JP6345126B2 - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Description
しかしながら、上記従来構造のGaAsSBDではアノード電極101とカソード電極102が同じ長さであるため、アノード電極端とカソード電極端の距離が非常に近くなり、アノード端に電界が集中しやすくなるため耐圧劣化を招くという問題点があった。
図1は、この発明の実施の形態1によるショットキーバリアダイオードの構造を模式的に示す図であり、要部を上から見た図である。また、図2は、図1におけるA−A線断面図である。
図1に示すように、実施の形態1のショットキーバリアダイオードは、アノード電極1を二つのカソード電極2で挟み込む櫛型構成となっている。図1において、アノード電極1の縦方向の長さをアノード幅、カソード電極2の縦方向の長さをカソード幅と呼ぶ。従来構造では、アノード幅とカソード幅が同じ長さであるが、実施の形態1では、このアノード幅がカソード幅より2×Lexだけ長い構造になっている。ここで、Lexはアノード電極1のカソード電極2端からのはみ出し長さを意味する。すなわち、アノード電極1の両端はカソード電極2の両端より、それぞれLexだけ外側に位置するよう形成されている。
実施の形態2は、アノード電極の端部を不活性領域内に位置するようにしたものである。
図5は、実施の形態2によるショットキーバリアダイオードを模式的に示す構成図である。実施の形態2では、アノード電極11を二つのカソード電極2で挟み込む櫛型構成となっているのは実施の形態1と同様であるが、アノード電極11の両端が不活性領域4内に位置するよう構成されている。言い換えると、アノード電極11の両端が活性領域3の外部に位置している(Lex>Ld)。その他の構成は、図1に示した実施の形態1の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。
実施の形態3は、アノード電極の端部に金属からなるフィールドプレートを設けたものである。
図6は、実施の形態3によるショットキーバリアダイオードを模式的に示す構成図である。図6に示す構成は実施の形態1の構成に対してアノード電極1の両端部に長方形の金属のフィールドプレート6を取り付けたものである。図7に、図6の破線枠領域200を拡大して示す。また、図8に、図6のB−B線断面図を示す。図7及び図8に示すように、フィールドプレート6は、アノード電極1よりLfpだけ長いメタルである。すなわち、アノード電極1の端部より、3方向にそれぞれLfpだけ突出するようフィールドプレート6が設けられている。また、フィールドプレート6は図6に示すように、活性領域3内に位置するよう設けられ、図8に示すように、アノード電極1の上部に取り付けられている。
実施の形態4は、実施の形態3におけるフィールドプレートの形状を台形としたものである。
図10は、実施の形態4によるショットキーバリアダイオードを模式的に示す構成図である。図10に示す構成は実施の形態3の長方形のフィールドプレート6に代えて台形状のフィールドプレート7をアノード電極1の端部に取り付けている。また、図11に、図10の破線枠領域201を拡大して示す。なお、図6のB−B線断面図に相当する断面は図8と同様であるため、ここでの図示は省略する。
Claims (8)
- マイクロ波以上の高周波を整流するショットキーバリアダイオードにおいて、
櫛型状に配置されたアノード電極とカソード電極とを備え、
前記アノード電極端は、前記カソード電極端の位置に対して、離れて位置することによる当該アノード電極端における電界集中低減効果が飽和する長さ分、外側に位置することを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記アノード電極の両端は、前記カソード電極の両端よりそれぞれ前記電界集中低減効果が飽和する長さ分、外側に位置することを特徴とする請求項1記載のショットキーバリアダイオード。
- マイクロ波以上の高周波を整流するショットキーバリアダイオードにおいて、
櫛型状に配置されたアノード電極及びカソード電極と、前記アノード電極の端部に取り付けられた金属からなるフィールドプレートとを備え、
前記フィールドプレートは、前記アノード電極の端部より長手方向および短手方向に突出するよう取り付けられ、かつ、前記フィールドプレート端が前記カソード電極端より外側に位置することを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記フィールドプレートは、長方形でかつ、前記アノード電極の端部から突出するよう取り付けられていることを特徴とする請求項3記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記フィールドプレートは、前記アノード電極の端部から突出するよう取り付けられていると共に、前記アノード電極の中心に向かうにつれて当該アノード電極からの突出量を小さくしたことを特徴とする請求項3記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記フィールドプレートは、前記アノード電極の端部より突出して取り付けられ、前記カソード電極端の位置に対して離れて位置することによる電界集中低減効果が飽和する長さ分、突出していることを特徴とする請求項3から請求項5のうちのいずれか1項記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキーバリアダイオードを構成する半導体が、少なくともGaAs(ガリウムヒ素)を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記アノード電極端が不活性領域内にあることを特徴とする請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載のショットキーバリアダイオード。
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