JP6285199B2 - アノードホルダ及びめっき装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板にめっき処理を行うめっき装置に使用されるアノードホルダ、及びめっき装置に関する。
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ(突起状電極)を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
電解めっき法に用いるめっき装置は、半導体ウェハ等の基板を保持した基板ホルダと、アノードを保持したアノードホルダと、多種類の添加剤を含むめっき液を収容するめっき槽とを有する。このめっき装置において半導体ウェハ等の基板表面にめっき処理を行うときは、基板ホルダとアノードホルダがめっき槽内で対向配置される。この状態で基板とアノードとを通電させることで、基板表面にめっき膜が形成される。なお、添加剤は、めっき膜の成膜速度を促進又は抑制する効果や、めっき膜の膜質を向上させる効果等を有する。
従来、アノードホルダに保持されるアノードとして、めっき液に溶解する溶解性アノード又はめっき液に溶解しない不溶性アノードが用いられている。不溶性アノードを用いてめっき処理を行った場合、アノードとめっき液との反応により酸素が発生する。めっき液の添加剤はこの酸素と反応して分解される。添加剤が分解されると、添加剤は上述した効果を失い、基板表面に所望の膜を得ることができないという問題がある(たとえば、特許文献1参照)。また、溶解性アノードとしてたとえば含リン銅を用いた場合、非電解時にアノードから発生する一価銅との反応により、添加剤、特に促進剤の変質が生じることも知られている。
また、溶解性アノードとしてたとえば含リン銅を用いた場合、めっき処理時のアノードの電解に伴い、アノードの表面にリン酸塩の被膜であるいわゆるブラックフィルムが形成される(たとえば、非特許文献1参照)。ブラックフィルムはめっき処理中にアノード表面から剥離する虞がある。剥離したブラックフィルムがめっき液中を移動して基板表面に付着すると、基板表面のブラックフィルムが付着した箇所にはめっき膜が形成されず、めっき不良となり、最終製品の歩留まり及び信頼性を低下させるという問題がある。このため、添加剤の分解及びブラックフィルムの基板表面への付着を抑制するための隔膜を設けたアノードホルダが知られている(たとえば、特許文献2参照)。
図16は隔膜を有する従来のアノードホルダの部分断面図である。
図示のように、アノードホルダ110は、アノード105と、アノード105を収容するための空間を有するアノードホルダベース111と、アノードホルダベース111の前面に取り付けられたアノードマスク113と、アノードマスク113の前面に取り付けられた隔膜150と、アノード105の背面に接触する導電性の接触部材102と、接触部材102の背面から延びて図示しない外部電極へ接続される導電性の給電部材103と、を有する。
アノードホルダベース111は、アノード105が収容された空間と連通する孔112
を有している。このアノードホルダ110がめっき液に浸漬されたとき、孔112を通過してアノード105が収容された空間にめっき液が流入し、アノード105がめっき液に浸漬される。接触部材102は、外部電極から給電部材103を介してアノード105に電流を供給することができる。これにより、アノードホルダ110がめっき液に浸漬されたときに、アノード105と基板とがめっき液を介して通電される。
隔膜150は、たとえばイオン交換膜であり、アノード105が収容される空間の前面をアノードホルダ110の外部空間から隔離するように設けられている。アノード105近傍で発生した陽イオンは隔膜150を通過して、基板表面に到達することができる。一方で、隔膜150は、アノード105表面に形成されたブラックフィルムが隔膜150を通過することを防止し、ブラックフィルムがめっき槽内に拡散されることを抑制することができる。また、隔膜150は、めっき液中の添加剤がアノード105へ到達することを抑制し、添加剤の分解を抑制する。
特許第2510422号 特開2010−185122号公報
エレクトロニクス実装学会誌 Vol.9 No.3 「IrO2/Ti不溶解性アノードを用いたビアフィリング用硫酸銅めっき」 p.180−185
しかしながら、上記従来のアノードホルダ110では、めっき液を導入するための孔112を介して、アノード105から剥離したブラックフィルムが、アノード105が収容される空間から外部へ流出し、めっき槽内に拡散する虞がある。また、めっき液中の添加剤が孔112を介してアノード105が収容された空間に拡散する虞がある。この場合、アノードとめっき液との反応により発生した酸素又は一価の銅と添加剤が反応し続け、添加剤が分解され続けることになる。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アノードが配置された内部空間と外部空間との間の添加剤及びブラックフィルムの拡散を防止するアノードホルダ及びこれを備えためっき装置を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るアノードホルダは、めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダであって、前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、前記内部空間の前面を覆うように構成される隔膜と、前記アノードホルダの外表面に形成され、前記内部空間に連通する孔と、前記孔を封止するための弁と、を有する。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記弁が閉じるように前記弁を付勢する付勢部材と、前記弁が開くように前記弁を操作する操作部と、を有する。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記アノードホルダが搬送されるときに把持される把持部を有し、前記操作部は、前記把持部に設けられる。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、一端が前記弁に連結され、他端が前記付勢
部材に連結されるシャフトと、一端が前記シャフトに連結され、他端が前記操作部に連結される中間部材と、前記中間部材を回転可能に固定する枢軸と、を有し、前記操作部は、一端が前記把持部から突出し、他端が前記中間部材の前記他端に連結されるプッシュロッドであり、前記プッシュロッドが前記把持部の内部に押下されたとき、前記弁が前記付勢部材の付勢力の方向と逆方向に移動する。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記隔膜と前記内部空間の前面との間を密閉するように構成される第1のシール部材を有する。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記内部空間の背面に通じる開口部と、前記開口部を覆う蓋と、前記開口部と前記蓋との間を密閉するように構成される第2のシール部材と、を有する。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記内部空間の空気を排出するための空気排出口を有する、アノードホルダ。
本発明の別の形態に係るアノードホルダは、前記隔膜が、イオン交換膜又は中性隔膜である。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るめっき装置は、上記アノードホルダを収容するように構成されるめっき槽を備えためっき装置であって、前記アノードホルダを搬送するためのトランスポータを有し、前記アノードホルダの前記弁は、前記トランスポータが前記アノードホルダを把持した時に開き、把持を解除した時に閉じるように構成される。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るめっき装置は、めっき槽を有するめっき装置であって、前記めっき槽は、アノードホルダであって、前記アノードホルダの内部に形成され、アノードを収容するための内部空間と、前記内部空間の前面を覆うように構成される隔膜と、前記アノードホルダの外表面に形成され、前記内部空間に連通する孔と、を有するアノードホルダを収容するように構成され、前記めっき槽は、前記アノードホルダの前記孔を封止するための弁を備える。
本発明の別の形態に係るめっき装置は、前記弁が、前記アノードホルダが前記めっき槽に収容されたときに、前記アノードホルダの前記孔を封止するように構成される。
本発明によれば、アノードが配置された内部空間と外部空間との間の添加剤及びブラックフィルムの拡散を防止するアノードホルダ及びこれを備えためっき装置を提供することができる。
第1の実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。 第1のトランスポータ又は第2のトランスポータを示す概略側面図である。 ホルダ受け渡しユニットを拡大した概略図である。 めっき槽の概略側断面図である。 第1の実施形態に係るアノードホルダの平面図である。 図5に示した4−4断面におけるアノードホルダの側断面図である。 ホルダベースカバーを取り外した状態のアノードホルダの分解斜視図である。 ホルダベースカバーを取り外した状態のアノードホルダの平面図である。 図8に示した把持部の拡大図である。 図8に示した把持部がトランスポータにより把持された状態を示す図である。 図8に示した孔及び弁を示す拡大図である。 図8に示した把持部がトランスポータにより把持された状態における、孔及び弁を示す拡大図である。 第2の実施形態に係るめっき装置が有するめっき槽の概略側断面図である。 ホルダベースカバーを取り外した状態のアノードホルダの平面図である。 孔を示す拡大図である。 隔膜を有する従来のアノードホルダの部分断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一のまたは相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。
