JP6312431B2 - 炭化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents

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本発明は、炭化珪素質焼結体およびその製造方法に関する。
炭化珪素質焼結体は、その高熱伝導性および高ヤング率という特性に鑑みて、半導体製造装置、液晶製造装置用部材またはチャック部材などに用いられている。一方、炭化珪素粉末の成形時または当該成形体の焼成時の収縮むらに由来する残留応力、または、局所的な気孔が焼結体に残存してしまい、焼結体の加工時の応力解放によるまたはポアを基点としたチッピングまたはカケ、ひいては破損をきたす可能性がある。この可能性は、半導体ウエハの大型化、ひいては半導体製造装置などの構成部材としての炭化珪素質焼結体の大型化に伴ってより高くなっている。
そこで、原料粉末の粒径分布の調整、助剤添加量などの配合調整または焼成方法の改良により、成形体の焼結容易化、ひいては焼結体における空隙の発生および密度のばらつき抑制、さらに残留応力の軽減が図られている(特許文献1〜2参照)。
特開2001−247367号公報 特開2006−240957号公報
しかし、原料粉末である炭化珪素粉末は、原料の大きな塊(インゴット)の粉砕により得られるため、比較的多量の粗粒を含んでいる。このため、当該原料粉末を含むスラリーが調整され、鋳込み成形などで得られた成形体の密度分布に局所的なむらが生じてしまう。
そこで、本発明は、成形体の焼成収縮に由来するクラックなどの発生頻度抑制が図られている炭化珪素質焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の[1]〜[2]の炭化珪素質焼結体の製造方法を提供する。
[1]D50が0.7〜1.2[μm]の範囲に含まれ、D90−D50が0.7〜1.1[μm]の範囲に含まれ、かつ、D90−D10が1.2〜1.6[μm]の範囲に含まれている、初期粒度分布を示す炭化珪素粉末に対して分散剤および溶媒を添加することによりスラリーを調整する工程と、前記スラリーに対するエルトリエーションによって原料粉末の一部を沈降させることにより、前記スラリーの上澄みを回収する工程と、前記上澄みに含まれている原料粉末を成形することにより成形体を作製する工程と、 前記成形体を焼成することにより焼結体を作製する工程と、を含み、前記エルトリエーションによって、前記スラリーに含まれる粒径が前記初期粒径分布において累積x%となる基準粒径より大径の原料粉末のうち、y%以上の原料粉末が除去され、2次元プロット(x、y)が、x−y平面において4つの線分L11:x=70(5≦y≦70)、L12:y=2x−135(70≦x≦95)、L13:x=95(55≦y≦95)およびL14:y=x(70≦x≦95)により画定されている第1指定領域に含まれている炭化珪素質燒結体の製造方法。
[2]前記2次元プロット(x、y)が、x−y平面において4つの線分L21:x=70(25≦y≦70)、L22:y=2x−115(70≦x≦85)、L23:y=4x−285(85≦x≦95)およびL24:y=x(70≦x≦95)により画定されている第2指定領域に含まれている[1]記載の方法。
本発明の方法によれば、粗粒の存在に由来して幅広の粒径分布(図1破線参照)を有する原料粉末から調整されたスラリーに対してエルトリエーションが施される。これにより、粗粒の一部が除去され、幅狭になった粒径分布(図1実線参照)を有する原料粉末が得られる。当該原料粉末が用いられることにより成形体の充填率の向上が図られ、これが焼成されることにより、焼成収縮の均質化、ひいては焼結体の相対密度の向上が図られる。その結果、焼結体のヤング率の向上およびヤング率のばらつき(標準偏差)の低下が図られる。
原料粉末としての炭化珪素粉末の粒径分布調整に関する説明図。 市販の炭化珪素粉末の粒径分布に関する説明図。 第1指定範囲および第2指定範囲の説明図。
本発明の一実施形態としての炭化珪素質焼結体の製造方法は、(1)スラリー調整工程と、(2)エルトリエーション工程と、(3)成形工程と、(4)焼成工程と、を含んでいる。
(1)スラリー調整行程
炭化珪素粉末に対して、pH調整剤および水が添加された上で、樹脂ボールが媒体として用いられてミリングされることによりスラリーが調整された。pH調整剤は、スラリーのpHを9〜12の範囲に調整できる材料であれば限定されない。
炭化珪素粉末の当初の粒径分布には、(b)D50が0.7〜1.2[μm]の範囲に含まれ、(c)D90−D50が0.7〜1.1[μm]の範囲に含まれ、かつ、(d)D90−D10が1.2〜1.6[μm]の範囲に含まれているという特徴がある。
図2には市販の炭化珪素粉末その1の粒径分布が一点鎖線で示され、市販の炭化珪素粉末その2の粒径分布が二点鎖線で示され、かつ、比較のために市販のアルミナ粉末の粒径分布が破線で示されている。市販の炭化珪素粉末の粒径分布曲線は比較的ピークが低くて幅広である一方、市販のアルミナ粉末の粒径分布曲線は比較的ピークが高くて幅狭である。市販の炭化珪素粉末その1のD50が0.87[μm]であり、D90−D10が1.45[μm]であり、かつ、D90−D50が0.96[μm]である。市販の炭化珪素粉末その2のD50が1.01[μm]であり、D90−D10が1.37[μm]であり、かつ、D90−D50が0.83[μm]である。
(2)エルトリエーション工程
スラリーが容器に入れられて所定期間にわたり静置され、比較的大径の粉末(粗粒)が選択的に容器底面に堆積する。堆積した大径粉末群の上澄みに滞留しているスラリーが送液ポンプなどで回収されるエルトリエーションが実施される。pH調整剤の添加により、粉末の凝集および2次粉末化が抑制され、1次粉末の状態における効率のよい分級が促されるとともに、粉末の急な沈降が抑制されて回収が容易になる。
たとえば図1に破線で示されている比較的幅広の粒径分布を有する原料粉末から調整されたスラリーに対して1回または複数回にわたってエルトリエーションが施される。これにより、図1に実線で示されている比較的幅狭の粒径分布を有する原料粉末が含まれるスラリーが回収される。
回収された原料粉末の粒径分布(図1実線参照)は、原料粉末の初期粒径分布(図1破線参照)の基準粒径Dxよりも大径の分布範囲S(図1太線参照)のうち、y%(図1斜線部分参照)が除去されたことを示している。基準粒径Dxは、粒径分布の累積がx%になる粒径を意味し、たとえばx=50の場合はメディアン径D50に相当する。
2次元プロット(x、y)が、x−y平面において図3に一点鎖線で示されている4つの線分L11:x=70(5≦y≦70)、L12:y=2x−135(70≦x≦95)、L13:x=95(55≦y≦95)およびL14:y=x(70≦x≦95)により画定されている第1指定領域に含まれるようにエルトリエーションが実施される。
2次元プロット(x、y)が、x−y平面において図3に二点鎖線で示されている4つの線分L21:x=70(25≦y≦70)、L22:y=2x−115(70≦x≦85)、L23:y=4x−285(85≦x≦95)およびL24:y=x(70≦x≦95)により画定されている第2指定領域に含まれるようにエルトリエーションが実施されることがより好ましい。
(3)成形工程
回収されたスラリーに対して分散剤(または分散剤および焼結助剤)が添加されて再混合される。分散剤は、ポリカルボン酸系分散剤またはポリアクリル酸系分散剤などの一般的な分散剤が用いられる。この段階でスラリーに対してpH調整剤および水が不足分だけ追加されてもよい。回収されたスラリーが乾燥されることにより原料粉末が得られた上で、当該原料粉末に分散剤などが添加されて再びスラリーが調整されてもよい。混合ミルより払い出されたスラリーに、バインダが添加された上で真空攪拌脱泡が行われる。スラリーが石膏型に流し込まれて、鋳込み成形により成形体が作製される。成形方法は、排泥鋳込み成形または真空吸引成形法などの他の方法が用いられてもよい。
(4)焼成工程
成形体が乾燥された後、真空または適当な雰囲気において、所定の温度範囲で保持されることにより焼結体が得られる。
(実施例)
(実施例1)
スタルク製UF−10の炭化珪素粉末100重量部に対して、pH調整剤として0.5重量部の水酸化テトラメチルアンモニウムが添加され、さらに50重量部のイオン交換水が添加された上で、18時間ミリングされることによりスラリーが調整された。
このスラリーが容器に入れられて5時間にわたり静置されることにより、容器の底に粗粒を含む比較的大径の粉末を堆積させた。さらに、スラリーのpHが10.5に調整され、、かつ、スラリー粘度が180[mPa・s]に調節された。この状態で、上澄みに滞留したスラリーのみが送液ポンプにより回収された。(x、y)=(70、5)であった。
2次元プロット(x、y)の位置は容器内におけるスラリーの静置時間のほか、スラリーのpHおよび粘度が調整されることにより調整される。スラリーのpHが9.0〜12.0の範囲に調節されることで炭化珪素原料粉末の凝集(一次粒子化)が抑制される。スラリー粘度は水分量、pH調整剤濃度、または増粘剤の添加量などにより調整可能であり、25〜380[mPa・s]に調整されることで当該スラリーに含有されている原料粉末の沈降速度が過度に高速になることが抑制される。
回収スラリーに対して、ホウ素源としてのスタルク製1500FのBCと、カーボン源としての東海カーボン社製Aqua Black001とが添加された。炭化珪素100重量部に対する添加量は、ホウ素源が0.6重量部に調節され、カーボン源が固形分で3.0重量部に調節された。分散剤として東亞合成製A−6114(ポリカルボン酸アンモニウム塩系)がカーボン源の固形分に対して3.0重量部添加された。その上で、原料粉末が再び18時間にわたりミリングされた後、得られたスラリーにバインダが5.0重量部添加され、1hrにわたり攪拌脱泡された。
(成形工程)
スラリーが加圧されながら石膏型に流し込まれ、直径500[mm]、厚さ20[mm]の略円板形状の成形体が鋳込み成形された。石膏からの不純物が入らない程度に成形体の外周が生加工された。
(焼成工程)
成形体が非酸化雰囲気において、2050[℃]で3.5[hr]にわたり保持されることにより、実施例1の炭化珪素質焼結体が作製された。
(実施例2〜8)
2次元プロット(x、y)で表わされる原料粉末の粒度分布の調節態様(表1参照)のほかは、実施例1と同様の条件下で実施例2〜8の炭化珪素質焼結体が作製された。
(評価方法)
各実施例の炭化珪素質焼結体の特性などが次のように評価された。原料粉末の粒度分布は、堀場製作所製/LA−920レーザ回折/散乱式装置を用いて測定された。成形体の相対密度は、生加工後の寸法および重量に基づいて算出された。焼結体の相対密度は、アルキメデス法により算出した。
焼結体が厚さ方向に均等に2分割され、かつ、中央部分およびその外側において径方向に均等に離間した4つの部分のそれぞれが切り出されることにより10個の試験片が準備された。加工中のクラックの有無が確認された後、各試験片のヤング率が、日本テクノプラス社製/JE−RTによる共振法(JIS−1602)にしたがって測定された。10個の試験片に対するヤング率測定結果の標準偏差σ(ばらつき)が評価された。
表1には、各実施例の炭化珪素質焼結体について原料粉末の粒度分布の調節態様等とともに、成形体および焼結体の特性測定結果がまとめて示されている。
には、各実施例の焼結体の2次元プロット(x、y)が、該当数字付円により表わされている。図および表1から明らかなように、2次元プロット(x、y)が第1指定領域S1に含まれている実施例1〜8の炭化珪素質焼結体には、クラックがみられず、ヤング率は415〜425[GPa]であり、かつ、その標準偏差σは5.0〜13.0[GPa]であった。プロット(x、y)が第2指定領域S2に含まれている実施例2、3、5、6および8の炭化珪素質焼結体のヤング率の標準偏差σは5.0〜8.0[GPa]であり、他の実施例1、4および7の炭化珪素質焼結体のそれと比較してさらに小さい。
(比較例)
2次元プロット(x、y)で表わされる原料粉末の粒度分布の調節態様のほかは、実施例1と同様の条件下で比較例1〜5の炭化珪素質焼結体が作製された。各比較例の炭化珪素質焼結体について原料粉末の粒度分布の調節態様等とともに、成形体および焼結体のクラックの有無観測結果ならびにヤング率および標準偏差σの測定結果がまとめて示されている。
には、各比較例の焼結体の2次元プロット(x、y)が、該当数字付三角により表わされている。図および表2から明らかなように、2次元プロット(x、y)が第1指定領域S1から外れている比較例1〜5の炭化珪素質焼結体のうち、比較例3および5の炭化珪素質焼結体にはクラックがみられた。比較例1および2の炭化珪素質焼結体のヤング率は実施例1〜8のいずれよりも低い。比較例2および3の炭化珪素質焼結体のヤング率の標準偏差σは実施例1〜8のいずれよりも大きい。
S1‥第1指定領域、S2‥第2指定領域。

Claims (2)

  1. 50が0.7〜1.2[μm]の範囲に含まれ、D90−D50が0.7〜1.1[μm]の範囲に含まれ、かつ、D90−D10が1.2〜1.6[μm]の範囲に含まれている、初期粒度分布を示す炭化珪素粉末に対して分散剤および溶媒を添加することによりスラリーを調整する工程と、
    前記スラリーに対するエルトリエーションによって原料粉末の一部を沈降させることにより、前記スラリーの上澄みを回収する工程と、
    前記上澄みに含まれている原料粉末を成形することにより成形体を作製する工程と、
    前記成形体を焼成することにより焼結体を作製する工程と、を含み、
    前記エルトリエーションによって、前記スラリーに含まれる粒径が前記初期粒径分布において累積x%となる基準粒径より大径の原料粉末のうち、y%以上の原料粉末が除去され、2次元プロット(x、y)が、x−y平面において4つの線分L11:x=70(5≦y≦70)、L12:y=2x−135(70≦x≦95)、L13:x=95(55≦y≦95)およびL14:y=x(70≦x≦95)により画定されている第1指定領域に含まれている炭化珪素質燒結体の製造方法。
  2. 前記2次元プロット(x、y)が、x−y平面において4つの線分L21:x=70(25≦y≦70)、L22:y=2x−115(70≦x≦85)、L23:y=4x−285(85≦x≦95)およびL24:y=x(70≦x≦95)により画定されている第2指定領域に含まれている請求項1記載の方法。
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