JP6335767B2 - 多層基板、フレキシブル基板、リジッド−フレキシブル基板、プリント回路基板、半導体パッケージ基板、半導体パッケージ、半導体デバイス、情報処理モジュール、通信モジュール、情報処理装置および通信装置 - Google Patents

Description

この発明は、多層基板、フレキシブル基板、リジッド−フレキシブル基板、プリント回路基板、半導体パッケージ基板、半導体パッケージ、半導体デバイス、情報処理モジュール、通信モジュール、情報処理装置および通信装置に関する。

複数の導体層を有する多層基板は、半導体デバイスのパッケージ基板やサブストレートとして、あるいは半導体デバイスまたは電気回路部品を実装したプリント回路基板として広く用いられている。また、近年の電子機器は、その高性能化に伴って回路動作が高速化しており、電子機器に搭載される多層基板における配線の動作周波数も上昇している。
多層基板では、配線の動作周波数を上げるため、例えば、１つ以上の導体層をグランドプレーンとし、配線が一定の配線幅でかつ一定の層間厚みでグランドプレーンと対向した構造とし、この配線の特性インピーダンスが所望の値で一定になるように、基板のレイアウト設計がなされている。

一方、電子機器のコストを削減するために、電子機器に搭載される多層基板の導体層を少なくすることが求められている。例えば、上記構造を有する多層基板では、８層以上が一般的であったが、導体層が６層の多層基板の使用も増えており、さらには導体層が４層の多層基板も使用されるようになっている。ただし、多層基板の硬さの維持あるいは規格上の定めから、多層基板の厚み自体は薄くすることができない場合が多い。

配線の特性インピーダンスを一定に保つため、導体層が６層の多層基板では、例えば、基板の表側と裏側に一定の層間厚みで３層ずつそれぞれ配置し、第３層と第４層との間を厚くして、第２層と第５層にグランドプレーンを設けている。また、導体層が４層の多層基板では、基板の表側と裏側に一定の層間厚みで２層ずつそれぞれ配置し、第２層と第３層との間を厚くして、第２層と第３層にグランドプレーンを設けている。
このように構成することで、多層基板の厚みと特性インピーダンスを変えずに導体層の層数を減らすことが可能である。
なお、グランドプレーンと配線との層間厚みが薄くなるにつれて配線の特性インピーダンスが低く抑えられる。配線の特性インピーダンスが低くなると、クロストークノイズも抑制される。

また、信号伝送が高速化するに伴って、クロストーク、グランドバウンス、集積回路における電源電圧変動などといったノイズに対する耐性が低くなる傾向にある。
このため、多層基板においては、グランドプレーンと信号配線または電源配線との層間厚みが薄い方が望ましい。この層間厚みが薄くなるほど配線の特性インピーダンスを一定に保つためには、配線幅を狭くしなければならない。

配線幅の狭い多層基板は製造費用が掛かり、基板自体も高価なものとなる。このため、配線幅の狭い多層基板を使用すると、導体層の層数を削減して抑えた費用が帳消しされてしまう。また、多層基板を用いて差動シリアル信号の伝送を行う場合、配線損失を小さくするため、多層基板の配線幅は広い方が望ましい。

従来、導体層が６層の多層基板では、第１層の信号配線の直下にある第２層のグランドプレーンをくり抜き第３層にグランドプレーンを設けて、信号配線とグランドプレーンとの層間厚みを厚くすることで、配線の特性インピーダンスを所望の値に上げる、あるいは配線幅を広くして配線損失を小さくしていた。
しかしながら、導体層が４層の多層基板には、６層の多層基板における第３層と第４層に相当する導体層がないため、上記の構造を適用することはできない。
また、フレキシブル基板では、柔軟性を確保するため、グランドベタ層をメッシュ構造にしているが、隣接層の信号配線のインピーダンスは、グランドのメッシュとの相対位置によっても大小がある。

このような不具合を解消するため、特許文献１〜３には、信号配線と上下の層間で対向するグランドプレーンに対して、この信号配線と平行な連続したスリットを設けた基板が記載されている。このスリットにより、対グランド容量が減少して配線の特性インピーダンスが上がる。また、配線の特性インピーダンスを上げた分だけ配線幅を広くすることによって、特性インピーダンスを一定に保ちつつ配線損失を低減させることができる。

特開昭６１−２９０７９４号公報 特開平１１−３１７５７２号公報 特開２００９−３８３４１号公報

特許文献１〜３に記載された技術は、本来ならば連続してあるべきグランドプレーンに対して信号配線に沿った長いスリットを形成するので、スリットを挟んだ両側で交流的な電位差が生じやすい。また、グランドプレーンにスリットが２本以上ある場合は、細長いグランドパターンが形成されて半波長共振を起こしやすい。これらは信号配線の基準電位を不安定にする要因となり、信号伝送を不安定にさせる。
これにより、放射ノイズが増大するか、あるいは、かえって空間ノイズに対する耐性が低下してしまう。

なお、ビルドアップ基板では、層間ビアを設けて別の層にあるグランドプレーンを接続することで、グランドの安定性を確保することが可能である。
しかしながら、基板に層間ビアを設ける場合、その製造費用が掛かるため、基板自体が高価なものになってしまう。貫通ビアでならば層間ビアよりも安価に設けることができるが、貫通ビアでは、異なる層に設けたグランドプレーンを層間で繋ぐことができない。
さらに、フレキシブル基板などの両面基板では、ビアで接続する別層グランド自体がない。

この発明は、上記のような課題を解決するもので、放射ノイズの低減と空間ノイズに対する耐性の向上を実現することができる多層基板、フレキシブル基板、フレキシブル基板部とリジッド基板部とが一体になったリジッド−フレキシブル基板、プリント回路基板、半導体パッケージ基板、半導体パッケージ、半導体デバイス、情報処理モジュール、通信モジュール、情報処理装置および通信装置を得ることを目的とする。

この発明に係る多層基板は、全面または部分的なグランドプレーンが形成されたグランド層と、グランドプレーンに対向する配線が形成された配線層と、配線に平行してグランドプレーンに形成されたスリットと、スリットの１または複数の箇所に設けられてスリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部とを備え、グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたものである。

この発明によれば、グランドプレーンにスリットを設けて配線の特性インピーダンスを上げる構造において、スリットの両側のグランド導体を接続することによりグランド導体の電気的特性を本来のベタ形状のグランドプレーンに近付けることで、放射ノイズの低減と空間ノイズに対する耐性の向上を実現することができるという効果がある。

この発明の実施の形態１に係る多層基板を示す平面図である。 図１の多層基板の断面図である。 実施の形態１におけるグランド接続部を示す拡大平面図である。 この発明の実施の形態２に係る多層基板におけるグランド接続部を示す拡大平面図である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る多層基板を示す平面図であり、表面配線層２０とグランド層３０の基板レイアウトを重ね書きしたものである。図２は、図１の多層基板の断面図であり、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線で多層基板を切った断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線で多層基板を切った断面図である。また、図３は、実施の形態１におけるグランド接続部３３１を示す拡大平面図である。なお、図１および図２において、第３層以降は、記載を省略した。

図１に示す多層基板は、図２（ａ）に示すように、誘電体層１０に設けられた表面配線層２０およびグランド層３０を含んで構成される。また、ソルダーレジスト４０は、表面配線層２０上に設けられて回路パターンを保護する。
なお、図１に示す多層基板は、表面配線層２０およびグランド層３０が表側の２層となっているが、４層以上の基板の最終層（裏側表面層）とその上の層がそれぞれ図１の第２層と第１層になる場合、あるいは表側と裏側の両方で図１の組み合わせとなっている場合もある。さらに、図１の通り、基板が２層の場合もあり、この場合、通常はグランド層３０の表面（図１ではグランド層３０の下側）も、ソルダーレジストとなる。

図１に示すペア配線２１は、一組の差動信号を伝送する一対の配線であり、正相信号配線２１１および逆相信号配線２１２から構成される。
また、図１に示す信号バス２２は、８ビットの信号バスであり、８本の信号配線２２１〜２２８から構成される。

グランド層３０には、全面または部分的なグランドプレーンが形成されている。
グランド層３０のスリット３１１〜３１３は、正相信号配線２１１および逆相信号配線２１２のそれぞれに平行してグランドプレーンに形成されたスリットである。
同様に、スリット３２１〜３２９は、信号配線２２１〜２２８のそれぞれに平行してグランドプレーンに形成されたスリットである。

なお、ペア配線２１は、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２とが左右対称の形状であると、配線経路の屈曲部を除き、モード変換によるコモンノイズが発生せず、あるいはコモンノイズからモード変換によって差動ノイズを受けない。
そこで、スリット３１１〜３１３は、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２との間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、正相信号配線２１１および逆相信号配線２１２のそれぞれに平行してグランドプレーンに形成するとよい。本実施の形態では、スリットが３本である場合を示したが、対称性を維持すれば、スリット３１１とスリット３１３の２本、あるいはスリット３１２のみの１本であっても構わない。

グランド接続部３３１は、図２（ｂ）に示すように、スリット３１１〜３１３，３２１〜３２９の途中に設けられてスリット３１１〜３１３，３２１〜３２９の両側のグランド導体を接続する導体のグランド配線である。
図３はスリット３１１の１箇所に設けたグランド接続部３３１を例示するものであり、グランド接続部３３１がスリット３１１の両側にあるグランド導体３０ａ，３０ｂを接続している。

なお、グランド配線は、配置される場所によってスリットの幅よりも長くなっており、このスリットに平行する配線をグランド層３０に投影した位置と一部が重なっている。
基板レイアウト設計においては、グランドプレーンの抜き領域であるスリットの両側を接続する場合、残っているグランドベタにはみ出してグランド配線を設けることに問題はない。

また、グランド接続部３３１は、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２の間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、スリット３１１〜３１３に設けて、スリット３１１〜３１３のそれぞれの両側のグランド導体を接続させる。このようにすることで、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２とが左右対称の形状になり、コモンノイズの影響を低減することができる。

表面配線層２０とグランド層３０との層間厚みが薄い場合、一般的に、一定の配線幅を有する配線の特性インピーダンスは低くなる。なお、差動信号を伝送する配線の場合は、特性インピーダンスは差動インピーダンスとなる。ここでは、これらを総称してインピーダンスと呼ぶ。

インピーダンスは、インダクタンス成分Ｌと容量成分Ｃによる√（Ｌ／Ｃ）で表すことができるので、配線のインピーダンスを上げるには、グランドとの容量を小さくすればよい。従来では、グランド層において連続的に形成されたグランドプレーンに対し、配線の両側に平行して配線の直下または配線の両側に対応する位置にスリットを設けることで、グランドとの容量を小さくして配線のインピーダンスを上げていた。
また、従来は、多層基板の製造で可能な最小の配線幅よりも広い配線として、インピーダンスを保ちつつ、配線損失を抑制していた。

しかしながら、上記のような構成は、配線での信号伝送が高速化するほど、短い配線で問題となる。例えば、誘電体層１０、ソルダーレジスト４０およびこのソルダーレジスト４０上の空気層からなる構造体における実効比誘電率が“４”である場合、長さ１５ｃｍのスリットでは、最も低い半波長共振周波数がわずか５００ＭＨｚであり、さらに、この奇数倍の周波数でも共振が発生する。

これに対して、本発明に係る多層基板では、スリットの途中にグランド接続部３３１を設けている。これにより、グランドプレーンにおける広いグランド導体のベア領域とスリットに形成された細長いグランド領域（グランド接続部３３１）とが、連続したグランドプレーンに近づく。このようにすることで、スリットを挟んだ両側の交流的な電位差あるいは半波長共振の発生が非常に高い周波数に限定され、放射ノイズが低減し空間ノイズに対する耐性が向上する。

また、グランド接続部３３１を設けることによりグランド導体の電流経路を狭めることになる。これは、差動信号に対する導体損失の割合を差動成分よりコモン成分に対する方を大きくすることで、コモンノイズの減衰割合を差動信号の減衰割合より高める技術にも寄与する。なお、この技術は、例えば参考文献１に開示されている。
参考文献１；山岸圭太郎、石橋拓真、板倉洋、明星慶洋、“差動信号用ペア配線に対するモード選択的導体損失抑制”、第２８回 エレクトロニクス実装学会春季講演大会、平成２６年３月５日

なお、これまでの説明では、単相信号を伝送する信号配線として８ビットの信号バスを示したが、その本数は、これより多くても少なくても構わない。また、信号配線のピッチは一定でなくてもよい。

グランド接続部３３１がグランド配線である場合を示したが、基板設計データ上、配線ではなく、塗りつぶし形状であってもよい。
また、グランドプレーンにおけるスリットを、スリット幅またはグランド接続部３３１の長さに相当する細長い形状の導体を、グランド接続部３３１の幅分だけ隔てて配置して形成してもよい。

さらに、複数のスリットが並走している場合は、初めに複数のスリットを包含する領域を一括してグランドプレーンに抜き形状を形成し、この後に残すべきグランド導体部分を配線または領域によって設けても構わない。
さらに、グランドプレーンに形成するスリットは、特許文献３に示すようにスリット幅が徐々に変化する形状であってもよい。

実施の形態１は、最上位層に表面配線層２０を設けたマイクロストリップライン構造の多層基板を示したが、表面配線層２０が最下位層のマイクロストリップライン構造であっても、上記と同様の効果が得られる。
また、これまでマイクロストリップライン構造について説明したが、この構造を用いて構成されるストリップライン構造であってもよい。
さらに、実施の形態１では、導体層を２層のみ示したが、実装の基板層数は、２層であっても、それより多くてもよい。

なお、本発明は、グランドプレーンに形成されたスリットの幅よりも隣り合うスリットの間にあるグランドの幅が狭くなり、スリットに設けたグランド接続部３３１の配置間隔が短くなると、従来から提案されている、グランドプレーンをメッシュ形状にした構造に近くなる。

しかしながら、この従来の構造は、グランドプレーンにあらかじめ規則的なメッシュを形成するものである。このため、メッシュの開口部に対する信号配線の位置によっては、配線の特性インピーダンスが異なるという弊害がある。
また、一般的な多層基板は、縦方向、横方向および斜め方向の組み合わせによって配線経路が設定される。このため、メッシュの規則性の方向に対する配線の角度によっても、配線の特性インピーダンスが異なる。ペア配線の場合は、さらに、配線全体で非対称となる弊害もある。

このように、グランドプレーンを規則的にメッシュ形状にした構造では、１本の信号配線の中でさえ、場所によって特性インピーダンスが異なるため、本発明のような上記効果を得ることができない。
すなわち、本発明のように信号配線と平行してグランドプレーンにスリットを形成し、かつスリットの両側のグランドを接続するグランド接続部３３１を設けることによって、スリットを挟んだ両側の交流的な電位差あるいは半波長共振の発生が防止され、放射ノイズが低減し空間ノイズに対する耐性が向上するという特有の効果が得られる。

以上のように、この実施の形態１に係る多層基板は、表面配線層２０およびグランド層３０を備えて構成される。グランド層３０には、全面または部分的なグランドプレーンが形成され、グランドプレーンにはスリット３２１〜３２９およびグランド接続部３３１が形成されている。表面配線層２０には、グランドプレーンに対向する信号配線２２１〜２２８が形成されている。
スリット３２１〜３２９は、信号配線２２１〜２２８のそれぞれの両側に平行してグランドプレーンに形成される。グランド接続部３３１は、スリット３２１〜３２９の１または複数の箇所に設けられてスリット３２１〜３２９の両側のグランド導体を接続する。
このように、スリット３２１〜３２９の両側のグランド導体を接続してグランド導体の電気的特性を本来のベタ形状のグランドプレーンに近付けることにより、スリット３２１〜３２９を挟んだ両側の交流的な電位差あるいは半波長共振の発生が防止され、放射ノイズが低減し、空間ノイズに対する耐性が向上する。

また、この実施の形態１によれば、表面配線層２０には、グランドプレーンに対向する一対の正相信号配線２１１および逆相信号配線２１２からなるペア配線２１が形成されている。また、スリット３１１〜３１３は、ペア配線２１の正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２との間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２に平行してグランドプレーンに形成される。グランド接続部３３１は、ペア配線２１の正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２との間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、スリット３１１〜３１３の１または複数の箇所に設けられてスリット３１１〜３１３の両側のグランド導体を接続する。このように構成しても、上記と同様の効果を得ることができる。また、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２とが左右対称の形状になることから、コモンノイズの影響を低減することができる。

実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２に係る多層基板におけるグランド接続部３３１を示す拡大平面図であり、スリット３１１に設けたグランド接続部３３１を例示している。
グランド接続部３３１は、実施の形態１と同様にスリット３１１の両側にあるグランド導体３０ａ，３０ｂを接続する。ただし、この実施の形態２では、グランド接続部３３１が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いている。切り欠き部３９１〜３９４は、グランド導体を切り欠いた部分である。

なお、図４では、スリット３１１の１箇所に設けたグランド接続部３３１について切り欠き部３９１〜３９４を形成した場合を示したが、スリット３１１の他の箇所に配置したグランド接続部３３１についても同様に切り欠き部３９１〜３９４が形成される。また、スリット３１１以外のスリット３１２，３１３、３２１〜３２９に配置したグランド接続部３３１についても同様に切り欠き部３９１〜３９４が形成される。

実施の形態１に係る多層基板において図３に示したグランド接続部３３１は、信号配線から見て、グランド接続部３３１が若干の寄生容量を有する。このため、グランド接続部３３１の距離を半波長とする周波数とその奇数倍の周波数で共振が発生して、これ以上の周波数では信号伝送ができない。また、これより低い周波数であっても、配線長全体で平均的に見た場合、配線の特性インピーダンスに若干の低下が生じる。

そこで、実施の形態２では、グランド接続部３３１が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠くことで、グランド接続部３３１によって増加した容量を相殺している。
これにより、スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部３３１が配置されるピッチに起因した共振現象、これに伴う伝送特性の劣化、放射ノイズの増加、空間ノイズに対する耐性の劣化などを回避する、または和らげることができる。

なお、図４ではグランド接続部３３１が接続した部分の直近を切り欠いたが、この部分の周りであれば、多少離れた部分を切り欠いてもよい。
また、切り欠き部３９１，３９２と切り欠き部３９３，３９４は、グランド接続部３３１が接続する部分を境とした両側のグランド導体を切り欠いたものであるが、本発明は、必ずしも１つのグランド接続部３３１に対して４箇所に限定されるものではない。

ただし、差動信号を伝送するペア配線２１においては、ペア配線２１の正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２との間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、グランド接続部３３１が接続した部分の周りを切り欠く。このように構成することで、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２とが左右対称の形状になり、モード変換によるコモンノイズが発生せず、あるいはコモンノイズからモード変換によって差動ノイズを受けない。

また、切り欠き部３９１〜３９４が四角形状である場合を示したが、三角、あるいは五角以上の形状であっても、曲線で構成された形状の切り欠きであってもよく、曲線と直線を組み合わせた形状の切り欠きでもよい。
さらに、切り欠きの形状が全てのグランド接続部３３１で同一でなくてもよい。

以上のように、この実施の形態２によれば、グランド接続部３３１が接続した部分の周りを切り欠いている。このようにすることで、グランド接続部３３１により増加した容量が相殺される。これにより、スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部３３１が配置されるピッチに起因した共振現象、これに伴う伝送特性の劣化、放射ノイズの増加、空間ノイズに対する耐性の劣化などを防止またはその影響を低減できる。

また、この実施の形態２によれば、ペア配線２１の正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２との間の中央線に沿ってグランド層３０および表面配線層２０を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、グランド接続部３３１が接続した部分の周りを切り欠いている。このように構成することで、上記と同様の効果が得られる。また、正相信号配線２１１と逆相信号配線２１２とが左右対称の形状になることから、コモンノイズの影響を低減することができる。

なお、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板は、プリント回路基板として具体化することができる。すなわち、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の少なくとも１つを用いてプリント回路基板を構成してもよい。
このプリント回路基板には、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上している。

また、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板は、半導体パッケージ基板として具体化することができる。すなわち、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の少なくとも１つを用いて半導体パッケージ基板を構成してもよい。
この半導体パッケージ基板には、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上している。

さらに、本発明は、半導体パッケージに適用することができる。すなわち、半導体パッケージが上記半導体パッケージ基板を備えることにより、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が含まれる。これにより、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上する。

さらに、本発明は、半導体デバイスに適用することができる。すなわち、半導体デバイスが、上記半導体パッケージ基板および上記半導体パッケージのうちの少なくとも１つを備えることにより、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が直接的または間接的に含まれる。これにより、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上する。この半導体デバイスを備えたプリント回路基板も、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が間接的に含まれるので、同様の効果が得られる。

さらに、本発明は、フレキシブル基板、あるいはフレキシブル基板部とリジッド基板部が一体となったリジッド−フレキシブル基板におけるフレキシブル基板部にも、適用することができる。すなわち、実施の形態１および実施の形態２のうちの少なくとも一方の構成をフレキシブル基板またはフレキシブル基板部に適用することによって、グランド層をメッシュ構造にしなくても、フレキシブル基板の柔軟性を損なわずに、インピーダンス制御、ペア配線の対称性および放射ノイズの抑制を実現できる。

さらに、本発明は、情報処理モジュールに適用することができる。
すなわち、情報処理モジュールが備える情報処理回路を、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板やフレキシブル基板を用いたプリント回路基板および上記半導体デバイスを備えたプリント回路基板の少なくとも１つを用いて構成する。
このように構成することで、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が直接的または間接的に含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上した情報処理が可能となる。

さらに、本発明は、情報処理装置に適用することができる。
すなわち、情報処理装置が備える情報処理回路を、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板を用いたプリント回路基板および上記半導体デバイスを備えたプリント回路基板の少なくとも１つを用いて構成する。
このように構成することで、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が直接的または間接的に含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上した情報処理が可能となる。
なお、上記情報処理モジュールを備える情報処理装置においても、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が間接的に含まれるので、同様の効果が得られる。

