DE102016119631B4 - Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper und Anordnung hiermit - Google Patents
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Abstract
Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper (1), mit einem Schaltungsträger (2), ausgebildet mit einer ersten Leiterbahn (22), einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement (3) und einer internen Verbindungseinrichtung (4), mit einem Gehäuse (5) ausgebildet mit einer darin angeordneten Führungseinrichtung (50) und mit einem Anschlusselement (6), wobei das Anschlusselement (6) ausgebildet ist als ein Bolzen mit einem ersten und einem zweiten Endabschnitt (60, 62) und einem dazwischen ausgebildeten Zwischenabschnitt (64), wobei der erste Endabschnitt (60) auf dem Schaltungsträger (2) aufliegt und elektrisch leitend damit verbunden ist, und wobei der zweite Endabschnitt (62) durch eine Ausnehmung aus dem Gehäuse (5) herausragt,wobei das Anschlusselement (6) in der zugeordneten Führungseinrichtung (50) angeordnet ist undwobei der Druckeinleitkörper (1) einen ersten, starren Teilkörper (10) und einen zweiten, elastischen Teilkörper (12) aufweist, wobei der zweite Teilkörper (12) in Richtung des Gehäuses (5) aus dem ersten Teilkörper (10) hervorsteht und dazu ausgebildet ist Druck (14) auf eine Leitplatte (7) auszuüben, wenn diese Leiterplatte (7) zwischen dem Druckeinleitkörper (1) und dem Gehäuse (5) samt Anschlusselement (6) und damit auch zwischen dem zweiten Teilkörper (12) und dem zweiten Endabschnitt (62) des Anschlusselements (6) angeordnet ist.
Description
- Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper, mit einem Schaltungsträger, der ausgebildet ist mit einer ersten Leiterbahn, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement und mit einer internen Verbindungseinrichtung. Das Leistungshalbleitermodul weist weiterhin ein Gehäuse mit einer darin angeordneten Führungseinrichtung insbesondere für ein Anschlusselement auf, das der Verbindung des Schaltungsträgers mit einer externen Anschlusseinrichtung, insbesondere einer externen Leiterplatte mit Laststromleiterbahnen dient. Zudem weist das Leistungshalbleitermodul einen Druckeinleitkörper zur Druckeinleitung auf den Schaltungsträger auf. In einer Anordnung mit diesem Leistungshalbleitermodul dient der Druckkörper zur thermischer und mechanischer Verbindung des Schaltungsträgeres mit einer Kühleinrichtung.
- Aus dem Stand der Technik, beispielhaft offenbart in der
DE 196 30 173 A1 und grundsätzlich dargestellt in8 ist ein Leistungsmodul bekannt, bestehend aus Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, das bei Druckkontaktierung aller Last- und Steueranschlüsse mit einer kundenspezifischen Leiterplatte oder ihr ähnlichen äußeren Verbindungselementen eine einfache Montage und zerstörungsfreie Demontage auf einer Kühleinrichtung mittels Verschraubung ermöglicht. Hierzu wird das Gehäuse5 des Moduls mit Druckkontaktfedern68 , die ein günstiges Relaxationsverhalten ausweisen, für alle elektrischen Anschlüsse und zur gleichmäßigen Druckverteilung versehen. Zu Prüfzwecken und im Einsatz werden die Module zwischen einem Druckstück und einem Kühlkörper durch Verspannen mit mindestens einem Befestigungselement, einem Druckeinleitkörper, funktionsfähig gestaltet. Ein Mangel bei derartigen Ausgestaltungen liegt in der begrenzten Stromtragfähigkeit der bekannten Druckkontaktfedern68 , die dem Stand der Technik entsprechend bei ca. 10A liegt. - Aus der
DE 10 2011 088 322 A1 ist ein Verbindungssystem zum elektrischen Verbinden elektronischer Geräte bekannt, das einen elektrisch leitenden ersten Anschluss, einen elektrisch leitenden zweiten Anschluss, sowie ein Clipelement umfasst. Der erste Anschluss ist in den zweiten Anschluss einsetzbar. Der erste Anschluss oder der zweite Anschluss weist eine erste Öffnung auf, in die das Clipelement eingesetzt werden kann. Im eingesetzten Zustand erzeugt das Clipelement einen Anpressdruck, durch den der erste Anschluss und der zweite Anschluss gegeneinander gepresst werden, so dass ein elektrischer Kontakt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss gewährleistet ist. - In Kenntnis dieser genannten Gegebenheiten liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, das bei ähnlicher Flexibilität und Kompaktheit eine wesentlich höhere Stromtragfähigkeit der Anschlusselemente aufweist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1, sowie durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 12. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen beschrieben.
