JP6307707B2 - 発光装置の製造システム - Google Patents
発光装置の製造システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6307707B2 JP6307707B2 JP2013131066A JP2013131066A JP6307707B2 JP 6307707 B2 JP6307707 B2 JP 6307707B2 JP 2013131066 A JP2013131066 A JP 2013131066A JP 2013131066 A JP2013131066 A JP 2013131066A JP 6307707 B2 JP6307707 B2 JP 6307707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- chromaticity
- light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 72
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 72
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 49
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 198
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 24
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012951 Remeasurement Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
発光素子を実装した基板に、封止樹脂及び蛍光体の混合体を充填して発光装置を形成する充填装置と、
プローブを備え、前記発光装置が発光する光を前記プローブで受光し、受光した光の色度を測定する光特性測定装置と、
前記光特性測定装置によって測定された色度が合格範囲内であるか合格範囲外であるかを判別する制御部と、
前記合格範囲外と判別された前記発光装置の表面に反射膜を形成する原子層堆積装置と、を備え、
前記反射膜は、透光性を有するとともに前記発光装置から出射される光のうち所定の波長の光を反射する膜であり、
前記制御部は、前記発光素子及び前記反射膜の構造、並びに、前記反射膜の屈折率及び膜厚をパラメータとして変化させた際の色度測定値に関するデータベースを備え、前記合格範囲外の色度と前記データベースとに基づいて前記合格範囲内の色度となるまでに形成すべき前記反射膜の前記屈折率及び前記膜厚を決定し、
前記原子層堆積装置は、
排気装置を具備する成膜室と、
前記成膜室内部に前記反射膜の材料を含む原料ガスを供給する給気部と、
前記成膜室内部の載置台に前記合格範囲外と判別された前記発光装置を設置する設置手段と、を備え、
前記制御部によって決定された前記屈折率及び前記膜厚に基づき、前記発光装置上にALD(Atomic Layer Deposition)法により前記反射膜を形成する、
ことを特徴とする。
前記原子層堆積装置は、前記複数個の発光装置に同時に前記反射膜を形成する、
こととしてもよい。
前記光特性測定装置の前記プローブは、前記成膜室内に配置されており、
前記駆動機構は、前記プローブが受光するための第1の位置と、前記第1の位置から離隔しており前記反射膜を形成するための第2の位置と、の間で前記発光装置を移動させる、
こととしてもよい。
前記成膜室は、前記プローブと対面する位置において透過性の壁部を備え、
前記光特性測定装置は、前記壁部を通して前記成膜室内の前記発光装置の前記色度を測定し、
前記原子層堆積装置は、前記色度を測定した状態で前記発光装置に前記反射膜を形成する、
こととしてもよい。
こととしてもよい。
図1に発光装置10を示す。発光装置10は、導電体12a,12bと、LED素子13と、ワイヤ14a,14bと、封止樹脂15と、蛍光体16と、透明樹脂17と、透明膜18と、を備える。発光装置10は、いわゆる砲弾型の発光装置である。
第1実施形態では透明膜18が形成される前の発光装置を便宜上半完成品100として説明した。この他に、本実施形態のようにいわゆる完成品の発光装置に対しても色度の調整をすることができる。
前述の各実施形態では、1つの対象物(完成品又は半完成品)に対して透明膜18を成膜する例について説明した。この他にも、本実施形態のように複数の対象物をまとめてALD法によって透明膜18を成膜することとしてもよい。なお、本実施形態以降では対象物を第1実施形態で説明したような半完成品100として説明するが、前述のように完成品を対象物としてもよい。
前述の各実施形態では、半完成品100又は発光装置10の色度の測定工程と透明膜18の形成工程とをそれぞれ別の光特性測定装置40及びALD装置50を用いて行った。この他にも本実施形態のように、両者の装置の機能を1つの室内で行うこととしてもよい。
図16に、色度測定と透明膜の成膜を同時に行う例を示す。成膜装置75は、成膜室81と、電源42と、プローブ43と、測定装置44と、給気部/排気部82と、載置台87と、制御部78と、を備える。給気部/排気部82に代えて、図9のように給気部52と排気装置53とを備えることとしてもよい。制御部78は、成膜装置75における色度測定と透明膜の成膜との全般を制御する。
図18にALD装置80を用いる実施形態を示す。ALD装置80は、成膜室81と、給気部82〜84と、排気装置85と、ガスシャワー86と、成膜対象となる半完成品100を搭載する載置台87と、RF(Radio Frequency:高周波)電源88と、制御部89と、を備える。給気部82〜84及び排気装置85は成膜室81に連設されている。制御部89は、CPU、RAM及びROM等から構成されており、ALD装置80の動作全般を制御する。
(付記)
(付記1)
排気装置を具備する成膜室と、
前記成膜室内部に原料ガスを供給する給気部と、
前記成膜室内部の所定の位置に発光装置を設置する手段を備え、
予め測定された前記発光装置の色度測定結果に基づき、
前記発光装置上に、透光性を有するとともに前記発光装置から出射される光のうち所定の波長の光を反射する反射膜を形成する、
ことを特徴とする原子層堆積装置。
(付記2)
前記発光装置は、
複数色の光を混合して発する発光体と、
前記発光体を封止するように形成され、透光性を有する透光部材を備え、
前記透光部材の屈折率よりも、前記反射膜の屈折率が大きい、
ことを特徴とする付記1に記載の原子層堆積装置。
(付記3)
前記透光部材の屈折率と前記反射膜の屈折率との差が0.3以上である、
ことを特徴とする付記2に記載の原子層堆積装置。
(付記4)
前記発光体は、青色光を発する発光ダイオード素子と前記青色光に励起されて蛍光を発する蛍光体とを備える、
ことを特徴とする付記2又は3に記載の原子層堆積装置。
(付記5)
前記透光部材は砲弾型の形状を有する、
ことを特徴とする付記2乃至4のいずれか1つに記載の原子層堆積装置。
(付記6)
前記反射膜の材料は、TiO 2 、ZnO、Ta 2 O 5 、Nb 2 O 5 、ZrO 2 、HfO 2 及びAl 2 O 3 からなる群から選択された1種の材料である、
ことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1つに記載の原子層堆積装置。
(付記7)
前記発光装置の色度を測定する光特性測定装置を備え、
前記光特性測定装置は、
前記発光装置の導電体に接続する接続端子と、
前記接続端子に接続する電源と、
前記発光装置に対向配置され、前記発光装置が出射する光を受光するプローブと、
前記プローブに接続され、前記プローブが受光した光を測定する測定装置と、を備える、
ことを特徴とする付記1に記載の原子層堆積装置。
(付記8)
発光素子を塔載する塔載工程と、
前記発光素子からの光によって励起され蛍光を発する蛍光体を含有する透光部材で前記発光素子を封止する封止工程と、
前記発光素子に発光させ、前記蛍光との混合光の色度を測定する測定工程と、
測定された色度に基づいて、前記透光部材上に、透光性を有するとともに前記混合光のうち所定の波長の光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、を備え、
前記反射膜をALD(Atomic Layer Deposition)法により形成する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
(付記9)
前記封止工程によって形成された複数個の封止体を同一の処理室内に設置し前記反射膜形成工程に供する、
ことを特徴とする付記8に記載の発光装置の製造方法。
(付記10)
発光体が発する複数色の混合光を出射し、出射面に透光部材が形成された発光装置の色度調整方法であって、
前記発光装置が出射する光の色度を測定し、
前記色度に基づいて、前記透光部材の表面に、透光性を有するとともに前記発光体が発する光のうち所定の波長の光を反射する反射膜をALD(Atomic Layer Deposition)法により形成する、
ことを特徴とする発光装置の色度調整方法。
(付記11)
予め測定された前記発光装置の色度に基づいて、前記発光装置をグループ分けし、
等しい色度範囲の前記発光装置を同時に処理する、
ことを特徴とする付記10に記載の発光装置の色度調整方法。
11,21 基板
12a,12b,22a,22b 導電体
13,23 LED素子
13a,13b 電極
14a,14b,24a,24b ワイヤ
15,25 封止樹脂
16,26 蛍光体
17 透明樹脂
18,28 透明膜
19,29 反射部
31 ボンディング装置
32,34 ノズル
33 モールド型
40 光特性測定装置
41 光特性測定室
42 電源
43 プローブ
44 測定装置
45 駆動機構
46 アーム
47,57,87 載置台
48,58,78,89 制御部
50,80 ALD装置
51,81 成膜室
52,82,83,84 給気部(又は給気部/排気部)
53,85 排気装置
56 移載機
70,75 成膜装置
71 処理室
86 ガスシャワー
88 RF電源
90 光ファイバ
91 検出部
100 半完成品
Claims (5)
- 発光素子を実装した基板に、封止樹脂及び蛍光体の混合体を充填して発光装置を形成する充填装置と、
プローブを備え、前記発光装置が発光する光を前記プローブで受光し、受光した光の色度を測定する光特性測定装置と、
前記光特性測定装置によって測定された色度が合格範囲内であるか合格範囲外であるかを判別する制御部と、
前記合格範囲外と判別された前記発光装置の表面に反射膜を形成する原子層堆積装置と、を備え、
前記反射膜は、透光性を有するとともに前記発光装置から出射される光のうち所定の波長の光を反射する膜であり、
前記制御部は、前記発光素子及び前記反射膜の構造、並びに、前記反射膜の屈折率及び膜厚をパラメータとして変化させた際の色度測定値に関するデータベースを備え、前記合格範囲外の色度と前記データベースとに基づいて前記合格範囲内の色度となるまでに形成すべき前記反射膜の前記屈折率及び前記膜厚を決定し、
前記原子層堆積装置は、
排気装置を具備する成膜室と、
前記成膜室内部に前記反射膜の材料を含む原料ガスを供給する給気部と、
前記成膜室内部の載置台に前記合格範囲外と判別された前記発光装置を設置する設置手段と、を備え、
前記制御部によって決定された前記屈折率及び前記膜厚に基づき、前記発光装置上にALD(Atomic Layer Deposition)法により前記反射膜を形成する、
ことを特徴とする発光装置の製造システム。 - 前記設置手段は、測定された色度に基づいて前記発光装置をグループ分けし、等しい色度範囲の複数個の発光装置を前記載置台に設置し、
前記原子層堆積装置は、前記複数個の発光装置に同時に前記反射膜を形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造システム。 - 前記成膜室内で前記発光装置を移動させる駆動機構をさらに備え、
前記光特性測定装置の前記プローブは、前記成膜室内に配置されており、
前記駆動機構は、前記プローブが受光するための第1の位置と、前記第1の位置から離隔しており前記反射膜を形成するための第2の位置と、の間で前記発光装置を移動させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造システム。 - 前記光特性測定装置の前記プローブは、前記成膜室外に配置されており、
前記成膜室は、前記プローブと対面する位置において透過性の壁部を備え、
前記光特性測定装置は、前記壁部を通して前記成膜室内の前記発光装置の前記色度を測定し、
前記原子層堆積装置は、前記色度を測定した状態で前記発光装置に前記反射膜を形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造システム。 - 前記充填装置は、前記合格範囲内の色度と異なる目標色度となるように前記発光装置を形成する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置の製造システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131066A JP6307707B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-21 | 発光装置の製造システム |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012179594 | 2012-08-13 | ||
JP2012179594 | 2012-08-13 | ||
CN201320122884.9 | 2013-03-18 | ||
CN 201320122884 CN203159709U (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 原子层沉积装置 |
JP2013131066A JP6307707B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-21 | 発光装置の製造システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014057048A JP2014057048A (ja) | 2014-03-27 |
