JP6296902B2

JP6296902B2 - 半導体装置、半導体装置を用いた画像形成装置及び画像読み取り装置

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Publication number: JP6296902B2
Application number: JP2014111078A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　貴人; 貴人鈴木; 英介黒木
Original assignee: 株式会社沖データ
Priority date: 2014-05-29
Filing date: 2014-05-29
Publication date: 2018-03-20
Anticipated expiration: 2034-05-29
Also published as: JP2015226249A; US20150346021A1; US9338890B2

Description

本発明は、画像形成装置や画像読み取り装置に関し、特にこれらの装置に採用される光プリントヘッド、或いはコンタクトイメージセンサーヘッドなどに用いられる半導体装置に関する。

プリント配線基板上へ、複数個の半導体素子をアレイ状に配列することよりなる半導体アレイ素子を複数個、列状にダイボンディングすることよりなる半導体装置を用いた光プリントヘッド、或いはイメージセンサがある。近年では光プリントヘッドを用いたＬＥＤプリンターなどの画像形成装置やコンタクトイメージセンサースキャナヘッドを用いた画像読み取り装置の高精細化技術が進み、共に６００ｄｐｉ（４２．３ｕｍピッチ）或いは１２００ｄｐｉ（２１．２ｕｍピッチ）のものが広く普及している。それに伴い、各半導体アレイ素子の解像度も高くなっており、半導体アレイ素子をプリント配線基板上へダイボンディングする精度もより高い精度が要求されている。このような場合、ダイボンディングの際に隣接する半導体アレイ素子の対向面同士が接触してしまい、半導体アレイ素子の対向面近傍を損傷してしまう可能性があった。

対応例として、複数の半導体チップを直線状に配列する際に、表面より低い高さ位置において互いに当接する凸部を形成し、凸部同士を当接するように配置することによって、隣接する半導体チップの表面を離間させ、表面の損傷を防ぐ技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−２７４００６号公報（第３頁、図６）

しかしながら上記の従来技術では、非常に硬くて脆い半導体材料からなる基板同士を直接接触させる構造となるため、半導体アレイ素子を組み立てる際にプリント配線基板が反る、或いは周囲温度の変動によりプリント配線基板が収縮するなどの事象が発生した場合に、半導体アレイ素子端部が損傷する可能性が高くなるという問題があった。

複数の半導体素子を列状に配列した半導体アレイ素子を複数、プリント配線基板上に接着剤によって列状に実装した半導体装置であって、
平板形状で前記半導体アレイ素子の表面にあって、隣接する前記半導体アレイ素子の互いに対向する対向面から迫り出すように配設された有機材料からなる接触防止部材を有し、
前記接触防止部材同士を、接触させ或いは隙間を空けて対峙させて実装することを特徴とする。

本発明によれば、隣接する半導体アレイ素子間のクリアランスを一定以上に保つことができ、外的要因による接触等によって半導体アレイ素子が損傷するのを防止できる。

本発明による実施の形態１の半導体装置の、発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、接触防止部材を配設した発光アレイ素子の製造過程の説明に供する図である。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、接触防止部材を配設した発光アレイ素子の製造過程の説明に供する図である。（ａ）、（ｂ）は、接触防止部材を配設した発光アレイ素子の製造過程の説明に供する図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。実施の形態１の変形例の、半導体アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。本発明による実施の形態２の半導体装置の、発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。（ａ）は、実施の形態２の変形例１の発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ｂ）は、実施の形態２の変形例２の発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図である。実施の形態２の変形例３の、半導体アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。本発明による実施の形態３の半導体装置の、発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。実施の形態３の変形例の、半導体アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、（ａ）は隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、（ｂ）は所定位置に位置決めされた後の状態を示す。（ａ）は、本発明によるカラープリンタに採用される実施の形態４の光プリントヘッドの外観斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面を斜め上方から見た拡大斜視図である。光プリントヘッドを採用するカラープリンタの要部構成図である。（ａ）は、本発明による画像イメージスキャナに採用される実施の形態５のコンタクトイメージセンサーヘッドの外観斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面を斜め上方から見た拡大斜視図である。コンタクトイメージセンサーヘッドを採用する画像イメージスキャナの要部外観斜視図である。比較例の半導体装置の構成を示す外観斜視図である。

実施の形態１．
図１は、本発明による実施の形態１の半導体装置の、複数の発光素子が直線状に配置された発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

図１（ｂ）に示すように、半導体装置１０１は、プリント配線基板１０７、プリント配線基板１０７上に接着剤１０８によって接着される複数の半導体アレイ素子としての発光アレイ素子１０２、及び接触防止部材１０６を備える。

発光アレイ素子１０２は、基板１０３、配線層１０４、及び複数の半導体素子としての発光素子１０５を備える。基板１０３は、ＧａＡｓ基板、或いは駆動用ＩＣ上に発光素子１０５を集積した発光アレイ素子１０２の場合にはＳｉ基板とすることができる。基板１０３上には、例えばＡｌ系、Ａｕ系材料からなる薄膜配線（図示せず）、及び例えばＳｉＮ、ＳｉＯ_２などを主材料とする層間絶縁膜（図示せず）からなる配線層１０４があり、この配線層１０４に直線状に所定の間隔（アレイピッチＤ１）で複数配設された発光素子１０５と電気的に接続される。

発光アレイ素子１０２の配線層１０４の上には、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、或いはシリコーン樹脂などの有機材料からなる平板形状の接触防止部材１０６が配設されている。接触防止部材１０６は、発光素子１０５の配設方向（以後、長手方向或いは主走査方向と称す場合がある）の各端部面１０２ａの上縁の両端部に一対配設され、その各一辺１０６ａ（図１（ａ））が、各端部面１０２ａから所定量だけ迫り出すように配設されている。

ここでの迫り出し幅は、解像度及び端部設計に依存するが、例えば、発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７にダイボンディングした際、隣接する発光アレイ素子１０２との間に形成されるクリアランスＤ３の半分以下とすることができる。また、接触防止部材１０６の高さ（厚み）は、例えば１０ｕｍ〜１００ｕｍとすることができる。

図２〜図４は、図１に示す、接触防止部材１０６を配設した発光アレイ素子１０２の製造過程の説明に供する図であり、これらの図を参照しながら、この発光アレイ素子１０２の製造方法について説明する。

先ず図２（ａ）に示すように、基板１０３´上に、例えば公知のフォトリソグラフィ、ウェット或いはドライエッチング、及び薄膜成膜等の半導体ウエハプロセスを経て発光アレイ素子薄膜１２１を、互いに所定の間隔をあけて縦横に配列して複数形成する。尚、ここでの発光アレイ素子薄膜１２１は、図１に示す配線層１０４及び発光素子１０５に相当し、ここでの基板１０３´は、最終的に図１に示す基板１０３となるものであるが、ここではまだ形態が異なるため、´を付して区別している。

次に、ダイシングソーを用いたブレードダイシング、或いはＳＦ_６などの反応ガスを用いたケミカルドライエッチングにより、図２（ｂ）に示すように、基板１０３´の、各発光アレイ素子薄膜１２１間に相当する部分をハーフカット状態とする。このとき形成される溝１２２の深さは、例えば基板厚が６００ｕｍ前後の場合、３００ｕｍから５００ｕｍとする。

次に図２（ｃ）に示すように、接触防止部材１０６となる有機材料からなるポジ型或いはネガ型のドライフィルムレジスト１２３を溝１２２が埋まらないようにテンティングするようにラミネートする。

次に、ステッパ露光装置或いはコンタクト露光装置を用いて、上記ドライフィルムレジスト１２３を露光し、現像を経て、図３（ａ）に示すように、接触防止部材１０６による接触防止構造を形成し、更に必要に応じて接触防止部材１０６を硬化ベークして焼成する。このとき接触防止部材１０６が、例えば図３（ａ）に示すように、各端部面１０２ａ（図１（ａ））となる溝１２２の側壁の上縁の両端部から一対、前記したように所定の迫り出し幅だけ迫り出すように形成する。

次に図３（ｂ）に示すように、ＵＶ硬化型粘着材料が粘着層に用いられているバックグラインドテープ１２４を素子形成面側にラミネートし、基板１０３´の裏面（発光アレイ素子薄膜１２１を形成した面と反対側の面）よりバックグラインドすることで、図３（ｃ）に示すように発光アレイ素子１０２（図１（ｂ）参照）の高さ（厚み）に整えるのと同時に、素子分割して複数の発光アレイ素子１０２を創出する。

最後に、図４（ａ）に示すように、転写テープ１２５を張り合わせた状態で、バックグラインドテープ１２４をＵＶ照射し、粘着力を落とした後に引き剥がす。これにより同図に示すように、転写テープ１２５上には、複数の発光アレイ素子１０２が隣接して配列する。各発光アレイ素子１０２には、各発光アレイ素子１０２の隣接部を部分拡大した図４（ｂ）に示すように、発光素子１０５が形成され、配線層１０４上の所定位置に接触防止部材１０６が配設されている。

以上のようにして制作した接触防止部材１０６を備えた発光アレイ素子１０２を、図１に示すように、例えばガラスコンポジットエポキシ樹脂（ＣＥＭ−３）、或いはガラスクロスエポキシ樹脂（ＦＲ−４）からなるプリント配線基板１０７上に、導電性或いは絶縁性接着剤１０８を用いてダイボンディングする。

図１（ｂ）に示すように、発光アレイ素子１０２がプリント配線基板１０７上にボンディングされるとき、発光アレイ素子１０２の、その上部に直線状に所定の間隔で配列された発光素子１０５のアレイピッチＤ１と、隣接する発光アレイ素子１０２の、それぞれの端部に配列された発光素子１０５間の隣接ピッチＤ２とを均等にする必要がある。

また隣接する発光アレイ素子１０２とのクリアランスＤ３は、端部設計にも依存するが、ここではアレイピッチＤ１の４分の１程度とし、ここでは、アレイピッチＤ１が４２．３ｕｍ（６００ｄｐｉ）の場合にはクリアランスＤ３を約１０ｕｍとし、アレイピッチＤ１が２１．２ｕｍ（１２００ｄｐｉ）の場合では、クリアランスＤ３を約５ｕｍとする。

上記の位置に発光アレイ素子１０２を順次ダイボンディングする際、図１（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１０２との接触防止部材１０６同士が例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１０２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図１（ｂ）に示すように所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

その際に、隣接する発光アレイ素子１０２の接触防止部材１０６同士が突き当たるように各接触防止部材１０６の迫り出し幅を形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材１０６が発光アレイ素子１０２の各端部面１０２ａから迫り出した形に形成する必要がある。

以上のように、本実施の形態の半導体装置によれば、接触防止部材１０６を発光アレイ素子１０２の端部面１０２ａから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスＤ３を一定以上に保つことができる。従って、発光アレイ素子１０２の対向する端部面の接触を防ぐことができる。また、接触防止部材１０６は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７にダイボンディングする際に使用する接着剤１０８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１０７の熱による変動により発光アレイ素子１０２の配列がランダムに変動する可能性があったが、本実施の形態における接触防止部材１０６を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１０２の位置変動を抑制することができ、その結果、光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

更に、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスが、ある一定以上確保できるため、上記クリアランスが極端に小さくなった部位において、接着剤１０８が毛細管現象によって表面に這い上がることによって発生する発光素子１０５の汚染事象を抑制することができる。

尚、ここでは、前後してダイボンディングされる隣接する２つの発光アレイ素子１０２についてのみ説明したが、半導体装置１０１においては、必要とされる数の発光アレイ素子１０２が、接触防止部材１０６による同様の接触防止機構を介して列状に配列されるものである。

ここで、比較例について、図１５を参照しながら説明する。

この比較例で示す半導体装置では、本実施の形態の場合と同様に、プリント配線基板６０７上に接着剤６０８によって接着される複数の発光アレイ素子６０２が、発光素子の配設方向（長手方向）の両端部面を対峙させて配列されている。しかしながら、ここでは、基板６０３の端部面に互いに当接する突出部６０３ａを設け、ダイボンディングに際して、発光アレイ素子６０２の表面部における隣接する表面部間のクリアランスを確保している。

しかしながらこの比較例の構成では、非常に硬くて脆い半導体材料からなる基板同士を直接接触させる構造であるため、半導体装置を組み立てる際のプリント配線基板６０７の反り、或いは周囲温度の変動によるプリント配線基板６０７の収縮などの事象が発生した場合に、発光アレイ素子６０２の端部が損傷する可能性が極めて高くなる問題が生じてしまう。

次に、本実施の形態の変形例について、図５を参照しながら説明する。

この変形例の半導体装置は、各発光アレイ素子１５２の、その表面に直線状に配列形成された発光素子１５５の各列が千鳥配列となるように、各発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７上にダイボンディングした構成を有し、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

図５（ｂ）に示すように、半導体装置１５１は、プリント配線基板１５７、プリント配線基板１５７上に接着剤１５８によって接着される半導体アレイ素子としての複数の発光アレイ素子１５２、及び接触防止部材１５６を備える。

発光アレイ素子１５２は、基板１５３、基板上に形成された配線層１５４、及び配線層１５４に直線状に所定の間隔（アレイピッチＤ１）で複数配設された半導体素子としての発光素子１５５を備える。発光アレイ素子１５２の配線層１５４の上には、接触防止部材１５６が、発光素子１０５の配設方向（長手方向）と直交する方向（以後、短手方向或いは副走査方向と称す場合がある）の一端側に位置する側部面１５２ｂから所定量だけ迫り出すように配設されている。接触防止部材１５６は、ここでは側部面１５２ｂの上縁の長手方向の両端部とこの両端部から所定距離だけ離間した位置の４か所に配置されている。尚、発光素子１５５が、一方の側部面１５２ｂから所望の距離となるように、この変形例では、一方の側部面１５２ｂに寄せて配置されている。

図５に示すように、各発光アレイ素子１５２は、その一方の側部面１５２ｂ同士が向い合うように千鳥配列される。このように発光アレイ素子１５２を順次ダイボンディングするとき、図５（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１５２との接触防止部材１５６同士が、例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１５２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図５（ｂ）に示す所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

図５（ｂ）に示すように、発光アレイ素子１５２がプリント配線基板１５７上にボンディングされるとき、発光アレイ素子１５２の、その上部に直線状に所定の間隔で配列された発光素子１５５のアレイピッチＤ１と、隣接する発光アレイ素子１５２の、それぞれの端部に配列された発光素子１０５間の、主走査方向（長手方向）における隣接ピッチＤ２とを均等にする必要がある。即ちこの位置で２対の接触防止部材１５６同士が対向するように、予め考慮されているものとする。

その際に、隣接する発光アレイ素子１５２の接触防止部材１５６同士が突き当たるように各接触防止部材１５６の迫り出し幅を形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材１５６が発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出した形に形成する必要がある。

ここで、発光アレイ素子１５２を千鳥配列する場合、対向（隣接）する発光アレイ素子１５２との間に形成されるクリアランスＤ３を大きく確保しすぎてしまうと、後述するように、例えば後述する光プリントヘッド４５３（図１１参照）に発光アレイ素子１５２を採用した場合、結像光学特性が大きくなってしまうためクリアランスＤ３は極力小さくすることが望ましく、例えば５０ｕｍ以内にする必要がある。このような場合においても、接触防止部材１５６による接触防止機構により、隣接して配列された各発光アレイ素子１５２の短手方向の側部面１５２ｂ同士を突き当てることなくダイボンディングできるため、この側部面１５２ｂの損傷を抑制できる。

この変形例による半導体装置１５１は、その形状的な違いを除いて、その製造方法や各部の素材については、前記した実施の形態１の半導体装置１０１と共通するため、ここでの説明は省略する。

以上のように、変形例による接触防止部材１５６を発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスＤ３を一定以上に保つことができる。従って、発光アレイ素子１５２の対向する側部面の接触を防ぐことができる。また、接触防止部材１５６は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７にダイボンディングする際に使用する接着剤１５８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１５７の熱による変動により発光アレイ素子１５２の配列がランダムに変動する可能性があったが、本実施の形態における接触防止部材１５６を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１５２の位置変動を抑制することができ、その結果、光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

更に、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスが、ある一定以上確保できるため、上記クリアランスが極端に小さくなった部位において、接着剤１５８が毛細管現象によって表面に這い上がることによって発生する発光素子１５５の汚染事象を抑制することができる。

尚、本実施の形態では、機能素子として発光素子１０５（又は１５５）を想定し、半導体アレイ素子として発光アレイ素子１０２（又は１５２）を想定した場合について説明したが、発光素子１０５（又は１５５）に代えて受光素子を形成し、発光アレイ素子１０２（又は１５２）を受光素子アレイとすることが出来る。この場合、基板１０３（又は１５３）をＳｉ基板として、その他の各部の素材や製造方法ついては、上記した半導体装置１０１（又は１５１）と共通するため、ここでの説明は省略する。

実施の形態２．
図６は、本発明による実施の形態２の半導体装置の、複数の発光素子が直線状に配置された発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

この半導体装置２０１が、図１に示す前記した実施の形態１の半導体装置１０１と主に異なる点は、接触防止部材２０６〜２０９の形状である。従って、この接触防止部材２０６〜２０９を採用する半導体装置２０１が、前記した実施の形態１の半導体装置１０１と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。

図６（ａ）に示すように、主走査方向の端部面１０２ａが互いに対向して配置される一対の発光アレイ素子１０２の一方の上には、端部面１０２ａの上縁の両端部から、所定の迫り出し幅だけ迫り出すように一対の接触防止部材２０６，２０７が形成され、他方の発光アレイ素子１０２の上には、対向する端部面１０２ａの上縁の両端部から、所定の迫り出し幅だけ迫り出すように一対の接触防止部材２０８，２０９が形成されている。これらの発光アレイ素子１０２及び接触防止部材２０６〜２０９の素材及び形成方法については、前記した実施の形態１で説明した素材及び製造方法で製造することができる。

更に一対の接触防止部材２０６，２０７には、それぞれ、端部面１０２ａから所定の迫り出し幅だけ迫り出た当接部２０６ａ，２０７ａと、副走査方向における互いに離れた側の端部から、主走査方向の隣接する発光アレイ素子１０２側にむけて延在する規制部２０６ｂ，２０７ｂが形成されている。

発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７上に順次ダイボンディングする際に、同図（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１０２との接触防止部材２０６〜２０９同士が例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１０２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図６（ｂ）に示すように所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

規制部２０６ｂと規制部２０７ｂの間隔は、このとき対向する接触防止部材２０８，２０９が、副走査方向において、僅かな公差を設けて嵌合できる距離とする。従って、接触防止部材２０６〜２０９は、発光アレイ素子１０２をダイボンディングする際のガイドとしても有効となる。

接触防止部材２０６，２０７の各当接部２０６ａ，２０７ａ及び接触防止部材２０８，２０９の主走査方向における迫り出し幅は、隣接する発光アレイ素子１０２を所定位置にダイボンディングした際に、対向する部分同士が突き当たるように形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材２０６〜２０９が発光アレイ素子１０２の各端部面１０２ａから迫り出した形に形成する必要がある。

また、副走査方向においては、各接触防止部材２０６〜２０９の同方向における公差が例えば５μｍ以下として、これらの公差を許容できるように、規制部２０６ｂと規制部２０７ｂの間隔を設定する。

次に、本実施の形態の変形例１，２について、図７を参照しながら説明する。

図７（ａ）は、本実施の形態の変形例１の半導体装置の発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図である。同図に示すように、この変形例１では、接触防止部材２１６，２１７の各規制部２１６ｂ，２１７ｂの内側部分、及びこの内側に対向する接触防止部材２１８，２１９の外側部分をそれぞれテーパ形状とし、接触防止部材２１６，２１７に対する接触防止部材２１８，２１９の嵌入を容易にしている。

図７（ｂ）は、本実施の形態の変形例２の半導体装置の発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図である。同図に示すように、この変形例２では、接触防止部材２２６，２２７の各規制部２２６ｂ，２２７ｂの内側部分、及びこの内側に対向する接触防止部材２２８，２２９の外側部分をそれぞれアール形状とし、接触防止部材２２６，２２７に対する接触防止部材２２８，２２９の嵌入を容易にしている。

以上のように、本実施の形態の半導体装置によれば、接触防止部材２０６〜２０９（２１６〜２１９，２２６〜２２９も同様）を発光アレイ素子１０２の端部面１０２ａから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスを一定以上に保つことができる。従って、ダイボンディングする際に発光アレイ素子１０２の対向する端部面の接触を防ぐスペーサとして機能する。また、接触防止部材２０６〜２０９は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７にダイボンディングする際に使用する接着剤１０８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１０７の熱による変動により発光アレイ素子１０２の配列がランダムに変動する可能性があったが、本実施の形態における接触防止部材２０６〜２０９（２１６〜２１９，２２６〜２２９も同様）を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１０２の位置変動を抑制することができ、その結果、光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

また、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスが、ある一定以上確保できるため、上記クリアランスが極端に小さくなった部位において、接着剤１０８が毛細管現象によって表面に這い上がることによって発生する発光素子１０５の汚染事象を抑制することができる。

更に、変形例１の接触防止部材２１６〜２１９及び変形例２の接触防止部材２２６〜２２９のように、テーパ形状或いはアール形状を採用することによって、嵌合を円滑に行うことが可能となる。

次に、本実施の形態の変形例３について、図８を参照しながら説明する。

この変形例３の半導体装置２５１は、各発光アレイ素子１５２の、その表面に直線状に配列形成された発光素子１５５の各列が千鳥配列となるように、各発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７上にダイボンディングした構成を有し、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

この半導体装置２５１が、図５に示す前記した実施の形態１の変形例の半導体装置１５１と主に異なる点は、接触防止部材２５６〜２５９の形状である。従って、この接触防止部材２５６〜２５９を採用する半導体装置２５１が、前記した実施の形態１の変形例の半導体装置１５１（図５）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。

図８（ａ）に示すように、副走査方向の一端側に位置する側部面１５２ｂが互いに対向して配置される一対の発光アレイ素子１５２の一方の上には、側部面１５２ｂの上縁の一端部及び一端部から所定距離だけ離間した位置から、所定の迫り出し幅だけ迫り出すように一対の接触防止部材２５６，２５７が形成され、他方の発光アレイ素子１５２の上には、対向する側部面１５２ｂの上縁の接触防止部材２５６，２５７に対向する位置から、所定の迫り出し幅だけ迫り出すように一対の接触防止部材２５８，２５９が形成されている。これらの発光アレイ素子１５２及び接触防止部材２５６〜２５９の素材及び形成方法については、前記した実施の形態１で説明した素材及び製造方法で製造することができる。

更に一対の接触防止部材２５６，２５７には、それぞれ、側部面１５２ｂから所定の迫り出し幅だけ迫り出た当接部２５６ａ，２５７ａと、主走査方向における互いに近い側の端部から、副走査方向の隣接する発光アレイ素子１５２側にむけて延在する規制部２５６ｂ，２５７ｂが形成されている。

発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７上に順次ボンディングする際に、同図（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１５２との接触防止部材２５６〜２５９同士が、例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１５２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図８（ｂ）に示すように所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

接触防止部材２５８と接触防止部材２５９の間隔は、このとき対向する接触防止部材２５６の規制部２５６ｂ及び接触防止部材２５７の規制部２５７ｂが、主走査方向において、僅かな公差を設けて嵌合できる距離とする。従って、接触防止部材２５６〜２５９は、発光アレイ素子１５２をダイボンディングする際のガイドとしても有効となる。

接触防止部材２５６，２５７の各当接部２５６ａ，２５７ａ及び接触防止部材２５８，２５９の副走査方向における迫り出し幅は、隣接する発光アレイ素子１５２を所定位置にダイボンディングした際に、対向する部分同士が突き当たるように形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材２５６〜２５９が発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出した形に形成する必要がある。

また、主走査方向においては、各接触防止部材２５６〜２５９の同方向における公差が例えば５μｍ以下として、これらの公差を許容できるように、接触防止部材２５８と接触防止部材２５９の間隔を設定する。

以上のように、変形例３の接触防止部材２５６〜２５９を発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスを一定以上に保つことができる。従って、ダイボンディングする際に発光アレイ素子１５２の対向する側部面の接触を防ぐスペーサとして機能する。また、接触防止部材２５６〜２５９は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７にダイボンディングする際に使用する接着剤１５８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１５７の熱による変動により発光アレイ素子１５２の配列がランダムに変動する可能性があったが、接触防止部材２５６〜２５９を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１５２の位置変動を抑制することができ、その結果光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

また、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスが、ある一定以上確保できるため、上記クリアランスが極端に小さくなった部位において、接着剤１５８が毛細管現象によって表面に這い上がることによって発生する発光素子１５５の汚染事象を抑制することができる。

更に、図８に示す千鳥実装においては副走査方向の発光アレイ素子１５２間のクリアランスをある一定以上確保することができるのと同時に、接触防止部材２５６，２５７と接触防止部材２５８，２５９とを互いに嵌合させることで、隣接する発光アレイ素子１５２の主走査方向位置を安定化させることができる。

実施の形態３．
図９は、本発明による実施の形態３の半導体装置の、複数の発光素子が直線状に配置された発光アレイ素子の端部周辺の外観斜視図であり、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

この半導体装置３０１が、図１に示す前記した実施の形態１の半導体装置１０１と主に異なる点は、接触防止部材３０６，３０７の形状である。従って、この接触部材３０６，３０７を採用する半導体装置３０１が、前記した実施の形態１の半導体装置１０１と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。

図９（ａ）に示すように、主走査方向の端部面１０２ａが互いに対向して配置される一対の発光アレイ素子１０２の一方の上には、端部面１０２ａの上縁から、所定の迫り出し幅だけ一様に迫り出す接触防止部材３０６が形成され、他方の発光アレイ素子１０２の上には、対向する端部面１０２ａの上縁から、所定の迫り出し幅だけ一様に迫り出す接触防止部材３０７が形成されている。

即ち、１つの発光アレイ素子１０２には、主走査方向における、一方の端部面１０２ａには接触防止部材３０６が配設され、他方の端部面１０２ａには接触防止部材３０７が配設されている。これらの発光アレイ素子１０２及び接触防止部材３０６，３０７の素材及び形成方法については、前記した実施の形態１で説明した素材及び製造方法で製造することができる。

更に一対の接触防止材３０６，３０７には、迫り出し側と反対側において、それぞれ、近傍の発光素子１０５との接触、更には発光の妨げとなるのを避けるための切欠き部が形成されている。

発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７上に順次ダイボンディングする際に、同図（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１０２との接触防止部材３０６，３０７同士が例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１０２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図９（ｂ）に示すように所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

接触防止部材３０６及び接触防止部材３０７の主走査方向における迫り出し幅は、隣接する発光アレイ素子１０２を所定位置にダイボンディングした際に、対応する部分同士が突き当たるように形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材３０６，３０７が発光アレイ素子１０２の端部面１０２ａから迫り出した形に形成する必要がある。

以上のように、本実施の形態の半導体装置によれば、接触防止部材３０６，３０７を発光アレイ素子１０２の端部面１０２ａから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスを一定以上に保つことができる。従って、ダイボンディングする際に発光アレイ素子１０２の対向する端部面の接触を防ぐスペーサとして機能する。また、接触防止部材３０６，３０７は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１０２をプリント配線基板１０７にダイボンディングする際に使用する接着剤１０８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１０７の熱による変動により発光アレイ素子１０２の配列がランダムに変動する可能性があったが、本実施の形態における接触防止部材３０６，３０７を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１０２の位置変動を抑制することができ、その結果、光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

更に本実施の形態における接触防止部材３０６，３０７は、隣接する発光アレイ素子１０２間のクリアランス上部を覆うように配設されるため、このクリアランスにより生じる接着剤１０８の毛細管現象による這い上がり（這い上がり部１０８ａ）を、より効果的に抑制することができる。

次に、本実施の形態の変形例について、図１０を参照しながら説明する。

この変形例の半導体装置３５１は、各発光アレイ素子１５２の、その表面に直線状に配列形成された発光素子１５５の各列が千鳥配列となるように、各発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７上にダイボンディングした構成を有し、同図（ａ）は、隣接する半導体アレイ素子が所定位置に位置決めされる前の状態を示し、同図（ｂ）は、所定位置に位置決めされた後の状態を示す。

この半導体装置３０１が、図５に示す前記した実施の形態１の変形例の半導体装置１５１と主に異なる点は、接触防止部材３５６，３５７の形状である。従って、この接触防止部材３５６，３５７を採用する半導体装置３５１が、前記した実施の形態１の変形例の半導体装置１５１（図５）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。

図１０（ａ）に示すように、副走査方向の側部面１５２ｂが互いに対向して配置される一対の発光アレイ素子１５２の一方の上には、側部面１５２ｂの上縁の一端部から所定距離だけ、一様に所定の迫り出し幅だけ迫り出す接触防止部材３５６が形成され、他方の発光アレイ素子１５２の上には、対向する側部面１５２ｂの上縁の、接触防止部材３５６に対向する位置から、所定の迫り出し幅だけ迫り出す接触防止部材３５７が形成されている。

即ち、１つの発光アレイ素子１５２では、副走査方向の一端側に位置する側部面１５２ｂにおいて、その主走査方向の一端部からは接触防止部材３５６が、他端部からは接触防止部材３５７が、それぞれ所定距離だけ一様に迫り出た状態で配置されている。これらの発光アレイ素子１０２及び接触防止部材３５６，３５７の素材及び形成方法については、前記した実施の形態１で説明した素材及び製造方法で製造することができる。

発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７上に順次ボンディングする際に、同図（ａ）に示すように、先行してダイボンディングされている発光アレイ素子１５２との接触防止部材３５６，３５７同士が例えば１００μｍ程度離れて対向する場所に次の発光アレイ素子１５２を置き、矢印方向に寄せるように移動して図１０（ｂ）に示すように所定の位置にダイボンディングすることが望ましい。

接触防止部材３５６，３５７の副走査方向における迫り出し幅は、隣接する発光アレイ素子１５２を所定位置にダイボンディングした際に、対応する部分同士が突き当たるように形成してもよいし、また、例えば１ｕｍ〜３ｕｍ程度のクリアランスを設けるように形成することもできる。何れにしても、接触防止部材３５６，３５７が発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出した形に形成する必要がある。

以上のように、変形例の接触防止部材３５６，３５７を発光アレイ素子１５２の側部面１５２ｂから迫り出すように形成することによって、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスを一定以上に保つことができる。従って、ダイボンディングする際に発光アレイ素子１５２の対向する側部面の接触を防ぐスペーサとして機能する。また、接触防止部材３５６，３５７は、Ｓｉ或いはＧａＡｓ等の半導体材料と比較すると柔軟性のある有機材料により形成するため、接触した際の衝撃に対しても損傷しにくい。

また、発光アレイ素子１５２をプリント配線基板１５７にダイボンディングする際に使用する接着剤１５８は、例えば１００℃を超える温度で硬化ベークする必要があり、プリント配線基板１５７の熱による変動により発光アレイ素子１５２の配列がランダムに変動する可能性があったが、接触防止部材３５６，３５７を配設しておくことで、接着剤が硬化していく過渡段階において、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランスが一定に保たれるため、硬化ベークに伴う発光アレイ素子１５２の位置変動を抑制することができ、その結果光学アレイ素子間のピッチ連続性を確保する効果がある。

更に、変形例の接触防止部材３５６，３５７は、図１０に示す千鳥実装においては副走査方向の半導体アレイ素子１５２間のクリアランスをある一定以上確保することができるのと同時に、隣接する発光アレイ素子１５２間のクリアランス上部を覆うように配設されるため、このクリアランスにより生じる接着剤１５８の毛細管現象による這い上がり（這い上がり部１５８ａ）を、より効果的に抑制することができる。

実施の形態４．
図１１（ａ）は、本発明によるカラープリンタに採用される実施の形態４の光プリントヘッドの外観斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断面を斜め上方から見た拡大斜視図であり、図１２は、光プリントヘッドを採用するカラープリンタの要部構成図である。

図１１に示すように、光プリントヘッド４５３は、例えば前記した実施の形態１で説明した半導体装置１０１、ロッドレンズアレイ４７３、及びフレーム４７２を備える。

半導体装置１０１は、前記したように、発光素子１０５（図１）が所定数だけアレイピッチＤ１を保って直線状に並ぶように、プリント配線基板１０７上に発光アレイ素子１０２を複数配列したものであり、各発光素子１０５から出力される光を焦点位置に集光するロッドレンズアレイ４７３との焦点位置を固定するため、このロッドレンズアレイ４７３と共に、ＵＶ接着剤などを用いてフレーム４７２に位置決め固定されている。フレーム４７２は、例えばアルミ、構造用鋼、或いは液晶ポリマーとすることができる。

尚、ここでは、光プリントヘッド４５３を構成する半導体装置として、実施の形態１で説明した半導体装置１０１を採用する例を示したが、他に実施の形態１〜３で説明した半導体装置１５１，２０１，２５１，３０１，３５１を採用することもできる。

図１２は、この光プリントヘッド４５３を採用した画像形成装置としてのカラープリンタ４００の要部構成図であり、以下にその構成について説明する。

同図において、カラープリンタ４００は、イエロー（Ｙ）のトナー画像を形成するプロセスユニット４０１、マゼンダ（Ｍ）のトナー画像を形成するプロセスユニット４０２、シアン（Ｃ）のトナー画像を形成するプロセスユニット４０３、及びブラック（Ｋ）のトナー画像を形成するプロセスユニット４０４を有し、これらが記録媒体４０５の搬送経路４２０の上流側から順に着脱自在に配置されている。これらプロセスユニット４０１〜４０４の内部構成は共通しているため、例えばシアン（Ｃ）のプロセスユニット４０３を例に取り、これらの内部構成を説明する。

プロセスユニット４０３には、感光体ドラム４５１が矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム４５１の周囲には、その回転方向上流側から順に、感光体ドラム４５１の表面に電荷を供給して帯電させる帯電ローラ４５２、帯電された感光体ドラム４５１の表面に、画データに従って選択的に発光される発光素子１０５（図１）の光を照射して静電潜像を形成する、半導体装置１０１を含む光プリントヘッド４５３が配設される。

更に、静電潜像が形成された感光体ドラム４５１の表面に、シアン（Ｃ）のトナーを付着させて現像を発生させる現像ローラ４５４、このようにして感光体ドラム４５１上に形成されたトナー像を記録媒体４０５に転写した際に残留した転写残トナーを除去するクリーニングブレード４５５、及び感光体ドラム４５１の表面電位のバラツキを除去するための除電装置４５６が配設されている。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源からギアなどを経由して動力が伝達されて回転する。

カラープリンタ４００は、その下部に、紙などの記録媒体４０５を堆積した状態で収納する用紙カセット４０６を装着し、用紙カセット４０６の媒体排出側の上方には、記録媒体４０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ４０７が配設されている。

記録媒体４０５の搬送方向における、ホッピングローラ４０７の下流側にはピンチローラ４０８と共に記録媒体４０５を挟持することによって記録媒体４０５を搬送する搬送ローラ４１０、及びピンチローラ４０９と共に記録媒体４０５を挟持することによって記録媒体４０５の斜行を修正し、プロセスユニット４０１に搬送するレジストローラ４１１を配設している。これらのホッピングローラ４０７、搬送ローラ４１０及びレジストローラ４１１は、図示されない駆動源からギア等を経由して動力が伝達され回転する。

プロセスユニット４０１〜４０４の各感光体ドラム４５１に対向する位置には、それぞれ導電性のゴム等によって形成された転写ローラ４１２が配設されている。これら転写ローラ４１２は、それぞれ対応する感光体ドラム４５１上に形成されたトナー像を記録媒体４０５に順次重ねて転写する。このため各転写ローラ４１２には、この転写時に、対応する感光体ドラム４５１の表面電位と自身の表面電位間に電位差を持たせるための電圧が印加される。

定着器４１３は、加熱ローラ４６１と加圧ローラ４６２とを有し、記録媒体４０５上に転写されたトナー像を加圧・加熱することによって定着する。この下流の排出ローラ４１４及び４１５は、対応するピンチローラ４１６、４１７と共に定着器４１３から排出された記録媒体４０５を挟持して搬送し、記録媒体スタッカ部４１８に排出する。これら定着器４１３の加熱ローラ４６１及び加圧ローラ４６２、排出ローラ４１４，４１５等は図示しない駆動源からギアなどを経由して動力が伝達され回転される。

ベルト搬送装置４１９は、記録媒体４０５が各プロセスユニット４０１〜４０４を移動するための搬送経路を形成し、レジストローラ４１１から排出される記録媒体４０５を定着器４１３の搬入位置まで搬送する。

以上の構成において、用紙カセット４０６に積載された記録媒体４０５は、ホッピングローラ４０７により１枚ずつ分離されて搬送経路４２０を搬送される。その際に、レジストローラ４１１より斜行が矯正され、ベルト搬送装置４１９に搬送されて各プロセスユニット４０１〜４０４を通過する過程で、各感光体ドラム４５１に形成された各色のトナー像が、転写ローラ４１２によって順次重ねて転写され、定着器４１３に至る。定着器４１３を通過する記録媒体４０５は、加熱ローラ４６１及び加圧ローラ４６２による加熱及び加圧処理により転写されたトナー像が定着された後、排出ローラ４１４，４１５によって記録媒体スタッカ部４１８に排出される。

以上のように、本実施の形態においては、光プリントヘッド４５３が、前記した実施の形態１〜３で説明した半導体装置１０１（又は１５１，２０１，２５１，３０１，３５１）、即ち隣接する発光アレイ素子１０２（又は１５２）間に接触防止機構を備えた半導体装置を採用するため、この半導体装置をフレーム４７２に固定する組み立て時に、例え外力によってストレスが加わるような場合においても、接触等による発光アレイ素子の損傷を防止することができる。従って、光プリントヘッド４５３、これを用いたカラープリンタの製造時の歩留まりを改善できる。

実施の形態５．
図１３（ａ）は、本発明による画像イメージスキャナに採用される実施の形態５のコンタクトイメージセンサーヘッドの外観斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ断面を斜め上方から見た拡大斜視図であり、図１４は、コンタクトイメージセンサーヘッドを採用する画像イメージスキャナの要部外観斜視図である。

図１３に示すように、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２は、半導体装置１１１、ロッドレンズアレイ５５１、光源５５２、フレーム５５３、及び透過体５５４を備える。

尚、ここでの半導体装置１１１は、例えば実施の形態１で説明した半導体装置１０１（又は１５１）において、発光素子１０５（又は１５５）に代えて受光素子を形成し、発光アレイ素子１０２（又は１５２）を受光アレイ素子１１２としたものである。

従ってここでの半導体装置１１１は、受光素子が所定数だけアレイピッチＤ１を保って直線状に並ぶように、プリント配線基板１０７上に受光アレイ素子１１２を直線状（或いは千鳥配列）に複数配列したものであり、被写体で反射した光を受けて焦点位置に集光するロッドレンズアレイ５５１との焦点位置を固定し、更にその光を発光する光源５５２を位置決めするため、これらのロッドレンズアレイ５５１及び光源５５２と共に、ＵＶ接着剤などを用いてフレーム５５３に位置決め固定されている。そしてコンタクトイメージセンサーヘッド５０２は、フレーム内を覆うように、その表面を例えばソーダライムガラスからなる透過体５５４で形成している。フレーム５５３は、例えばアルミ、構造用鋼、或いは液晶ポリマーとすることができる。

尚、ここでは、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２を構成する半導体装置として、実施の形態１で説明した半導体装置１０１（又は１５１）の発光素子を受光素子に代えた半導体装置を採用する例を示したが、他に実施の形態２、３で説明した半導体装置２０１，２５１，３０１，３５１の発光素子を受光素子に代えた半導体装置を採用することもできる。

図１４は、このコンタクトイメージセンサーヘッド５０２を採用した画像読み取り装置としての画像イメージスキャナの要部外観斜視図であり、以下にその構成について説明する。尚、図１４では、内部構成を説明するため、原稿台５０９の一部を切り欠いて、内部構成を顕にしている。

図１４に示す画像イメージスキャナ５００は、フラットヘッド型のイメージスキャナであり、筐体５０１、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２、ガイド５０３、ステッピングモータ５０４、駆動ベルト５０５、フレキシブルフラットケーブル５０６、制御回路５０７、原稿台５０８、及び蓋５０９を備える。

画像イメージスキャナ５００は、図１４に示すように、筐体５０１と、その上面として配置した原稿台５０８上に置かれる原稿を原稿台５０８と挟み込むための蓋５０９とを備える。筐体５０１の内部には、一対のガイド５０３が、互いに平行に配置され、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２を、原稿台５０８の載置面に沿って副走査方向にスライド可能に保持している。

コンタクトイメージセンサーヘッド５０２をガイド５０３に沿って副走査方向にスライドさせるため、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２は、ステッピングモータ５０４によって搬送移動される駆動ベルト５０５に連結されている。そしてコンタクトイメージセンサーヘッド５０２の制御を行うための制御回路５０７が、フレキシブルフラットケーブル５０６を介してコンタクトイメージセンサーヘッド５０２と電気的に接続されている。

以上の構成において、画像イメージスキャナ５００は、原稿台５０８の上面（載置面）に置かれた原稿を、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２を副走査方向に移動しながら、主走査方向に配列された受光素子によって順次読み取る。

以上のように、本実施の形態においては、画像イメージスキャナ５００が、前記した実施の形態１〜３で説明した半導体装置において、発光素子を受光素子として受光素子アレイとした半導体装置を採用するため、これらの半導体装置をフレーム５５３に固定する組み立て時に、例え外力によってストレスが加わるような場合においても、接触等による受光アレイ素子の損傷を防止することができる。従って、コンタクトイメージセンサーヘッド５０２、これを用いた画像イメージスキャナ５００の製造時の歩留まりを改善できる。

尚、前記した特許請求の範囲、及び実施の形態の説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「前」、「後」といった言葉を使用したが、これらは便宜上であって、半導体装置及びこれを用いた装置を配置する状態における絶対的な位置関係を限定するものではない。

上記した実施の形態では、本発明を、カラープリンタやイメージスキャナを例にして説明したが、本発明はこれに等に限定されるものではなく、発光・受光アレイ素子を用いた複写機、ファクシミリ、ＭＦＰ等の画像装置にも利用可能である。またカラープリンタについて説明したが、モノクロプリンタであってもよい。

１０１半導体装置、１０２発光アレイ素子、１０２ａ端部面、１０３基板、１０４配線層、１０５発光素子、１０６接触防止部材、１０６ａ一辺、１０７プリント配線基板、１０８接着剤、１１１半導体装置、１２１発光アレイ素子薄膜、１２２溝、１２３ドライフィルムレジスト、１２４バックグラインドテープ、１２５転写テープ、１５１半導体装置、１５２発光アレイ素子、１５２ｂ側部面、１５３基板、１５４配線層、１５５発光素子、１５６接触防止部材、１５７プリント配線基板、１５８接着剤、２０１半導体装置、２０６接触防止部材、２０６ａ当接部、２０６ｂ規制部、２０７接触防止部材、２０７ａ当接部、２０７ｂ規制部、２０８接触防止部材、２０９接触防止部材、２１６接触防止部材、２１６ｂ規制部、２１７接触防止部材、２１７ｂ規制部、２１８接触防止部材、２１９接触防止部材、２２６接触防止部材、２２６ｂ規制部、２２７接触防止部材、２２７ｂ規制部、２２８接触防止部材、２２９接触防止部材、２５１半導体装置、２５６接触防止部材、２５６ｂ規制部、２５７接触防止部材、２５７ｂ規制部、２５８接触防止部材、２５９接触防止部材、３０１半導体装置、３０６接触防止部材、３０７接触防止部材、３５１半導体装置、３５６接触防止部材、３５７接触防止部材、４００カラープリンタ、４０１プロセスユニット、４０２プロセスユニット、４０３プロセスユニット、４０４プロセスユニット、４０５記録媒体、４０６用紙カセット、４０７ホッピングローラ、４０８ピンチローラ、４０９ピンチローラ、４１０搬送ローラ、４１１レジストローラ、４１２転写ローラ、４１３定着器、４１４排出ローラ、４１５排出ローラ、４１６ピンチローラ、４１７ピンチローラ、４１８記録媒体スタッカ部、４１９ベルト搬送装置、４２０搬送経路、４５１感光体ドラム、４５２帯電ローラ、４５３光プリントヘッド、４５４現像ローラ、４５５クリーニングブレード、４５６除電装置、４６１加熱ローラ、４６２加圧ローラ、４７２フレーム、４７３ロッドレンズアレイ、５００画像イメージスキャナ、５０１筐体、５０２コンタクトイメージセンサーヘッド、５０３ガイド、５０４ステッピングモータ、５０５駆動ベルト、５０６フレキシブルフラットケーブル、５０７制御回路、５０８原稿台、５０９蓋、５５１ロッドレンズアレイ、５５２光源、５５３フレーム、５５４透過体。

Claims

複数の半導体素子を列状に配列した半導体アレイ素子を複数、プリント配線基板上に接着剤によって列状に実装した半導体装置において、
平板形状で前記半導体アレイ素子の表面にあって、隣接する前記半導体アレイ素子の互いに対向する対向面から迫り出すように配設された有機材料からなる接触防止部材を有し、
前記接触防止部材同士を、接触させ或いは隙間を空けて対峙させて実装することを特徴とする半導体装置。
前記半導体アレイ素子を直線状に実装したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記半導体アレイ素子を千鳥配列に実装したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記互いに対向する対向面の、一方の対向面から迫り出す前記接触防止部材に他方の対向面から迫り出す前記接触防止部材が嵌入するように形成し、前記互いに対向する対向面の接離する方向と直交する方向での相対的な移動を規制することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置。
前記一方の対向面から迫り出す前記接触防止部材と前記他方の対向面から迫り出す前記接触防止部材のうち、少なくともどちらか一方の嵌合部をアール形状とすることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
前記一方の対向面から迫り出す前記接触防止部材と前記他方の対向面から迫り出す前記接触防止部材のうち、少なくともどちらか一方の嵌合部をテーパ形状とすることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
前記互いに対向する対向面の、一方の対向面から迫り出す前記接触防止部材と他方の対向面から迫り出す前記接触防止部材とが、前記プリント配線基板とは反対側において、前記対向面を覆うことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置。
前記接触防止部材をエポキシ樹脂で形成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の半導体装置。
前記接触防止部材をアクリル樹脂で形成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の半導体装置。
前記接触防止部材をイミド樹脂で形成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の半導体装置。
前記接触防止部材をシリコーン樹脂で形成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の半導体装置。
前記接触防止部材をドライフィルムレジストにより形成することを特徴とする請求項８乃至１１の何れかに記載の半導体装置。
前記半導体素子を発光素子としたことを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の半導体装置。
前記半導体素子を受光素子としたことを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の半導体装置。
請求項１３の半導体装置と、
前記発光素子の発光を集光するロッドレンズアレイと、
前記半導体装置と前記ロッドレンズアレイとを所定の位置関係で保持するフレームと
を有する光プリントヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
請求項１４の半導体装置と、
前記受光素子に光を集光するロッドレンズアレイと、
前記半導体装置と前記ロッドレンズアレイとを所定の位置関係で保持するフレームと
を有するコンタクトイメージセンサーヘッドを備えたことを特徴とする画像読み取り装置。