JP6319371B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
また、本発明の第2の側面に係る半導体発光素子によれば、さらに前記第二電極構造体の上面に設けられるパッド電極を備えることができる。
さらに、本発明の第3の側面に係る半導体発光素子によれば、半導体層と、前記半導体層の上面に設けられ、Ag含有層を有する第一電極構造体と、前記第一電極構造体の上面及び側面に配置される第二電極構造体と、を備える半導体発光素子であって、前記第一電極構造体の最上層が、Ru層であり、前記第二電極構造体は、Alを主成分とする金属から構成されており、前記第二電極構造体の最上層はAl拡散防止層であり、前記第二電極構造体の上面に、パッド電極を設けることができる。
上記構成により、Al含有層のAlが、Ag含有層に拡散するのをRu層で防止することができると共に、光取り出し効率を向上させることができる。
(実施形態1)
(基板1)
(n型半導体層2、活性領域3、p型半導体層4)
(n側電極7n、p側電極7p)
(第一電極構造体20)
(第二電極構造体30)
(n側パッド電極6n、p側パッド電極6p)
(半導体発光素子のパッド電極の製造方法)
(半導体層の形成:S10)
(n側コンタクト領域の形成:S20)
(第一電極構造体の形成:S30)
(第二電極構造体の形成:S40)
(パッド電極の形成:S50)
(保護膜9の形成:S60)
(実施例1〜2、比較例1〜4)
(実施例3、比較例5)
1…基板
2…n型半導体層
3…活性領域
4…p型半導体層
6p…p側パッド電極;6n…n側パッド電極
7n…n側電極;7p…p側電極
9…保護膜
10…半導体層
20…第一電極構造体
22…最上層
24…Ag含有層
26…Ag拡散防止層
30…第二電極構造体
32…最下層
34…Al拡散防止層
Claims (6)
- 半導体層と、
前記半導体層の上面に設けられ、Ag含有層を有する第一電極構造体と、
前記第一電極構造体の上面及び側面に配置される第二電極構造体と、
を備える半導体発光素子であって、
前記第一電極構造体の最上層が、Ru層であり、
前記第二電極構造体は、Alを主成分とする金属から構成されており、
前記第二電極構造体は、前記第一電極構造体の上面を覆う膜厚よりも、側面を覆う膜厚の方が厚くなるように設けられてなる半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、さらに
前記第二電極構造体の上面に設けられるパッド電極を備える半導体発光素子。 - 請求項1又は2に記載の半導体発光素子であって、さらに
前記第一電極構造体が、前記Ag含有層と前記Ru層の間に、Agの拡散を防止するAg拡散防止層を有してなることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項3に記載の半導体発光素子であって、
前記Ag拡散防止層が、前記Ag含有層に面したNi層と、該Ni層の上に積層されたTi層を有してなることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1〜4のいずれか一に記載の半導体発光素子であって、
前記第二電極構造体が、Al及びCuを含む単一層で構成されてなることを特徴とする半導体発光素子。 - 半導体層と、
前記半導体層の上面に設けられ、Ag含有層を有する第一電極構造体と、
前記第一電極構造体の上面及び側面に配置される第二電極構造体と、
を備える半導体発光素子であって、
前記第一電極構造体の最上層が、Ru層であり、
前記第一電極構造体が、前記Ag含有層と前記Ru層の間に、Agの拡散を防止するAg拡散防止層を有し、
前記Ag拡散防止層が、前記Ag含有層に面したNi層と、該Ni層の上に積層されたTi層を有し、
前記第二電極構造体は、Alを主成分とする金属から構成されており、
前記第二電極構造体の最上層はAl拡散防止層であり、
前記第二電極構造体の上面に、パッド電極が設けられている半導体発光素子。
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