- Erfindungsgemäß ist das Leistungshalbleitermodul ausgebildet mit einem Druckeinleitkörper, mit einem Schaltungsträger, der mit einer ersten Leiterbahn, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement und einer internen Verbindungseinrichtung ausgebildet ist, mit einem Gehäuse, das mit einer darin angeordneten Führungseinrichtung ausgebildet ist und mit einem Anschlusselement. Hierbei ist das Anschlusselement ausgebildet als ein Bolzen mit einem ersten und einem zweiten Endabschnitt und einem dazwischen ausgebildeten Zwischenabschnitt, wobei der erste Endabschnitt auf dem Schaltungsträger aufliegt und elektrisch leitend damit verbunden ist, wobei der zweite Endabschnitt durch eine Ausnehmung aus dem Gehäuse herausragt und wobei das Anschlusselement in der zugeordneten Führungseinrichtung angeordnet ist. Der Druckeinleitkörper weist hierbei einen ersten, starren, vorzugsweise aus einem ersten Isolierstoff bestehenden, Teilkörper und eine zweiten, vorzugsweise aus einem zweiten Isolierstoff bestehenden, elastischen Teilkörper auf, wobei der zweite Teilkörper in Richtung des Gehäuses aus dem ersten Teilkörper hervorsteht. Der Druckeinleitkörper und das Gehäuse sind vorzugsweise zweistückig ausgebildet. Das Merkmal, dass der zweite Teilkörper in Richtung des Gehäuses aus dem ersten Teilkörper hervorsteht, ist daher selbstverständlich nur bei bestimmungsgemäßer Verwendung erfüllt. Das Leistungshalbleitermodul ist dazu ausgebildet, dass der zweite Teilkörper auf einer dem Gehäuse abgewandten Seite, vorzugsweise flächig auf eine Leiterplatte, die bei bestimmungsgemäßer Verwendung des Leistungshalbleitermoduls zwischen dem Druckeinleitkörper und dem Gehäuse samt Anschlusselement und damit auch zwischen dem zweiten Teilkörper und dem zweiten Endabschnitt angeordnet ist, in Richtung auf das Anschlusselement hin Druck auf die Leiterplatte einleitet. In anderen Worten ist das Leistungshalbleitermodul derart ausgebildet, dass bei bestimmungsgemäßer Verwendung zwischen dem zweiten Teilkörper und dem zweiten Endabschnitt eine Leiterplatte angeordnet ist. Der zweite Teilkörper ist somit dazu ausgebildet Druck, vorzugsweise flächig, in Richtung des zugeordneten Anschlusselements auszuüben, wobei der Druck längs in das Anschlusselement eingeleitet wird.
- Vorzugsweise weist der Zwischenabschnitt als derjenige Teil des Anschlusselements mit der minimalen Querschnittsfläche eine Querschnittsfläche zwischen 0,5mm2 und 10mm2, insbesondere zwischen 0,75mm2 und 5mm2, auf. Eine Querschnittsfläche von 2,5 mm2 ist hierbei ausreichend für eine Stromtragfähigkeit von ca, 100A.
- Es ist bevorzugt, wenn mindestens einer der Endabschnitte des Anschlusselements eine Kontaktfläche mit einer plan oder ballig ausgebildeten Oberflächenform aufweist. Hierbei kann die Kontaktfläche eine, vorzugsweise eine konzentrische Ringstruktur aufweisende, strukturierte Oberfläche aufweisen. Die Topologie dieser Struktur weist vorzugsweise eine Höhendifferenz zwischen 5µm und 50µm, vorzugsweise zwischen 10µm und 25µm, auf und einen Abstand der Strukturen zwischen 75µm und 500µm, vorzugsweise zwischen 150µm und 250µm, auf.
- Insbesondere ist es bevorzugt, wenn mindestens einer, insbesondere der zweite, der Endabschnitte des Anschlusselements pilzartig ausgebildet ist.
- Bevorzugt ist es, wenn das Anschlusselement aus Kupfer oder einer hauptsächlich, also zu mehr als 50 Masse-%, Kupfer enthaltenden Legierung ausgebildet und weiterhin bevorzugt weist es eine Oberflächenbeschichtung aus Silber oder aus einer hauptsächlich Silber enthaltenden Legierung auf.
- Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Führungseinrichtung dazu ausgebildet, das zugeordnete Anschlusselement derart zu klemmen, dass es gegen Herausfallen gesichert ist, wobei die Führungseinrichtung mindestens eine, insbesondere drei Klemmeinrichtungen mit Klemmflächen aufweist, die das Anschlusselement an seinem Zwischenabschnitt klemmen.
- Vorteilhafterweise weist der erste Teilkörper des Druckeinleitkörpers eine Ausnehmung auf, aus der zweite Teilkörper hervorsteht. Insbesondere hierbei besteht der erste Teilkörper des Druckeinleitkörpers aus einem hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Kunststoff, insbesondere aus Polyphenylensulfid, insbesondere mit einer metallischen Versteifungsstruktur. Der zweite Teilkörper besteht bevorzugt aus einem Silikonkautschuk, insbesondere aus Flüssig-Silikon.
