CN102959744B - 发光元件的制造方法及发光元件的制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种抑制发光元件的色度偏差的产生的发光元件的制造方法。本发明的发光元件的制造方法为，在发光源上涂覆从涂覆装置（5）喷出的荧光树脂，从而制造具备所述发光源的发光元件（2），该涂覆装置（5）贮存含有荧光体粒子的所述荧光树脂，测量从所述涂覆装置（5）喷出的所述荧光树脂所含有的所述荧光体粒子的浓度、即第1浓度，基于表示所述发光元件的色度成为恒定的所述荧光体粒子的浓度和所述荧光树脂的涂覆量的关系的参照数据、和测量的所述第1浓度，决定涂覆量，将所决定的涂覆量的所述荧光树脂涂覆到所述发光源上。

Description

发光元件的制造方法及发光元件的制造装置
技术领域
本发明涉及具有LED(Light Emitting Diode)芯片等发光源的发光元件的制造方法及发光元件的制造装置。
背景技术
以往，在各地进行了将作为发光源的LED芯片和作为波长转换材料的荧光体粒子(荧光颜料、荧光染料等)组合而得到的发光元件的研究开发，上述荧光体粒子被从LED芯片放射的光激励，从而放射与LED芯片不同颜色的光(例如参照专利文献1)。
作为这种发光元件，如下的白色发光元件(一般称为白色LED)已经进行了商品化：该白色发光元件例如将放射蓝色光或紫外光的LED芯片和对蓝色光等进行波长转换而放射黄色光的荧光体粒子组合，从而得到白色光。
在专利文献1中，作为这种发光元件的一例，如图9所示，具备：LED芯片100；安装基板101，安装有LED芯片100；半球状的透光性密封部102，在安装基板101的安装面侧将LED芯片100密封；圆顶状密封部件103，覆盖透光性密封部102，并固接在安装基板101上而形成；空气层104，形成在透光性密封部102和圆顶状密封部件103之间。透光性密封部102所含有的荧光体粒子，该发光元件使用放射紫外光的GaN类的紫外LED芯片来作为LED芯片100，作为荧光体粒子，使用红色荧光体粒子、绿色荧光体粒子、蓝色荧光体粒子来得到白色光。
应用图9的发光元件，作为LED芯片100使用放射蓝色光的蓝色LED芯片，作为荧光体粒子使用黄色荧光体粒子来得到白色光。
在此，在LED芯片100上涂覆含有荧光体粒子的树脂，通过该荧光树脂形成透光性密封部102，从而制造上述发光元件。
制造发光元件时，发光元件发出的光的色度(以下简称为发光元件的色度)并不成为恒定，制造的发光元件的色度有时产生偏差。在此，为了防止制造的发光元件的色度偏差的产生，在专利文献2中记载有图10的以往的制造装置105。
以往的制造装置105具备：注射器106，用于贮存含有荧光体粒子的树脂(荧光树脂)；气压分配器107，用于将从注射器106喷出的荧光树脂涂覆到LED芯片100上；重量测量部108，测量从气压分配器107喷出的荧光树脂的重量；以及控制部109，基于由重量测量部108测量的值，使气压分配器107喷出恒定重量的荧光树脂。
在该以往的制造装置105中，为了制造恒定的色度的发光元件，使用了使气压分配器107喷出恒定重量的荧光树脂的方法。另外，色度表示由CIE(国际照明委员会)制定的色度图的色度坐标。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-35951号公报
专利文献2：日本特表2004-516925号公报
发明的概要
发明所要解决的技术问题
但是，即使从气压分配器107喷出恒定重量的荧光树脂而制造发光元件，制造的发光元件的色度有时也不成为恒定的值。即，在以往的制造装置中，存在制造的发光元件的色度产生偏差的课题。
发明内容
在此，本发明的目的在于，解决上述课题，防止在制造的发光元件的个体间产生色度的偏差。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的发光元件的制造方法，将从涂覆装置喷出的荧光树脂涂覆到发光源上，从而制造发光元件，上述涂覆装置贮存含有荧光体粒子的荧光树脂，该发光元件的制造方法的特征在于，测量从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂中含有的所述荧光体粒子的浓度、即第1浓度，使用表示使所述发光元件的色度成为恒定的所述荧光体粒子的浓度和所述荧光树脂的涂覆量的关系的参照数据，基于该参照数据和测量的所述第1浓度来决定涂覆量，并将决定的涂覆量的所述荧光树脂涂覆到所述发光源上。
此外，本发明的发光元件的制造装置，将从涂覆装置喷出的所述荧光树脂涂覆到发光源上，从而制造发光元件，上述涂覆装置贮存含有荧光体粒子的树脂、即荧光树脂，该发光元件的制造装置的特征在于，具备：控制装置，控制从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂的涂覆量；荧光体粒子测量装置，测量从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂所含有的所述荧光体粒子的浓度、即第1浓度；存储部，预先存储表示所述发光元件的色度成为恒定的所述荧光体粒子的浓度和所述荧光树脂的涂覆量的关系的参照数据；校正装置，基于所述第1浓度和所述参照数据，决定所述荧光树脂向所述发光源的涂覆量，并向所述控制装置指示该涂覆量。
发明的效果
通过本发明，能够防止在制造的发光元件的个体间产生色度的偏差。
附图说明
图1是表示实施方式的发光元件的制造装置的构成的框图。
图2是表示由实施方式的发光元件的制造装置制造的发光元件的构成的示意图。
图3是表示实施方式的涂覆装置的构成的示意图。
图4是表示荧光树脂的厚度、荧光体粒子的浓度、及发光元件的色度的关系的曲线图。
图5是表示实施方式的荧光体粒子测量装置的构成的示意图。
图6是表示实施方式的发光元件的制造装置的动作的流程图。
图7是表示实施方式的荧光体粒子测量装置的其他构成的示意图。
