DE102019113762B4 - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (1) mit folgenden Verfahrensschritten:a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung (2) mit einem Substrat (3), das eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht (4) aufweist, auf deren ersten Hauptseite (4a) eine erste und eine zweite Leiterbahn (5a,5b) angeordnet ist und mit einem auf der zweiten Leiterbahn (5b) des Substrats (3) angeordneten Leistungshalbleiterbauelement (7), das auf seiner der zweiten Leiterbahn (5b) zugewandten ersten Hauptseite (8a) einen ersten Stromanschluss (9a) und auf seiner der zweiten Leiterbahn (5b) abgewandten zweiten Hauptseite (8b) einen zweiten Stromanschluss (9b) aufweist, wobei der erste Stromanschluss (9a) elektrisch leitend mit der zweiten Leiterbahn (5b) verbunden ist,b) Bereitstellen eines geprägten Folienverbunds (10), der eine elektrisch nicht leitende erste Folie (11) und eine hierauf angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Folie (12) aufweist, wobei die zweite Folie (12) derart strukturiert ist, dass diese einen ersten Folienanschlussbereich (12a) und einen vom einen ersten Folienanschlussbereich (12a) getrennt angeordneten zweiten Folienanschlussbereich (12b) aufweist, wobei der geprägte Folienverbund (10) derart geprägt ausgebildet ist, dass in Normalenrichtung (N) des ersten Folienanschlussbereichs (12a) der erste Folienanschlussbereich (12a) auf einem ersten Höhenniveau (H1) angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich (12b) auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau (H1) höheren zweiten Höhenniveau (H2) angeordnet ist,c) Anordnen eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs (15) auf dem ersten und zweiten Folienanschlussbereich (12a, 12b) des geprägten Folienverbunds (10), und/oder auf der ersten Leiterbahn (5a) und dem zweiten Stromanschluss (9b),d) Anordnen des geprägten Folienverbunds (10) derart auf dem Substrat (2), dass ein erster Teil (15a) des Klebstoffs (15) einen mechanischen Kontakt mit dem ersten Folienanschlussbereich (12a) und der ersten Leiterbahn (5a) aufweist und ein zweiter Teil (15b) des Klebstoffs (15) einen mechanischen Kontakt mit dem zweiten Folienanschlussbereich (12b) und dem zweiten Stromanschluss (9b) aufweist,e) Verfestigen des Klebstoffs (15).
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls.
- Aus der
DE 10 2013 104 949 B3 ist ein Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Folienverbund bekannt, wobei der Folienverbund mittels einer Drucksinterverbindung mit dem Leistungshalbleiterbauelement und dem Substrat elektrisch leitend verbunden ist. - Die Herstellung einer Drucksinterverbindung ist technologisch aufwändig, da diese eine Druck- und Temperaturbeaufschlagung der miteinander zu verbindenden Elemente erfordert. Weiterhin kann durch die hohe Druckbelastung das Leistungshalbleiterbauelement und, z.B. im Falle eines DCB-Substrats oder AMB-Substrats, die Keramikschicht des Substrats beschädigt werden.