- Besonders bevorzugt ist es, wenn der Druckeinleitkörper dazu ausgebildet ist, dass bei bestimmungsgemäßer Verwendung der zweite Teilkörper fluchtend oder im Wesentlichen fluchtend mit der Führungseinrichtung angeordnet ist.
- In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls ist in einer weiteren Führungseinrichtung ein Druckübertragungselement angeordnet, das grundsätzlich identischen dem Anschlusselement ausgebildet ist, allerdings aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff ausgebildet ist. Dieses Druckübertragungselement dient dann ausschließlich einer mechanischen, aber keiner elektrischen Kontaktierung.
- Die erfindungsgemäße Anordnung ist ausgebildet mit einem o.g. Leistungshalbleitermodul, mit einer Kühleinrichtung, mit einer Leiterplatte und mit einer Klemmeinrichtung zur Druckverbindung dieser Komponenten, wobei der Schaltungsträger mit der Kühleinrichtung druckkontiert, also kraftschlüssig, und somit thermisch leitend verbunden ist und wobei der zweite Endabschnitt des Anschlusselements mit einer zweiten Leiterbahn der Leiterplatte mechanisch und elektrische leitend druckkontaktiert, also wiederum kraftschlüssig, verbunden ist.
- Hierbei ist es besonders bevorzugt, wenn der zweite Teilkörper des Druckeinleitkörpers fluchtend oder im Wesentlichen fluchtend mit der Führungseinrichtung angeordnet ist.
- Unter einer druckkontaktierten mechanischen Verbindung wird eine direkte, unmittelbare Verbindung ebenso verstanden, wie eine Verbindung, die eine Zwischenschicht, insbesondere eine thermisch leitende, dünne Zwischensicht aufweist.
- Eine besonders bevorteilte Ausführungsform der Anordnung ist ausgebildet, indem der Druckeinleitkörper, die Leiterplatte, das Gehäuse und der Schaltungsträger jeweils eine durchgehende Ausnehmung und die Kühleinrichtung eine Ausnehmung mit einem Innengewinde aufweisen, wobei die als Schraube ausgebildete Klemmeinrichtung durch die Ausnehmungen des Druckeinleitkörpers, der Leiterplatte, des Gehäuses und des Schaltungsträgers hindurchreicht und mit dem Innengewinde verschraubt ist, wodurch eine Druckeinleitung auf den Druckeinleitkörper, über den zweiten Teilkörper weiter auf die Leiterplatte, von dieser auf den mit der Leiterplatte in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden zweiten Endabschnitt des Anschlusselements und von dessen erstem Endabschnitt auf den damit in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden Schaltungsträger und weiter auf die Kühleinrichtung erfolgt.
- Grundsätzlich können auch andere fachübliche, als Schrauben oder Klemmbolzen ausgebildete, Klemmeinrichtungen, die keine durchgehende Ausnehmung des Schaltungsträgers bedingen, sondern in einer an einer Außenseite des Gehäuses angeordneten Ausnehmung angeordnet sind, Teil der Anordnung sein.
- Eine weitere besonders bevorteilte Ausführungsform der Anordnung ist ausgebildet, indem der Druckeinleitkörper, die Leiterplatte, das Gehäuse samt Schaltungsträger und die Kühleinrichtung durch mindestens zwei den Druckeinleitkörper, die Leiterplatte, das Gehäuses samt Schaltungsträger umfassende und sich in der Kühleinrichtung abstützende Klemmfedern verklemmt sind, wodurch eine Druckeinleitung auf den Druckeinleitkörper, über den zweiten Teilkörper weiter auf die Leiterplatte, von dieser auf den mit der Leiterplatte in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden zweiten Endabschnitt des Anschlusselements und von dessen erstem Endabschnitt auf den damit in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden Schaltungsträger und weiter auf die Kühleinrichtung erfolgt.
- Selbstverständlich können, sofern dies nicht per se ausgeschlossen ist, die im Singular genannten Merkmale mehrfach in dem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul vorhanden sein. Beispielhaft handelt es sich bei dem genannten Leistungshalbleiterbauelement um mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement, wobei mehrere Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet auf einer oder mehreren ersten Leiterbahnen des Schaltungsträgers ebenso hierunter verstanden werden. Ebenso sind die Anschlusselemente und die zugeordneten zweiten Teilkörper des Druckeinleitkörpers bevorzugt mehrfach vorhanden.
