CN114253024B - 彩膜基板的制备方法及液晶显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法及液晶显示面板的制备方法。本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法，首先在衬底基板的背面形成透光导电层，以形成抗静电效果，之后在透光导电层的表面形成保护层以对透光导电层进行保护，最后在衬底基板的正面形成彩色滤光膜层之后，去除保护层，以避免保护层影响彩膜基板的透光效果。该制备方法制得的彩膜基板不仅具有抗外界电场的功能，而且各区域的透光效果均匀，该彩膜基板应用于液晶显示面板中时可以改善液晶显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种彩膜基板的制备方法及液晶显示面板的制备方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已被应用于生产生活的各个方面。
液晶显示器通常为背光型液晶显示器，其包括相对设置的液晶显示面板和背光模块。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板(即对盒的彩膜基板(CF基板)和阵列基板(TFT基板))当中放置液晶分子，两片玻璃基板通过向液晶分子通电与否来控制液晶分子改变方向，从而将背光模组的光线折射出来产生影像。
面内转换(In-Plane Switching，IPS)型液晶显示面板和水平电场反转(Horizontal Field Switching，HFS)型液晶显示面板由于只在TFT基板一侧设有电极，CF基板一侧未设电极，导致盒内液晶容易受外界电场的影响发生扰动，导致液晶排列异常，为了防止外界静电影响盒内液晶排列，HFS型液晶显示面板和IPS型液晶显示面板需要在CF基板的背面镀设透光导电层，通过透光导电层将外界静电导出。
然而，当CF基板的背面镀设透光导电层后，通常会对其进行翻转并进行多道工艺，在各工艺过程中CF基板需要被传送，传送过程中透光导电层的表面容易出现被刮伤的情况，由于被刮伤区域的透光性能与其它区域的透光性能不同，从而导致透光导电层的透光均匀性较差，进而影响液晶显示面板的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法及液晶显示面板的制备方法，在彩膜基板的制备过程中采用保护层对透光导电层进行保护，可以避免透光导电层被刮伤导致其透光均匀性较差的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有相对设置的正面和背面，在所述衬底基板的背面形成透光导电层；
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层；
在所述衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，得到第一基板；
去除所述第一基板表面的所述保护层，得到彩膜基板。
示例性地，所述保护层的材料为光阻。
示例性地，所述在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层包括：
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧施加包含溶剂的光阻材料，形成光阻层；
对所述光阻层进行干燥处理，以去除所述光阻层中的所述溶剂；
对所述光阻层进行预烘；
对所述光阻层进行固烤，得到所述保护层。
示例性地，采用真空干燥的方式对所述光阻层进行干燥处理。
示例性地，对所述光阻层进行预烘的工艺条件包括：烘烤温度为100℃～150℃，烘烤时间为1分钟～5分钟。
示例性地，对所述光阻层进行固烤的工艺条件包括：烘烤温度为200℃～250℃，烘烤时间为20分钟～40分钟。
示例性地，所述去除所述第一基板表面的所述保护层包括：将所述第一基板浸泡于蚀刻液中，以蚀刻掉所述保护层。
示例性地，所述透光导电层的材料包括透光导电金属氧化物和石墨烯中的至少一种。
第二方面，本申请实施例提供一种液晶显示面板的制备方法，包括：
按照如上所述的彩膜基板的制备方法制得彩膜基板；
获取阵列基板和液晶材料；
将所述彩膜基板和所述阵列基板组合，并且在所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置所述液晶材料，得到液晶显示面板。
第三方面，本申请实施例提供一种液晶显示面板的制备方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有相对设置的正面和背面，在所述衬底基板的背面形成透光导电层；
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层；
在所述衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，得到彩膜基板；
获取阵列基板和液晶材料；
将所述彩膜基板和所述阵列基板组合，并且在所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置所述液晶材料，得到液晶盒；
去除所述液晶盒表面的所述保护层，得到液晶显示面板。
本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法，首先在衬底基板的背面形成透光导电层，以形成抗静电效果，之后在透光导电层的表面形成保护层以对透光导电层进行保护，最后在衬底基板的正面形成彩色滤光膜层之后，去除保护层，以避免保护层影响彩膜基板的透光效果。该制备方法制得的彩膜基板不仅具有抗外界电场的功能，而且各区域的透光效果均匀，该彩膜基板应用于液晶显示面板中时可以改善液晶显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的制备透光导电层的示意图。
图3为本申请实施例提供的制备保护层的示意图。
图4为本申请实施例提供的制备彩色滤光膜层的示意图。
图5为本申请实施例提供的去除保护层的示意图暨本申请实施例提供的彩膜基板的第一种结构示意图。
图6为本申请实施例提供的液晶显示面板的制备方法的第一种流程图。
图7为本申请实施例制备的液晶显示面板的结构示意图。
图8为本申请实施例提供的液晶显示面板的制备方法的第二种流程图。
图9为本申请实施例提供的彩膜基板的第二种结构示意图。
图10为本申请实施例制备的液晶盒的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法的流程图。本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法，包括：
110，提供衬底基板，衬底基板具有相对设置的正面和背面，在衬底基板的背面形成透光导电层。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的制备透光导电层的示意图。衬底基板11的正面指的是衬底基板11上用于形成彩色滤光膜层14的一面，背面指的是后续制得的彩膜基板10的出光面。可以理解的是，通过在衬底基板11上制备透光导电层12，当后续制得的彩膜基板10应用于液晶显示面板100中时，透光导电层12可以起到防止静电干扰，防止外界电场干扰液晶材料30排列的作用。
示例性地，透光导电层12的材料可以为透光导电金属氧化物或石墨烯等透光导电材料。
示例性地，透光导电金属氧化物可以为氧化铟锡(ITO)。
示例性地，透光导电层12的透光率可以为50％以上，例如50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％、100％等。
示例性地，衬底基板11可以为玻璃基板。
120，在透光导电层远离衬底基板的一侧设置保护层。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的制备保护层的示意图。保护层13的材料为光阻，例如正型光阻或负型光阻。
“在透光导电层远离衬底基板的一侧设置保护层”具体可以包括：
在透光导电层12远离衬底基板11的一侧施加包含溶剂的光阻材料，形成光阻层；
对光阻层进行干燥处理，以去除光阻层中的溶剂；
对光阻层进行预烘；
对光阻层进行固烤，得到保护层13。
示例性地，采用真空干燥的方式对光阻层进行干燥处理。
示例性地，真空干燥的工艺条件包括：真空度为0～0.1MPa(例如0、0.01MPa、0.03MPa、0.05MPa、0.07MPa、0.09MPa、0.1MPa)，抽真空时间为20分钟～120分钟(例如20分钟、40分钟、60分钟、80分钟、100分钟、120分钟等)。
示例性地，对光阻层进行预烘的工艺条件包括：烘烤温度为100℃～150℃(例如100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃等)，烘烤时间为1分钟～5分钟(例如1分钟、2分钟、3分钟、4分钟、5分钟等)。
示例性地，对光阻层进行固烤的工艺条件包括：烘烤温度为200℃～250℃例如200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃等)，烘烤时间为20分钟～40分钟(例如20分钟、25分钟、30分钟、35分钟、40分钟等)。
示例性地，保护层13的厚度可以为1.5μm～2μm，例如1.5μm、1.6μm、1.7μm、1.8μm、1.9μm、2μm等。
130，在衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，得到第一基板。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的制备彩色滤光膜层的示意图。彩色滤光膜层14可以包括多个彩色滤光片141和黑色矩阵142，黑色矩阵142设于多个彩色滤光片141之间的间隔区域内以及多个彩色滤光片141的外围区域。示例性地，多个彩色滤光片141可以包括多个红色滤光片、多个绿色滤光片以及多个蓝色滤光片。
可以理解的是，在制备彩色滤光膜层14的过程中，衬底基板11会经历多次传送，包括滚轮传送、机械手臂(Robot)传送以及辊筒(roller)传送等，如果不在透光导电层12的表面设置保护层13，那么在衬底基板11的传送过程中保护层13的表面极易出现刮伤的情况，从而导致保护层13的被刮伤区域与其它区域的透光性能不同，进而导致透光导电层12的光学品味降低，影响液晶显示面板100的品质。
示例性地，在衬底基板11的正面形成彩色滤光膜层14之后，还可以在彩色滤光膜层14远离衬底基板11的一侧形成包覆层(未图示)，以对彩色滤光片141和黑色矩阵142进行保护，并且使彩色滤光膜层14的表面平坦化。在一些实施例中，包覆层的材料可以为透光有机材料。
140，去除第一基板表面的保护层，得到彩膜基板。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的去除保护层的示意图暨本申请实施例提供的彩膜基板的第一种结构示意图。当保护层13的材料为光阻时，“去除第一基板表面的保护层”具体可以包括：将第一基板40浸泡于蚀刻液中，以蚀刻去除保护层13。
需要说明的是，如果不去除第一基板40表面的保护层13，由于保护层13(例如光阻材料)的透光性能较低，那么制得的彩膜基板10也具有较差的透光性能，进而影响液晶显示面板100的显示效果。
综上所述，本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法，首先在衬底基板11的背面形成透光导电层12，以形成抗静电效果，之后在透光导电层12的表面形成保护层13以对透光导电层12进行保护，最后在衬底基板11的正面形成彩色滤光膜层14之后，去除保护层13，以避免保护层13影响彩膜基板10的透光效果。该制备方法制得的彩膜基板10不仅具有抗外界电场的功能，而且各区域的透光效果均匀，该彩膜基板10应用于液晶显示面板100中时可以改善液晶显示面板100的显示效果。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的液晶显示面板的制备方法的流程图。本申请实施例还提供一种液晶显示面板的制备方法，包括：
210，按照上述任一实施例中的彩膜基板的制备方法制得彩膜基板10。
示例性地，可以结合图1至图5所示的制备方法制得彩膜基板10。
220，获取阵列基板和液晶材料。
示例性地，阵列基板20中设有薄膜晶体管(TFT)、像素电极、公共电极等结构。
需要说明的是，“制备彩膜基板”和“获取阵列基板和液晶材料”没有先后顺序之分，即二者可以同时发生，也可以“制备彩膜基板”在先“获取阵列基板和液晶材料”在后，或者“获取阵列基板和液晶材料”在先“制备彩膜基板”在后。
230，将彩膜基板和阵列基板组合，并且在彩膜基板和阵列基板之间设置液晶材料，得到液晶显示面板。
请参阅图7，图7为本申请实施例制备的液晶显示面板的结构示意图。将彩膜基板10和阵列基板20组合，并且在彩膜基板10和阵列基板20之间设置液晶材料30，得到液晶显示面板100。示例性地，彩膜基板10和阵列基板20之间还设有框胶50，框胶50在彩膜基板10和阵列基板20之间围出容置液晶材料30的密封空间。
示例性地，液晶显示面板100可以为面内转换(In-Plane Switching，IPS)型液晶显示面板或水平电场反转(Horizontal Field Switching，HFS)型液晶显示面板。
请参阅图8，图8为本申请实施例提供的液晶显示面板的制备方法的第二种流程图。本申请实施例还提供一种液晶显示面板的制备方法，包括：
310，提供衬底基板，衬底基板具有相对设置的正面和背面，在衬底基板的背面形成透光导电层。
320，在透光导电层远离衬底基板的一侧设置保护层。
330，在衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，得到彩膜基板。
请参阅图9，图9为本申请实施例提供的彩膜基板的第二种结构示意图。彩膜基板10’包括依次层叠设置的保护层13、透光导电层12、衬底基板11以及彩色滤光膜层14。
可以看出，与图5所示的彩膜基板10相比，图9所示的彩膜基板10’的区别在于，彩膜基板10’还包括保护层13，待后续彩膜基板10’和阵列基板20组合形成液晶盒500后，再将保护层13去除。
340，获取阵列基板和液晶材料。
350，将彩膜基板和阵列基板组合，并且在彩膜基板和阵列基板之间设置液晶材料，得到液晶盒。
请参阅图10，图10为本申请实施例制备的液晶盒的结构示意图。液晶盒500包括相对设置的彩膜基板10’和阵列基板20以及设于彩膜基板10’和阵列基板20之间的液晶材料30。彩膜基板10’和阵列基板20之间还设有框胶50，框胶50在彩膜基板10’和阵列基板20之间围出容置液晶材料30的密封空间。
360，去除液晶盒表面的保护层，得到液晶显示面板。
当保护层13的材料为光阻时，“去除液晶盒表面的保护层”具体可以包括：将液晶盒500浸泡于蚀刻液中，以蚀刻去除保护层13。可以理解的是，当采用蚀刻的方法来去除保护层13时，液晶盒500中的框胶50需要具有耐蚀刻的特性。
通过将图6所示的液晶显示面板的制备方法与图8所示的液晶显示面板的制备方法进行对比可以看出，二者的区别在于：图6所示的液晶显示面板中，彩膜基板上的保护层在彩膜基板和阵列基板组合形成液晶盒之前进行去除，而图8所示的液晶显示面板中，彩膜基板上的保护层在彩膜基板和阵列基板组合形成液晶盒之后进行去除，也即是说，图8所示的液晶显示面板的制备方法中，在彩膜基板和阵列基板组合以及注入液晶材料的过程中，保护层也能够对彩膜基板予以保护。
以上对本申请实施例提供的彩膜基板的制备方法及液晶显示面板的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种彩膜基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有相对设置的正面和背面，在所述衬底基板的背面形成透光导电层，所述透光导电层用于起到防静电干扰作用；
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层，所述保护层的材料为光阻，所述保护层的厚度为1.5μm～2μm；
在所述衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，之后在所述彩色滤光膜层远离所述衬底基板的一侧形成包覆层，所述包覆层用于对所述彩色滤光膜层进行保护，并且使所述彩色滤光膜层的表面平坦化，得到第一基板；
利用蚀刻液去除所述第一基板表面的所述保护层，得到彩膜基板。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层包括：
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧施加包含溶剂的光阻材料，形成光阻层；
对所述光阻层进行干燥处理，以去除所述光阻层中的所述溶剂；
对所述光阻层进行预烘；
对所述光阻层进行固烤，得到所述保护层。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，采用真空干燥的方式对所述光阻层进行干燥处理。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，对所述光阻层进行预烘的工艺条件包括：烘烤温度为100℃～150℃，烘烤时间为1分钟～5分钟。
5.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，对所述光阻层进行固烤的工艺条件包括：烘烤温度为200℃～250℃，烘烤时间为20分钟～40分钟。
6.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一基板表面的所述保护层包括：将所述第一基板浸泡于蚀刻液中，以蚀刻掉所述保护层。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述透光导电层的材料包括透光导电金属氧化物和石墨烯中的至少一种。
8.一种液晶显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
按照如权利要求1-7中任一项所述的彩膜基板的制备方法制得彩膜基板；
获取阵列基板和液晶材料；
将所述彩膜基板和所述阵列基板组合，并且在所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置所述液晶材料，得到液晶显示面板。
9.一种液晶显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有相对设置的正面和背面，在所述衬底基板的背面形成透光导电层，所述透光导电层用于起到防静电干扰作用；
在所述透光导电层远离所述衬底基板的一侧设置保护层，所述保护层的材料为光阻，所述保护层的厚度为1.5μm～2μm；
在所述衬底基板的正面形成彩色滤光膜层，之后在所述彩色滤光膜层远离所述衬底基板的一侧形成包覆层，所述包覆层用于对所述彩色滤光膜层进行保护，并且使所述彩色滤光膜层的表面平坦化，得到彩膜基板；
获取阵列基板和液晶材料；
将所述彩膜基板和所述阵列基板组合，并且在所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置所述液晶材料，得到液晶盒；
利用蚀刻液去除所述液晶盒表面的所述保护层，得到液晶显示面板。
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