- Aus der
DE 10 2015 116 165 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Substrat, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement und einer flächigen Verbindungseinrichtung, die die Verbindungspartner der leistungselektronischen Schalteinrichtung ausbilden, bekannt. - Aus der
DE 10 2017 122 557 A1 ist eine leitungselektronische Anordnung mit einem Folienverbund, der eine elektrisch nicht leitende zweite Folie und eine auf der zweiten Folie angeordnete elektrisch leitende erste Folie aufweist und mit einem Verbindungspartner, wobei die erste Folie eine erste Oberfläche aufweist, die einen elektrisch leitenden ersten Oberflächenbereich aufweist und der Verbindungspartner eine zweite Oberfläche aufweist, die einen elektrisch leitenden zweiten Oberflächenbereich aufweist, wobei der erste Oberflächenbereich dem zweiten Oberflächenbereich gegenüberliegend angeordnet ist, wobei der erste Oberflächenbereich mit dem zweiten Oberflächenbereich mittels einer elektrisch leitenden ersten Verbindungschicht, die zum ersten Oberflächenbereich und zum zweiten Oberflächenbereich einen jeweiligen mechanischen Kontakt ausweist, stoffschlüssig elektrisch leitend verbunden ist, bekannt. - Aus der
DE 10 2007 006 706 A1 ist eine Schaltungsanordnung mit einem Substrat, mit auf einer Hauptfläche dieses Substrats angeordneten Leiterbahnen, mit mindestens einem mit seiner ersten Hauptfläche auf einer ersten Leiterbahn angeordnetem Halbleiterbauelement und mit einer elektrisch leitfähigen Verbindungseinrichtung zu mindestens einer Kontaktfläche der zweiten Hauptfläche des Halbleiterbauelements, wobei eine Verbindung des Halbleiterbauelements mit der ersten Leiterbahn und/oder der Verbindungseinrichtung als Drucksinterverbindung ausgebildet ist und zwischen der Verbindungseinrichtung und einem zugeordneten Rand des Halbleiterbauelements ein Isolierstoff angeordnet ist, bekannt. - Aus der
DE 100 56 854 A1 ist ein Berührungsschalter mit zwei parallel zueinander angeordneten Kunststoffplatten, zwischen denen mindestens eine Schaltfläche angeordnet ist, bekannt, wobei die Kunststoffplatten aus einem Werkstoff gebildet sind, der tiefziehbar und/oder umformbar ist, bekannt. - Aus der
DE 10 2004 041 868 B3 ist eine Transferfolie, umfassend eine Trägerfolie mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite, wobei auf der ersten Seite der Trägerfolie eine Ablöseschicht und auf der, der Trägerfolie abgewandten Seite der Ablöseschicht eine Übertragungslage angeordnet ist, bekannt. - Es ist Aufgabe der Erfindung ein rationelles Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls zu schaffen.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Verfahrensschritten:
- a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung mit einem Substrat, das eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht aufweist, auf deren ersten Hauptseite eine erste und eine zweite Leiterbahn angeordnet ist und mit einem auf der zweiten Leiterbahn des Substrats angeordneten Leistungshalbleiterbauelement, das auf seiner der zweiten Leiterbahn zugewandten ersten Hauptseite einen ersten Stromanschluss und auf seiner der zweiten Leiterbahn abgewandten zweiten Hauptseite einen zweiten Stromanschluss aufweist, wobei der erste Stromanschluss elektrisch leitend mit der zweiten Leiterbahn verbunden ist,
- b) Bereitstellen eines geprägten Folienverbunds, der eine elektrisch nicht leitende erste Folie und eine hierauf angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Folie aufweist, wobei die zweite Folie derart strukturiert ist, dass diese einen ersten Folienanschlussbereich und einen vom einen ersten Folienanschlussbereich getrennt angeordneten zweiten Folienanschlussbereich aufweist, wobei der geprägte Folienverbund derart geprägt ausgebildet ist, dass in Normalenrichtung des ersten Folienanschlussbereichs der erste Folienanschlussbereichs auf einem ersten Höhenniveau angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau höheren zweiten Höhenniveau angeordnet ist,
- c) Anordnen eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs auf dem ersten und zweiten Folienanschlussbereich des geprägten Folienverbunds, und/oder auf der ersten Leiterbahn und dem zweiten Stromanschluss,
- d) Anordnen des geprägten Folienverbunds derart auf dem Substrat, dass ein erster Teil des Klebstoffs einen mechanischen Kontakt mit dem ersten Folienanschlussbereich und der ersten Leiterbahn aufweist und ein zweiter Teil des Klebstoffs einen mechanischen Kontakt mit dem zweiten Folienanschlussbereich und dem zweiten Stromanschluss aufweist,
- e) Verfestigen des Klebstoffs.
- Es erweist sich als vorteilhaft, wenn in einem weiteren Verfahrensschritt f) ein Verfüllen mindestens eines zwischen dem Folienverbund und der Leistungshalbleiteranordnung angeordneten Hohlraums mit einer elektrisch nicht leitenden Vergussmasse erfolgt. Hierdurch wird eine sehr zuverlässige elektrische Isolation zwischen bestimmten Abschnitten des Folienverbunds und der Leistungshalbleiteranordnung erzielt.