- Es versteht sich, dass die verschiedenen Ausgestaltungen der Erfindung einzeln oder in beliebigen sich nicht per se ausschließenden Kombinationen realisiert sein können, um Verbesserungen zu erreichen. Insbesondere sind die vorstehend und im Folgenden genannten und erläuterten Merkmale, unabhängig ob sie im Rahmen des Leistungshalbleitermoduls oder der Anordnung genannt sind, nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
- Weitere Erläuterungen der Erfindung, sowie vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale, ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der in den
1 bis8 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele der Erfindung, oder von jeweiligen Teilen hiervon. -
1 zeigt eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in erster erfindungsgemäßer Anordnung. -
2 zeigt eine zweite Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in zweiter erfindungsgemäßer Anordnung. -
3 zeigt eine Kontaktfläche eines Endabschnitts eines Anschlusselements. -
4 zeigt eine Klemmeinrichtung einer zweiten erfindungsgemäßen Anordnung. -
5 zeigt einen Druckeinleitkörper eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. -
6 zeigt einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul. -
7 zeigt eine erste erfindungsgemäße Anordnung in dreidimensionaler Ansicht. -
8 zeigt ein Leistungshalbleitermodul gemäß dem oben beschriebenen Stand der Technik. -
1 zeigt eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in erster erfindungsgemäßer Anordnung in Explosionsdarstellung. Die Anordnung weist hier folgende Komponenten auf: eine Klemmeinrichtung8 , einen Druckeinleitkörper1 des Leistungshalbleitermoduls, eine Leiterplatte7 , ein Gehäuse5 des Leistungshalbleitermoduls mit darin angeordnetem Schaltungsträger2 und eine Kühlreinrichtung9 . Die Leiterplatte7 ist hierbei zwischen dem Gehäuse5 und dem Druckeinleitkörper1 angeordnet. - Die Kühleinrichtung
9 ist ausgebildet als eine Luftkühleinrichtung mit einer Ausnehmung96 , die ein Innengewinde aufweist. Das Gehäuse5 des Leistungshalbleitermoduls ist hier becherartig ausgebildet und überdeckt den Schaltungsträger2 zur Kühleinrichtung9 hin. Das Gehäuse5 weist zwei Führungseinrichtungen50 auf, in denen hier jeweils ein zugeordnetes Anschlusselement6 angeordnet ist. - Der Schaltungsträger
2 ist ausbildet mit einem Substrat20 , das erste voneinander potentialgetrennte Leiterbahnen22 aufweist. Auf diesen Leiterbahnen22 sind Leistungshalbleiterbauelement3 angeordnet und mit ihren ersten Kontaktflächen elektrisch leitend mit der jeweils zugeordneten Leiterbahn22 verbunden. Die interne Verbindungseinrichtung4 ist hier ausgebildet als eine Mehrzahl von fachüblichen Drahtbondverbindungen40 , die zweite Kontaktflächen der Leitungshalbeiterbauelemente3 jeweils mit einer ersten Leiterbahn22 , oder nicht dargestellt mit zweiten Kontaktflächen anderer Leistungshalbleiterbauelemente, schaltungsgerecht verbinden. - Die Anschlusselemente
6 sind jeweils ausgebildet als ein Bolzen mit einem ersten und einem zweiten Endabschnitt60 ,62 und einem dazwischen ausgebildeten Zwischenabschnitt64 . Die hier dargestellten Bolzen sind in ihrer Gesamtheit als Zylinder oder Hohlzylinder mit einer Querschnittsfläche von 3mm2 ausgebildet und bestehen aus Kupfer mit einer Oberflächenbeschichtung aus Silber. Der erste, hier plan ausgebildete, Endabschnitt60 weist hierbei den Kontaktbereich600 des Anschlusselements6 zum Schaltungsträger2 auf, genauer zu einer Kontaktfläche des Schaltungsträgers, wobei diese, wie dargestellt und bevorzugt, Teil einer ersten Leiterbahn22 , oder auch Teil einer zweiten Kontaktfläche eines Leistungshalbeleiterbauelements3 sein kann. Das jeweilige in zugeordneten Führungseinrichtungen50 angeordnet Anschlusselement6 ragt durch eine Ausnehmung52 aus dem Gehäuse5 heraus, wodurch der zweite, ebenfalls plan ausgebildete, Endabschnitts62 des Anschlusselements6 , insbesondere mittels seiner Kontaktfläche620 , die externe Kontakteinrichtung des Leistungshalbleitermoduls ausbildet. Die Führungseinrichtung50 ist, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, hier einstückig mit dem Gehäuse5 ausgebildet. Ebenso reicht sie bis an die Außenseite des Gehäuses5 und die dortige Ausnehmung52 heran. - Der zweite Endabschnitt
62 , genauer seine Kontaktfläche620 ist dafür ausgebildet bzw. dazu ausgebildet mit einer zweiten Leiterbahn72 , einer Leiterbahn der Leiterplatte7 , in mechanischem und elektrischen Kontakt zu stehen. Diese zweite Leiterbahn72 ist hier dazu ausgebildet das Leistungshalbleitermodul mit Last- und Hilfs-, wie Steuer- oder Sensor-, -potenialen zu verbinden. - Weiterhin dargestellt ist der Druckeinleitkörper
1 des Leistungshalbleitermoduls. Dieser weist einen starren, aus einem ersten Isolierstoff bestehenden, ersten Teilkörper10 und hieraus in Richtung des Gehäuses5 hervorstehende zweite, aus einem zweiten Isolierstoff bestehende, Teilkörper12 auf. Der erste Teilkörper10 ist hier aus Polyphenylensulfid ausgebildet, und weist im Bedarfsfall noch eine zusätzliche eingespritzte oder in einer dafür vorgesehenen Aussparung, vgl.7 , angeordnete metallische Versteifungsstruktur auf. Die zweiten Teilkörper12 sind elastisch aus einem Silikonkautschuk, hier einem sog. vernetzten Liquid-Silicon-Rubber oder alternativ aus einem sog. vernetzter Solid-Silicon Rubber, ausgebildet. In fachüblicher Weise sind diese zweiten Teilkörper12 in Ausnehmungen120 des ersten Teilkörpers10 angeordnet und stehen aus diesen hervor. Diese zweiten Teilkörper12 sind fluchten mit den Führungseinrichtungen50 und damit auch mit den Anschlusselementen6 angeordnet. - Die Klemmeinrichtung
8 ist hier ausgebildet als eine einzelne Schraube80 , die durch zueinander fluchtende Ausnehmungen16 ,76 ,56 ,26 des Druckeinleitkörpers1 , der Leiterplatte7 , des Gehäuses5 samt Schaltungsträger2 hindurchreicht und in die ebenfalls fluchtende Ausnehmung96 der Kühleinrichtung9 eingreift. Durch die Druckeinleitung mittels dieser Klemmeinrichtung8 wird eine Druckverbindung der genannten Komponenten erreicht. Hierbei drücken die zweiten Teilkörper12 des Druckeinleitkörpers1 in der Flucht der Führungseinrichtungen50 des Gehäuses5 auf die Leiterplatte7 , genauer auf deren dem Gehäuse5 abgewandte Seite und in Richtung auf das dem jeweiligen Teilkörper12 zugeordneten Anschlusselement6 . Hierbei kann auch ein Teilkörper12 mehreren Anschlusselementen6 zugeordnet sein. Die Leiterplatte7 überträgt den Druck14 auf den zweiten Endabschnitt62 des Anschlusselements6 , wodurch eine druckkontaktierte, also kraftschlüssige, mechanische und auch elektrisch leitende Verbindung zwischen diesem zweiten Endabschnitt62 und einer zweiten Leiterbahn72 der Leiterplatte7 ausgebildet wird, wobei die zweite Leiterbahn72 auf der dem Gehäuse zugewandten Seite der Leiterplatte7 angeordnet ist. - Das jeweilige Anschlusselement
6 dient der Stromführung zwischen der zweiten Leiterbahn72 der Leiterplatte7 und dem Schaltungsträger2 . Durch die Klemmeinrichtung8 wird hierzu zwischen dem ersten Endabschnitt60 des Anschlusselements6 und der zugeordneten Kontaktfläche des Schaltungsträgers2 ebenfalls eine druckkontaktierte, also kraftschlüssige, mechanische und auch elektrisch leitende Verbindung, ausgebildet. - Weiterhin wird durch die mechanische Kraftübertragung mittels des Anschlusselements
6 der Schaltungsträger2 auf die Kühleinrichtung9 gedrückt, wodurch diese kraftschlüssig mechanisch verbunden werden. Hierdurch wird eine hervorragende thermische Kopplung des Schaltungsträgers2 und somit auch der Leistungshalbleiterbauelemente3 mit der Kühleinrichtung9 erzielt. Das Anschlusselement6 des Leistungshalbleitermoduls weist in der erfindungsgemäßen Anordnung den dreifachen Vorteil auf, zwei elektrische Kontakte und einen thermischen Kontakt auszubilden. - Falls es zusätzlich notwendig sein sollte zur weiteren Verbesserung des thermischen Kontakts zwischen dem Schaltungsträger
2 und der Kühleinrichtung9 , können in weiteren Führungseinrichtungen50 zusätzliche Druckübertragungselemente angeordnet und mittels der Klemmeinrichtung8 mit Druck beaufschlagt werden. Diese Druckübertragungselemente gleichen in ihrer Gestalt den Anschlusselementen6 sind allerdings aus elektrisch isolierendem Material ausgebildet. Unter gleicher Gestalt soll insbesondere eine grundsätzlich gleich oder sehr ähnliche geometrische Ausgestaltung verstanden werden. Es ist hierbei aufgrund der flexiblen Druckeinleitung mittels der zweiten Teilkörper12 des Druckeinleitkörpers1 nicht notwendig, dass Anschlusselemente6 und Druckeinleitelemente den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. -
2 zeigt eine zweite Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in zweiter erfindungsgemäßer Anordnung, wobei aus Gründen der Übersichtlichkeit der Druckeinleitkörper1 und die Leitplatte7 geringfügig von benachbarten Komponenten beabstandet dargestellt sind. - Der Druckeinleitkörper
1 ist bis auf die Ausnehmung zur Durchführung einer Schraube funktional und stofflich gleich demjenigen gemäß erster Ausgestaltung ausgebildet. Gleiches trifft auf die Leiterplatte7 und das Gehäuse5 zu. - Bei dieser Ausgestaltung weist der Schaltungsträger
2 als interne Verbindungseinrichtung4 einen fachüblichen Folienstapel42 aus elektrisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Folien auf, die hier in sich strukturiert sind und Durchkontaktierungen aufweisen. Die Anschlusselemente6 , und ggf. zusätzlich vorhandene Druckeinleitkörper, sind hier mit der Verbindungseinrichtung4 oder mit einer ersten Leiterbahn22 des Schaltungsträgers2 elektrisch leitend verbunden. - Der jeweilige zweite Endabschnitt
62 der Anschlusselemente6 ist hier pilzartig ausgebildet, um die Gefahr einer Beschädigung der Kontaktflächen der zweiten Leiterbahnen72 der Leiterplatte7 zu verringern. Zudem weist der zweite Endabschnitt62 eine in3 dargestellte konzentrische Ringstruktur622 auf, die einer möglichen durch thermische Belastung induzierten Bewegung in der Ebene der Leiterplatte7 entgegenwirkt. Die ersten Endabschnitte60 der Anschlusselemente6 sind hier, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, plan und ohne Struktur ausgebildet, da die Kontaktflächen des Schaltungsträgers robuster ausgebildet sind und somit die Gefahr einer Beschädigung nicht gegeben ist. Die Auswahl des ersten Endabschnitts hängt somit von der Ausgestaltung des Schaltungsträgers ab. - Die Kühleinrichtung
9 ist wiederum als Luftkühleinrichtung ausgebildet. Zwischen dem Schaltungsträger2 und der Kühleinrichtung9 ist eine dünne, pastöse und wärmeleitende Substanz90 angeordnet. -
4 zeigt eine Klemmeinrichtung8 , ausgebildet als Klemmfeder82 , einer zweiten erfindungsgemäßen Anordnung. Hierzu weist die Kühleinrichtung9 Ausnehmungen92 zur Abstützung der Klemmfeder82 auf. Die Klemmfeder82 selbst umfasst den Druckeinleitkörper1 , die Leiterplatte7 und das Gehäuse5 samt Schaltungsträger2 . Das Wirkprinzip ist bis auf die genannte unterschiedliche Druckeinleitung identisch derjenigen der ersten Anordnung. -
5 zeigt einen Druckeinleitkörper1 , stofflich und funktional ausgebildet wie oben unter1 beschrieben, eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. Dieser Druckeinleitkörper1 weist einen starren ersten Teilkörper10 mit zwei Ausnehmungen16 zur Durchführung von bevorzugt als Schrauben80 ausgebildeten Klemmeinrichtungen8 auf. Weiterhin dargestellt sind sechs Dome100 mit darin befindlichen Ausnehmungen120 , vgl. sinngemäß1 , des ersten Teilkörpers10 in den die jeweiligen zweiten Teilkörper12 angeordnet sind und aus ihnen in Richtung auf das Gehäuse herausragen. Dieser Teilkörper12 ist, wie oben beschrieben, dazu ausgebildet Druck14 auf eine Leitplatte7 , die im Sinn der7 zum Leistungshalbleitermodul anordenbar ist, auszuüben, wobei diese Leiterplatte7 zwischen dem Druckeinleitkörper1 und dem Gehäuse5 samt Anschlusselement6 und damit auch zwischen dem zweiten Teilkörper12 und dem zweiten Endabschnitt62 des Anschlusselements6 angeordnet ist. -
6 zeigt einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul ohne den Druckeinleitkörper. Das Gehäuse5 weist sechs schachtartige Führungseinrichtungen50 auf, die zur Anordnung von Anschlusselementen6 vorgesehen sind. Diese Führungseinrichtungen50 weisen hier einen quadratischen Querschnitt auf, während die Anschlusselemente6 , von denen nur eines dargestellt ist, zylinderförmig und somit mit kreisrundem Querschnitt ausgebildet sind. Durch diese Ausgestaltung ist es ausreichend, wenn eine Klemmeinrichtung52 mit einer Klemmfläche54 vorgesehen ist um das Anschlusselement6 gegen Herausfallen zu sichern. Selbstverständlich ist die hier aufgebrachte Klemmkraft nicht ausreichend die Funktionalität der Anschlusselemente6 im Rahmen der erfindungsgemäßen Anordnung zu behindern. - Grundsätzlich können bei zylinderförmigen Anschlusselementen
6 auch die Führungseinrichtungen einen runden, insbesondere kreisrunden, Querschnitt aufweisen. Dann ist es allerdings bevorzugt jeweils drei sternförmig angeordnete Klemmeinrichtungen mit Klemmflächen zum Schutz vor Herausfallen des Anschlusselements vorzusehen. - Das becherförmige Gehäuse
5 weist weiterhin einen oben zu1 bereits beschriebenen Schaltungsträger2 und zwei mit Ausnehmungen des Druckeinleitkörpers, beispielhaft dargestellt in5 , fluchtende Ausnehmungen56 zur Anordnung einer als Schrauben ausgebildeten Klemmeinrichtung auf. -
7 zeigt eine erste erfindungsgemäße Anordnung in dreidimensionaler Ansicht ohne eine Kühleinrichtung. Dargestellt ist der Druckeinleitkörper1 mit einem ersten Teilkörper10 und metallsicher Versteifungsstruktur, die hier als eine flächige Metallplatte102 ausgebildet ist, die in einer Aussparung des ersten Teilkörpers10 angeordnet ist. Durch diese Metallplatte102 und damit auch durch eine Ausnehmung16 des ersten Teilkörpers10 reichte eine Schraube80 als Klemmeinrichtung. - Diese Schraube
80 reicht weiter durch die Ausnehmungen der Leiterplatte7 und des Gehäuses5 samt nicht sichtbaren Schaltungsträger, vgl.1 .
Claims (15)
- Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper (1), mit einem Schaltungsträger (2), ausgebildet mit einer ersten Leiterbahn (22), einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement (3) und einer internen Verbindungseinrichtung (4), mit einem Gehäuse (5) ausgebildet mit einer darin angeordneten Führungseinrichtung (50) und mit einem Anschlusselement (6), wobei das Anschlusselement (6) ausgebildet ist als ein Bolzen mit einem ersten und einem zweiten Endabschnitt (60, 62) und einem dazwischen ausgebildeten Zwischenabschnitt (64), wobei der erste Endabschnitt (60) auf dem Schaltungsträger (2) aufliegt und elektrisch leitend damit verbunden ist, und wobei der zweite Endabschnitt (62) durch eine Ausnehmung aus dem Gehäuse (5) herausragt, wobei das Anschlusselement (6) in der zugeordneten Führungseinrichtung (50) angeordnet ist und wobei der Druckeinleitkörper (1) einen ersten, starren Teilkörper (10) und einen zweiten, elastischen Teilkörper (12) aufweist, wobei der zweite Teilkörper (12) in Richtung des Gehäuses (5) aus dem ersten Teilkörper (10) hervorsteht und dazu ausgebildet ist Druck (14) auf eine Leitplatte (7) auszuüben, wenn diese Leiterplatte (7) zwischen dem Druckeinleitkörper (1) und dem Gehäuse (5) samt Anschlusselement (6) und damit auch zwischen dem zweiten Teilkörper (12) und dem zweiten Endabschnitt (62) des Anschlusselements (6) angeordnet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach
Anspruch 1 , wobei der Zwischenabschnitt (64) des Anschlusselements (6) eine Querschnittsfläche zwischen 0,5mm2 und 10mm2, insbesondere zwischen 0,75mm2 und 5mm2 aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens einer der Endabschnitte (60, 62) des Anschlusselements (6) eine Kontaktfläche (600, 620) mit einer plan oder ballig ausgebildeten Oberflächenform aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach
Anspruch 3 , wobei die Kontaktfläche (600, 620) eine, vorzugsweise eine konzentrische Ringstruktur (622) aufweisende, strukturierte Oberfläche aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens einer der Endabschnitte (60, 62) des Anschlusselements (6) pilzartig ausgebildet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anschlusselement (6) aus Kupfer oder einer hauptsächlich Kupfer enthaltenden Legierung ausgebildet ist und vorzugsweise eine Oberflächenbeschichtung aus Silber oder aus einer hauptsächlich Silber enthaltenden Legierung aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Führungseinrichtung (50) dazu ausgebildet ist, das zugeordnete Anschlusselemente (6) derart zu klemmen, dass es gegen Herausfallen gesichert ist, wobei die Führungseinrichtung (50) mindestens eine, insbesondere drei Klemmeinrichtungen (52) mit Klemmflächen (54) aufweist, die das Anschlusselement (6) an seinem Zwischenabschnitt (64) klemmen.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Teilkörper (10) des Druckeinleitkörpers (1) eine Ausnehmung (120) aufweist, aus der der zweite Teilkörper (12) hervorsteht.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Teilkörper (10) des Druckeinleitkörpers (1) aus einem ersten Isolierstoff, vorzugsweise einem hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Kunststoff, insbesondere aus Polyphenylensulfid, insbesondere mit einer metallischen Versteifungsstruktur (102) und der zweite Teilkörper (12) aus einem zweiten Isolierstoff, vorzugsweise aus Silikonkautschuk, insbesondere aus Flüssig-Silikon, besteht.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Teilkörper (12) des Druckeinleitkörpers (1) fluchtend oder im Wesentlichen fluchtend mit der Führungseinrichtung (50) angeordnet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in einer weiteren Führungseinrichtung (50) ein Druckübertragungselement angeordnet ist, das grundsätzlich identisch dem Anschlusselement (6), allerdings aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff, ausgebildet ist.
- Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer Kühleinrichtung (9), mit einer Leiterplatte (7) und mit einer Klemmeinrichtung (8) zur Druckverbindung dieser Komponenten, wobei der Schaltungsträger (2) mit der Kühleinrichtung (9) druckkontiert und somit thermisch leitend verbunden ist und wobei der zweite Endabschnitt (62) des Anschlusselements (6) mit einer zweiten Leiterbahn (72) der Leiterplatte (7), mechanisch und elektrisch leitend, druckkontaktiert verbunden ist.
- Anordnung nach
Anspruch 12 , wobei der zweite Teilkörper (12) des Druckeinleitkörpers (1) fluchtend oder im Wesentlichen fluchtend mit der Führungseinrichtung (50) angeordnet ist. - Anordnung nach
Anspruch 12 oder13 , wobei der Druckeinleitkörper (1), die Leiterplatte (7), das Gehäuse (5) und der Schaltungsträger (2) jeweils eine durchgehende Ausnehmung (16, 76, 56, 26) und die Kühleinrichtung (9) eine Ausnehmung (96) mit einem Innengewinde aufweisen und wobei die als Schraube (80) ausgebildete Klemmeinrichtung (8) durch die Ausnehmungen (16, 76, 56, 26) des Druckeinleitkörpers (1), der Leiterplatte (7), des Gehäuses (5) und des Schaltungsträgers (2) hindurchreicht und mit dem Innengewinde verschraubt ist, wodurch eine Druckeinleitung auf den Druckeinleitkörper (1), über den zweiten Teilkörper (12) weiter auf die Leiterplatte (7), von dieser auf den mit der Leiterplatte (7) in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden zweiten Endabschnitt (62) des Anschlusselements (6) und von dessen erstem Endabschnitt (60) auf den damit in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden Schaltungsträger (2), und weiter auf die Kühleinrichtung (9) erfolgt. - Anordnung nach einem der
Ansprüche 12 oder13 , wobei der Druckeinleitkörper (1), die Leiterplatte (7), das Gehäuse (5) samt Schaltungsträger (2) und die Kühleinrichtung (9) durch mindestens zwei den Druckeinleitkörper (1), die Leiterplatte (7), das Gehäuse (5) samt Schaltungsträger (2) umfassende und sich in der Kühleinrichtung (9) abstützende Klemmfedern (82) verklemmt sind, wodurch eine Druckeinleitung auf den Druckeinleitkörper (1), über den zweiten Teilkörper (12) weiter auf die Leiterplatte (7), von dieser auf den mit der Leiterplatte (7) in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden zweiten Endabschnitt (62) des Anschlusselements (6) und von dessen erstem Endabschnitt (60) auf den damit in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt stehenden Schaltungsträger (2), und weiter auf die Kühleinrichtung (9) erfolgt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720024150.5U CN206471319U (zh) | 2016-02-01 | 2017-01-09 | 功率半导体模块及其布置 |
CN201710014823.3A CN107026136B (zh) | 2016-02-01 | 2017-01-09 | 具有压力施加体的功率半导体模块及其布置 |
US15/422,274 US10002812B2 (en) | 2016-02-01 | 2017-02-01 | Power semiconductor module having a pressure application body and arrangement therewith |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016101724.8 | 2016-02-01 | ||
DE102016101724 | 2016-02-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016119631A1 DE102016119631A1 (de) | 2017-08-03 |
DE102016119631B4 true DE102016119631B4 (de) | 2021-11-18 |
Family
ID=59328002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016119631.2A Active DE102016119631B4 (de) | 2016-02-01 | 2016-10-14 | Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper und Anordnung hiermit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10002812B2 (de) |
CN (2) | CN107026136B (de) |
DE (1) | DE102016119631B4 (de) |
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- 2016-10-14 DE DE102016119631.2A patent/DE102016119631B4/de active Active
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- 2017-01-09 CN CN201710014823.3A patent/CN107026136B/zh active Active
- 2017-01-09 CN CN201720024150.5U patent/CN206471319U/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20170221785A1 (en) | 2017-08-03 |
CN107026136B (zh) | 2022-02-22 |
US10002812B2 (en) | 2018-06-19 |
CN107026136A (zh) | 2017-08-08 |
CN206471319U (zh) | 2017-09-05 |
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