JP6315331B2 - 実装基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、実装基板30は、フレキシブル基板を構成するための積層体20と、積層体20上に実装された複数の電子部品31と、を備えている。表面実装が可能なタイプである限りにおいて、電子部品31の用途や機能が特に限られることはない。例えば電子部品31は、表面実装型パッケージに収納された発光ダイオード素子を有する発光部品であってもよく、若しくは有機エレクトロルミネセンス層を含むものであってもよい。なお「表面実装」とは、パッケージに設けられる端子が、実装基板30に対して、実装基板30のうちパッケージが実装される側と同一の側で半田付けされることを意味している。
樹脂基板21は、絶縁性を有する樹脂材料によって構成された、可撓性を有する基板である。樹脂基板21を構成する材料や、樹脂基板21の厚みは、樹脂基板21に含まれる樹脂材料や、積層体20に求められる可撓性や強度などの特性に応じて適宜定められる。例えば、樹脂基板21は、ポリエチレンテレフタラートやポリエチレンナフタラートなどのポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、または、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。また樹脂基板21の厚みは、例えば10μm〜200μmの範囲内に設定される。
金属基板22は、リフロー工程の際に樹脂基板21に加えられる熱や張力に起因して樹脂基板21が変形したり溶融したりしてしまうことを抑制するために設けられる、金属材料を含む基板である。金属基板22に含まれる金属材料としては、リフロー工程で想定される最高温度、例えば260℃における軟化の程度が、樹脂基板21の樹脂材料に比べて小さなものが用いられる。また、金属基板22の厚みは、リフロー工程で想定される最高温度において樹脂基板21の形状を保持することができるとともに、室温において可撓性を有するよう、定められる。例えば、金属基板22がアルミニウムを含む場合、金属基板22の厚みは10μm〜200μmの範囲内に設定される。また、金属基板22が銅を含む場合、樹脂基板21の厚みは10μm〜200μmの範囲内に設定される。
実装用電極部23、配線24および取り出し用電極部25を構成する材料としては、導電性を有する材料が用いられ、例えば銅や銀などの金属材料が用いられる。実装用電極部23、配線24および取り出し用電極部25を構成する材料は、いずれも同一であってもよく、異なっていてもよい。また、実装用電極部23、配線24および取り出し用電極部25を構成する材料は、金属基板22を構成する金属材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。所望の方向において実装基板30が可撓性を有する限りにおいて、実装用電極部23、配線24および取り出し用電極部25の厚みや幅などの寸法が特に限られることはない。
図2において、符号32は、電子部品31を実装用電極部23に結合して電子部品31を実装用電極部23に電気的に接続するために電子部品31と実装用電極部23との間に介在される中間層を表している。中間層32を構成する材料としては、例えば後述するリフロー工程において実装用電極部23上に塗布されるクリーム半田を挙げることができる。クリーム半田とは、フラックスなどのバインダー材と、バインダー材の中に分散され、リフロー工程の際に溶融する金属粉末と、を含むものである。クリーム半田に含まれる金属粉末の組成は、リフロー工程の温度や、温度に対する積層体20の耐性などに応じて適宜定められる。例えばクリーム半田の金属粉末として、SnAgCuおよびSnBiを含む、融点が100℃〜300℃の範囲内のものを用いることができる。なお図2においては、電子部品31と実装用電極部23との間に中間層32が明確に介在される例を示したが、これに限られることはない。電子部品31を実装用電極部23に結合して電子部品31を実装用電極部23に電気的にすることができる限りにおいて、中間層32の形状や配置が特に限られることはない。