- Es erweist sich als vorteilhaft, wenn der geprägte Folienverbund eine zu Folienleiterbahnen strukturiere elektrisch leitende dritte Folie aufweist, wobei die erste Folie zwischen der zweiten und dritten Folie angeordnet ist. Hierdurch wird einfache Leitungsführung der durch den Folienverbund fließenden elektrischen Ströme ermöglicht.
- In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn der geprägte Folienverbund durch die erste Folie hindurch verlaufende elektrisch leitende Durchkontaktieren aufweist, die den ersten und zweiten Folienanschlussbereich mit der dritten Folie elektrisch leitend verbinden. Hierdurch wird einfache Leitungsführung der durch den Folienverbund fließenden elektrischen Ströme ermöglicht.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der geprägte Folienverbund derart geprägt ausgebildet ist, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund fluchtet zu einem Umgebungsbereich des Rands des Leistungshalbleiterbauelements, oberhalb dieses Umgebungsbereich, einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens auf der dem Substrat zugewandten Seite des Folienverbunds in Normalenrichtung des ersten Folienanschlussbereichs auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau höheren dritten Höhenniveau angeordnet ist. Hierdurch wird ein mechanischer Kontakt des Folienverbunds mit dem mechanisch empfindlichen Randbereich des Leistungshalbleiterbauelements zuverlässig vermieden. Weiterhin wird hierdurch ein Anordnen einer Vergussmasse, insbesondere eines Weich- oder Hardvergusses, zwischen Folienverbund und einem Randbereich des Leistungshalbleiterbauelements ermöglicht.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt b) zum Bereitstellen des geprägten Folienverbunds ein Verfahren zur Herstellung des geprägten Folienverbunds mit folgenden Verfahrensschritten durchgeführt wird:
- b1) Anordnen eines ungeprägten Folienverbunds zwischen einem ersten und zweiten Pressstempel einer Presse,
- b2) Prägen des ungeprägten Folienverbunds mittels Durchführung einer Relativbewegung des ersten und zweiten Pressstempels aufeinander zu, so dass der erste und zweite Pressstempel auf den ungeprägten Folienverbund drücken, wodurch aus dem ungeprägten Folienverbund der geprägte Folienverbund ausgebildet wird, wobei der erste und/oder der zweite Pressstempel eine derartige geometrische Form aufweisen, dass nach dem Prägen in Normalenrichtung des ersten Folienanschlussbereichs der erste Folienanschlussbereichs auf einem ersten Höhenniveau angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau höheren zweiten Höhenniveau angeordnet ist,
- b3) Entnahme des geprägten Folienverbunds aus der Presse.
- In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt b2) der erste und/oder der zweite Pressstempel eine derartige geometrische Form aufweisen, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund fluchtet zu einem Umgebungsbereich des Rand des Leistungshalbleiterbauelements, oberhalb dieses Umgebungsbereich, einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens auf der dem Substrat zugewandten Seite des Folienverbunds in Normalenrichtung des ersten Folienanschlussbereichs auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau höheren dritten Höhenniveau angeordnet ist. Hierdurch wird bei dem Leistungshalbleitermodul ein mechanischer Kontakt des Folienverbunds mit dem mechanisch empfindlichen Randbereich des Leistungshalbleiterbauelements zuverlässig vermieden. Weiterhin wird hierdurch ein Anordnen einer Vergussmasse, insbesondere eines Weich- oder Hardvergusses, zwischen Folienverbund und Randbereich des Leistungshalbleiterbauelements ermöglicht.