JP6326280B2 - パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置 - Google Patents

パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6326280B2
JP6326280B2 JP2014095153A JP2014095153A JP6326280B2 JP 6326280 B2 JP6326280 B2 JP 6326280B2 JP 2014095153 A JP2014095153 A JP 2014095153A JP 2014095153 A JP2014095153 A JP 2014095153A JP 6326280 B2 JP6326280 B2 JP 6326280B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressing
switchgear
power semiconductor
substrate
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014095153A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2014225664A (ja
JP2014225664A5 (https=
Inventor
ゲープル クリスチアン
ゲープル クリスチアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Publication of JP2014225664A publication Critical patent/JP2014225664A/ja
Publication of JP2014225664A5 publication Critical patent/JP2014225664A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6326280B2 publication Critical patent/JP6326280B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/22Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77Auxiliary members characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/25Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/688Flexible insulating substrates

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
JP2014095153A 2013-05-14 2014-05-02 パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置 Active JP6326280B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013104949.4 2013-05-14
DE102013104949.4A DE102013104949B3 (de) 2013-05-14 2013-05-14 Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014225664A JP2014225664A (ja) 2014-12-04
JP2014225664A5 JP2014225664A5 (https=) 2017-02-09
JP6326280B2 true JP6326280B2 (ja) 2018-05-16

Family

ID=50382203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014095153A Active JP6326280B2 (ja) 2013-05-14 2014-05-02 パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9530712B2 (https=)
EP (1) EP2804210A1 (https=)
JP (1) JP6326280B2 (https=)
KR (1) KR102214418B1 (https=)
CN (1) CN104157622B (https=)
DE (1) DE102013104949B3 (https=)
IN (1) IN2014MU01589A (https=)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013104949B3 (de) * 2013-05-14 2014-04-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
US9437589B2 (en) * 2014-03-25 2016-09-06 Infineon Technologies Ag Protection devices
DE102014106570B4 (de) 2014-05-09 2016-03-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
DE102014115565B3 (de) * 2014-10-27 2015-10-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Schalteinrichtung mit einer feuchtigkeitsdichten und elektrisch isolierenden Abdeckung und zur Herstellung einer Anordnung hiermit
DE102015111204B4 (de) * 2015-07-10 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Modul mit Lastanschlusselementen
DE102015114191B3 (de) * 2015-08-26 2016-11-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen und mit einer Druckeinrichtung und Anordnung hiermit
DE102015114188B4 (de) * 2015-08-26 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse
DE102015115611A1 (de) * 2015-09-16 2017-03-16 Karlsruher Institut für Technologie Verfahren zum Herstellen von elektronischen Modulen
DE102015116165A1 (de) * 2015-09-24 2017-03-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer leistungselektronischen Schalteinrichtung und leistungselektronische Schalteinrichtung
DE102015120157A1 (de) * 2015-11-20 2017-05-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Mehrzahl von Potentialflächen
DE102016119631B4 (de) * 2016-02-01 2021-11-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper und Anordnung hiermit
DE102016110912B4 (de) * 2016-06-14 2018-03-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einer Schalteinrichtung
DE102016112777B4 (de) * 2016-07-12 2021-03-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
EP3273473B1 (de) 2016-07-22 2020-09-09 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
EP3273470A1 (de) 2016-07-22 2018-01-24 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
EP3273474A1 (de) 2016-07-22 2018-01-24 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
DE102016123113B3 (de) * 2016-11-30 2017-11-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckeinrichtung für eine leistungselektronische Schalteinrichtung, Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
DE102016123697B4 (de) * 2016-12-07 2021-06-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckeinrichtung für eine leistungselektronische Schalteinrichtung, Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
DE102017100328B4 (de) * 2017-01-10 2020-03-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiterbauelement
DE102017117667B4 (de) * 2017-08-03 2021-11-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung
FR3091013B1 (fr) * 2018-12-21 2021-01-15 Valeo Siemens Eautomotive France Sas Organe de plaquage, ensemble et équipement électrique
JP7099385B2 (ja) * 2019-03-28 2022-07-12 株式会社デンソー 加圧部材
DE102019113762B4 (de) * 2019-05-23 2022-04-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102019209069A1 (de) * 2019-06-24 2020-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Befestigung von Leistungshalbleiterbauelementen auf gekrümmten Oberflächen
DE102019126623B4 (de) 2019-10-02 2024-03-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Patentabteilung Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Vergussmasse
GB2579467B (en) * 2020-01-24 2021-01-13 First Light Fusion Ltd Electrical switching arrangement
DE102020121033B4 (de) * 2020-08-10 2024-08-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung, Leistungshalbleitermodul damit und Verfahren zur Herstellung
JP7809922B2 (ja) * 2021-06-16 2026-02-03 富士電機株式会社 半導体装置
DE102022101511B4 (de) 2022-01-24 2026-01-15 Semikron Danfoss Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungs-Schalteinrichtung mit optimierter Druckplatte
DE102023127128A1 (de) * 2023-10-05 2025-04-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Vergusskörper und Verfahren zur Herstellung
DE102023127129A1 (de) * 2023-10-05 2025-04-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Vergusskörper und Verfahren zur Herstellung
DE102023134033A1 (de) * 2023-12-05 2025-06-05 Semikron Danfoss Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung
DE102024106025B3 (de) 2024-03-01 2025-03-27 Semikron Danfoss Elektronik Gmbh & Co. Kg Drei-Level-Leistungshalbleitermodul mit einer Induktionsfläche

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5483104A (en) * 1990-01-12 1996-01-09 Paradigm Technology, Inc. Self-aligning contact and interconnect structure
US5267867A (en) * 1992-09-11 1993-12-07 Digital Equipment Corporation Package for multiple removable integrated circuits
JP3281220B2 (ja) * 1994-12-14 2002-05-13 株式会社東芝 回路モジュールの冷却装置
JPH10335579A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Toshiba Corp 大電力半導体モジュール装置
JP3965795B2 (ja) * 1998-08-24 2007-08-29 株式会社デンソー 電子部品の半田付け方法
US6218730B1 (en) * 1999-01-06 2001-04-17 International Business Machines Corporation Apparatus for controlling thermal interface gap distance
EP1128432B1 (de) * 2000-02-24 2016-04-06 Infineon Technologies AG Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper
DE10121970B4 (de) * 2001-05-05 2004-05-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung
DE10142614A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
DE10227658B4 (de) * 2002-06-20 2012-03-08 Curamik Electronics Gmbh Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise -oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat
US20050127500A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 International Business Machines Corporation Local reduction of compliant thermally conductive material layer thickness on chips
JP3809168B2 (ja) * 2004-02-03 2006-08-16 株式会社東芝 半導体モジュール
DE102006006425B4 (de) 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102006015198A1 (de) * 2006-04-01 2007-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verbindungseinrichtung für elektronische Bauelemente
KR20140079834A (ko) * 2006-09-27 2014-06-27 가부시키가이샤 니콘 전자 소자, 가변 커패시터, 마이크로스위치, 마이크로스위치의 구동 방법, mems형 전자 소자, 마이크로 액추에이터 및 mems 광학 소자
DE102007006706B4 (de) 2007-02-10 2011-05-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
US7808100B2 (en) 2008-04-21 2010-10-05 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with pressure element and method for fabricating a power semiconductor module with a pressure element
JP4825259B2 (ja) * 2008-11-28 2011-11-30 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール及びその製造方法
DE102009005915B4 (de) * 2009-01-23 2013-07-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102009002992B4 (de) * 2009-05-11 2014-10-30 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulanordnung mit eindeutig und verdrehsicher auf einem Kühlkörper montierbarem Leistungshalbleitermodul und Montageverfahren
US20110279980A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Silicon Integrated Systems Corp. Heat dissipation structure for liquid crystal television
KR101862808B1 (ko) * 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102010062556A1 (de) * 2010-12-07 2012-06-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiterschaltungsanordnung
DE102011078811B3 (de) * 2011-07-07 2012-05-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung
US8975711B2 (en) * 2011-12-08 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof
WO2013121491A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8916968B2 (en) * 2012-03-27 2014-12-23 Infineon Technologies Ag Multichip power semiconductor device
DE102013104949B3 (de) * 2013-05-14 2014-04-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
DE102014106570B4 (de) * 2014-05-09 2016-03-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit

Also Published As

Publication number Publication date
US20150069599A1 (en) 2015-03-12
JP2014225664A (ja) 2014-12-04
EP2804210A1 (de) 2014-11-19
KR20140134628A (ko) 2014-11-24
CN104157622B (zh) 2018-04-13
CN104157622A (zh) 2014-11-19
US9530712B2 (en) 2016-12-27
DE102013104949B3 (de) 2014-04-24
KR102214418B1 (ko) 2021-02-08
IN2014MU01589A (https=) 2015-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6326280B2 (ja) パワーエレクトロニクス開閉装置及びパワーエレクトロニクス開閉装置を有する装置
CN101626001B (zh) 半导体装置及其制造方法
US9627343B2 (en) Power semiconductor module with switching device and assembly
KR102237875B1 (ko) 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치
CN102543423B (zh) 电容器系统和用于制造电容器系统的方法
JP6897056B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置製造方法
US10163752B2 (en) Semiconductor device
JP6984127B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN106486439B (zh) 包括两部分式壳体的功率电子子模块
WO2020105463A1 (ja) 半導体モジュール、電力変換装置および半導体モジュールの製造方法
JP2008199022A (ja) パワー半導体モジュールおよびその製造方法
KR20130069108A (ko) 반도체 패키지
JP2010034350A (ja) 半導体装置
CN111354710B (zh) 半导体装置及其制造方法
CN117542821A (zh) 半导体器件及用于半导体器件的引线框
CN108695302B (zh) 具有开关装置的功率半导体模块及包括该模块的配置
US11201101B2 (en) Electronic component
US20170303385A1 (en) Heat dissipating structure
JP7591377B2 (ja) 半導体部品
US7453146B2 (en) High power MCM package with improved planarity and heat dissipation
JP2024504838A (ja) 金属基板構造体、半導体パワーモジュール用の金属基板構造体の製造方法、および半導体パワーモジュール
CN108122864A (zh) 用于电力电子开关装置的压力装置、开关装置及其布置
JP2017069351A (ja) 半導体装置
JP5741526B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN111554667B (zh) 功率半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161221

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180403

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6326280

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250