JP6320167B2 - ウィルキンソン型分配器及び高周波回路 - Google Patents

Description

この発明は、例えば、マイクロ波帯やミリ波帯の信号を取り扱う無線通信機器やレーダー装置などに搭載されるウィルキンソン型分配器と、そのウィルキンソン型分配器を実装している高周波回路とに関するものである。

以下の特許文献１や非特許文献１に開示されている従来のウィルキンソン型分配器では、波長オーダの伝送線路と抵抗体が集積回路に形成されている。

特開昭６０−２２９５０２号公報（図２）

Fatih Golcuk, Tumay Kanar, andGabriel M. Rebeiz, "A 90-100GHz 4 x 4 SiGe BiCMOS Polarimetric Transmit/Receive Phased Array With Simultaneous Receive-Beams Capabilities," IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 61, no.8, pp. 3099-3114, Aug. 2013.

従来のウィルキンソン型分配器は以上のように構成されているので、伝送線路が集積回路に形成されるが、その伝送線路のオーダが波長オーダであるため、集積回路のサイズが大きくなってしまう課題があった。
また、集積回路に形成される伝送線路は微細であるため、伝送線路の直列抵抗等に起因する挿入損失が増加してしまう課題があった。
さらに、抵抗体と伝送線路が同一の製造プロセスで集積回路に形成されるため、抵抗体における抵抗値のばらつきや、寄生リアクタンスが現れる場合、高周波特性が不安定になってしまう課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、サイズの小形化、挿入損失の低減化及び高周波特性の安定化を図ることができるウィルキンソン型分配器及び高周波回路を得ることを目的とする。

この発明に係るウィルキンソン型分配器は、一端が入力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、入力端子から入力される信号の４分の１波長の長さを有する第１の伝送線路と、一端が入力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、前記信号の４分の１波長の長さを有する第２の伝送線路と、第１の出力端子と第２の出力端子の間に接続される抵抗体とを備え、抵抗体が集積回路に形成され、第１及び第２の伝送線路が、集積回路の上部に形成される再配線層に形成され、抵抗体の電気的な特性を検出する際に用いられる特性検出用パッドが集積回路の表層に形成され、特性検出用パッドは、第１の伝送線路と抵抗体の間、第２の伝送線路と抵抗体の間のうち、少なくとも一方の間に接続されるようにしたものである。

この発明によれば、抵抗体が集積回路に形成され、信号の４分の１波長の長さを有する第１及び第２の伝送線路が再配線層に形成されるように構成したので、サイズの小形化、挿入損失の低減化及び高周波特性の安定化を図ることができる効果がある。

この発明の実施の形態１によるウィルキンソン型分配器を示す構成図である。 図１のウィルキンソン型分配器の集積回路１及び再配線層４を側面から見た透過図である。 図２の集積回路１における第一層３を示す上面図である。 図２の再配線層２における第二層５を示す上面図である。 この発明の実施の形態２によるウィルキンソン型分配器の集積回路１及び再配線層４を側面から見た透過図である。 図５の集積回路１における第一層３を示す上面図である。 図５の再配線層４における第二層５を示す上面図である。 図５の再配線層４における第三層８を示す上面図である。 この発明の実施の形態３による高周波回路を示す構成図である。 図９の高周波回路の集積回路１Ａ，１Ｂ及び再配線層４を側面から見た透過図である。 図１０の集積回路１Ａ，１Ｂにおける第一層３を示す上面図である。 図１０の再配線層４における第二層５を示す上面図である。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるウィルキンソン型分配器を示す構成図であり、図２は図１のウィルキンソン型分配器の集積回路１及び再配線層４を側面から見た透過図である。
また、図３は図２の集積回路１における第一層３を示す上面図であり、図４は図２の再配線層４における第二層５を示す上面図である。
図１のウィルキンソン型分配器は、積層されている集積回路１及び再配線層４に形成される。
再配線層４は集積回路１の上部に形成されており、図中、２は回路が形成される集積回路１の回路形成領域、３は集積回路１における第一層、５は再配線層４における第二層である。

図１から図４において、再配線層４の最上層に形成されている外部回路接続端子１１はインピーダンスＺ_１の入力側負荷７を介して電源６と接続されている入力端子であり、高周波信号の電力１０が入力される。
接続部材１２は外部回路接続端子１１と伝送線路１４ａ，１４ｂ間を接続しており、途中に分岐部１３を備えている。
伝送線路１４ａは再配線層４における第二層５に形成されており、一端が接続部材１２の分岐部１３と接続され、他端が信号線端子１５ａと接続されている第１の伝送線路である。伝送線路１４ａは高周波信号の４分の１波長の長さを有し、特性インピーダンスがＺ_ｃである。
伝送線路１４ｂは再配線層４における第二層５に形成されており、一端が接続部材１２の分岐部１３と接続され、他端が信号線端子１５ｂと接続されている第２の伝送線路である。伝送線路１４ｂは高周波信号の４分の１波長の長さを有し、特性インピーダンスがＺ_ｃである。
図２では、伝送線路１４ａと伝送線路１４ｂの両方を描画することができないので、伝送線路１４ａと伝送線路１４ｂを区別せずに、伝送線路１４として描画している。

接続部材１６ａは一端が伝送線路１４ａと接続され、他端が抵抗体２３の一端と接続されており、途中に特性検出用パッド１７ａを備えている。
特性検出用パッド１７ａは信号線端子１５ａと接続されている信号線端子１８ａと、接地導体端子１９ａ，２０ａとから構成され、集積回路１の第一層３に形成されている。抵抗体２３の電気的な特性を検出する際に、例えば、高周波プローブ（図示せず）の接地用の針が接地導体端子１９ａ，２０ａに当てられ、信号用の針が信号線端子１８ａに当てられる。
接続部材１６ｂは一端が伝送線路１４ｂと接続され、他端が抵抗体２３の他端と接続されており、途中に特性検出用パッド１７ｂを備えている。
特性検出用パッド１７ｂは信号線端子１５ｂと接続されている信号線端子１８ｂと、接地導体端子１９ｂ，２０ｂとから構成され、集積回路１の第一層３に形成されている。抵抗体２３の電気的な特性を検出する際に、例えば、高周波プローブ（図示せず）の接地用の針が接地導体端子１９ｂ，２０ｂに当てられ、信号用の針が信号線端子１８ｂに当てられる。
図２では、接続部材１６ａと接続部材１６ｂの両方を描画することができないので、接続部材１６ａと接続部材１６ｂを区別せずに、接続部材１６として描画している。また、特性検出用パッド１７ａと特性検出用パッド１７ｂの両方を描画することができないので、特性検出用パッド１７ａと特性検出用パッド１７ｂを区別せずに、特性検出用パッド１７として描画している。

分岐部２１ａは特性検出用パッド１７ａの信号線端子１８ａ及び信号線端子２２ａと接続され、また、接続部材２４ａと接続されている。
分岐部２１ｂは特性検出用パッド１７ｂの信号線端子１８ｂ及び信号線端子２２ｂと接続され、また、接続部材２４ｂと接続されている。
抵抗体２３は集積回路１の回路形成領域２に形成されており、一端が信号線端子２２ａと接続され、他端が信号線端子２２ｂと接続されている。

接続部材２４ａは一端が分岐部２１ａと接続され、他端が出力端子２５ａと接続されている。
接続部材２４ｂは一端が分岐部２１ｂと接続され、他端が出力端子２５ｂと接続されている。
出力端子２５ａはインピーダンスＺ_２の出力側負荷２６ａと接続されている第１の出力端子であり、高周波信号の電力３０ａを出力する。
出力端子２５ｂはインピーダンスＺ_２の出力側負荷２６ｂと接続されている第２の出力端子であり、高周波信号の電力３０ｂを出力する。

次に動作について説明する。
外部回路接続端子１１から入力された高周波信号の電力１０は、分岐部１３で伝送線路１４ａと伝送線路１４ｂに分配される。
これにより、伝送線路１４ａを通る高周波信号の電力３０ａは出力側負荷２６ａに供給され、伝送線路１４ｂを通る高周波信号の電力３０ｂは出力側負荷２６ｂに供給される。

ここで、抵抗体２３の抵抗値Ｒ、入力側負荷７のインピーダンスＺ_１及び出力側負荷２６ａ，２６ｂのインピーダンスＺ_２は、下記の関係を有している。

次に、この実施の形態１のウィルキンソン型分配器の効果について説明する。
従来のウィルキンソン型分配器では、伝送線路が集積回路に形成されているが、この実施の形態１のウィルキンソン型分配器では、伝送線路１４ａ，１４ｂが再配線層４に形成されている点で違いがある。