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der erste Pressstempel eine starre geometrische Form aufweist und der zweite Pressstempel aus einem elastischen Material ausgebildet ist, oder wenn der zweite Pressstempel eine starre geometrische Form aufweist und der erste Pressstempel aus einem elastischen Material ausgebildet ist, oder wenn der erste und zweite Pressstempel eine starre geometrische Form aufweisen, wobei der erste und zweite Pressstempel zueinander eine positive und negative geometrische Form aufweisen. Hierdurch wird rationelles Prägen des ungeprägten Folienverbunds erzielt.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die unten stehenden Figuren erläutert. Dabei zeigt:
-
1 eine Leistungshalbleiteranordnung und einen geprägten Folienverbund, -
2 eine Leistungshalbleiteranordnung und einen geprägten Folienverbund, mit einem darauf angeordneten elektrisch leitfähigen Klebstoff, -
3 ein Leistungshalbleitermodul und -
4 eine Presse und ein zur Prägung in der Presse, angeordneter ungeprägter Folienverbund. - Gleiche Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
- Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls 1 (siehe
3 ) beschrieben. - In einem Verfahrensschritt a) erfolgt, wie beispielhaft in
1 dargestellt, ein Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung 2. Die Leistungshalbleiteranordnung 2 weist ein Substrat 3 auf, das eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht 4 aufweist, auf deren ersten Hauptseite 4a eine erste und eine zweite elektrisch leitende Leiterbahn 5a und 5b und im Rahmen des Ausführungsbeispiels eine elektrisch leitende dritte Leiterbahn 5c angeordnet ist. Vorzugsweise weist das Substrat 3 eine elektrisch leitende, vorzugsweise unstrukturierte Metallisierungsschicht 6 auf, wobei die Isolationsschicht 4 zwischen der Metallisierungsschicht 6 und den Leiterbahnen 5a, 5b und 5c angeordnet ist. Die Isolationsschicht 4 ist vorzugsweise als Keramikplatte ausgebildet. Das Substrat 3 kann z.B. als Direct Copper Bonded Substrat (DCB-Substrat) oder als Aktive Metal Brazing Substrat (AMB-Substrat) ausgebildet sein. Alternativ kann das Substrat 2 auch als Insulated Metal Substrat (IMS-Substrat) ausgebildet sein. - Die Leistungshalbleiteranordnung 2 weist weiterhin ein auf der zweiten Leiterbahn 5b des Substrats 3 angeordnetes Leistungshalbleiterbauelement 7 auf, das auf seiner der zweiten Leiterbahn 5b zugewandten ersten Hauptseite 8a einen ersten Stromanschluss 9a und auf seiner der zweiten Leiterbahn 5 abgewandten zweiten Hauptseite 8b einen zweiten Stromanschluss 9b aufweist, wobei der erste Stromanschluss 9a mit der zweiten Leiterbahn 5b, vorzugsweise über eine Lot- oder Sintermetallschicht 21, elektrisch leitend verbunden ist. Das Leistungshalbleiterbauelement 7 liegt vorzugsweise in Form eines Transistors, wie z.B. eines IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) oder in Form einer Diode vor. Beim Ausführungsbeispiel ist das Leistungshalbleiterbauelement 7 als IGBT ausgebildet, wobei der erste Stromanschluss 9a, den Kollektoranschluss und der zweite Stromanschluss 9b den Emitteranschluss des IGBT ausbildet. Alternativ könnte der der zweite Stromanschluss 9b auch den Gateanschluss des IGBT ausbilden.
- In einem Verfahrensschritt b) erfolgt, wie zusätzlich beispielhaft in
1 dargestellt, ein Bereitstellen eines geprägten Folienverbunds 10, der eine elektrisch nicht leitende erste Folie 11 und eine auf der ersten Folie 11 angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Folie 12 aufweist, wobei die zweite Folie 12 derart strukturiert ist, dass diese einen ersten Folienanschlussbereich 12a, einen vom einen ersten Folienanschlussbereich 12a getrennt angeordneten zweiten Folienanschlussbereich 12b und vorzugsweise einen vom ersten und zweiten Folienanschlussbereich 12a und 12b getrennt angeordneten dritten Folienanschlussbereich 12c aufweist. Die Folienanschlussbereiche 12a, 12b und 12c können auch in Form von Abschnitten von Folienleiterbahnen vorliegen, welche durch die Strukturierung der zweite Folie 12 ausgebildet sein können. Der geprägte Folienverbund 10 weist vorzugsweise eine zu Folienleiterbahnen 13a und 13b strukturiere elektrisch leitende dritte Folie 13 auf, wobei die erste Folie 11 zwischen der zweiten und dritten Folie 12 und 13 angeordnet ist. Die erste Folie 11 ist mit der zweiten und dritten Folie 12 und 13 stoffschlüssig verbunden. Die zweite und dritte Folie 12 und 13 sind vorzugsweise als Metallfolien ausgebildet. Die erste Folie ist vorzugsweise als Kunststofffolie ausgebildet. Der Folienverbund 10 kann selbstverständlich noch eine oder mehrere weitere strukturierte oder unstrukturierte elektrisch leitende Folien (z.B. Metallfolien) aufweisen, zwischen denen jeweilig eine elektrisch nicht leitende Folie (z.B. Kunststofffolie) angeordnet ist. Die jeweilige Metallfolie kann eine einzelne oder mehrere übereinanderliegende Metallschichten aufweisen. Der geprägte Folienverbund 10 weist vorzugsweise durch die erste Folie 11 hindurch verlaufende elektrisch leitende Durchkontaktieren 14 auf, die den ersten, zweiten und dritten Folienanschlussbereich 12a, 12b und 12c jeweilig mit der dritten Folie 13 elektrisch leitend verbinden. - Der geprägte Folienverbund 10 ist bei der Erfindung derart geprägt ausgebildet, dass in Normalenrichtung N des ersten Folienanschlussbereichs 12a der erste Folienanschlussbereichs 12a auf einem ersten Höhenniveau H1 angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich 12b auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau H1 höheren zweiten Höhenniveau H2 angeordnet ist. Es sei angemerkt, dass im Sinne der Erfindung die Normalenrichtung N des ersten Folienanschlussbereichs 12a die in Richtung auf die erste Folie 11 verlaufende Normalenrichtung N der der ersten Folie 11 abgewandten Oberfläche des ersten Folienanschlussbereichs 12a ist.
- In einem nachfolgenden Verfahrensschritt c) erfolgt, wie beispielhaft in
2 dargestellt, ein Anordnen eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs 15 auf dem ersten, zweiten und dritten Folienanschlussbereich 12a, 12b und 12c des geprägten Folienverbunds 10, und/oder auf der ersten Leiterbahn 5a, auf dem zweiten Stromanschluss 9b und auf der dritten Leiterbahn 5c. Elektrisch leitfähige Klebstoffe sind allgemeiner Stand der Technik. Die Leitfähigkeit der Klebstoffe wird vorzugsweise durch mindestens ein elektrisch leitendes Füllmaterial (z.B. Silberpartikel) erreicht, die einer Klebematrix beigemengt sind. Der elektrisch leitfähige Klebstoff kann z.B. in Form eines Sinterklebers vorliegen. - In einem nachfolgenden Verfahrensschritt d) erfolgt, wie beispielhaft in
3 dargestellt, ein Anordnen des geprägten Folienverbunds 10 derart auf dem Substrat 2, dass ein erster Teil 15a des Klebstoffs 15 einen mechanischen Kontakt mit dem ersten Folienanschlussbereich 12a und der ersten Leiterbahn 5a aufweist, ein zweiter Teil 15b des Klebstoffs 15 einen mechanischen Kontakt mit dem zweiten Folienanschlussbereich 12b und dem zweiten Stromanschluss 9b aufweist und ein dritter Teil 15c des Klebstoffs 15 einen mechanischen Kontakt mit dem dritten Folienanschlussbereich 12c und der dritten Leiterbahn 5c aufweist. Der geprägte Folienverbund 10 ist vorzugsweise derart geprägt ausgebildet ist, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund 10 fluchtet zu einem Umgebungsbereich U des Rands 7' des Leistungshalbleiterbauelements 7, oberhalb dieses Umgebungsbereich U, einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt SP des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens B auf der dem Substrat 3 zugewandten Seite 10a des Folienverbunds 10 in Normalenrichtung N des ersten Folienanschlussbereichs 12a auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau H2 höheren dritten Höhenniveau H3 angeordnet ist. Der Umgebungsbereich U des Rands 7' des Leistungshalbleiterbauelements 7 verläuft etwas über den Rand 7' des Leistungshalbleiterbauelements 7 hinaus. - In einem nachfolgenden Verfahrensschritt e) erfolgt, wie beispielhaft in
3 dargestellt, ein Verfestigen des Klebstoffs 15, z.B. mittels Temperaturbeaufschlagung oder UV-Strahlungsbeaufschlagung des Klebstoffs 15. - Bei der Erfindung wird durch das Ausbilden des Folienverbunds als ein geprägter Folienverbund 10 in Verbindung mit dem Ausbilden von elektrisch leitfähigen Klebeverbindungen zur elektrischen Kontaktierung des Folienverbunds 10 mit der Leistungshalbleiteranordnung 2 eine rationelle Herstellung des Leistungshalbleitermoduls 1 ermöglicht.