さらに、本発明は、通信モジュールに適用することができる。
すなわち、通信モジュールが備える通信回路を、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板を用いたプリント回路基板および上記半導体デバイスを備えたプリント回路基板の少なくとも１つを用いて構成する。
このように構成することで、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が直接的または間接的に含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上した通信が可能となる。

さらに、本発明は、通信装置に適用することができる。
すなわち、通信装置が備える通信回路を、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板を用いたプリント回路基板および上記半導体デバイスを備えたプリント回路基板の少なくとも１つを用いて構成する。
このように構成することで、実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が直接的または間接的に含まれるので、放射ノイズが低減され、空間ノイズに対する耐性も向上した通信が可能となる。
なお、上記通信モジュールを備える通信装置においても実施の形態１および実施の形態２に示した多層基板の構造が間接的に含まれるので、同様の効果が得られる。

なお、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１０ 誘電体層、２０ 表面配線層、２１ ペア配線、２２ 信号バス、３０ グランド層、４０ ソルダーレジスト、２１１ 正相信号配線、２１２ 逆相信号配線、２２１〜２２８ 信号配線、３１１〜３１３，３２１〜３２９ スリット、３３１ グランド接続部、３９１〜３９４ 切り欠き部。

Claims (16)

1. 全面または部分的なグランドプレーンが形成されたグランド層と、
   前記グランドプレーンに対向する配線が形成された配線層と、
   前記配線に平行して前記グランドプレーンに形成されたスリットと、
   前記スリットの１または複数の箇所に設けられて前記スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部とを備え、
   前記グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたことを特徴とする多層基板。
2. 全面または部分的なグランドプレーンが形成されたグランド層と、
   前記グランドプレーンに対向する一対の配線からなるペア配線が形成された配線層と、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記ペア配線の各配線に平行して前記グランドプレーンに形成されたスリットと、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように前記スリットの１または複数の箇所に設けられて前記スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部とを備え、
   前記グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたことを特徴とする多層基板。
3. 前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたことを特徴とする請求項２記載の多層基板。
4. 全面または部分的なグランドプレーンが形成されたグランド層と、
   前記グランドプレーンに対向する一対の配線からなるペア配線が形成された配線層と、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記ペア配線の各配線に平行して前記グランドプレーンに形成されたスリットと、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように前記スリットの１または複数の箇所に設けられて前記スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部とを備え、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたことを特徴とするフレキシブル基板。
5. フレキシブル基板部とリジッド基板部が一体に構成されたリジッド−フレキシブル基板であって、
   前記フレキシブル基板部は、
   全面または部分的なグランドプレーンが形成されたグランド層と、
   前記グランドプレーンに対向する一対の配線からなるペア配線が形成された配線層と、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記ペア配線の各配線に平行して前記グランドプレーンに形成されたスリットと、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように前記スリットの１または複数の箇所に設けられて前記スリットの両側のグランド導体を接続するグランド接続部とを備え、
   前記ペア配線の配線間の中央線に沿って前記グランド層および前記配線層を垂直に分ける面を境とした両側が対称となるように、前記グランド接続部が接続した部分の周りのグランド導体を切り欠いたことを特徴とするリジッド−フレキシブル基板。
6. 請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の多層基板で構成されたプリント回路基板。
7. 請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の多層基板で構成された半導体パッケージ基板。
8. 請求項７記載の半導体パッケージ基板を備えた半導体パッケージ。
9. 請求項７記載の半導体パッケージ基板および請求項８記載の半導体パッケージのうちの少なくとも１つを備えた半導体デバイス。
10. 請求項９記載の半導体デバイスを備えたプリント回路基板。
11. 請求項６および請求項１０記載のプリント回路基板のうちの少なくとも１つを用いて構成された情報処理回路を備える情報処理モジュール。
12. 請求項６および請求項１０記載のプリント回路基板のうちの少なくとも１つを用いて構成された通信回路を備える通信モジュール。
13. 請求項６記載および請求項１０記載のプリント回路基板のうちの少なくとも１つを用いて構成された情報処理回路を備える情報処理装置。
14. 請求項６記載および請求項１０記載のプリント回路基板のうちの少なくとも１つを用いて構成された通信回路を備える通信装置。
15. 請求項１１記載の情報処理モジュールを備えた情報処理装置。
16. 請求項１２記載の通信モジュールを備えた通信装置。

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