集積回路１の導体パターンは、再配線層４の導体パターンと比べて微細であり、特に導体厚さが薄い。具体的には、集積回路１の導体厚さが１〜３ｕｍ程度であるのに対して、再配線層４の導体厚さは３〜５ｕｍ程度である。
また、絶縁膜となる再配線層４の厚さは、集積回路１の回路形成領域２より厚くすることができる。具体的には、再配線層４の厚さは１０ｕｍ以上で形成することが可能であるが、回路形成領域２は最大１０ｕｍ程度である。

したがって、集積回路１に形成される５０Ωの伝送線路と、再配線層４に形成される５０Ωの伝送線路を比べると、再配線層４に形成される場合の方が伝送線路の幅を広くすることができる。伝送線路の線路断面の導体面積が大きければ、直列抵抗等に起因する挿入損失を小さく抑えることができる。
このため、伝送線路が集積回路に形成されている従来のウィルキンソン型分配器より、伝送線路１４ａ，１４ｂが再配線層４に形成されている実施の形態１のウィルキンソン型分配器の方が、挿入損失が小さいものとなる。

この実施の形態１のウィルキンソン型分配器では、抵抗体２３の電気的な特性を検出する際に用いられる特性検出用パッド１７ａ，１７ｂが集積回路１に形成されている。
このため、集積回路１が形成されたのち、再配線層４を形成する前の段階で、抵抗体２３の電気的な特性を確認することができる。
例えば、抵抗体２３を製造する際に、抵抗体２３の抵抗値Ｒやリアクタンス成分にばらつきが生じて設計値と異なる特性となってしまった場合や、接続部材１６ａ，１６ｂにおけるリアクタンス成分が無視できない場合には、特性検出用パッド１７ａ，１７ｂを用いて、抵抗体２３の電気的な特性を確認した上で、伝送線路１４ａ，１４ｂや再配線層４に整合回路を設けるなどの方策を施すことで、所望の特性を実現することができる。特にＧＨｚ帯以上の高周波数領域で、その効果はより高いものとなる。

また、伝送線路が再配線層に形成されているため、その下層に形成されている集積回路の領域に他の回路を形成することができるため、高周波回路全体の小形化を図ることができる効果を奏する。

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、抵抗体２３が集積回路１に形成され、高周波信号の４分の１波長の長さを有する伝送線路１４ａ，１４ｂが再配線層４に形成されるように構成したので、サイズの小形化、挿入損失の低減化及び高周波特性の安定化を図ることができる効果を奏する。

この実施の形態１のウィルキンソン型分配器については、下記の変形例を適用することができる。
即ち、この実施の形態１では、分配比が１：１である等分配のウィルキンソン型分配器の例を示しているが、不等分配のウィルキンソン型分配器であってもよい。
不等分配の場合は、入力側負荷７のインピーダンスＺ_１や出力側負荷２６ａ，２６ｂのインピーダンスＺ_２に応じて、抵抗体２３の抵抗値Ｒや伝送線路１４ａ，１４ｂの特性インピーダンスＺ_ｃを適切に選択すればよい。

この実施の形態１では、外部回路接続端子１１から入力された高周波信号の電力１０を２つに分配するウィルキンソン型分配器の例を示しているが、３つ以上の電力に分配するウィルキンソン型分配器でも同様の効果を得ることができる。３つ以上の電力に分配する場合、集積回路１には複数の抵抗体２３が形成される。
この実施の形態１では、外部回路接続端子１１から入力された高周波信号の電力１０を２つに分配して、２つの電力３０ａ，３０ｂを出力しているが、２つの電力３０ａ，３０ｂを入力して、２つの電力３０ａ，３０ｂを合成し、合成した１つの電力１０を出力する合成器であっても、同様の効果を得ることができる。

この実施の形態１では、接続部材２４ａ，２４ｂが集積回路１だけに形成されている例を示しているが、接続部材２４ａ，２４ｂが再配線層４を介して接続されるようにしてもよい。この場合、特性検出用パッド１７ａ，１７ｂを用いて、出力側負荷２６ａ，２６ｂを除外した抵抗体２３の特性のみを確認することができるため、抵抗体２３の特性確認の精度が向上する。

この実施の形態１のウィルキンソン型分配器には実装していないが、抵抗体２３及び接続部材１６ａ，１６ｂの不整合分を整合させる回路を、接続部材１６ａ，１６ｂ又は接続部材２４ａ，２４ｂに設けるようにしてもよい。不整合分を整合させる回路を設けた場合、さらに分配特性を安定化させることができる。
また、抵抗体２３及び接続部材１６ａ，１６ｂのリアクタンス成分（不整合分）と同じリアクタンス成分を有する整合回路を分岐部１３に設けるようにしてもよい。このような整合回路を設けた場合、伝送線路１４ａ，１４ｂの長さが４分の１波長であるため適切に整合され、さらに分配特性を安定化させることができるとともに、再配線層４におけるレイアウトの自由度を高くすることができる。

この実施の形態１では、１つの抵抗体２３が集積回路１に形成されているが、信号線端子２２ａと信号線端子２２ｂの間に接続され得る抵抗体として、抵抗値が異なる複数の抵抗体が集積回路１に形成されるようにしてもよい。
例えば、抵抗体２３を製造する際に、抵抗体２３の抵抗値Ｒが数十％の範囲でばらつくことが考えられる場合、設計値から数十％の範囲にある複数の抵抗体が集積回路１に形成されるようにする。
複数の抵抗体が集積回路１に形成された後、各抵抗体の電気的な特性を確認し、複数の抵抗体の中で、設計値と最も近い抵抗体を選択して、信号線端子２２ａと信号線端子２２ｂの間に接続するようにすれば、抵抗体２３の製造時のばらつきの影響を回避することができる。

この実施の形態１では、接続部材１２が外部回路接続端子１１に接続されているものを示しているが、接続部材１２と外部回路接続端子１１が集積回路１を介して接続されていてもよい。

実施の形態２．
図５はこの発明の実施の形態２によるウィルキンソン型分配器の集積回路１及び再配線層４を側面から見た透過図である。
また、図６は図５の集積回路１における第一層３を示す上面図であり、図７は図５の再配線層４における第二層５を示す上面図である。
図８は図５の再配線層４における第三層８を示す上面図である。
図５から図８において、図１から図４と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。

接地導体４１は集積回路１の回路形成領域２と、伝送線路１４ａ，１４ｂ、接続部材１２及び外部回路接続端子１１との間を電磁的に遮蔽するように、再配線層４における第三層８に形成されている。
この実施の形態２では、接地導体４１が再配線層４における第三層８に形成されている例を説明するが、集積回路１の回路形成領域２と、伝送線路１４ａ，１４ｂ等との間を電磁的に遮蔽することができればよく、例えば、接地導体４１が集積回路１に形成されていてもよい。

接地導体４１において、伝送線路１４ａ，１４ｂと抵抗体２３の接続部位には抜きパターン４２が施されている。
即ち、接地導体４１において、抵抗体２３の上部の領域４３（上下方向で重なる領域）を含む領域には抜きパターン４２が施されている。
信号線端子４４ａは抜きパターン４２の一部に形成されており、再配線層４の第二層５に形成されている信号線端子１５ａと接続され、また、集積回路１の第一層３に形成されている信号線端子１８ａと接続されている。
信号線端子４４ｂは抜きパターン４２の一部に形成されており、再配線層４の第二層５に形成されている信号線端子１５ｂと接続され、また、集積回路１の第一層３に形成されている信号線端子１８ｂと接続されている。
なお、集積回路１と再配線層４の領域４５は、再配線層４の回路である。

この実施の形態２のウィルキンソン型分配器の効果について説明する。
この実施の形態２のウィルキンソン型分配器についても、上記実施の形態１のウィルキンソン型分配器と同様の効果が得られるが、集積回路１の回路形成領域２と、伝送線路１４ａ，１４ｂ、接続部材１２及び外部回路接続端子１１との間を電磁的に遮蔽する接地導体４１が、再配線層４における第三層８に形成されているので、接地導体４１の下層の領域には、他の回路を自由に形成することが可能になり、回路レイアウトの柔軟性と集積回路１の小形化を図ることができる。
また、この実施の形態２では、抵抗体２３の近傍の接地導体４１に抜きパターン４２を施しているので、抵抗体２３及び接続部材１６ａ，１６ｂと接地導体４１における並列容量に起因するリアクタンス成分を小さな値に抑えることができる。

この実施の形態２のウィルキンソン型分配器についても、上記実施の形態１のウィルキンソン型分配器に対する変形例と同様の変形例を適用することができる。

実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３による高周波回路を示す構成図であり、図１０は図９の高周波回路の集積回路１Ａ，１Ｂ及び再配線層４を側面から見た透過図である。
また、図１１は図１０の集積回路１Ａ，１Ｂにおける第一層３を示す上面図であり、図１２は図１０の再配線層４における第二層５を示す上面図である。
図９から図１２において、図１から図８と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。

図９の高周波回路は、２つの高周波回路領域５０，６０から構成されており、高周波回路領域５０における集積回路１Ａと、高周波回路領域６０における集積回路１Ｂとは、上部が揃うように配置されている。即ち、集積回路１Ａと集積回路１Ｂの上部が揃うように、集積回路１Ａと集積回路１Ｂの周りにモールド樹脂７０が充填されている。
また、高周波回路領域５０，６０における集積回路１Ａ，１Ｂの上部には再配線層４が形成されており、上記実施の形態１，２のウィルキンソン型分配器が高周波回路領域５０に形成されている。
ウィルキンソン型分配器により分配された電力３０ａは、高周波回路領域５０内の出力端子２５ａから出力され、ウィルキンソン型分配器により分配された電力３０ｂは、高周波回路領域６０内の出力端子２５ｂから出力される。

抵抗部５１は抵抗体２３や特性検出用パッド１７ａ，１７ｂなどから構成され、集積回路１Ａに形成されている。
信号線端子５２ａは接続部材２４ａ，５３ａと接続され、信号線端子５２ｂは接続部材２４ｂ，５３ｂと接続されている。
接続部材５３ａは一端が信号線端子７１ａを介して信号線端子５２ａと接続され、他端が信号線端子７２ａを介して信号線端子５５と接続されている。
接続部材５３ｂは２つの高周波回路領域５０，６０に亘るように再配線層４に形成されており、一端が信号線端子７１ｂを介して信号線端子５２ｂと接続され、他端が信号線端子７２ｂを介して集積回路１Ｂ内の信号線端子６４と接続されている。

出力負荷部５４は出力端子２５ａや出力側負荷２６ａなどから構成され、集積回路１Ａに形成されている。
信号線端子５５は接続部材５３ａ，５６と接続されている。
接続部材５６は一端が信号線端子５５と接続され、他端が出力端子２５ａと接続されている。

抵抗部６１は抵抗体２３や特性検出用パッド１７ａ，１７ｂなどから構成され、集積回路１Ｂに形成されている。ただし、抵抗部６１は他の回路と接続されていない。
信号線端子６２ａは接続部材２４ａと接続され、信号線端子６２ｂは接続部材２４ｂと接続されている。

出力負荷部６３は出力端子２５ｂや出力側負荷２６ｂなどから構成され、集積回路１Ｂに形成されている。
信号線端子６４は接続部材５３ａ，６５と接続されている。
接続部材６５は一端が信号線端子６４と接続され、他端が出力端子２５ｂと接続されている。

次に動作について説明する。
外部回路接続端子１１から入力された高周波信号の電力１０は、分岐部１３で伝送線路１４ａと伝送線路１４ｂに分配される。
これにより、伝送線路１４ａを通る高周波信号の電力３０ａは、集積回路１Ａ内の出力負荷部５４に供給され、伝送線路１４ｂを通る高周波信号の電力３０ｂは、集積回路１Ｂ内の出力負荷部６３に供給される。
集積回路１Ａにおける抵抗部５１と集積回路１Ｂにおける抵抗部６１は同じ構造であり、また、集積回路１Ａにおける出力負荷部５４と集積回路１Ｂにおける出力負荷部６３は同じ構造であるが、再配線層４からの接続のされ方が異なっている。

次に、この実施の形態３の高周波回路の効果について説明する。
この実施の形態３の高周波回路は、上記実施の形態１，２のウィルキンソン型分配器を実装しているため、上記実施の形態１，２のウィルキンソン型分配器と同様の効果が得られる。
また、この実施の形態３の高周波回路では、ウィルキンソン型分配器により分配された電力３０ａ，３０ｂを集積回路１Ａ内の出力負荷部５４と集積回路１Ｂ内の出力負荷部６３に供給しているが、集積回路毎に基板に実装している従来構造や、集積回路毎にパッケージングした後に基板に実装している従来構造と比べて小形である。

従来構造では、集積回路毎に外部回路接続端子が設けられて、外部回路と接続されているため、外部回路との接続部での高周波の反射特性の劣化や、引回し線路の電力損失が大きくなるが、この実施の形態３の高周波回路では、外部回路接続端子１１と集積回路１Ａの間の領域で電力１０の分配を行うため、高周波の反射特性に優れ、引回し線路の電力損失も小さくなる。

この実施の形態３では、集積回路１Ｂ内の抵抗部６１が他の回路と接続されていないものを示しているが、抵抗部６１は集積回路１Ａ内の抵抗部５１と同じ構造であるため、抵抗部６１を特性検出用の抵抗として利用するようにしてもよい。抵抗部６１を特性検出用の抵抗として利用する場合、抵抗部５１の特性検出用パッド１７ａ，１７ｂには、電気的な特性を検出する際の痕跡（プローブ痕など）がつくことがないため、高周波特性の劣化や再配線層形成時の故障を防止することができる。

この実施の形態３では、２つの高周波回路領域５０，６０から構成されている高周波回路が示したが、高周波回路が３つ以上の高周波回路領域から構成されていてもよく、同様の効果を得ることができる。
また、この実施の形態３では、集積回路１Ａと集積回路１Ｂがモールド樹脂７０によって固定されているものを示したが、集積回路１Ａと集積回路１Ｂが同一の半導体ウェハで作られていてもよい。その場合は、通常のプロセスで製造される半導体ウェハに対し、個別の集積回路にダイシングするのではなく、複数の集積回路が残るようダイシングすればなお良い。
また、この実施の形態３では、高周波回路が集積回路１Ａと集積回路１Ｂを備えているものを示したが、集積回路１Ａと集積回路１Ｂは同一回路であってもよいし、異なる回路であってもよい。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１，１Ａ，１Ｂ 集積回路、２ 回路形成領域、３ 第一層、４ 再配線層、５ 第二層、６ 電源、７ 入力側負荷、８ 第三層、１０ 電力、１１ 外部回路接続端子、１２ 接続部材、１３ 分岐部、１４ａ 伝送線路（第１の伝送線路）、１４ｂ 伝送線路（第２の伝送線路）、１５ａ，１５ｂ 信号線端子、１６ａ，１６ｂ 接続部材、１７ａ，１７ｂ 特性検出用パッド、１８ａ，１８ｂ 信号線端子、１９ａ，１９ｂ，２０ａ，２０ｂ 接地導体端子、２１ａ，２１ｂ 分岐部、２２ａ，２２ｂ 信号線端子、２３ 抵抗体、２４ａ，２４ｂ 接続部材、２５ａ 出力端子（第１の出力端子）、２５ｂ 出力端子（第２の出力端子）、２６ａ，２６ｂ 出力側負荷、３０ａ，３０ｂ 電力、４１ 接地導体、４２ 抜きパターン、４３ 抵抗体の上部の領域、４４ａ，４４ｂ 信号線端子、４５ 集積回路と再配線層の領域、５０，６０ 高周波回路領域、５１ 抵抗部、５２ａ，５２ｂ 信号線端子、５３ａ，５３ｂ 接続部材、５４ 出力負荷部、５５ 信号線端子、５６ 接続部材、６１ 抵抗部、６２ａ，６２ｂ 信号線端子、６３ 出力負荷部、６４ 信号線端子、６５ 接続部材、７０ モールド樹脂、７１ａ，７１ｂ 信号線端子、７２ａ，７２ｂ 信号線端子。

Claims (9)

1. 一端が入力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、前記入力端子から入力される信号の４分の１波長の長さを有する第１の伝送線路と、
   一端が前記入力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、前記信号の４分の１波長の長さを有する第２の伝送線路と、
   前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続される抵抗体とを備え、
   前記抵抗体は集積回路に形成され、
   前記第１及び第２の伝送線路は、前記集積回路の上部に形成される再配線層に形成され、
   前記抵抗体の電気的な特性を検出する際に用いられる特性検出用パッドが前記集積回路の表層に形成され、
   前記特性検出用パッドは、前記第１の伝送線路と前記抵抗体の間、前記第２の伝送線路と前記抵抗体の間のうち、少なくとも一方の間に接続されることを特徴とするウィルキンソン型分配器。
2. 一端が入力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、前記入力端子から入力される信号の４分の１波長の長さを有する第１の伝送線路と、
   一端が前記入力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、前記信号の４分の１波長の長さを有する第２の伝送線路と、
   前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続される抵抗体とを備え、
   前記抵抗体は集積回路に形成され、
   前記第１及び第２の伝送線路は、前記集積回路の上部に形成される再配線層に形成され、
   前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続され得る抵抗体として、抵抗値が異なる複数の抵抗体が前記集積回路に形成され、
   前記複数の抵抗体のうち、いずれか１つの抵抗体が前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続されることを特徴とするウィルキンソン型分配器。
3. 前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続され得る抵抗体として、抵抗値が異なる複数の抵抗体が前記集積回路に形成され、
   前記複数の抵抗体のうち、いずれか１つの抵抗体が前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続されることを特徴とする請求項１記載のウィルキンソン型分配器。
4. 回路が形成される前記集積回路の回路形成領域と、前記第１及び第２の伝送線路との間を電磁的に遮蔽する接地導体が前記再配線層又は前記集積回路に形成され、
   前記接地導体において、前記第１及び第２の伝送線路と前記抵抗体の接続部位には抜きパターンが施されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のウィルキンソン型分配器。
5. 前記抜きパターンは、前記抵抗体と上下方向で重なる領域を含む領域に施されていることを特徴とする請求項４記載のウィルキンソン型分配器。
6. 一端が入力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、前記入力端子から入力される信号の４分の１波長の長さを有する第１の伝送線路と、
   一端が前記入力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、前記信号の４分の１波長の長さを有する第２の伝送線路と、
   前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続される抵抗体とを備え、
   前記抵抗体は集積回路に形成され、
   前記第１及び第２の伝送線路は、前記集積回路の上部に形成される再配線層に形成され、
   回路が形成される前記集積回路の回路形成領域と、前記第１及び第２の伝送線路との間を電磁的に遮蔽する接地導体が前記再配線層又は前記集積回路に形成され、
   前記接地導体において、前記第１及び第２の伝送線路と前記抵抗体の接続部位には抜きパターンが施され、
   前記抜きパターンは、前記抵抗体と上下方向で重なる領域を含む領域に施されていることを特徴とするウィルキンソン型分配器。
7. 上部が揃うように配置される複数の集積回路と、
   前記複数の集積回路の上部に形成される再配線層とを備え、
   請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載のウィルキンソン型分配器が、前記複数の集積回路における１つの集積回路と前記再配線層に形成され、
   前記ウィルキンソン型分配器における前記第２の伝送線路と、前記ウィルキンソン型分配器が形成される集積回路と異なる集積回路に形成される第２の出力端子とが、前記再配線層を介して接続されることを特徴とする高周波回路。
8. 上部が揃うように配置される複数の集積回路と、
   前記複数の集積回路の上部に形成される再配線層とを備え、
   一端が入力端子と接続され、他端が第１の出力端子と接続されており、前記入力端子から入力される信号の４分の１波長の長さを有する第１の伝送線路と、一端が前記入力端子と接続され、他端が第２の出力端子と接続されており、前記信号の４分の１波長の長さを有する第２の伝送線路と、前記第１の出力端子と前記第２の出力端子の間に接続される抵抗体とを備え、前記抵抗体は集積回路に形成され、前記第１及び第２の伝送線路は、前記集積回路の上部に形成される再配線層に形成されることを特徴とするウィルキンソン型分配器が、前記複数の集積回路における１つの集積回路と前記再配線層に形成され、
   前記ウィルキンソン型分配器における前記第２の伝送線路と、前記ウィルキンソン型分配器が形成される集積回路と異なる集積回路に形成される第２の出力端子とが、前記再配線層を介して接続されることを特徴とする高周波回路。
9. 前記複数の集積回路が同一回路であることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の高周波回路。

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