図2に示すように、積層体20は、樹脂基板21や樹脂基板21上の配線24や取り出し用電極部25を覆う被覆層26をさらに備えていてもよい。被覆層26の具体的な構成が特に限られることはなく、実装基板30の用途などに応じて適宜定められる。例えば、電子部品31が発光部品であり、実装基板30が照明装置に組み込まれる場合、被覆層26は、光を反射する反射層として構成されていてもよい。これによって、照明装置における光の利用効率を向上させることができる。被覆層26が反射層として構成される場合、被覆層26は、例えば酸化チタンなどを用いることによって白色に構成される。
図3において、符号11は、ロール状に巻かれた長尺状の積層体20を保持するとともに積層体20を巻き出す巻出部11を表しており、符号12は、巻出部11から巻き出された積層体20を巻き取る巻取部12を表している。実装装置10は、巻出部11から巻き出されて巻取部12によって巻き取られるまでの間の積層体20上に様々な処理を施して積層体20上に電子部品31を実装するように構成されている。具体的には、実装装置10は、巻出部11から巻き出された積層体20の実装用電極部23上に、中間層32を構成するためのクリーム半田を塗布する塗布部13と、中間層32が設けられた実装用電極部23上に電子部品31を載置する載置部14と、中間層32を介して電子部品31を実装用電極部23に結合させるための処理部15と、を備えている。処理部15は、積層体20を加熱することによって電子部品31を実装用電極部23に結合させるためのものである。なお、処理部15周辺の温度雰囲気を安定化させるため、図3に示すように、処理部15および処理部15の周囲の積層体20を取り囲むチャンバ18が設けられていてもよい。なお、処理部15が、後述する第1処理工程のための第1処理部16や、後述する第2処理工程のための第2処理部17などの複数の処理部を含む場合、チャンバ18は、処理部ごとにそれぞれ設けられていてもよい。
次に図4A乃至図5を参照して、実装装置10を用いて積層体20上に電子部品31を実装して実装基板30を製造する方法、いわゆるリフロー工程について説明する。図4A乃至図4Cは、リフロー工程中の各工程において、長尺状の積層体20をその長手方向に沿って切断した場合を示す縦断面図である。
13 塗布部
14 載置部
15 処理部
16 第1処理部
17 第2処理部
18 チャンバ
20 積層体
21 樹脂基板
22 金属基板
23 実装用電極部
24 配線
26 被覆層
30 実装基板
31 電子部品
32 中間層
Claims (6)
- 電子部品が実装された実装基板の製造方法であって、
可撓性を有する樹脂基板および可撓性を有する金属基板と、前記樹脂基板の面のうち前記金属基板が位置する側とは反対側の面に設けられた実装用電極部と、を備えた積層体を準備する工程と、
前記積層体の前記実装用電極部上に電子部品を載置する工程と、
前記積層体に張力を加えた状態で前記積層体を処理温度の雰囲気にさらし、前記電子部品を前記実装用電極部に結合させる第1処理工程と、を備え、
前記処理温度は、前記積層体の前記樹脂基板を構成する樹脂材料のガラス転移温度Tg[℃]よりも高い、実装基板の製造方法。 - 前記樹脂基板は、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、または、ポリイミド樹脂を含み、
前記樹脂基板の厚みは、10μm〜200μmの範囲内である、請求項1に記載の実装基板の製造方法。 - 前記金属基板は、銅またはアルミニウムを含み、
前記金属基板の厚みは、10μm〜200μmの範囲内である、請求項1または2に記載の実装基板の製造方法。 - 前記電子部品は、発光ダイオード素子を有する発光部品を含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の実装基板の製造方法。
- 前記第1処理工程の後、前記積層体がさらされる雰囲気の温度を低下させる第2処理工程をさらに備え、
前記第2処理工程は、前記積層体がさらされる雰囲気の温度をTg〜(Tg+20℃)の範囲内に維持するよう、前記積層体または前記積層体の周辺の雰囲気を加熱する工程を含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の実装基板の製造方法。 - 前記第2処理工程において、前記積層体がさらされる雰囲気の温度がTg〜(Tg+20℃)の範囲内にあるときの、積層体の降温速度が、前記積層体がさらされる雰囲気の温度が(Tg−20℃)〜Tgの範囲内にあるときの積層体の降温速度よりも小さい、請求項5に記載の実装基板の製造方法。
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