- In einem vorzugsweise durchzuführenden nachfolgenden Verfahrensschritt f) erfolgt ein Verfüllen mindestens eines zwischen dem Folienverbund 10 und der Leistungshalbleiteranordnung 2 angeordneten Hohlraums 22 mit einer elektrisch nicht leitenden Vergussmasse, insbesondere mit einem Weich- oder Hardverguss. Die Vergussmasse kann z.B. als Silikonvergussmasse oder Epoxidharzvergussmasse ausgebildet sein.
- Im einfachsten Fall kann beim Verfahrensschritt b) das Bereitstellen des geprägten Folienverbunds 10 dadurch erfolgen, dass der geprägte Folienverbunds 10 als vorgefertigtes Bauteil vorliegt.
- Alternativ kann beim Verfahrensschritt b) zum Bereitstellen des geprägten Folienverbunds 10, wie beispielhaft in
4 dargestellt, ein Verfahren zur Herstellung des geprägten Folienverbunds 10 mit folgenden Verfahrensschritten durchgeführt werden. - In einem ersten Verfahrensschritt b1) erfolgt ein Anordnen eines ungeprägten Folienverbunds 10' zwischen einem ersten und zweiten Pressstempel 16 und 17 einer Presse 20. Der ungeprägte Folienverbunds 10' stimmt mit dem geprägten Folienverbund 10 bis auf das Merkmal, dass er noch nicht geprägt ist, überein.
- In einem nachfolgenden Verfahrensschritt b2) erfolgt ein Prägen des ungeprägten Folienverbunds 10' mittels Durchführung einer Relativbewegung des ersten und zweiten Pressstempels 16 und 17 aufeinander zu, so dass der erste und zweite Pressstempel 16 und 17 auf den ungeprägten Folienverbund 10' drücken, wodurch aus dem ungeprägten Folienverbund 10' der geprägte Folienverbund 10 ausgebildet wird. Der erste und/oder der zweite Pressstempel 16, 17 weisen eine derartige geometrische Form auf, dass nach dem Prägen in Normalenrichtung N des ersten Folienanschlussbereichs 12a der erste Folienanschlussbereichs 12a auf einem ersten Höhenniveau H1 angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich 12b auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau H1 höheren zweiten Höhenniveau H2 angeordnet ist. Die Presse 20 weist beim Ausführungsbeispiel ein erstes Presselement 18 auf, auf dem der erste Pressstempels 16 angeordnet ist und ein zweites Presselement 19 auf, auf dem der zweite Pressstempel 17 angeordnet ist. Zur Durchführung der Relativbewegung des ersten und zweiten Pressstempels 16 und 17 aufeinander zu, wird beim Ausführungsbeispiel das erste Presselement 18 in Richtung auf das zweite Presselement 19 zu bewegt, was in
1 mit einem Pfeil dargestellt ist. Alternativ kann auch der zweite Presselement 19 in Richtung auf das erste Presselement 18 zu bewegt werden. - Vorzugsweise weisen beim Verfahrensschritt b2) der erste und/oder der zweite Pressstempel 16, 17 eine derartige geometrische Form auf, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund 10 fluchtet zu einem Umgebungsbereich U des Rands 7' des Leistungshalbleiterbauelements 7, oberhalb dieses Umgebungsbereich U, einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt SP des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens B auf der dem Substrat 3 zugewandten Seite 10a des Folienverbunds 10 in Normalenrichtung N des ersten Folienanschlussbereichs 12a auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau H2 höheren dritten Höhenniveau H3 angeordnet ist.
- Der erste Pressstempel 16 kann eine starre geometrische Form aufweisen und der zweite Pressstempel 17 aus einem elastischen Material ausgebildet sein. Alternativ kann der zweite Pressstempel 17 eine starre geometrische Form aufweisen und der erste Pressstempel 16 aus einem elastischen Material ausgebildet sein. Das elastische Material kann z.B. aus Silikon ausgebildet sein. Alternativ können der erste und zweite Pressstempel 16 und 17 eine starre geometrische Form aufweisen, wobei der erste und zweite Pressstempel 16 und 17 zueinander eine positive und negative geometrische Form aufweisen, was in
4 gestrichelt gezeichnet dargestellt ist. - In einem nachfolgenden Verfahrensschritt b3) erfolgt eine Entnahme des geprägten Folienverbunds 10 aus der Presse 20.
- Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können.
Claims (8)
- Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (1) mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung (2) mit einem Substrat (3), das eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht (4) aufweist, auf deren ersten Hauptseite (4a) eine erste und eine zweite Leiterbahn (5a,5b) angeordnet ist und mit einem auf der zweiten Leiterbahn (5b) des Substrats (3) angeordneten Leistungshalbleiterbauelement (7), das auf seiner der zweiten Leiterbahn (5b) zugewandten ersten Hauptseite (8a) einen ersten Stromanschluss (9a) und auf seiner der zweiten Leiterbahn (5b) abgewandten zweiten Hauptseite (8b) einen zweiten Stromanschluss (9b) aufweist, wobei der erste Stromanschluss (9a) elektrisch leitend mit der zweiten Leiterbahn (5b) verbunden ist, b) Bereitstellen eines geprägten Folienverbunds (10), der eine elektrisch nicht leitende erste Folie (11) und eine hierauf angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Folie (12) aufweist, wobei die zweite Folie (12) derart strukturiert ist, dass diese einen ersten Folienanschlussbereich (12a) und einen vom einen ersten Folienanschlussbereich (12a) getrennt angeordneten zweiten Folienanschlussbereich (12b) aufweist, wobei der geprägte Folienverbund (10) derart geprägt ausgebildet ist, dass in Normalenrichtung (N) des ersten Folienanschlussbereichs (12a) der erste Folienanschlussbereich (12a) auf einem ersten Höhenniveau (H1) angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich (12b) auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau (H1) höheren zweiten Höhenniveau (H2) angeordnet ist, c) Anordnen eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs (15) auf dem ersten und zweiten Folienanschlussbereich (12a, 12b) des geprägten Folienverbunds (10), und/oder auf der ersten Leiterbahn (5a) und dem zweiten Stromanschluss (9b), d) Anordnen des geprägten Folienverbunds (10) derart auf dem Substrat (2), dass ein erster Teil (15a) des Klebstoffs (15) einen mechanischen Kontakt mit dem ersten Folienanschlussbereich (12a) und der ersten Leiterbahn (5a) aufweist und ein zweiter Teil (15b) des Klebstoffs (15) einen mechanischen Kontakt mit dem zweiten Folienanschlussbereich (12b) und dem zweiten Stromanschluss (9b) aufweist, e) Verfestigen des Klebstoffs (15).
- Verfahren nach
Anspruch 1 , mit folgendem weiteren Verfahrensschritt: f) Verfüllen mindestens eines zwischen dem Folienverbund (10) und der Leistungshalbleiteranordnung (2) angeordneten Hohlraums (22) mit einer elektrisch nicht leitenden Vergussmasse. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der geprägte Folienverbund (10) eine zu Folienleiterbahnen (13a, 13b) strukturierte elektrisch leitende dritte Folie (13) aufweist, wobei die erste Folie (11) zwischen der zweiten und dritten Folie (12,13) angeordnet ist.
- Verfahren nach
Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass der geprägte Folienverbund (10) durch die erste Folie 11 hindurch verlaufende elektrisch leitende Durchkontaktierungen (14) aufweist, die den ersten und zweiten Folienanschlussbereich (12a,12b) mit der dritten Folie (13) elektrisch leitend verbinden. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der geprägte Folienverbund (10) derart geprägt ausgebildet ist, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund (10) fluchtet zu einem Umgebungsbereich (U) des Rands (7`) des Leistungshalbleiterbauelements (7), oberhalb dieses Umgebungsbereich (U), einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt (SP) des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens (B) auf der dem Substrat (3) zugewandten Seite (10a) des Folienverbunds (10) in Normalenrichtung (N) des ersten Folienanschlussbereichs (12a) auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau (H2) höheren dritten Höhenniveau (H3) angeordnet ist.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt b) zum Bereitstellen des geprägten Folienverbunds (10) ein Verfahren zur Herstellung des geprägten Folienverbunds (10) mit folgenden Verfahrensschritten durchgeführt wird: b1) Anordnen eines ungeprägten Folienverbunds (10') zwischen einem ersten und zweiten Pressstempel (16,17) einer Presse (20), b2) Prägen des ungeprägten Folienverbunds (10') mittels Durchführung einer Relativbewegung des ersten und zweiten Pressstempels (16,17) aufeinander zu, so dass der erste und zweite Pressstempel (16,17) auf den ungeprägten Folienverbund (10') drücken, wodurch aus dem ungeprägten Folienverbund (10') der geprägte Folienverbund (10) ausgebildet wird, wobei der erste und/oder der zweite Pressstempel (16,17) eine derartige geometrische Form aufweisen, dass nach dem Prägen in Normalenrichtung (N) des ersten Folienanschlussbereichs (12a) der erste Folienanschlussbereichs (12a) auf einem ersten Höhenniveau (H1) angeordnet ist und der zweite Folienanschlussbereich (12b) auf einem gegenüber dem ersten Höhenniveau (H1) höheren zweiten Höhenniveau (H2) angeordnet ist, b3) Entnahme des geprägten Folienverbunds (10) aus der Presse (20). - Verfahren nach
Anspruch 6 soweit dieser aufAnspruch 5 zurückbezogen ist, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt b2) der erste und/oder der zweite Pressstempel (16,17) eine derartige geometrische Form aufweisen, dass bei Durchführung des Verfahrensschritts d) der geprägte Folienverbund (10) fluchtet zu einem Umgebungsbereich (U) des Rands (7') des Leistungshalbleiterbauelements (7), oberhalb dieses Umgebungsbereich (U), einen bogenförmigen Verlauf aufweist, wobei der Scheitelpunkt (SP) des durch den bogenförmigen Verlauf ausgebildeten Bogens (B) auf der dem Substrat (3) zugewandten Seite (10a) des Folienverbunds (10) in Normalenrichtung (N) des ersten Folienanschlussbereichs (12a) auf einem gegenüber dem zweiten Höhenniveau (H2) höheren dritten Höhenniveau (H3) angeordnet ist. - Verfahren nach
Anspruch 6 oder7 , dadurch gekennzeichnet, dass der erste Pressstempel (16) eine starre geometrische Form aufweist und der zweite Pressstempel (17) aus einem elastischen Material ausgebildet ist, oder dass der zweite Pressstempel (17) eine starre geometrische Form aufweist und der erste Pressstempel (16) aus einem elastischen Material ausgebildet ist, oder dass der erste und zweite Pressstempel (16,17) eine starre geometrische Form aufweisen, wobei der erste und zweite Pressstempel (16,17) zueinander eine positive und negative geometrische Form aufweisen.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019113762.4A DE102019113762B4 (de) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
CN202010423273.2A CN111987005A (zh) | 2019-05-23 | 2020-05-19 | 用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019113762.4A DE102019113762B4 (de) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102019113762A1 DE102019113762A1 (de) | 2020-11-26 |
DE102019113762B4 true DE102019113762B4 (de) | 2022-04-14 |
Family
ID=73052347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102019113762.4A Active DE102019113762B4 (de) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111987005A (de) |
DE (1) | DE102019113762B4 (de) |
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2019
- 2019-05-23 DE DE102019113762.4A patent/DE102019113762B4/de active Active
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2020
- 2020-05-19 CN CN202010423273.2A patent/CN111987005A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
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DE102019113762A1 (de) | 2020-11-26 |
CN111987005A (zh) | 2020-11-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |