である。ハウジングインナ22bの外周には螺旋状の溝が設けられ、その溝とハウジングアウタ22aとで冷却水流路23が形成される。
ハウジングインナ22bの外周には、円周状の溝が設けられ、Oリング25a、25bが格納される。このOリング25a、25bは、ハウジングアウタ22aとハウジングインナ22bとを結合させることにより、適度に変形し、冷却水流路23からの冷却水の漏れを防止する。
ハウジングアウタ22aには、冷却水導入口24aと、冷却水排出口24bが設置される。冷却水導入口24aから導入された冷却水は、冷却水流路23を経て、ベアリング21a、21bをそれらの外周側から冷却し、冷却水排出口24bから排出される。
べアリング21a、21bは、種結晶回転軸10に設けられた冷却水流路12により、ベアリング21a、21bの内周側から冷却されると同時に、支持部材20に設けられた冷却水流路23により、ベアリング21a、21bの外周側からも冷却される。
環状パッキン15a、15b、15cと比べると、Oリング25a、25bは、坩堝1に近いため、より多くの熱を受ける。しかし、Oリング25a、25bは、冷却水流路23に近いため、充分に冷却されており、熱によって破損することはない。また、Oリング25a、25bは、環状パッキン15a、15b、15cと異なり、種結晶回転軸10から摩擦を受けることもないため、摩耗によって破損することもない。
(坩堝回転軸の冷却)
坩堝回転軸50は、回転軸アウタ51aと回転軸インナ51bを備えた二重構造である。回転軸アウタ51aには軸方向に溝が設けられ、その溝と回転軸インナ51bとで、冷却水流路52が形成される。冷却水流路52の両端は、回転軸50を構成する回転軸アウタ51aの外周に開口部53a、53bを有する。
坩堝回転軸50の坩堝1と反対側の端部54は、チャンバ4の外部へ突出する。この端部54に、3本の環状パッキン55a、55b、55cが挿通される。環状パッキン55a、55b、55cを介して、坩堝回転軸50を構成する回転軸アウタ51aの外周に、シールハウジング56が設置される。シールハウジング56の内周は円筒状であり、シールハウジング56の内周が、環状パッキン55a、55b、55cの外周と接する。
3本の環状パッキン55a、55b、55cのうち、環状パッキン55aと環状パッキン55bは、隣り合う2本の環状パッキンである。環状パッキン55bと環状パッキン55cも同様である。
回転軸アウタ51aの外周と、環状パッキン55aと、シールハウジング56の内周と、環状パッキン55bとで冷却水供給室57aを形成する。この冷却水供給室57aに、冷却水流路52の一端の開口部53aが連通する。シールハウジング56に、冷却水導入口58aが設置され、この冷却水導入口58aは、冷却水供給室57aに連通する。
回転軸アウタ51aの外周と、環状パッキン55bと、シールハウジング56の内周と、環状パッキン55cとで冷却排出室57bを形成する。この冷却水排出室57bに、冷却水流路52の他端の開口部53bが連通する。シールハウジング56に、冷却水排出口58bが設置され、この冷却水排出口58bは、冷却水排出室57bに連通する。
このようにして形成された、冷却水供給室57aと冷却水排出室57bにより、回転中の坩堝回転軸50に冷却水を給排水することができる。
冷却水導入口58aから導入された冷却水は、冷却水流路52を経て、ベアリング61a、61bをそれらの内周側から冷却し、冷却水排出口58bから排出される。
回転軸アウタ51aと、3本の環状パッキン55a、55b、55cを介して設置されるシールハウジング56とで、回転シール59を構成する。回転シール59は、坩堝回転軸50の軸方向に貫通孔Hを有している。この貫通孔Hに坩堝回転軸50が挿通されることにより、坩堝回転軸50を回転させることができる。
冷却水供給室57aと冷却水排出室57bの内部にある冷却水は、3本の環状パッキン55a、55b、55cによって封止されている。また、3本の環状パッキン55a、55b、55cは、回転中の坩堝回転軸50を構成する回転軸アウタ11aと摩擦されている。したがって、回転シール59の冷却水漏れに対する信頼性は、高いとはいえない。
しかし、万が一、環状パッキン55a、55b、55cが破損し、回転シール59から水漏れが発生しても、回転シール59はチャンバ4の外部に設置されているため、目視によって、すぐに水漏れを発見することができる。
(坩堝回転軸を支持する部材の冷却)
支持部材60は、ハウジングアウタ62aとハウジングインナ62bを備えた二重構造である。ハウジングインナ62bの外周には螺旋状の溝が設けられ、その溝とハウジングアウタ62aとで冷却水流路63が形成される。
ハウジングインナ62bの外周には、円周状の溝が設けられ、Oリング65a、65bが格納される。このOリング65a、65bは、ハウジングアウタ62aとハウジングインナ62bとを結合させることにより、適度に変形し、冷却水流路63からの冷却水の漏れを防止する。
ハウジングアウタ62aには、冷却水導入口64aと、冷却水排出口64bが設置される。冷却水導入口64aから導入された冷却水は、冷却水流路63を経て、ベアリング61a、61bを外周側から冷却し、冷却水排出口64bから排出される。
べアリング61a、61bは、坩堝回転軸50に設けられた冷却水流路52により、ベアリング61a、61bの内周側から冷却されると同時に、支持部材60に設けられた冷却水流路63により、ベアリング61a、61bの外周側からも冷却される。
環状パッキン55a、55b、55cと比べると、Oリング65a、65bは、坩堝1に近いため、より多くの熱を受ける。しかし、Oリング65a、65bは、冷却水流路63に近いため、充分に冷却されており、熱によって破損することはない。また、Oリング65a、65bは、環状パッキン55a、55b、55cと異なり、坩堝回転軸50から摩擦を受けることもないため、摩耗によって破損することもない。
本実施形態では、種結晶2と坩堝1の両方を回転する実施形態を示したが、種結晶2及び坩堝1のいずれかを回転してもよい。
また、環状パッキン15a、15b、15cは、3本以上であってもよい。例えば、3本の環状パッキン15a、15b、15cそれぞれを2重にして、冷却水導入口17a、冷却水排出室17bからの冷却水の漏れに対する信頼性を高めてもよい。
さらに、図2は、本発明に係る単結晶装置の別の実施形態の概略を示す図である。
ハウジングインナ22bの外周に設けられた溝に格納されたOリング25a、25bに代えて、ハウジングアウタ22aとハウジングインナ22bを溶接してもよい。溶接方法は、例えば、溶接ビード26a、26bを図2に示したように設ける。
同様に、ハウジングインナ62bの外周に設けられた溝に格納されたOリング65a、65bに代えて、ハウジングアウタ62aとハウジングインナ62bを溶接してもよい。溶接方法は、例えば、溶接ビード66a、66bを、図2に示したように設ける。
本発明によれば、装置の大型化を避けつつ、高品質の単結晶を、安全に製造することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性が大きい。
1 坩堝
2 種結晶
3 加熱コイル
4 チャンバ
5 真空ポンプ
6 真空計
7 原料溶液
10 種結晶回転軸
11a、51a 回転軸アウタ
11b、51b 回転軸インナ
12、23、52、63 冷却水流路
13a、13b、53a、53b 開口部
14、54 端部
15a、15b、15c、55a、55b、55c 環状パッキン
16、56 シールハウジング
17a、57a 冷却水供給室
17b、57b 冷却水排出室
18a、24a、58a、64a 冷却水導入口
18b、24b、58b、64b 冷却水排出口
19、59 回転シール
20、60 支持部材
21a、21b、61a、61b ベアリング
22a、62a ハウジングアウタ
22b、62b ハウジングインナ
25a、25b、65a、65b Oリング
26a、26b、66a、66b 溶接ビード
50 坩堝回転軸
H 貫通孔
100 単結晶製造装置

Claims (1)

  1. チャンバの内部に、坩堝と種結晶を備える単結晶製造装置であって、
    前記坩堝と前記種結晶の両方に、回転軸が連結されており、
    前記回転軸の外周に、ベアリングを介して支持部材が設置されており、
    前記回転軸及び前記支持部材のいずれも、冷却水流路を有しておりかつ
    前記回転軸の支持部材は、ハウジングアウタとハウジングインナとを備え、前記ハウジングインナの外周には螺旋状の溝が設けられており、前記溝と前記ハウジングアウタとで冷却水流路が形成されている、
    単結晶製造装置。
JP2015024661A 2015-02-10 2015-02-10 単結晶製造装置 Expired - Fee Related JP6350323B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015024661A JP6350323B2 (ja) 2015-02-10 2015-02-10 単結晶製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015024661A JP6350323B2 (ja) 2015-02-10 2015-02-10 単結晶製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016147772A JP2016147772A (ja) 2016-08-18
JP6350323B2 true JP6350323B2 (ja) 2018-07-04

Family

ID=56691572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015024661A Expired - Fee Related JP6350323B2 (ja) 2015-02-10 2015-02-10 単結晶製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6350323B2 (ja)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2939919B2 (ja) * 1993-01-27 1999-08-25 コマツ電子金属株式会社 半導体単結晶引き上げ装置
JP3214988B2 (ja) * 1994-09-09 2001-10-02 ワッカー・エヌエスシーイー株式会社 シリコン単結晶の製造装置
JPH08169796A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Sumitomo Metal Ind Ltd 単結晶引き上げ装置
JPH10273375A (ja) * 1997-03-27 1998-10-13 Super Silicon Kenkyusho:Kk 結晶成長炉用ペディスタル装置
JP2000169290A (ja) * 1998-12-08 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置
JP2007277041A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Covalent Materials Corp 単結晶引上装置
KR20110107258A (ko) * 2010-10-08 2011-09-30 박광준 잉곳 그로워
KR20120097992A (ko) * 2011-02-28 2012-09-05 김영기 반도체 단결정 성장장치
JP2013256411A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Sharp Corp 薄板製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016147772A (ja) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105531518B (zh) 机械密封
JP5960028B2 (ja) 熱処理装置
JP5372772B2 (ja) タンデムシール
WO2016058457A1 (zh) 使双端面机械密封摩擦副冷却的轴套及其离心泵冷却系统
US7746982B2 (en) Rotary anode X-ray tube
US9732441B2 (en) Production apparatus and production method of SiC single crystal
CN101469444B (zh) 单结晶硅制造装置
JP2013010691A5 (ja) 単結晶シリコン製造装置及び製造方法
JP2007230845A (ja) 単結晶育成装置
JP6350323B2 (ja) 単結晶製造装置
JP6350324B2 (ja) 単結晶製造装置
JP5912670B2 (ja) ワークのガス冷却装置
CN105555487B (zh) 工业用机器人
JP5453671B2 (ja) 真空熱処理炉用シーリング機構
JP2018200068A (ja) シール構造及びメカニカルシール
JP6878103B2 (ja) メカニカルシール
CN106122037A (zh) 一种高温泵悬架体的冷却装置
KR20110107258A (ko) 잉곳 그로워
KR102495613B1 (ko) 로터리식 자성 유체 밀봉 장치
JP3971355B2 (ja) 磁性流体シール装置
TW202122698A (zh) 低溫熱傳導系統及離子植入系統
CN102517565B (zh) 直立式沉积炉管
JP2010203738A (ja) 熱処理炉のエンドキャップ
JP5973940B2 (ja) タンデム型メカニカルシール装置
JP2018179093A (ja) メカニカルシール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170316

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180521

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6350323

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees