JP6310341B2 - 八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、優れた熱安定性を持つヘキサキス（μ−ベンジルオキソ）テトラデカキス（ベンジルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ及びその製造方法に関する。

ニオブ酸化物膜は、高い屈折率及び高い光透過性を示すことから、半導体素子や光学素子などのデバイス用材料として注目されている。現在、ニオブ酸化物膜を作製する様々な方法が検討されており、例えば溶液法などの湿式法を用いてニオブ酸化物膜を作製するための材料としてニオブアルコキソ錯体等が検討されている。一般に、製膜用材料の溶液を基板に塗布して製膜する際には、加熱処理が段階的に施され、まず第１段階として溶媒等の乾燥処理が行われ、次いで第２段階として製膜用材料の熱分解処理が行われる。このような製膜プロセスにおいて、第１段階の乾燥処理温度では分解せずに第２段階の熱分解処理においてのみ熱分解する、熱安定性の高い製膜用材料は、優れた品質の薄膜を作製する上で有用である。また、保存安定性の点でも熱安定性が高い材料は有用である。非特許文献１、２及び３にはオキソ配位子とアルコキソ配位子を持つ複核ニオブ錯体が記載されている。本発明のヘキサキス（μ−ベンジルオキソ）テトラデカキス（ベンジルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（以下、八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体と称する）は、該文献記載の錯体とは中心金属の数または配位子の種類の点で異なる。また、これらの文献に記載の錯体の製造方法は、ニオブのアルコキソ錯体の加水分解、単核のニオブオキソ−アルコキソ錯体の縮合または金属ニオブのアルコール存在下での陽極酸化によるものであり、本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体の製造方法とは異なる。

Ｒｕｓｓｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３６巻、第７号、９３８ページ（１９９１年） Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｌｏｎｄｏｎ）、第１８号、１１１２ページ（１９６８年） Ｉｎｏｒｇａｎｉｃａ Ｃｈｉｍｉｃａ Ａｃｔａ、第３５７巻、第２号、４６８ページ（２００４年）

熱安定性に優れたニオブオキソ−アルコキソ錯体、及びその製造方法を開発することが本発明の課題である。

本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、化学式（１）で示される八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体が熱安定性に優れた錯体であることを見いだし、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、化学式（１）

で示されることを特徴とする八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体に関する。

また本発明は、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブと、ジアセトンアルコールとを反応させることを特徴とする、化学式（１）

で示される八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体の製造方法に関する。

以下に本発明をさらに詳細に説明する。なお、本明細書中では、Ｅｔ及びＢｎは、それぞれエチル基及びベンジル基を示す。

次に、本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体の製造方法について説明する。本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）は下記の製造方法１に従って製造することが出来る。

本発明の製造方法１はデカキス（ベンジルオキソ）ジニオブとジアセトンアルコールとを反応させることにより、本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）を製造する方法である。
製造方法１

本発明の製造方法１において、反応温度については特に限定はなく、好ましくは０℃から２００℃の範囲から、更に好ましくは１００℃から１８０℃の範囲から適宜選択することにより本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）を収率よく製造することができる。

本発明の製造方法１において、好ましくは１分から２４時間の範囲の中から、更に好ましくは１時間から６時間の範囲の中から適宜選択することによって、収率よく本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）を製造することができる。

本発明の製造方法１におけるデカキス（ベンジルオキソ）ジニオブとジアセトンアルコールのモル比について説明する。デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブ１モルに対して好ましくは等モル以上１０モル以下、更に好ましくは２モル以上４モル以下のジアセトンアルコールを反応に用いることにより、収率よく本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）を製造することができる。

製造方法１は有機溶媒中又は無溶媒のいずれの条件下でも実施することが出来る。本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることが出来る有機溶媒としては、反応を阻害することがない有機溶媒であれば制限はない。用いることが出来る有機溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−プロパンジオールジメチルエーテル、１，２−ブタンジオールジメチルエーテル、１，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ブタンジオールジメチルエーテル、２，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル、ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシドなどを例示することができ、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の有機溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）の収率が良い点で、ヘプタン、トルエン及びキシレンが好ましい。製造方法１において有機溶媒を用いる場合、その使用量には特に制限はなく、適宜選択された量の有機溶媒を用いることにより収率良く本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）を製造することが出来る。

本発明の製造方法１によって製造した本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）は、必要に応じてろ過、抽出、沈殿、結晶化などの一般的な精製方法を適宜用いることにより精製することが出来る。

本発明の製造方法１において、合成原料として用いられるデカキス（ベンジルオキソ）ジニオブは、下記の製造方法２に従って製造することが出来る。製造方法２は、デカキス（エチルオキソ）ジニオブとベンジルアルコールとを反応させることにより、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブを製造する方法である。
製造方法２

製造方法２は有機溶媒中又は無溶媒のいずれの条件下でも実施することが出来る。用いることが出来る有機溶媒としては、反応を阻害することがない有機溶媒であれば制限はなく、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−プロパンジオールジメチルエーテル、１，２−ブタンジオールジメチルエーテル、１，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ブタンジオールジメチルエーテル、２，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル、ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシドなどを例示することができる。これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の有機溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブの精製が容易である点で、無溶媒で実施することが好ましい。

製造方法２におけるデカキス（エチルオキソ）ジニオブとベンジルアルコールのモル比については、好ましくはデカキス（エチルオキソ）ジニオブ１モルに対し１０モル以上３０モル以下のベンジルアルコールを用いることにより、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブを収率よく製造することができる。

製造方法２において、反応温度については特に限定はなく、好ましくは０℃から２００℃の範囲の中から適宜選択することにより、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブを収率よく製造することができる。製造方法２によって製造したデカキス（ベンジルオキソ）ジニオブは、ろ過、抽出、蒸留、沈殿、結晶化などの一般的な精製方法を適宜用いることにより精製することが出来る。また、精製せずに製造方法１の原料として用いてもよい。

本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）は有機溶媒に溶解するため、例えば透明導電膜、高誘電率膜又は絶縁膜として用いた半導体デバイス、及び該ニオブ酸化物膜を、反射防止膜、ハードコート材、ガラスの傷補修材、ガスバリア材又は光触媒性部材として用いた光学製品等に用いるニオブ酸化物膜を湿式法によって作製するための材料として有用である。

本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体（１）は、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブとジアセトンアルコールを反応させることにより簡便に合成することができ、公知物質であるニオブオキソ−エチルオキソ錯体Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＥｔ）_６（ＯＥｔ）_１４に比べ熱安定性に優れている。

実施例１で得られた結晶の単結晶Ｘ線構造解析の結果の分子構造を示す図である。なお、図中では、ベンジルオキシ基のフェニル基及びすべての水素原子の図示は省略している。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお全ての反応操作はアルゴンガス雰囲気下で実施した。

参考例−１

デカキス（エチルオキソ）ジニオブ５．８７ｇ（９．２３ｍｍｏｌ）にベンジルアルコール２０．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を加え、室温で４０分撹拌した後、減圧下で揮発成分を除去した。さらに減圧下でオイルバスにより１５０℃に加熱し、揮発成分を除去した。得られた残渣は加熱下では液体であったが、室温まで冷却すると白色固体となった。得られた残渣にヘプタン５０ｍＬを加えて還流した。固体が全て溶解したところで加熱をやめ、室温まで徐冷した後−２０℃で冷却し、白色固体を析出させた。上澄み液を除去し、残渣を減圧下で乾燥させたところ、デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブ（Ｎｂ_２（ＯＢｎ）_１０）を白色固体として得た。収量１１．５ｇ（収率９９％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ７．６８（ｄ，Ｊ_ＨＨ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．４６（ｂｒ ｄ，８Ｈ），７．２７（ｔ，Ｊ_ＨＨ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．２−７．０（ｍ，３４Ｈ），５．７９（ｓ，４Ｈ），５．６８（ｂｒ ｓ，８Ｈ），５．１２（ｂｒ ｓ，８Ｈ）。

実施例−１

デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブ（Ｎｂ_２（ＯＢｎ）_１０）３．６０ｇ（２．８６ｍｍｏｌ）をトルエン２８．５ｍＬに溶解させ、ジアセトンアルコール０．６７８ｇ（５．８４ｍｍｏｌ）を加えて４時間還流した。減圧下で溶媒を留去して得られた残渣をヘキサン１５ｍＬで３回、１０ｍＬで３回洗浄した後、残渣から目的物をトルエン２０ｍＬで抽出し、不溶解物を除去した。減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をトルエン５ｍＬに溶解させ、該溶液の上部にアセトニトリル４５ｍＬを注いで二層とし、静置することにより白色固体を析出させた。上澄み液を除去し、残渣を減圧下で乾燥させることで、ヘキサキス（μ−ベンジルオキソ）テトラデカキス（ベンジルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＢｎ）_６（ＯＢｎ）_１４）を白色固体として得た。収量０．９７２ｇ（収率５５％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ７．４７−７．３４（ｍ，２６Ｈ），７．２１−６．９３（ｍ，６８Ｈ），６．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），６．８４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．４４（ｄ，Ｊ＝１４．２Ｈｚ，４Ｈ），６．００−５．８５（ｍ，２０Ｈ），５．５８（ｓ，４Ｈ），５．１３（ｓ，４Ｈ），４．５８（ｓ，８Ｈ）。
^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ１４３．７，１４２．５，１４２．４，１４２．１，１４１．６，１４１．２，１２９．１，１２９．０，１２８．９，１２８．７，１２８．１，１２７．９，１２７．８，１２７．６５，１２７．５８，１２７．５５，１２７．２，１２７．１２，１２７．０７，１２７．００，１２６．８，７９．２，７８．３，７８．０，７７．７，７６．１，７４．１，７３．７。
元素分析実測値：Ｃ＝５４．９７％、Ｈ＝４．４７％、Ｎ０．００％。計算値：Ｃ＝５５．２１％、Ｈ＝４．６３％、Ｎ＝０．００％。

該白色固体のトルエン溶液の上部にヘキサンを注いで二層とし静置することにより得た無色ブロック状単結晶を、単結晶Ｘ線構造解析装置（Ｒｉｇａｋｕイメージングプレート単結晶自動Ｘ線構造解析装置Ｒ−ＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤ ＩＩ）を用いて解析し、該単結晶がＮｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＢｎ）_６（ＯＢｎ）_１４であること、その分子構造及び結晶構造を決定した。解析結果のＯＲＴＥＰ（Ｏａｋ Ｒｉｄｇｅ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｌｌｉｐｓｏｉｄ Ｐｌｏｔ Ｐｒｏｇｒａｍ）図を図１に示す。構造解析精密化における最終のＲ値は０．０６４であった。最終のＲｗ値は０．１７８であった。なお、図１中では、ベンジルオキシ基のフェニル基及びすべての水素原子の図示を省略している。

組成式：Ｃ_１４０Ｈ_１４０Ｏ_３０Ｎｂ_８
結晶系：単斜晶
空間群：Ｐ２_１／ｃ（＃１４）
Ｚ：４
計算密度：１．５６５ ｇ／ｃｍ^３
格子定数：ａ＝１８．７８Å、ｂ＝３１．６３Å、ｃ＝２１．８８Å、α＝γ＝９０°、β＝９５．８０°
上記測定の結果より、上記反応で得た生成物Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＢｎ）_６（ＯＢｎ）_１４は、８個のニオブ原子が１０個の酸素原子及び６個のベンジルオキシ基により架橋され、１４個のベンジルオキシ基が周囲に結合した構造であることが分かった。

参考例−２

デカキス（エチルオキソ）ジニオブ（Ｎｂ_２（ＯＥｔ）_１０）５．６７ｇ（８．９１ｍｍｏｌ）をトルエン３６ｍＬに溶解させ、ジアセトンアルコールの１１．２重量％のトルエン溶液２３．３ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）を加えて２０時間撹拌した。減圧下で溶媒を留去して得られた残渣をトルエン１５ｍＬに溶解させ、該溶液にアセトニトリル４５ｍＬを加えた。該溶液を−２０℃で静置し、無色のブロック状単結晶を析出させた。上澄み液を除去し、残渣をアセトニトリル５ｍＬで３回洗浄し減圧下で乾燥させることで、ヘキサキス（μ−エチルオキソ）テトラデカキス（エチルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＥｔ）_６（ＯＥｔ）_１４）を白色固体として得た。収量１．０４ｇ。また、該上澄み液およびアセトニトリル洗液を回収し、濃縮して−２０℃で静置することで白色沈殿を生成させた。上澄み液を除去し、残渣をアセトニトリル５ｍＬで２回洗浄し減圧下で乾燥させることで、さらに０．２２ｇの目的物を得た。再度上澄み液およびアセトニトリル洗液を回収し、減圧下で溶媒を留去して得られた残渣をアセトニトリル１５ｍＬで３回洗浄した。得られた残渣を減圧下で乾燥させ、ヘキサン２６ｍＬに溶解させて−２０℃で静置することで白色沈殿を生成させた。上澄み液を除去し、残渣をアセトニトリル５ｍＬで２回洗浄し減圧下で乾燥させることで、さらに０．３０ｇの目的物を得た。総収量１．５６ｇ（収率３９％）。

上述の精製中に得られた無色のブロック状単結晶を、単結晶Ｘ線構造解析装置（Ｒｉｇａｋｕイメージングプレート単結晶自動Ｘ線構造解析装置Ｒ−ＡＸＩＳ ＲＡＰＩＤ ＩＩ）を用いて解析したところ、非特許文献１および２に記載のヘキサキス（μ−エチルオキソ）テトラデカキス（エチルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＥｔ）_６（ＯＥｔ）_１４）と同一の分子構造であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５．０７（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），５．０５（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），４．８６−４．７２（ｍ，１２Ｈ），４．６２−４．５５（ｍ，８Ｈ），４．５４（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４Ｈ），４．４０（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），４．３９（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１０Ｈ），１．５４（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１５Ｈ），１．５３（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，９Ｈ），１．４５（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．４２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１２Ｈ），１．４０（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．２６（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１２Ｈ）。
^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ７１．１，７０．０，６９．７，６６．１，６５．９，１８．９，１８．７，１８．５，１８．３。

試験例−１
実施例−１で得たヘキサキス（μ−ベンジルオキソ）テトラデカキス（ベンジルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＢｎ）_６（ＯＢｎ）_１４）４１２ｍｇ（１．３５×１０^−４ｍｏｌ）と内部標準物質としてヘキサメチルベンゼン２２．３ｍｇ（１．３７×１０^−４ｍｏｌ）とをトルエン１０ｍＬに溶解させた。溶液の一部を採取して減圧下で溶媒を留去し、残渣の^１Ｈ ＮＭＲを測定した。該溶液を１４時間還流させた後（還流温度１１１℃）、再度溶液の一部を採取して減圧下で溶媒を留去し、残渣の^１Ｈ ＮＭＲを測定したところ、内部標準物質換算で８０％のＮｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＢｎ）_６（ＯＢｎ）_１４が残存していることを確認した。該残存率は内部標準物質であるヘキサメチルベンゼンの２．１３ｐｐｍ（ｓ，１８Ｈ）のシグナルの積分強度と、本発明のヘキサキス（μ−ベンジルオキソ）テトラデカキス（ベンジルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブの４．５８ｐｐｍ（ｓ，８Ｈ）のシグナルの積分強度の比に基づいて算出した。

比較試験例−１
参考例−２で得たヘキサキス（μ−エチルオキソ）テトラデカキス（エチルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブ（Ｎｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＥｔ）_６（ＯＥｔ）_１４）２４５ｍｇ（１．３６×１０^−４ｍｏｌ）と内部標準物質としてヘキサメチルベンゼン２１．７ｍｇ（１．３４×１０^−４ｍｏｌ）とをトルエン１０ｍＬに溶解させた。溶液の一部を採取して減圧下で溶媒を留去し、残渣の^１Ｈ ＮＭＲを測定した。該溶液を１４時間還流させた後（還流温度１１１℃）、再度溶液の一部を採取して減圧下で溶媒を留去し、残渣の^１Ｈ ＮＭＲを測定したところ、内部標準物質換算で１９％のＮｂ_８（μ_３−Ｏ）_２（μ−Ｏ）_８（μ−ＯＥｔ）_６（ＯＥｔ）_１４が残存していることを確認した。該残存率は内部標準物質であるヘキサメチルベンゼンの２．１３ｐｐｍ（ｓ，１８Ｈ）のシグナルの積分強度と、ヘキサキス（μ−エチルオキソ）テトラデカキス（エチルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブの４．４０及び４．３９ｐｐｍ（ともにｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，計１２Ｈ）のシグナルの積分強度の比に基づいて算出した。

試験例−１及び比較試験例−１より、本発明の八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体は、ヘキサキス（μ−エチルオキソ）テトラデカキス（エチルオキソ）ビス（μ_３−オキソ）オクタキス（μ−オキソ）オクタニオブよりも還流後の残存率が高く、熱安定性に優れるものである。

Claims (2)

1. 化学式（１）
   

   

   （式中、Ｂｎはベンジル基を表す。）で示されることを特徴とする八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体。
2. デカキス（ベンジルオキソ）ジニオブと、ジアセトンアルコールとを反応させることを特徴とする、化学式（１）
   

   

   （式中、Ｂｎはベンジル基を表す。）で示される八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体の製造方法。

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