JP6304952B2 - 液晶ディスプレイパネル及びその製造方法、並びに液晶表示装置 - Google Patents
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Description
表面に凸部が配置されたカラーフィルタ基板を形成するステップと、
表面に反射層が配置されたアレイ基板を形成するステップと、
カラーフィルタ基板とアレイ基板をセル化し、前記凸部と前記反射層を対向して配置し、前記凸部の高さをセルギャップの1/2にするステップと、を備える。
カラーフィルタベースにブラックマトリックスパターンを形成するステップと、
前記ブラックマトリックスパターンにカラーフィルタ層を形成するステップと、
前記カラーフィルタ層に樹脂層を堆積し、パターンニング工程によって凸部を形成するステップと、を備えてもよい。
パターンニング工程により、アレイベースに在共通電極及びゲート電極を含むパターンと、第1の絶縁層と、パッシベーション層とを順に形成するステップと、
パターンニング工程により、前記パッシベーション層にデータライン及びソースドレイン電極を含むパターンと、第2の絶縁層とを形成するステップと、
パターンニング工程により、前記第2の絶縁層に反射層を形成するステップと、を備えてもよい。
前記第2の絶縁層に導通孔を形成するステップと、
前記反射層に、前記導通孔を介して前記ゲート電極に接続する電極層を形成するステップと、を更に備えてもよい。
本発明の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、次は実施例の図面を簡単に紹介する。明らかに以下に説明する図面は、本発明の一部の実施例だけにかかり、本発明に対する制限ではない。
実施例1
実施例2
表面に凸部が配置されたカラーフィルタ基板を形成するステップ10と、
表面に反射層が配置されたアレイ基板を形成するステップ20と、
カラーフィルタ基板とアレイ基板をセル化し、前記凸部と前記反射層を対向して配置し、前記凸部の高さをカラーフィルタ基板及びアレイ基板によるセルギャップの1/2にするステップ30と、を備える。
例えば、ブラックマトリックス12を形成した後、カラーフィルタベース11に分散法によって顔料を塗布し、塗布機で顔料と樹脂を均一にカラーフィルタベースに塗布する。そして、塗布物を乾燥させて膜を形成し、フォトリソグラフィ工程でドットマトリックスパターンを形成する。最後、アレイ状に配列されたカラーフィルタ層13を形成する。図4bに示すように、カラーフィルタ層13はカラーフィルタベースの液晶層に向かう表面に位置する。
例えば、ブラックマトリックス12とカラーフィルタ層13を形成した後、カラーフィルタベース11に樹脂材料を塗布し、マスクによって樹脂層を露光・現像し、露光領域の樹脂層を硬化する。そして、図4cに示すように、露光されていない領域の樹脂層を除去し、凸部14を形成する。塗布される樹脂の厚さは液晶層の厚さの1/2であり、使用される樹脂材料として、例えばポリマー有機樹脂であってよい。
例えば、図5aに示すように、まず、気相蒸着法により、アレイベース21の液晶層に向かう表面に共通電極及びゲート電極の金属層を堆積する。該金属層の表面にフォトレジストを塗布し、マスクで露光・現像処理を行い、共通電極及びゲート電極を形成する必要がない部分のフォトレジストを除去する。そして、ドライエッチング法又はウェットエッチング法によって、フォトレジストに被覆されていない金属層を除去する。最後、その他の部分のフォトレジストを剥離し、共通電極(図示せず)及びゲート電極22のパターンを形成する。
例えば、図5cに示すように、マグネトロンスパッタリング法により、高真空の条件で、パッシベーション層24の液晶層に向かう表面にソースドレイン金属層を堆積した後、フォトレジストを塗布し、マスクで露光・現像処理を行い、データライン及びソースドレイン電極を形成する必要がない部分のフォトレジストを除去する。そして、エッチング工程により、フォトレジストに被覆されていないパッシベーション層を除去する。最後、その他の部分のフォトレジストを剥離し、データライン(図示せず)およびソースドレイン電極25を形成する。
例えば、図5eに示すように、マグネトロンスパッタリング法により、高真空の条件で第2の絶縁層26の液晶層に向かう表面に金属層(例えば、アルミニウム層)を堆積し、フォトレジストを金属アルミニウム層に塗布し、マスクで露光・現像処理を行い、反射層を形成する必要がない部分のフォトレジストを除去する。そして、エッチング工程により、フォトレジストに被覆されていない金属アルミニウム層を除去する。最後、その他の部分のフォトレジストを剥離し、反射層31を形成する。反射層31に使用される材料として、例えば金属アルミニウムであり、反射層31はステップ103で形成された凸部14と対向して配置されている。
前記第2の絶縁層に導通孔を形成し、反射層に電極層を形成し、導通孔を介して電極層をゲート電極に接続するステップ204を更に備えてもよい。
実施例3
11 カラーフィルタベース
12 ブラックマトリックス
13 カラーフィルタ層
14 凸部
15 ITO電極
16 柱状スペーサ
17 補償膜
18 λ/4波シート
19 上偏光シート
20 アレイ基板
21 アレイベース
22 ゲート電極
23 第1絶縁層
24 パッシベーション層
25 ソースドレイン層
26 第2絶縁層
27 第1配向膜層
28 第2配向膜層
29 下偏光シート
30 液晶層
31 反射層
Claims (13)
- 液晶ディスプレイパネルであって、カラーフィルタ基板と、アレイ基板と、カラーフィルタ基板とアレイ基板との間に配置された液晶層とを備え、
前記カラーフィルタ基板が、カラーフィルタベース、カラーフィルタ層、およびブラックマトリックスを備え、
前記カラーフィルタ基板の前記液晶層に向かう表面に凸部が配置され、前記凸部の高さは液晶層の厚さの1/2であり、前記アレイ基板の前記液晶層に向かう表面に反射層が配置され、且つ前記凸部と前記反射層は対向して配置され、
前記凸部の前記アレイ基板に向かう表面に第1電極層が配置され、
前記アレイ基板上に薄膜トランジスタが設けられ、前記薄膜トランジスタの前記カラーフィルタ基板に向かう表面に絶縁層が設けられ、
前記カラーフィルタ基板と前記アレイ基板との間に柱状スペーサが配置され、前記柱状スペーサの一端が前記第1電極層に当接し、前記柱状スペーサの他端が前記薄膜トランジスタ上の絶縁層に当接し、
前記ブラックマトリックス、前記カラーフィルタ層、前記凸部、および前記柱状スペーサが、前記カラーフィルタベースに垂直な方向に、互いに少なくとも部分的に重なり合うことを特徴とする液晶ディスプレイパネル。 - 前記反射層の液晶層に向かう表面に順に配置された第2の電極層と、第2の配向膜層とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記反射層は金属層であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記金属層はアルミニウム層であることを特徴とする請求項3に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記反射層は前記アレイ基板の一部の表面を被覆することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記液晶層における液晶はネガティブ液晶であり、前記ネガティブ液晶の電子吸引基は液晶分子の短軸方向にあることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記ネガティブ液晶はフルオロ誘導体であり、前記フルオロ誘導体の分子構造に剛性基構造が含まれていることを特徴とする請求項6に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 前記凸部は平坦面を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の液晶ディスプレイパネル。
- 液晶表示装置であって、請求項1〜8のいずれか1項に記載の液晶ディスプレイパネルを備えることを特徴とする液晶表示装置。
- 液晶表示装置の製造方法であって、
表面に凸部が配置されたカラーフィルタ基板を形成するステップと、
表面に反射層が配置されたアレイ基板を形成するステップと、
カラーフィルタ基板とアレイ基板をセル化し、前記凸部と前記反射層を対向して配置し、前記凸部の高さをセルギャップの1/2にするステップと、
を備え、
表面に凸部が形成されたカラーフィルタ基板を形成するステップは、
カラーフィルタベースにブラックマトリックスパターンを形成するステップと、
前記ブラックマトリックスパターンにカラーフィルタ層を形成するステップと、を備え、
前記凸部の前記アレイ基板に向かう表面に第1電極層が形成され、
前記アレイ基板上に薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの前記カラーフィルタ基板に向かう表面に絶縁層が形成され、
前記カラーフィルタ基板と前記アレイ基板との間に柱状スペーサが形成され、セル化の後に前記柱状スペーサの一端が第1電極層に当接し、前記柱状スペーサの他端が前記薄膜トランジスタ上の絶縁層に当接し、
前記ブラックマトリックス、前記カラーフィルタ層、前記凸部、および前記柱状スペーサが、前記カラーフィルタベースに垂直な方向に、互いに少なくとも部分的に重なり合うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 表面に凸部が形成されたカラーフィルタ基板を形成するステップは、
前記カラーフィルタ層に樹脂層を堆積し、パターンニング工程によって凸部を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 表面に反射層が配置されたアレイ基板を形成するステップは、
パターンニング工程により、アレイベースに、前記薄膜トランジスタの共通電極及びゲート電極を含むパターンと、第1の絶縁層と、パッシベーション層とを順に形成するステップと、
パターンニング工程により、前記薄膜トランジスタに、前記薄膜トランジスタのデータライン及びソースドレイン電極を含むパターンと、絶縁層としての第2の絶縁層とを形成するステップと、
パターンニング工程により、前記第2の絶縁層に反射層を形成するステップと、を備えることを特徴とする請求項10または11に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁層に導通孔を形成するステップと、
前記反射層に、前記導通孔を介して前記ソースドレイン電極に接続する電極層を形成するステップと、を更に備えることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。
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