JP6307707B2 true JP6307707B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=50614088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013131066A Active JP6307707B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-21 | 発光装置の製造システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6307707B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6476592B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2019-03-06 | 信越化学工業株式会社 | 波長変換部材 |
JP6398323B2 (ja) | 2014-05-25 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP6740762B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2020-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN115020542A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-06 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种去除ald绕镀氧化铝的pecvd镀膜方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200841393A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-16 | Miin-Jang Chen | Optoelectronic device and method of fabricating the same |
WO2009061704A2 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Hcf Partners, L.P. | Atomic layer deposition encapsulation |
JP2009193994A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源およびその色度調整方法 |
JP2010016029A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源 |
TWI432320B (zh) * | 2010-08-09 | 2014-04-01 | Ind Tech Res Inst | 封裝膜、封裝結構與其形成方法 |
JP2012059915A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Panasonic Corp | Ledパッケージ製造システム |
-
2013
- 2013-06-21 JP JP2013131066A patent/JP6307707B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014057048A (ja) | 2014-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6307707B2 (ja) | 発光装置の製造システム | |
TWI401820B (zh) | 發光元件及其製作方法 | |
KR101226777B1 (ko) | 발광 장치와, 그 제조 방법 및 장치 | |
TWI446593B (zh) | 光電半導體組件之製造方法及光電半導體組件 | |
CN105591012B (zh) | 制造发光设备的方法和发光模块检查设备 | |
JP5261742B1 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置の色度調整方法 | |
US20150287891A1 (en) | LED Packaging Structure Using Distant Fluorescent Powder Layer and Manufacturing Method Thereof | |
US20160225959A1 (en) | LED Packaging Structure And Method For Manufacturing The Same | |
KR20170036113A (ko) | 원격 인광체 층 및 반사성 서브마운트를 구비하는 led | |
JP2013501372A (ja) | シリコーン層及び積層された遠隔蛍光体層を備えるled | |
JP2012510716A (ja) | Led組立体 | |
JP2004119634A (ja) | 発光装置 | |
CN102593311A (zh) | 光源封装结构及其制作方法及液晶显示器 | |
JP2007258701A (ja) | 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法 | |
JP2013125850A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6282438B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
Chu et al. | A silicon-based LED packaging substrate with an island structure for phosphor encapsulation shaping | |
CN102959744B (zh) | 发光元件的制造方法及发光元件的制造装置 | |
JP2012186274A (ja) | 発光装置、ledチップ、ledウェハ、およびパッケージ基板 | |
JP2005340512A (ja) | 発光装置及び発光装置製造方法 | |
JP2019518331A (ja) | オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法およびオプトエレクトロニクスデバイス | |
US20160233200A1 (en) | Production of an Optoelectronic Component | |
JP2012114231A (ja) | 発光部品、発光器、及び発光部品の製造方法 | |
KR20130066313A (ko) | 보정된 색좌표를 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
JP2008270390A (ja) | フロントカバー、発光装置およびフロントカバーの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6307707 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |