JP2007230845A - 単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007230845A JP2007230845A JP2006057342A JP2006057342A JP2007230845A JP 2007230845 A JP2007230845 A JP 2007230845A JP 2006057342 A JP2006057342 A JP 2006057342A JP 2006057342 A JP2006057342 A JP 2006057342A JP 2007230845 A JP2007230845 A JP 2007230845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- induction coil
- single crystal
- raw material
- ring
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- General Induction Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】フローティングゾーン法により、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶の原料からなる原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための略環状の誘導コイル6が、環の周方向に複数の領域に分割されて、各領域ごとに、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却管16が形成されている単結晶育成装置。
【選択図】図3
【解決手段】育成する単結晶の原料からなる原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための略環状の誘導コイル6が、環の周方向に複数の領域に分割されて、各領域ごとに、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却管16が形成されている単結晶育成装置。
【選択図】図3
Description
本発明は、フローティングゾーン(FZ)法によって単結晶を育成するための、単結晶育成装置に関するものである。
金属や半導体等の単結晶を、所定の大きさに育成するための単結晶育成方法として、いわゆるフローティングゾーン法が知られている。フローティングゾーン法は、特に、高い純度が要求される単結晶を育成する場合や、育成する原料の融点が高いため、前記原料の融液と反応しない材料からなる適当な坩堝が存在しない場合等に、広く採用される。図7は、フローティングゾーン法を実施するために用いる従来の、単結晶育成装置1の一例を示す断面図である。
図7を参照して、この例の単結晶育成装置1は、育成する単結晶13の原料からなる原料棒2を、前記原料棒2の軸方向を鉛直方向(図において上下方向)に向けた状態で保持するための上ホルダ3と、原料棒2の下端に当接されて、結晶成長の開始点として機能する種結晶4を保持するための下ホルダ5と、略環状に形成され、前記上ホルダ3によって保持される原料棒2と同軸に配設された状態で、交流電圧が印加されることによって、誘導磁場を生じて、前記原料棒2の、軸方向の、一定長の領域にジュール熱を発生させて、いわゆる誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル6と、前記各部材を内部に収容するための耐圧容器7とを備えている。
また、上ホルダ3および下ホルダ5は、それぞれ、耐圧容器7外に配設された駆動装置8、9から、耐圧容器7の気密を維持した状態で、前記耐圧容器7内に突設され、駆動装置8、9によって個別に駆動されて、原料棒2の軸を中心として回転しながら、前記原料棒2の軸方向に上下動する駆動軸10、11の先端に接続されている。
前記各部を備えた、図7の例の単結晶育成装置1を用いて、単結晶13を育成するためには、まず、原料棒2を、上ホルダ3に保持させると共に、種結晶4を、原料棒2の下端から離間させて、下ホルダ5に保持させた状態で、耐圧容器7を密閉し、内部の空気を除去すると共に、数気圧の不活性ガス雰囲気とする。
次に、原料棒2の下端を、上方から、誘導コイル6に近づけた状態で、駆動装置8、9を駆動させて、前記原料棒2と種結晶4とを、それぞれ、原料棒2の軸を中心として、一定速度で、図中に実線の矢印で示すように、同方向に回転させながら、誘導コイル6に交流電圧を印加して、原料棒2の下端を、誘導加熱によって、原料の融点以上の温度に加熱して溶融させる。
次に、駆動装置9を駆動させて、種結晶4を上方向に移動させて、原料棒2の下端と接触させた後、原料棒2と種結晶4の回転を続けながら、前記両者を、それぞれ個別に、任意の速度で、図中に実線の矢印で示すように、下方向に移動させる。そうすると、原料棒2に、前記原料棒2を形成する原料の融液からなり、原料棒2の軸方向に一定長を有する溶融帯12が形成されると共に、前記溶融帯12が、原料棒2の、下方向への移動に伴って、原料棒2の上方へ移動することで、溶融帯12より下側に、前記溶融帯12が通過した後の温度降下による融液の凝固によって、種結晶4の結晶とマッチングした単結晶13が成長し、育成される。
図8は、前記単結晶育成装置1に用いる、従来の、誘導コイル6の一例を示す、図7と同方向の断面図、図9は、前記誘導コイル6の平面図である。図8、図9を参照して、この例の誘導コイル6は、図9に示す平面形状が、円周上の1個所にスリット14を設けることで遮断された、略環状に形成されていると共に、図8に示す、前記環の中心から放射方向で、かつ原料棒2の軸方向の断面形状が、扁平状(ニードルアイ形状と呼ばれる)に形成されたものである(特許文献1参照)。
前記ニードルアイ形状を有する誘導コイル6は、通常、銅等の熱伝導性に優れた金属材料によって形成され、内部に、溶融帯12や単結晶13からの熱によって溶融したり軟化したりすることで変形するのを防止するための冷却機構として、水等の冷媒を流通させるための冷却管16が形成された構造に形成される。
また、冷却管16としては、図9に破線で示すように、一端が、誘導コイル6の、スリット14を挟む2個所から、環の径方向の外方へ突設された、2本の、前記冷却管16に冷媒を供給するための配管17のうちの一方と接続され、環を略一周するように誘導コイル6内に形成されて、他端が、前記2本の配管17のうちの他方と接続されたものが一般的に用いられる。
前記冷却管16に、水等の冷媒を、一方(図では左側)の配管17から供給し、冷却管16を通して環内を循環させた後、他方(図では右側)の配管17から排出させることによって、誘導コイル6の略全周が、冷却される。なお、図9の例では、配管17が、前記誘導コイル6を、単結晶育成装置1の所定の位置に支持するための支持棒としても用いられると共に、図9に示すように、誘導コイル6に、交流電源18から、誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子としても利用されている。
前記ニードルアイ形状を有する誘導コイル6によれば、特に、金属や半導体等の、導電性の原料からなり、溶融帯12を形成する融液に、前記誘導コイル6の、環の内側の縁部15付近の領域から、電磁誘導による浮遊力を付与して、前記融液を、溶融帯12の中心部の方向に集中させることができる。
そのため、図8に示すように、誘導コイル6の、環の内径を、原料棒2や単結晶13の外径より小さく設定することにより、前記誘導コイル6の、環の内側の縁部15を、原料棒2や単結晶13の外径よりも、径方向の内側に入り込ませた状態で、そのさらに内側に、溶融帯12を、安定に維持させることができる。
したがって、溶融帯12の、原料棒2の軸方向の長さを、できるだけ小さくして、前記溶融帯12の、単結晶13との界面の、外周付近での静水圧を小さくできるため、たとえ、育成する単結晶13の径が、これまでに比べて大径化された場合でも、静水圧の上昇を、極力、抑制して、溶融帯12が、前記単結晶13の周方向に不規則な垂れを生じて、均一な単結晶13を育成できなくなるという不具合が生じるのを、確実に防止することができる。
そして、例えば、シリコン(融点約1400℃)等の、比較的、低融点の原料からなる単結晶13の場合であれば、これまでよりも大径化された単結晶13を、より安定に育成することができる。
特開2002−249393号公報(段落[0003]〜[0004]、図2、図3)
しかし、ホウ化ジルコニウム(融点約3400℃)等の、融点が3000℃を超えるような、極めて融点の高い原料からなる単結晶13を育成する場合には、図9の誘導コイル6では、前記冷却管16を備えた冷却機構による冷却が不十分であり、特に、高温の溶融帯12を囲む、環の内側の縁部15付近の領域が高温になって、溶融したり軟化したりして変形することによって、単結晶13を育成する工程を続けることができなくなるおそれがある。
冷却管16の内径を太くして、流通させる冷媒の流量を増加させることも考えられるが、扁平なニードルアイ形状の誘導コイル6では、冷却管16の内径を太くできる範囲にも限界があり、それによって得られる、冷却能力を向上する効果にも限界がある。そのため、前記高融点の原料からなる単結晶13を育成する場合には、通常、ニードルアイ形状ではなく、内径が、原料棒2および単結晶13の外径よりも大きい誘導コイル6が使用されるが、前記誘導コイル6では、融液に、先に説明した、電磁誘導による浮遊力を、十分に付与することができないため、溶融帯12が、下方に垂れ下がる傾向がある。
そして、前記垂れ下がりが生じて、溶融帯12が、同方向に長くなるほど、前記溶融帯12の、単結晶13との界面の、外周付近での静水圧が増加することになるため、特に、育成する単結晶13の径が大きいほど、溶融帯12が、前記単結晶13の周方向に不規則な垂れを生じて、均一な単結晶13を育成できなくなるという不具合を生じるおそれが増大する。
本発明の目的は、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供することにある。
請求項1記載の発明は、略環状に形成され、育成する単結晶の原料からなる原料棒と同軸に配設されて、前記原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイルを備え、前記誘導コイルと原料棒とを、前記原料棒の軸方向に、相対的に移動させることで、前記溶融によって形成される溶融帯を、前記軸方向に移動させて、溶融帯が通過した後の凝固によって単結晶を成長させ、育成するための単結晶育成装置であって、前記略環状の誘導コイルが、環の周方向に複数の領域に分割されて、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却機構を備えることを特徴とする単結晶育成装置である。
図9の誘導コイル6において、冷却管16を備えた冷却機構による冷却が不十分になるのは、前記冷却管16が、誘導コイル6の、略全周に亘って、環内を循環するように形成されており、長すぎて、水等の冷媒が、冷却管16内を流れている間に高温に加熱されてしまうためである。
これに対し、請求項1記載の発明によれば、誘導コイルが、環の周方向に複数の領域に分割されて、それぞれの領域が、各々の領域毎に設けた冷却機構によって、個別に冷却されるため、前記誘導コイルを、ニードルアイ形状として、高融点の原料からなる単結晶の育成に使用した際に、前記誘導コイルの、特に、高温の溶融帯を囲む、環の内側の縁部付近の領域を低温に維持して、前記領域が、溶融したり軟化したりして変形するのを防止することができる。そのため、前記高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することが可能となる。
なお、冷却機構による、誘導コイルの冷却効果を、より一層、向上することを考慮すると、前記誘導コイルは、請求項2に記載したように、環の周方向に3つ以上の領域に分割されて、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却機構を備えているのが好ましい。また、冷却機構としては、構造を簡略化すると共に、より効率的に、誘導コイルを冷却することを考慮すると、請求項3に記載したように、誘導コイルの各領域内に、個別に形成され、冷媒を流通させることで、前記領域を冷却するための冷却管が好ましい。
また、冷却管は、従来同様に、誘導コイルの、環の放射方向の外方に突設されて、前記冷却管に冷媒を供給するための配管と接続して用いられ、その際に、請求項4に記載したように、前記配管に、誘導コイルを、所定の位置に支持するための支持棒を兼ねさせることにより、誘導コイル周りの構造を、さらに簡略化することができる。また、前記配管の少なくとも一部に、請求項5に記載したように、誘導コイルに、誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねさせることにより、誘導コイル周りの構造を、より一層、簡略化することができる。
本発明によれば、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成できる単結晶育成装置を提供することができる。
図1は、本発明の単結晶育成装置1の、実施の形態の一例を示す断面図である。図2は、前記単結晶育成装置1の要部である、誘導コイル6の部分を拡大した断面図である。
両図を参照して、この例の単結晶育成装置1は、育成する単結晶13の原料からなる原料棒2を、前記原料棒2の軸方向を鉛直方向(図において上下方向)に向けた状態で保持するための上ホルダ3と、原料棒2の下端に当接されて、結晶成長の開始点として機能する種結晶4を保持するための下ホルダ5と、略環状に形成され、前記上ホルダ3によって保持される原料棒2と同軸に配設された状態で、交流電圧が印加されることによって、誘導磁場を生じて、前記原料棒2の、軸方向の、一定長の領域に、ジュール熱を発生させて、いわゆる誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル6と、前記各部材を内部に収容するための耐圧容器7とを備えている。
また、上ホルダ3および下ホルダ5は、それぞれ、耐圧容器7外に配設された駆動装置8、9から、耐圧容器7の気密を維持した状態で、前記耐圧容器7内に突設され、駆動装置8、9によって個別に駆動されて、原料棒2の軸を中心として回転しながら、前記原料棒2の軸方向に上下動する駆動軸10、11の先端に接続されている。
前記各部を備えた、図1、図2の例の単結晶育成装置1を用いて、単結晶13を育成するためには、まず、原料棒2を、上ホルダ3に保持させると共に、種結晶4を、原料棒2の下端から離間させて、下ホルダ5に保持させた状態で、耐圧容器7を密閉し、内部の空気を除去すると共に、数気圧の不活性ガス雰囲気とする。
次に、原料棒2の下端を、上方から、誘導コイル6に近づけた状態で、駆動装置8、9を駆動させて、前記原料棒2と種結晶4とを、それぞれ、原料棒2の軸を中心として、一定速度で、図中に実線の矢印で示すように、同方向に回転させながら、誘導コイル6に交流電圧を印加して、原料棒2の下端を、誘導加熱によって、前記原料棒2を形成する原料の融点以上の温度に加熱して溶融させる。
次に、駆動装置9を駆動させて、種結晶4を上方向に移動させて、原料棒2の下端と接触させた後、原料棒2と種結晶4の回転を続けながら、前記両者を、それぞれ個別に、任意の速度で、図中に実線の矢印で示すように、下方向に移動させる。そうすると、原料棒2に、前記原料棒2を形成する原料の融液からなり、原料棒2の軸方向に一定長を有する溶融帯12が形成されると共に、前記溶融帯12が、原料棒2の、下方向への移動に伴って、原料棒2の上方へ移動することで、溶融帯12より下側に、前記溶融帯12が通過した後の温度降下による融液の凝固によって、種結晶4の結晶とマッチングした単結晶13が成長し、育成される。
図3は、前記単結晶育成装置1に用いる誘導コイル6の一例を示す平面図である。図1〜図3を参照して、誘導コイル6は、図3に示す平面形状が、円周上の1個所にスリット14を設けることで遮断された略環状に形成されていると共に、図2に示す、前記環の中心から放射方向で、かつ原料棒2の軸方向の断面形状が、ニードルアイ形状に形成されている。
誘導コイル6は、従来同様に、銅等の熱伝導性に優れた金属材料によって形成されており、内部に、溶融帯12や単結晶13からの熱によって溶融したり軟化したりすることで変形するのを防止するための冷却機構として、水等の冷媒を流通させるための冷却管16が形成されている。
冷却管16は、誘導コイル6を、図3に一点鎖線で示した境界線を挟んで、環の周方向の上下左右、計4つの領域に分割して、それぞれの領域に2本ずつ、計8本が形成されている。このうち、図3において左下の領域の2本の冷却管16は、それぞれの両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図3において下側の位置から下方へ突設された、冷却管16に水等の冷媒を供給するための2本の配管17と、図3において左側の位置から左方へ突設された2本の配管17とに、それぞれ個別に接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状で、かつ、互いに等間隔に形成されている。
他の領域の冷却管16も、同様に形成されている。すなわち、図3において左上の領域の2本の冷却管16は、それぞれの両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図3において左側の位置から左方へ突設された2本の配管17と、図3において上側の位置から上方へ突設された2本の配管17とに、それぞれ個別に接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状で、かつ、互いに等間隔に形成されている。
また、図3において右上の領域の2本の冷却管16は、それぞれの両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図3において上側の位置から上方へ突設された2本の配管17と、図3において右側の位置から右方へ突設された2本の配管17とに、それぞれ個別に接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状で、かつ、互いに等間隔に形成されている。
さらに、図3において右下の領域の2本の冷却管16は、それぞれの両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図3において右側の位置から右方へ突設された2本の配管17と、図3において下側の位置から下方へ突設された2本の配管17とに、それぞれ個別に接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状で、かつ、互いに等間隔に形成されている。
また、誘導コイル6の、環の外周の上下左右、4方の位置から各方向へ突設された4本ずつの配管17は、それぞれ互いに平行に形成されており、誘導コイル6を耐圧容器7内の図1に示す位置に保持するための支持棒を兼ねている。また、環の下側の位置から下方に突設された4本の配管17のうち、スリット14を挟んで近接配置された内側の2本の配管17は、誘導コイル6に交流電源18から誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねている。これにより、誘導コイル6の周囲の構造を簡略化することができる。
前記誘導コイル6は、例えば、図3中に実線の矢印で示すように、隣接する配管17を交互に、水等の冷媒の供給管および排出管として使用して、各領域の冷却管16に流通させることで、従来の誘導コイル6に比べて、十分に、しかも均一に冷却される。
すなわち、各冷却管16が、従来の環を略一周する冷却管に比べて短く、冷媒が高温に加熱される前に排出され、冷却管16内には、常に低温の冷媒が供給されることと、各領域ごとに2本ずつ、計8本の冷却管16に個別に冷媒が供給され、前記冷媒のトータルの流量が著しく多いことから、誘導コイル6を十分に冷却することができる。また、先に説明したように冷媒を流通させることで、各冷却管16ごとの、誘導コイル6に対する冷却効果を均一化できる、つまり、冷媒の冷却管16への入口と出口とを、環の周方向に偏らせずに均等に分配できるため、誘導コイル6をより均一に冷却することもできる。
したがって、ニードルアイ形状を有する図3の誘導コイル6を、先に説明した、融点が3000℃以上という高融点の原料からなる単結晶13の育成に使用した場合には、特に、高温の溶融帯12を囲む、環の内側の縁部15付近の領域を低温に維持して、前記領域が、溶融したり軟化したりして変形するのを防止して、前記高融点の原料からなる大径の単結晶13を、容易に、安定して育成することが可能となる。
図4は、誘導コイル6の他の例を示す平面図である。前記誘導コイル6の断面形状は図示していないが、図3の例と同様のニードルアイ形状(図2参照)に形成されている。図4を参照して、この例では、誘導コイル6の、環の周方向の上下左右、計4つの領域に形成する冷却管16の本数を1本ずつ、計4本とした点が、図3の例と相違している。
すなわち、図4において左下の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図4において下側の位置から下方へ突設された、前記冷却管16に水等の冷媒を供給するための1本の配管17と、図4において左側の位置から左方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
他の領域の冷却管16も、同様に形成されている。すなわち、図4において左上の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図4において左側の位置から左方へ突設された1本の配管17と、図4において上側の位置から上方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
また、図4において右上の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図4において上側の位置から上方へ突設された1本の配管17と、図4において右側の位置から右方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
さらに、図4において右下の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図4において右側の位置から右方へ突設された1本の配管17と、図4において下側の位置から下方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
また、誘導コイル6の、環の外周の上下左右、4方の位置から各方向へ突設された2本ずつの配管17は、それぞれ互いに平行に形成されており、誘導コイル6を耐圧容器7内の図1に示す位置に保持するための支持棒を兼ねている。また、環の下側の位置から下方に突設された、スリット14を挟んで近接配置された2本の配管17は、誘導コイル6に交流電源18から誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねている。これにより、誘導コイル6の周囲の構造を簡略化することができる。
前記誘導コイル6は、例えば、図4中に実線の矢印で示すように、隣接する配管17を交互に、水等の冷媒の供給管および排出管として使用して、各領域の冷却管16に流通させることで、図3の例と同様に、従来の誘導コイル6に比べて、十分に、しかも均一に冷却される。
そのため、ニードルアイ形状を有する図4の誘導コイル6を、高融点の原料からなる単結晶13の育成に使用しても、特に、高温の溶融帯12を囲む、環の内側の縁部15付近の領域を低温に維持して、前記領域が、溶融したり軟化したりして変形するのを防止して、前記高融点の原料からなる大径の単結晶13を、容易に、安定して育成することが可能となる。
図5は、誘導コイル6の、さらに他の例を示す平面図である。前記誘導コイル6の断面形状は図示していないが、図3の例と同様のニードルアイ形状(図2参照)に形成されている。図5を参照して、この例では、誘導コイル6を、図5に一点鎖線で示した境界線を挟んで、環の周方向に計3つの領域に分割して、それぞれの領域に1本ずつ、計3本の冷却管16を形成した点が、図4の例と相違している。
各領域における冷却管16の形状と接続は、図4の例と同様である。すなわち、図5において左下の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図5において下側の位置から下方へ突設された、前記冷却管16に水等の冷媒を供給するための1本の配管17と、図5において左上側の位置から左上方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
また、図5において上側の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図5において左上側の位置から左上方へ突設された1本の配管17と、図5において右上側の位置から右上方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
さらに、図5において右下の領域の1本の冷却管16は、両端が、誘導コイル6の環の外周のうち、前記領域内の、図5において右上側の位置から右上方へ突設された1本の配管17と、図5において下側の位置から下方へ突設された1本の配管17とに、それぞれ接続されていると共に、前記両端間の中間部分が、環の径方向内方へ突出する円弧状に形成されている。
また、誘導コイル6の、環の外周の3方の位置から各方向へ突設された2本ずつの配管17は、それぞれ互いに平行に形成されており、誘導コイル6を耐圧容器7内の図1に示す位置に保持するための支持棒を兼ねている。また、環の下側の位置から下方に突設された、スリット14を挟んで近接配置された2本の配管17は、誘導コイル6に交流電源18から誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねている。これにより、誘導コイル6の周囲の構造を簡略化することができる。
前記誘導コイル6は、例えば、図5中に実線の矢印で示すように、隣接する配管17を交互に、水等の冷媒の供給管および排出管として使用して、各領域の冷却管16に流通させることで、図3の例と同様に、従来の誘導コイル6に比べて、十分に、しかも均一に冷却される。
そのため、ニードルアイ形状を有する図5の誘導コイル6を、高融点の原料からなる単結晶13の育成に使用しても、特に、高温の溶融帯12を囲む、環の内側の縁部15付近の領域を低温に維持して、前記領域が、溶融したり軟化したりして変形するのを防止して、前記高融点の原料からなる大径の単結晶13を、容易に、安定して育成することが可能となる。
図6は、誘導コイル6の、さらに他の例を示す平面図である。前記誘導コイル6の断面形状は図示していないが、図3の例と同様のニードルアイ形状(図2参照)に形成されている。図6を参照して、この例では、誘導コイル6の、環の周方向の上下左右、計4つの領域に形成する冷却管16の形状が異なっている。
すなわち、各領域の冷却管16は、それぞれ、誘導コイル6の環の外周の上下左右、4方の位置から各方向へ突設された2本ずつ、計8本の配管17のうち、各領域内の、互いに直交方向に突設された2本の配管17と接続された両端間の中間部分が、環の径方向の途中まで、両配管17と連続する直線状に形成されていると共に、前記両直線部分が、環の周方向に沿う外向きの円弧で繋がれた形状に形成されている。
各配管17は、誘導コイル6を耐圧容器7内の図1に示す位置に保持するための支持棒を兼ねている。また、環の下側の位置から下方に突設された、スリット14を挟んで近接配置された2本の配管17は、誘導コイル6に交流電源18から誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねている。これにより、誘導コイル6の周囲の構造を簡略化することができる。
前記誘導コイル6は、例えば、図6中に実線の矢印で示すように、隣接する配管17を交互に、水等の冷媒の供給管および排出管として使用して、各領域の冷却管16に流通させることで、図3の例と同様に、従来の誘導コイル6に比べて、十分に、しかも均一に冷却される。
そのため、ニードルアイ形状を有する図6の誘導コイル6を、高融点の原料からなる単結晶13の育成に使用しても、特に、高温の溶融帯12を囲む、環の内側の縁部15付近の領域を低温に維持して、前記領域が、溶融したり軟化したりして変形するのを防止して、前記高融点の原料からなる大径の単結晶13を、容易に、安定して育成することが可能となる。
なお、本発明の構成は、以上で説明した各図の例に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を施すことができる。
《実施例1》
〈誘導コイル6〉
図3に示す平面形状を有し、かつ、内部に、計8本の冷却管16を有すると共に、外径が65mm、内径が35mmの、銅製の、ニードルアイ形状を有する誘導コイル6を作製し、前記誘導コイル6の、各冷却管16の両端に、それぞれ配管17としての銅管を接続した。そして、前記誘導コイル6を、各銅管を支持棒として利用して、図1に示す単結晶育成装置1の、円筒状の耐圧容器7内の、高さ方向の中心位置に、誘導コイル6の環の中心が、上ホルダ3によって保持される原料棒2の軸と同軸となるように配設した。また、誘導コイル6の、スリット14の両側の2本の銅管を、端子として利用して、交流電源18に接続した。
〈誘導コイル6〉
図3に示す平面形状を有し、かつ、内部に、計8本の冷却管16を有すると共に、外径が65mm、内径が35mmの、銅製の、ニードルアイ形状を有する誘導コイル6を作製し、前記誘導コイル6の、各冷却管16の両端に、それぞれ配管17としての銅管を接続した。そして、前記誘導コイル6を、各銅管を支持棒として利用して、図1に示す単結晶育成装置1の、円筒状の耐圧容器7内の、高さ方向の中心位置に、誘導コイル6の環の中心が、上ホルダ3によって保持される原料棒2の軸と同軸となるように配設した。また、誘導コイル6の、スリット14の両側の2本の銅管を、端子として利用して、交流電源18に接続した。
〈原料棒2〉
ホウ化ジルコニウム(ZrB2)と、結合材としてのホウ化クロム(CrB2)との混合粉を圧縮成形して、外径50mm、長さ2000mmの円柱状の成形体を得、前記成形体を1400℃で焼結して、ホウ化ジルコニウムの多結晶からなる、直径40mm、長さ1600mmの原料棒2を作製した。
ホウ化ジルコニウム(ZrB2)と、結合材としてのホウ化クロム(CrB2)との混合粉を圧縮成形して、外径50mm、長さ2000mmの円柱状の成形体を得、前記成形体を1400℃で焼結して、ホウ化ジルコニウムの多結晶からなる、直径40mm、長さ1600mmの原料棒2を作製した。
〈単結晶の育成〉
図1の単結晶育成装置1の、上ホルダ3に、先に作製した原料棒2を保持させると共に、下ホルダ5に、ホウ化ジルコニウムからなる、直径15mm、長さ10mmの種結晶4を保持させた状態で、耐圧容器7を密閉し、内部の空気を除去すると共に、5気圧の不活性ガス雰囲気とした。
図1の単結晶育成装置1の、上ホルダ3に、先に作製した原料棒2を保持させると共に、下ホルダ5に、ホウ化ジルコニウムからなる、直径15mm、長さ10mmの種結晶4を保持させた状態で、耐圧容器7を密閉し、内部の空気を除去すると共に、5気圧の不活性ガス雰囲気とした。
そして、各銅管のうち、供給管に設定した銅管を通して、誘導コイル6の各冷却管16に、冷媒として、20℃の水を供給して、冷却管16内を流通させた後、排出管に設定した銅管を通して、耐圧容器7の外に排出させながら、先に説明した手順で、各部を動作させて、毎時20mm(20mm/h)の速度で、直径40mmのホウ化ジルコニウムの単結晶13を育成した。誘導コイル6に印加する交流電圧の周波数は150kHz、入力は40kWとした。
耐圧容器7に設けた観察窓から、単結晶13を育成途中の様子を観察したところ、誘導コイル6が十分に冷却されて、変形を生じることなく、有効に機能して、溶融帯12を、原料棒2の軸方向の長さが、できるだけ小さい状態に形成すると共に、前記溶融帯12を、崩壊させることなく、単結晶13を育成する工程の最後の段階まで、前記形状を安定的に維持して、単結晶13を育成できることが確認された。
また、単結晶13の育成途中に、冷却管16を流通して、耐圧容器7の外に排出された水の温度を測定したところ80℃以下であった。さらに、育成した単結晶13の温度が室温(20℃)まで低下したことを確認した上で、前記単結晶13を、耐圧容器7から取り出して観察したところ、双晶や多結晶のない、全体に亘って単一の、良好な単結晶13が育成されていることが確認された。
《比較例1》
誘導コイル6として、図9に示す平面形状を有し、かつ、内部に、1本の冷却管16が、環を略一周するように形成されていると共に、外径が65mm、内径が35mmの、銅製の、ニードルアイ形状を有するものを用いたこと以外は、実施例1と同じ手順で、前記冷却管16に水を流通させながら、誘導コイル6に、周波数150kHz、入力40kWの交流電圧を印加して、単結晶13を育成しようとしたところ、原料棒2を溶融する初期の段階で、冷却管16を流通して、耐圧容器7の外に排出された水の温度が異常に上昇して、危険性が高まったため、交流電圧の印加を中止せざるを得なくなった。
誘導コイル6として、図9に示す平面形状を有し、かつ、内部に、1本の冷却管16が、環を略一周するように形成されていると共に、外径が65mm、内径が35mmの、銅製の、ニードルアイ形状を有するものを用いたこと以外は、実施例1と同じ手順で、前記冷却管16に水を流通させながら、誘導コイル6に、周波数150kHz、入力40kWの交流電圧を印加して、単結晶13を育成しようとしたところ、原料棒2を溶融する初期の段階で、冷却管16を流通して、耐圧容器7の外に排出された水の温度が異常に上昇して、危険性が高まったため、交流電圧の印加を中止せざるを得なくなった。
1 単結晶育成装置
2 原料棒
3 上ホルダ
4 種結晶
5 下ホルダ
6 誘導コイル
7 耐圧容器
8 駆動装置
9 駆動装置
10 駆動軸
11 駆動軸
12 溶融帯
13 単結晶
14 スリット
15 縁部
16 冷却管
17 配管
18 交流電源
2 原料棒
3 上ホルダ
4 種結晶
5 下ホルダ
6 誘導コイル
7 耐圧容器
8 駆動装置
9 駆動装置
10 駆動軸
11 駆動軸
12 溶融帯
13 単結晶
14 スリット
15 縁部
16 冷却管
17 配管
18 交流電源
Claims (5)
- 略環状に形成され、育成する単結晶の原料からなる原料棒と同軸に配設されて、前記原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイルを備え、前記誘導コイルと原料棒とを、前記原料棒の軸方向に、相対的に移動させることで、前記溶融によって形成される溶融帯を、前記軸方向に移動させて、溶融帯が通過した後の凝固によって単結晶を成長させ、育成するための単結晶育成装置であって、前記略環状の誘導コイルが、環の周方向に複数の領域に分割されて、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却機構を備えることを特徴とする単結晶育成装置。
- 前記誘導コイルが、環の周方向に3つ以上の領域に分割されて、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却機構を備える請求項1記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却機構が、前記誘導コイルの各領域内に、個別に形成され、冷媒を流通させることで、前記領域を冷却するための冷却管である請求項1または2記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却管が、前記誘導コイルの、環の放射方向の外方に突設されて、前記冷却管に冷媒を供給するための配管と接続されていると共に、前記配管が、前記誘導コイルを、所定の位置に支持するための支持棒を兼ねている請求項3記載の単結晶育成装置。
- 前記配管の少なくとも一部が、前記誘導コイルに、誘導加熱のための交流電圧を印加するための端子を兼ねている請求項4記載の単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006057342A JP2007230845A (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006057342A JP2007230845A (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 単結晶育成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007230845A true JP2007230845A (ja) | 2007-09-13 |
Family
ID=38551817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006057342A Pending JP2007230845A (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007230845A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103668439A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668434A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十五或十六根硅芯的高频线圈 |
CN103668432A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十或十一根硅芯的高频线圈 |
CN103668429A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十三或十四根硅芯的高频线圈 |
CN103668430A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十六或十七根硅芯的高频线圈 |
CN103668433A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668431A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产九或十根硅芯的高频线圈 |
CN108411358A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-08-17 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 区熔炉热场线圈的循环水路结构 |
JPWO2020235598A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 |
-
2006
- 2006-03-03 JP JP2006057342A patent/JP2007230845A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103668439A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668434A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十五或十六根硅芯的高频线圈 |
CN103668432A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十或十一根硅芯的高频线圈 |
CN103668429A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十三或十四根硅芯的高频线圈 |
CN103668430A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十六或十七根硅芯的高频线圈 |
CN103668433A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668431A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产九或十根硅芯的高频线圈 |
CN103668431B (zh) * | 2012-09-09 | 2017-12-01 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产九或十根硅芯的高频线圈 |
CN103668430B (zh) * | 2012-09-09 | 2017-12-01 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十六或十七根硅芯的高频线圈 |
CN103668429B (zh) * | 2012-09-09 | 2017-12-01 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十三或十四根硅芯的高频线圈 |
CN103668439B (zh) * | 2012-09-09 | 2017-12-01 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668432B (zh) * | 2012-09-09 | 2017-12-01 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十或十一根硅芯的高频线圈 |
CN103668433B (zh) * | 2012-09-09 | 2018-02-02 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十二或十三根硅芯的高频线圈 |
CN103668434B (zh) * | 2012-09-09 | 2018-02-02 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 生产十五或十六根硅芯的高频线圈 |
CN108411358A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-08-17 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 区熔炉热场线圈的循环水路结构 |
JPWO2020235598A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | ||
WO2020235598A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 日本製鉄株式会社 | 2次コイルモジュール、移動焼入れ装置及び移動焼入れ方法 |
TWI743799B (zh) * | 2019-05-23 | 2021-10-21 | 日商日本製鐵股份有限公司 | 二次線圈模組、移動淬火裝置及移動淬火方法 |
CN113891947A (zh) * | 2019-05-23 | 2022-01-04 | 日本制铁株式会社 | 次级线圈模块、移动淬火装置及移动淬火方法 |
EP3975664A4 (en) * | 2019-05-23 | 2022-07-13 | Nippon Steel Corporation | SECONDARY COIL MODULE, CROSS-HARDENING APPARATUS, AND THROUGH-HARDENING METHOD |
JP7226539B2 (ja) | 2019-05-23 | 2023-02-21 | 日本製鉄株式会社 | 2次コイルモジュール、移動焼入れ装置及び移動焼入れ方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007230845A (ja) | 単結晶育成装置 | |
TWI281695B (en) | Semiconductor single crystal manufacturing equipment and graphite crucible | |
CN1265030C (zh) | 单晶生长方法及单晶生长装置 | |
EP0292920B1 (en) | Rf induction heating apparatus | |
JP2020152612A (ja) | 単結晶製造装置 | |
CN109778313B (zh) | 硅单晶的制造装置以及制造方法 | |
JP2004107132A (ja) | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 | |
JP5718617B2 (ja) | シリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法 | |
JP2010024123A (ja) | シリコン融液の供給装置およびこれを備えたシリコン単結晶の育成装置 | |
KR100504423B1 (ko) | 결정성장방법 | |
JP2017043515A (ja) | n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、n型シリコンウェーハの製造方法、および、n型シリコンウェーハ | |
JP2008127217A (ja) | 半導体単結晶製造装置および製造方法 | |
JP2007112640A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
JP2013177280A (ja) | サファイア単結晶育成装置 | |
JP2007269620A (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP2015117145A (ja) | 単結晶シリコン引上装置 | |
JP2001241858A (ja) | 電磁束集中用の案内管構造物 | |
JP2004067441A (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP5365617B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法 | |
JP3151322B2 (ja) | 単結晶体の製造方法及びその装置 | |
JP2009292684A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびこれに用いる製造装置 | |
JP2007238362A (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP2007022901A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP2001316734A (ja) | 案内管の流束集中を制御する方法 | |
JP6610226B2 (ja) | 半導体単結晶棒の製造装置 |