图8是表示向荧光树脂的入射光及其透过光的分光光谱的一例的曲线图。
图9是表示以往的发光元件的构成的示意图。
图10是表示以往的发光元件的制造装置的构成的框图。
图11是表示实施方式的涂覆装置和校正装置的框图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。另外，以下的实施方式只不过示出本发明的发光元件的制造方法及发光元件的制造装置一例。因此，本发明以下面的实施方式为参考，其范围由权利要求划定，而不仅限于以下的实施方式。
(实施方式)
首先，说明图1所示的实施方式的发光元件的制造装置1(以下简称为制造装置1)的装置构成的概要。
制造装置1具备：存储部3，存储参照数据；容器4，贮存荧光树脂，该荧光树脂是含有的荧光体粒子的浓度为已知的树脂；涂覆装置5，从容器4喷出规定量的荧光树脂，并涂覆到发光元件2上；以及荧光体粒子测量装置6，以规定的时间间隔，测量从容器4喷出的荧光树脂所含有的荧光体粒子的浓度。这里的参照数据是指，表示荧光树脂所含有的荧光体粒子的浓度、涂覆的荧光树脂的量、及发光元件2的色度的关系的数据。此外，制造装置1具备校正装置7，该校正装置7基于测量的荧光体粒子的浓度和存储在存储部3中的参照数据，指示由涂覆装置5涂覆的荧光树脂的量，以使发光元件2成为期望的色度。
通过上述构成，即使从容器4喷出的荧光树脂所含有的荧光体粒子的浓度随着时间经过而变化，制造装置1也能够将与所含有的荧光体粒子的浓度相应的量的荧光树脂涂覆到发光元件2上。因此，能够抑制制造的发光元件2的个体间的色度的偏差的产生，稳定地制造发光元件2。
以上是制造装置1的概要。在此，在说明制造装置1的详细情况之前，对由制造装置1制造的发光元件2进行说明。
图2表示发光元件2的示意图。发光元件2具备：荧光树脂9，含有荧光体粒子8；以及LED芯片10，是密封在荧光树脂9中的发光源。此外，发光元件2具有封装件11，该封装件11具有凹部，朝向该凹部的底部而直径缩小。在封装件11的凹部的底部载置有LED芯片10。此外，在封装件11的凹部中充满了荧光树脂9。LED芯片10被该荧光树脂9密封在封装件11中。此外，封装件11固接在形成有电路图案的基板12上。LED芯片10经由封装件11与基板12的电路图案连接。
另外，作为发光源，除了LED芯片10以外，也可以是等离子发光源等。
在本实施方式中，作为LED芯片10，使用放射蓝色光的蓝色LED芯片。此外，作为荧光体粒子8，使用接受蓝色光而放射黄色光的光的黄色荧光体粒子。通过该LED芯片10和荧光体粒子8，发光元件2成为照射白色光的白色LED。另外，作为白色LED的其他构成，也可以使用放射紫外光的紫外LED芯片、接受紫外光而分别放射红、绿、蓝的光的3种荧光体粒子8，来作为发光元件2。
此外，基板12使用具有散热性和刚性的铝、镍、玻璃环氧树脂等的平板。封装件11由聚对苯二甲酸丁二酯、聚邻苯二甲酰胺、聚碳酸酯等树脂形成。作为荧光树脂9的基材的树脂至少在可见光下是透光性树脂，由硅树脂或环氧树脂等热固化性树脂形成。即，荧光树脂9是在这些树脂中含有荧光体粒子8而构成的。
接着，说明该发光元件2的制造方法。
首先，将封装件11固接到基板12上。接着，以与基板12的电路图案电连接的方式，使用焊锡或导电膏，在封装件11的凹部中载置LED芯片10。接着，以覆盖LED芯片10的方式，在封装件11的凹部中涂覆荧光树脂9。最后，施加热而使荧光树脂9固化，通过荧光树脂9将LED芯片10密封。由此，制造发光元件2。
以上说明了通过图1的制造装置1制造的发光元件2。下面说明本实施方式的制造装置1所具备的涂覆装置5。
图1的涂覆装置5是用来在图2的LED芯片10上涂覆荧光树脂9的装置。在此，作为涂覆装置5，使用图3所示的气压分配器13。
在此，说明气压分配器13的构成。
气压分配器13具备：容器4，用于贮存含有荧光体粒子8的荧光树脂9；以及控制器15，通过控制对容器4内供给的空气，对从容器4喷出的荧光树脂9的量进行调节。该容器4具有喷出荧光树脂9的喷出口4a。在该喷出口4a的正下方配置有具备LED芯片10的发光元件2。
控制器15具备精密调节器和精密数字计时器等，将控制了压力和加压时间的空气通过空气管16供给至容器4内。由此，气压分配器13能够喷出任意量的荧光树脂9。此外，控制器15通过后述的图11的控制装置5a，对喷出图3的荧光树脂9时的压力和加压时间进行控制。
另外，也可以取代气压分配器13，而将喷射分配器或螺旋分配器作为涂覆装置5来使用。作为涂覆装置5，只要是能够控制从容器4喷出的荧光树脂9的量的装置即可。
在此，说明荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度、涂覆的荧光树脂9的量、发光元件2的色度的关系。
发明者们反复进行试做和模拟等，结果发现，发光元件2的色度取决于涂覆的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度(以下简称为荧光体粒子8的浓度)。
此外，发明者们进行了更加深入的研究，结果发现，发光元件2的色度取决于涂覆的荧光树脂9的厚度(从图2的封装件11的凹部的底部到荧光树脂9的表面9a(参照图2)的高度，以下简称为荧光树脂9的厚度)。另外，荧光树脂9的厚度是由封装件11的形状、LED芯片10的配置等发光元件2的设计信息、以及涂覆的荧光树脂9的量决定的值。如果发光元件2的设计信息是恒定的，则通过使涂覆的荧光树脂9的量为恒定，能够使荧光树脂9的厚度为恒定。
根据这些发现，发明者们预测，作为荧光体粒子8的浓度、涂覆的荧光树脂9的量、及发光元件2的色度的关系，只要荧光体粒子8的浓度及荧光树脂9的厚度(涂覆的荧光树脂9的量)是恒定的，则制造的发光元件2的色度也成为恒定。
但是，发明者们又进行了多次试验，结果发现，从涂覆装置5喷出的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度随着时间的经过而变动(浓度变动现象)。换言之，发明者们发现，即使将荧光树脂9的厚度(涂覆的荧光树脂9的量)设为恒定，荧光体粒子8的浓度也变化，所以制造的发光元件2的色度在个体间产生偏差。即使不向涂覆装置5新投放荧光树脂9，该浓度变动现象也会发生。换言之，这是在向涂覆装置5投放荧光树脂9之后、而新投放荧光树脂9之前的期间发生的现象。
在此，使用图3说明发生浓度变动现象的理由。荧光体粒子8的比重比构成荧光树脂9的树脂的比重更重。在本实施方式中，荧光体粒子8的比重为4.5，而构成荧光树脂9的树脂的比重为1.0。由于这样的比重的差异，在容器4内随着时间的经过，荧光体粒子8在荧光树脂9内沉降。因此，随着时间经过，由于沉降，从容器4喷出的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度比初始状态上升。初始状态是指开始从容器4喷出荧光树脂9的时刻(向容器4内投放荧光树脂9而开始制造发光元件2的时刻)的荧光体粒子8的浓度。
如前所述，如果荧光体粒子8的浓度变化，则发光元件2的色度也变化。即，在某时刻t1制造的发光元件2的色度、和在从时刻t1起经过了恒定时间的时刻t2制造的发光元件2的色度有时不同。发光元件2为白色LED的情况下，若始终涂覆恒定量的荧光树脂9而制造发光元件2，则由于制造的时间不同，发光元件2的色度变化，可能产生黄斑或蓝斑。产生了黄斑等的发光元件2作为不合格品处理，所以在制造时，需要降低黄斑等的产生，即降低发光元件2的个体间的色度的偏差。
在此，发明者们为了使制造的发光元件2的色度成为恒定，采用了如下方法：与基于荧光体粒子8的时间经过的浓度变化相对应地，对涂覆的(从容器4喷出的)荧光树脂9的量进行校正。作为对发光元件2的色度偏差产生影响的原因之一的荧光体粒子8的浓度，很难调整在发光元件2的制造中随着时间经过而变化的量，所以对影响发光元件2的色度偏差的另一原因、即荧光树脂9的厚度进行校正。即，荧光树脂9的厚度取决于涂覆的荧光树脂9的量，为了使发光元件2的色度成为恒定，对涂覆的荧光树脂9的量进行校正。
接着，详细说明为了使制造的发光元件2的色度成为恒定，与随着荧光体粒子8的时间经过而产生的浓度变化相对应地，对涂覆的荧光树脂9的量进行校正的方法。
首先，发生荧光体粒子8的浓度变化时，为了知道应该怎样校正涂覆的荧光树脂9的量，准备参照表。参照表是预先测量荧光体粒子8的浓度、涂覆的荧光树脂9的量、发光元件2的色度的关系，并归纳成为数据表的参照数据。换言之，将使发光元件2的色度成为恒定的荧光体粒子8的浓度与荧光树脂9的涂覆量的关系作为参照表而预先存储在存储部3中。
在此，举出具体例子来说明参照表。表1表示参照表的一例。另外，在白色LED中，通过蓝色光与黄色光的混色来表现白色光。白色LED的色度的值在色度图上成为将蓝与黄连结的线段上的值，如果色度(X、Y)在色度图上的坐标的一方被决定，则另一方也被决定。因此，仅对色度的X坐标进行处理。此外，在表1中，作为浓度的单位而使用质量百分率，取代涂覆的荧光树脂9的量，而示出荧光树脂9的厚度。
【表1】
表1表示荧光树脂9的厚度(在表1中记为树脂的厚度)、荧光体粒子8的浓度、和发光元件2的色度之间的关系、即参照数据。在表1中，荧光树脂9的厚度为0.5mm的情况下，荧光体粒子8的浓度为4wt％、5wt％、6wt％时，发光元件2的色度分别为0.275、0.285、0.295。此外，荧光树脂9的厚度为0.6mm的情况下，荧光体粒子8的浓度为4wt％、5wt％、6wt％时，发光元件2的色度分别为0.285、0.295、0.305。此外，荧光树脂9的厚度为0.7mm的情况下，荧光体粒子8的浓度为4wt％、5wt％、6wt％时，发光元件2的色度分别为0.295、0.305、0.315。
接着，说明使用图1来对涂覆的荧光树脂9的量进行校正的方法。例如考虑如下情况：假设在从图3的气压分配器13开始涂覆的紧之后的时刻t1，在作为第1光源的LED芯片10上涂覆的荧光树脂9的厚度为0.6mm，荧光体粒子8的浓度为5wt％。在该时刻t1制造的发光元件2的色度从表1可知，是0.295。另一方面，在时刻t1之后1小时的时刻t2，受到沉降的影响，从图3的气压分配器13喷出的荧光体粒子8的浓度成为6wt％。在该时刻t2，与时刻t1同样，如果假设在作为第3光源的LED芯片10上涂覆的荧光树脂9的厚度为0.6mm，则该发光元件2的色度成为0.305。即，与1小时前制造的发光元件2相比，在色度上产生偏差。在此，在时刻t2以后，对从气压分配器13涂覆到作为第2光源的LED芯片10上的荧光树脂9的量进行调节，以使荧光树脂9的厚度成为0.5mm。这样，从表1可知，发光元件2的色度成为0.295，与1时间前制造的发光元件2为相同色度。
即，作为用来使发光元件2成为某特定色度X1的条件，有时将含有第1浓度的荧光体粒子8的第1量(第1涂覆量)的荧光树脂9涂覆到第1光源上。此外，作为成为与其相同色度X1的另一条件，有时将含有第2浓度的荧光体粒子8的第2量(第2涂覆量)的荧光树脂9涂覆到第2光源上。此外，在某时刻t1，从气压分配器13将含有第1浓度的荧光体粒子8的第1量的荧光树脂9涂覆到第1光源上。然后，在某时刻t2，由气压分配器13涂覆到第3光源上的荧光树脂9的荧光体粒子8的浓度变化为第2浓度。这种情况下，在时刻t2以后，涂覆到第2光源上的荧光树脂9的量不是第1量，而是第2量。由此，能够使在时刻t1制造的发光元件2的色度和在时刻t2以后制造的发光元件2的色度与第1色度一致。另外，第1浓度和第2浓度是不同的浓度，第1量和第2量是不同的量。
在此，为了进行说明，将代表性的值作为离散的数据在表1中示出。另一方面，发明者们发现，在成为特定色度的荧光体粒子8的浓度与荧光树脂9的厚度(涂覆的荧光树脂9的量)之间存在线性关系(1次函数的关系)。作为该线性关系的具体例，使用图4所示的曲线进行说明。
图4的纵轴表示荧光树脂9的厚度(mm)(在图4中记为树脂的厚度)，横轴表示荧光体粒子8的浓度(wt％)。此外，图4中的直线A表示发光元件2的色度为XA＝0.315的荧光树脂9的厚度与荧光体粒子8的浓度的关系，直线B表示发光元件2的色度为XB＝0.305的荧光树脂9的厚度与荧光体粒子8的浓度的关系。并且，直线C表示发光元件2的色度为XC＝0.295的荧光树脂9的厚度与荧光体粒子8的浓度的关系，直线D表示发光元件2的色度为XD＝0.285的荧光树脂9的厚度与荧光体粒子8的浓度的关系，直线E表示发光元件2的色度为XE＝0.275的荧光树脂9的厚度与荧光体粒子8的浓度的关系。
基于该图4所示的线性关系，能够将涂覆的荧光树脂9的量校正为，即使荧光体粒子8的浓度变化，发光元件2的色度也不变化。另外，荧光树脂9的厚度是由涂覆的荧光树脂9的量决定的值。即，作为参照数据，将荧光体粒子8的浓度、涂覆的荧光树脂9的量、及发光元件2的色度的关系与图4所示的函数建立关联，并预先存储到存储部3中。这样，为了使制造的发光元件2的色度成为恒定，从参照数据选择与荧光体粒子8的浓度相应的荧光树脂的涂覆量，能够对涂覆的荧光树脂9的量高精度地进行校正。
以上说明了使用参照数据对涂覆的荧光树脂9的量进行校正的方法。另外，为了制造恒定的色度的发光元件2，在图1的制造装置1中，涂覆装置5通过来自校正装置7的指令，决定涂覆的荧光树脂9的量。即，校正装置7与荧光体粒子8的浓度相对应地，对从涂覆装置5喷出的荧光树脂9的量进行校正。此外，参照数据存储在存储部3中，校正装置7基于存储在存储部3中的参照数据，对涂覆的荧光树脂9的量进行校正。
另外，涂覆的荧光树脂9的最大量是荧光树脂9不会从图2的封装件11溢出的量。这是因为，若在封装件11之外附着了荧光树脂9，则影响产品的外观。此外，涂覆的荧光树脂9的最小量是荧光树脂9的厚度成为LED芯片10的高度(在铅垂方向上距离封装件11的距离)的2倍的量。这是为了将LED芯片10密封。
接着，说明图1的荧光体粒子测量装置6，该荧光体粒子测量装置6用于测量荧光体粒子8的浓度。
荧光树脂9所含有的荧光体粒子8随着时间经过而沉降，从涂覆装置5喷出的荧光树脂9的荧光体粒子8的浓度经时地变化。荧光体粒子8的浓度的经时变化量由荧光体粒子8的比重与荧光树脂9的比重的关系、以及涂覆时的温度等的涂覆条件决定。因此，荧光体粒子8的浓度经时变化量能够事先预测。但是，荧光体粒子8的浓度并不恒定按照予测的变化量那样变化。因此，仅基于予测的变化量来对涂覆的荧光树脂9的量进行校正，无法批量生产无色度偏差的发光元件2。
在此，图1的制造装置1具备荧光体粒子测量装置6，该荧光体粒子测量装置6用于测量从作为涂覆装置的气压分配器13涂覆的荧光体粒子8的浓度。基于由荧光体粒子测量装置6测量的荧光体粒子8的浓度，校正装置7参照存储部3的参照数据，从而使涂覆装置5涂覆校正后的量的荧光树脂9。
但是，还取决于涂覆条件，由于沉降而荧光体粒子8的浓度出现变化需要数十分钟至数小时左右。在此期间，荧光体粒子测量装置6不需要始终进行动作，所以每隔预先设定的规定时间对荧光体粒子8的浓度进行测量即可。
在此，说明规定时间的设定方法。例如，设合格品的发光元件2所要求的色度的范围为0.285～0.305。而且，假设在某时刻t1，荧光体粒子8的浓度为4wt％，涂覆荧光树脂9的厚度成为0.6mm的量的荧光树脂9。而且，这种情况下制造的发光元件2的色度从表1可知，是0.285。此外，假设在1小时后的时刻t2，荧光体粒子8的浓度成为6wt％。这种情况下，将规定时间作为1小时，每小时测量1次荧光体粒子8的浓度即可。从表1可知，在荧光体粒子8的浓度为6wt％、荧光树脂的厚度为0.6mm的情况下制造的发光元件2的色度成为0.305。即，即使持续1小时涂覆相同量的荧光树脂9，制造的发光元件2的色度也在合格品的范围内。但是，为了不制造不合格品而考虑安全，优选为将规定时间作为30分钟，每30分钟进行1次荧光体粒子8的浓度的测量，并对涂覆的荧光树脂9的量进行校正。即，规定时间是基于发光元件2作为合格品所要求的色度的范围和荧光体粒子8的浓度的变化速度而预先设定的。此外，对规定时间做其他定义，即使荧光体粒子8的浓度变化，制造的发光元件2的色度也不脱离合格品的范围，而能够持续涂覆相同量的荧光树脂9的时间。每隔这样的作为规定时间而预先设定的时间间隔，荧光体粒子测量装置6对荧光体粒子8的浓度进行测量。另外，该规定时间存储在存储部3中。
在此，使用图5说明荧光体粒子测量装置6的具体构成。
图5的荧光体粒子测量装置6具备：光干涉断层计17，取得涂覆在LED芯片10上的荧光树脂9的内部构造的信息；以及第1荧光体粒子浓度计算装置18(第1浓度计算装置)，基于取得的内部构造的信息，计算荧光体粒子8的浓度。
光干涉断层计17使用光干涉断层法(OCT：Optical CoherenceTomography)的技术。该光干涉断层计17经由多角镜或检流计反射镜等(以下称为扫描机构)而照射测量光，将涂覆在LED芯片10上的荧光树脂9的内部构造作为三维的断层图像来取得。另外，取得三维的断层图像的方法如下所述。首先，在使用扫描机构的荧光树脂9内的各扫描位置，将由光干涉断层计17取得的内部构造的信息(内部构造信息)与该扫描位置的信息(位置信息)一起存储到存储器19中。接着，断层图像取得装置20按照该位置信息，将存储的内部构造信息再排列，从而取得三维的断层图像。另外，从光干涉断层计17照射的测量光被荧光树脂9、荧光体粒子8、及封装件11反射，所以在取得的三维的断层图像中，根据由它们反射的反射光而得到的信息作为内部构造的信息而包含。在此，可以将光干涉断层计17、存储器19、断层图像取得装置20一起作为光干涉断层计。
接着，说明荧光体粒子测量装置6的荧光体粒子8的浓度的测量方法。
第1荧光体粒子浓度计算装置18对于取得的三维的断层图像，通过除噪和2值化，检测荧光树脂9的表面的位置、荧光体粒子8的位置、及封装件11的形状。接着，第1荧光体粒子浓度计算装置18基于检测到的信息，进行涂覆的荧光树脂9的体积的计算、及荧光体粒子8的数量的计数。基于荧光树脂9的体积和荧光体粒子8的数量，如(数学式1)那样，将荧光体粒子8的数量N除以涂覆的荧光树脂9的体积V，由此计算每单位体积的荧光体粒子的个数浓度。
【数学式1】
C = N V   (数1)
这样，通过荧光体粒子测量机构，求出荧光体粒子8的浓度。另外，也可以不同于通过(数1)计算的个数浓度，而基于荧光体粒子8的平均质量和荧光树脂9的每单位体积的质量，求出荧光体粒子的质量百分比浓度。
在此，来自荧光体粒子8的反射光的信号成为高斯函数，所以进行2值化及脉冲化之后，再对其进行计数，从而取得荧光体粒子8的数量。另外，也可以是，利用来自荧光体粒子8的反射光的光强度的总和与浓度成正比这一情况，预先将浓度和反射光的光强度的关系作为表而准备，基于准备的表和检测到的反射光的光强度，计算荧光体粒子8的浓度。
另外，优选为光干涉断层计17所使用的测量光不被荧光树脂9吸收，并且是不使荧光体粒子8激励的波长。这是因为，若测量光的波长将荧光体粒子8激励，则检测内部构造的精度下降。具体地说，优选使用500nm以上的波长的测量光。
此外，荧光体粒子8的大小为10～20μm左右，所以优选为将光干涉断层计17的分辨率设为10μm以下。
另外，在光干涉计断层计17中，使用使照射的测量光的波长连续地变化、从而取得断层图像的Swept Source OCT(SS-OCT：波长扫描型光干涉断层法)的技术。或者，在光干涉计断层计17中，也可以使用同时照射多个波长的测量光、将来自被测物的反射光分光而取得断层图像的SpectralDomain OCT(SD-OCT：频谱域型光干涉断层法)的技术。
在以上说明的图1的制造装置1中，表示制造图2的发光元件2时的动作的流程图在图6中示出。使用图1、图2说明图6的流程图。
在步骤S1中，从涂覆装置5喷出含有荧光体粒子8的荧光树脂9，在LED芯片10上开始涂覆(第1涂覆工序)。这时，将涂覆的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度作为第1浓度，将涂覆的荧光树脂9的量作为第1量。并且，将荧光体粒子8的浓度为第1浓度的荧光树脂9设为第1量、将在LED芯片10上涂覆而制造的发光元件2的色度设为第1色度。
在步骤S2中，判断从开始荧光树脂9的涂覆起经过的时间是否为存储在存储部3中的规定时间(预先设定的时间)。经过的时间是规定时间的情况(步骤S2：是)，进入步骤S3，经过的时间不是规定时间的情况下(步骤S2的：否)，继续荧光树脂9的涂覆，直到经过的时间成为规定时间。
在步骤S3中，通过荧光体粒子测量装置6测量从涂覆装置5喷出的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度(荧光体粒子测量工序)。具体地说，通过进行断层图像取得工序和第1荧光体粒子浓度计算工序，测量荧光体粒子8的浓度，在上述断层图像取得工序中，取得基于来自图5的光干涉断层计17的信息而涂覆的荧光树脂9的断层图像，在上述第1荧光体粒子浓度计算工序中，根据取得的断层图像，计算荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度。
在步骤S4中，涂覆与在步骤S3中测量的荧光体粒子8的浓度对应的量的荧光树脂9。例如，设在步骤S3中测量的荧光体粒子8的浓度为第2浓度，为了制造第1色度的发光元件2，需要涂覆第2量的含有第2浓度的荧光体粒子8的荧光树脂9。这种情况下，为了在涂覆装置5上涂覆第2量的荧光树脂9，校正装置7进行涂覆量的校正指令。即，由涂覆装置5对LED芯片10进行第2量的荧光树脂9的涂覆。另外，荧光体粒子8的浓度、荧光树脂9的量、发光元件2的色度的关系作为参照表存储在存储部3中。基于该参照数据，校正装置7决定使制造的发光元件2的色度成为恒定的量的涂覆量，并使涂覆装置5以成为决定的涂覆量的方式涂覆荧光树脂9。
在步骤S5中，判定是否对全部LED芯片10结束了涂覆，已结束的情况下(步骤S5：是)，将动作结束，未结束的情况下(步骤S5：否)，返回步骤S2。
以上，通过步骤S1～步骤S5，能够抑制色度偏差的产生而制造发光元件2。
另外，在上述步骤S5之后，施加热而使荧光树脂9固化，并通过荧光树脂9将LED芯片10密封，由此进行发光元件2的制造。
另外，如图11所示，在涂覆装置5中具备控制装置5a。通过来自该控制装置5a的控制，决定由涂覆装置5涂覆的荧光树脂9的量。具体地说，在图6的步骤S1中，通过图11的控制装置5a的控制，涂覆装置5涂覆第1量的荧光树脂9。此外，在图6的步骤S4中，来自图1的校正装置7的校正指令被施加给图11的控制装置5a，控制装置5a按照该指令，使涂覆装置5涂覆第2量的荧光树脂9。
另外，在此，作为荧光体粒子测量装置6而使用了光干涉断层计17，但是也可以使用其他机构。
在此，说明荧光体粒子测量装置6的其他机构。在该其他机构(称为透过光检测机构)中，利用荧光体粒子8对蓝色光的衰减程度(吸光度)与荧光体粒子8的浓度成正比这一情况，对荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度进行测量。
图7表示该透过光检测机构的构成。该透过光检测机构具备：光源21，是照射包含蓝色光(波长400nm以上500nm以下)的测量光的放射光源；准直透镜22，使来自光源21的测量光成为平行光；带23，是具有凹部的透明部件，平行光入射到该凹部中；以及分光器24，入射透过了凹部的透过光，并且将入射的透过光按照每个波长分光并进行测量。此外，在带23的凹部中涂覆荧光树脂9，来自光源21的测量光透过涂覆有荧光树脂9的带23的凹部，并入射到分光器24中。此外，透过光检测机构具备第2荧光体粒子浓度计算装置25(第2浓度计算装置)，基于来自分光器24的输出，计算荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度。从光源21照射的测量光使用使荧光体粒子8激励的波长的光。这时，将入射至荧光树脂9的测量光作为入射光，将透过凹部的测量光作为透过光。
接着，说明由透过光检测机构计算荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度的原理。
首先，图8表示根据由作为测量器的分光器24测量的透过光而计算的分光光谱。在图8中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示光强度。此外，在图8中，以虚线表示入射光的分光光谱，以实线表示透过光的分光光谱。
如图8所示，在入射光和透过光之间，分光光谱发生变化。该分光光谱的变化是由于荧光体粒子8而产生的。具体地说，由于蓝色光被荧光体粒子8吸收，其光强度衰减，从通过吸收蓝色光而激励的荧光体粒子8发出黄色光(波长500nm以上700nm以下)，因此其光强度增大。
基于该分光光谱的变化，计算荧光体粒子8的浓度。在此，使用蓝色光的吸光度来进行说明。
根据Lamvert―Beer法则，入射至荧光树脂9的测量光的吸光度A如(数学式2)所示，与荧光体粒子浓度C和荧光树脂9内的测量光的光路长度l成正比。
【数学式2】
A = - log ( I 1 I 0 ) = ϵCl   (数2)
在上述(数学式2)中，Io是入射光的光强度，Il是透过光的光强度，ε是摩尔吸光系数。在此，ε是物质固有的值，所以这些值能够预先测量。此外，作为荧光树脂9的厚度，使用激光和图像处理等来测量光路长度l。此外，I0是通过测量来自光源21的入射光的光强度而得到的，I1使用由分光器24检测的透过光的光强度。由此，能够测量荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度。
另外，在透过光检测机构中，通过检测黄色光的光强度，也能够计算与该光强度成正比的荧光体粒子8的浓度。
此外，在透过光检测机构中，使用透过了荧光树脂9的光，因此不能在具有图2的封装件11的发光元件2上涂覆荧光树脂，而需要另外向透明的部件(图7的带23之外，玻璃或薄膜等)涂覆荧光树脂9。此外，如(数学式2)所示，在计算荧光体粒子8的浓度时，使用荧光树脂9的厚度。因此，优选为荧光树脂9的厚度为恒定的厚度。在此，在带23的凹部中涂覆荧光树脂9之后，从该荧光树脂9的上方载置透明的部件，从而使荧光树脂9的厚度成为恒定。即，由透明的部件夹持涂覆的荧光树脂9。作为透明的部件，优选具有平面性的玻璃。另外，透明是指可见光(400～700nm)的光透过率为80％以上。
此外，若涂覆的荧光树脂9的厚度变大，则透过光的检测精度降低，所以优选为对涂覆量进行调节，以使荧光树脂9的厚度成为1mm以下。
另外，通过透过光检测机构计算荧光体粒子8的浓度的步骤是图6所示的流程图中的步骤S3。
在此，使用图1和图7详细说明步骤S3中的透过光检测机构的动作。
首先，将从图1的涂覆装置5喷出的荧光树脂9涂覆到作为透明部件的带23上(部件涂覆工序)。接着，对于涂覆在带23上的荧光树脂9，从光源21照射使荧光体粒子8激励的波长的测量光(照射工序)。接着，由作为测量器的分光器24测量透过了该荧光树脂9的测量光(透过光)的光强度(测量工序)。最后，基于测量的透过光的光强度，由第2荧光体粒子浓度计算装置25计算该荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度(第2荧光体粒子浓度计算工序)。
另外，由于透过光检测机构基于实际的发光来计算荧光体粒子8的浓度，所以与使用光干涉断层计17的情况相比，能够更高精度地计算荧光体粒子8的浓度。另一方面，使用光干涉断层计17的情况下，不需要像透过光检测机构那样，另外在透明部件上涂覆荧光树脂9，所以能够高速地测量荧光体粒子8的浓度。
另外，若例如在空中测量从涂覆装置5喷出的荧光树脂9所含有的荧光体粒子8的浓度，则无需使用带23等透明部件。但是，使用带23等能够高精度地测量浓度。
如以上说明，通过制造装置1能够防止制造的发光元件的色度产生偏差。
另外，本发明不限于上述实施方式。例如，将本说明书中记载的构成要素任意组合、或将若干构成要素除去而实现的其他实施方式也可以作为本发明的实施方式。此外，在不脱离本发明的主旨、即权利要求所记载的范围内，对上述实施方式实施本领域技术人员能够想到的各种变更而得到的变形例也包含在本发明中。
例如，在上述实施方式中，校正装置7基于存储在存储部3中的表1的信息来向涂覆装置5指示涂覆量，但不限于此，也可以是，存储部3预先存储图4所示的线性的函数，校正装置7基于该函数来向涂覆装置5指示荧光树脂9的涂覆量。
工业实用性
本发明除了LED之外，还能够应用于例如等离子显示器等通过涂覆荧光体而制造的器件。
符号说明
1  制造装置
2  发光元件
3  存储部
5  涂覆装置
6  荧光体粒子测量装置
7  校正装置
8  荧光体粒子
9  荧光树脂
10 LED芯片
17 光干涉断层计
18 第1荧光体粒子浓度计算装置
20 断层图像取得装置
21 光源
23 带
25 第2荧光体粒子浓度计算装置

Claims (8)

1.一种发光元件的制造方法，将从涂覆装置喷出的荧光树脂涂覆到发光源上，从而制造发光元件，所述涂覆装置贮存含有荧光体粒子的所述荧光树脂，
测量从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂中含有的所述荧光体粒子的浓度即第1浓度，
使用表示使所述发光元件的色度成为恒定的所述荧光体粒子的浓度和所述荧光树脂的涂覆量的关系的参照数据，基于该参照数据和测量的所述第1浓度来决定涂覆量，并将决定的涂覆量的所述荧光树脂涂覆到所述发光源上。
2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在测量所述第1浓度时，使用光干涉断层计来取得从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂的断层图像，并基于所述断层图像计算所述第1浓度。
3.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在测量所述第1浓度时，
将从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂涂覆到透明部件上，
对涂覆在所述透明部件上的所述荧光树脂照射使所述荧光体粒子激励的波长的测量光，
测量透过了涂覆在所述透明部件上的所述荧光树脂的所述测量光的光强度，
基于测量的所述测量光的光强度，计算所述第1浓度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的发光元件的制造方法，
以预先设定的时间间隔来测量所述第1浓度。
5.一种发光元件的制造装置，将从涂覆装置喷出的荧光树脂涂覆到发光源上，从而制造发光元件，所述涂覆装置贮存含有荧光体粒子的所述荧光树脂，该发光元件的制造装置具备：
控制装置，控制从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂的涂覆量；
荧光体粒子测量装置，测量从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂所含有的所述荧光体粒子的浓度即第1浓度；
存储部，预先存储表示使所述发光元件的色度成为恒定的所述荧光体粒子的浓度和所述荧光树脂的涂覆量的关系的参照数据；以及
校正装置，基于所述第1浓度和所述参照数据，决定所述荧光树脂向所述发光源的涂覆量，并向所述控制装置指示该涂覆量。
6.如权利要求5所述的发光元件的制造装置，
所述荧光体粒子测量装置具备：
光干涉断层计，取得从所述涂覆装置喷出的所述荧光树脂的断层图像；以及
第1浓度计算装置，基于所述断层图像，计算所述第1浓度。
7.如权利要求5所述的发光元件的制造装置，
所述荧光体粒子测量装置具备：
测量光源，对从所述涂覆装置喷出并涂覆到透明部件上的所述荧光树脂，照射使所述荧光体粒子激励的波长的测量光；
测量器，测量透过了涂覆在所述透明部件上的所述荧光树脂的所述测量光的光强度；以及
第2浓度计算装置，基于测量的所述测量光的光强度，计算所述第1浓度。
8.如权利要求5～7中任一项所述的发光元件的制造装置，
所述荧光体粒子测量装置以预先设定的时间间隔测量所述第1浓度。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201306337A (zh) * 2011-04-08 2013-02-01 Sonavation Inc 用於在壓電陣列上沈積材料之系統及方法
CN103143484B (zh) * 2013-02-07 2016-03-02 华南理工大学 一种荧光粉涂覆厚度的控制方法
KR101474376B1 (ko) * 2013-11-28 2014-12-18 주식회사 말콤 온도표시기능을 구비하는 led패키지용 시린지 및 이를 이용하는 led패키지 제조방법
TW201528558A (zh) * 2014-01-02 2015-07-16 Lextar Electronics Corp 螢光膠體預檢方法及應用其之發光二極體封裝方法
US10508801B2 (en) * 2016-01-22 2019-12-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wavelength conversion member and light-emitting device
CN107812674A (zh) * 2017-12-07 2018-03-20 沈阳理工大学 一种汽车配件涂胶量自动控制装置及控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806949B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Monitoring material buildup on system components by optical emission
EP1972926A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-24 Danmarks Tekniske Universitet Assessment of parameters by optical measurement
CN101995399A (zh) * 2009-08-19 2011-03-30 株式会社岛津制作所 荧光检测器

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4979824A (en) * 1989-05-26 1990-12-25 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University High sensitivity fluorescent single particle and single molecule detection apparatus and method
US5464986A (en) * 1994-02-08 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorescent spectral differential measurement of a substrate coating
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子用蒸発源、この有機ｅｌ素子用蒸発源を用いた有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法
JP3428931B2 (ja) * 1998-09-09 2003-07-22 キヤノン株式会社 フラットパネルディスプレイの解体処理方法
US6579563B1 (en) 2000-10-27 2003-06-17 Nordson Corporation Fluid dispenser with fluid weight monitor
AU2003287735A1 (en) * 2002-11-12 2004-06-03 Argose, Inc. Non-invasive measurement of analytes
DE10252837B4 (de) * 2002-11-13 2005-03-24 Carl Zeiss Untersuchungssystem und Untersuchungsverfahren
JP3993553B2 (ja) * 2003-10-15 2007-10-17 独立行政法人科学技術振興機構 ３次元分析装置
JP2005353649A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその製造方法
US7966051B2 (en) * 2005-01-11 2011-06-21 Olympus Corporation Fluorescent agent concentration measuring apparatus, dose control apparatus, administration system, fluorescent agent concentration measuring method, and dose control method
JP3978451B2 (ja) 2005-07-27 2007-09-19 京セラ株式会社 発光装置
JP2007179880A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Seiko Epson Corp 成膜装置
WO2007143047A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-13 Ecolab Inc. Uv fluorometric sensor and method for using the same
JP2009010013A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Toppan Printing Co Ltd 白色光源
US8038497B2 (en) * 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
KR101284376B1 (ko) * 2009-01-27 2013-07-09 파나소닉 주식회사 반도체 칩의 실장 방법, 그 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 및 반도체 칩의 접속 방법, 및, 표면에 배선이 설치된 입체 구조물 및 그 제법
KR101059232B1 (ko) * 2009-07-17 2011-08-24 금오공과대학교 산학협력단 Ｌｅｄ 형광체 밀도측정장치 및 방법
KR101510151B1 (ko) 2009-12-18 2015-04-10 삼성전자주식회사 발광소자의 광특성 보정 장치 및 그 방법
US8679865B2 (en) 2009-08-28 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package
US7998526B2 (en) * 2009-12-01 2011-08-16 Bridgelux, Inc. Method and system for dynamic in-situ phosphor mixing and jetting
US8373140B2 (en) * 2010-03-31 2013-02-12 Ecolab Usa Inc. Fluorometric sensor
KR101197229B1 (ko) * 2011-01-26 2012-11-02 주식회사 프로텍 Ｌｅｄ 소자 제조 방법 및 ｌｅｄ 소자 제조 장치
US9219014B2 (en) * 2011-05-24 2015-12-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting elements, and manufacturing apparatus of light emitting elements
JP5413404B2 (ja) * 2011-05-30 2014-02-12 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806949B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Monitoring material buildup on system components by optical emission
EP1972926A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-24 Danmarks Tekniske Universitet Assessment of parameters by optical measurement
CN101995399A (zh) * 2009-08-19 2011-03-30 株式会社岛津制作所 荧光检测器

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