図1に示すように、このめっき装置100には、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット10を搭載する2台のカセットテーブル12と、基板のオリフラ(オリエンテーションフラット)やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ14と、基板ホルダ18に対して基板の着脱を行うための基板着脱部20と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ17とが備えられている。これらのユニットの略中央には、これらのユニット間で基板を搬送する、例えば搬送用ロボットである基板搬送装置16が配置されている。
基板は、カセットテーブル12に搭載されたカセット10から、基板搬送装置16により取り出され、アライナ14に搬送される。アライナ14は、基板のオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。その後、基板は基板搬送装置16により基板着脱部20へ搬送される。基板着脱部20は、レール22に沿って水平方向にスライド可能な平板状の載置プレート24を備えている。載置プレート24上には、2個の基板ホルダ18が水平状態で並列に載置される。基板搬送装置16は、2個の基板ホルダ18のうち一方の基板ホルダ18と基板の受渡しを行う。続いて、載置プレート24が水平方向にスライドされ、基板搬送装置16は他方の基板ホルダ18と基板の受渡しを行う。
また、めっき装置100には、基板ホルダ18の保管及び仮置きを行うストッカ26、基板を純水に浸漬させるプリウェット槽28、基板の表面に形成されたシード層表面の酸化膜を除去するプリソーク槽30、プリソーク後の基板を洗浄する第1の水洗槽32a、洗浄後の基板の水切りを行うブロー槽34、めっき後の基板を洗浄する第2の水洗槽32b、めっき処理を行うめっき槽50、及びメンテナンスが必要な基板ホルダ18等をめっき装置100から取り出すためのホルダ受け渡しユニット72が配置されている。
さらに、めっき装置100には、基板ホルダ18を基板とともに搬送する基板ホルダ搬送装置41が備えられている。基板ホルダ搬送装置41は、基板着脱部20及び上記各槽の側方に位置する。基板ホルダ搬送装置41は、基板着脱部20とストッカ26との間で基板を搬送する第1のトランスポータ42と、ストッカ26、プリウェット槽28、プリソーク槽30、第1の水洗槽32a、第2の水洗槽32b、ブロー槽34及びめっき槽50との間で基板を搬送する第2のトランスポータ44と、第1のトランスポータ42及び第2のトランスポータ44をガイドするガイドレール43を有している。なお、基板ホルダ搬送装置41は、第2のトランスポータ44を備えることなく、第1のトランスポータ42のみを備えるようにしてもよい。
また、このめっき槽50の側方には、めっき槽50の内部に位置しめっき液を攪拌する
パドル(図示せず)を駆動するパドル駆動装置36が配置されている。
第1のトランスポータ42は、載置プレート24に載置された、基板を保持した2つの基板ホルダ18を同時に把持し、ストッカ26まで搬送する。そして、第1のトランスポータ42は2つの基板ホルダ18を垂直な状態で下降させ、ストッカ26に吊下げ保持させる。第2のトランスポータ44は、ストッカ26に保持された2つの基板ホルダ18を把持し、順次、プリウェット槽28、プリソーク槽30、第1の水洗槽32a、めっき槽50、第2の水洗槽32b、ブロー槽34に搬送する。
第2のトランスポータ44は、各槽にて処理された基板を保持した2つの基板ホルダ18をストッカ26の所定の位置に戻す。第1のトランスポータ42は、ストッカ26の所定の位置に戻された2つの基板ホルダ18を把持し、基板着脱部20の載置プレート24上に搬送し、載置プレート24に水平に載置する。
続いて、基板搬送装置16は、レール22上の中央側に位置する基板ホルダ18からめっき処理後の基板を取出して、スピンドライヤ17に搬送する。スピンドライヤ17は、高速回転によって基板を水切りする。基板搬送装置16は、水切りされた基板をカセット10に戻す。他方の基板ホルダ18に装着された基板も、同様にスピンドライヤ17で水切りされた後、カセット10に戻される。
基板ホルダ18や後述するアノードホルダ60(図5等参照)のメンテナンス等を行うときは、第2のトランスポータ44は、基板ホルダ18をストッカ26から、アノードホルダ60をめっき槽50から取り出し、ホルダ受け渡しユニット72に搬送する。
図2は、図1に示した第1のトランスポータ42又は第2のトランスポータ44を示す概略側面図である。図2においては、便宜上、めっき槽50も示されている。
図2に示すように、第1のトランスポータ42又は第2のトランスポータ44(以下、トランスポータ42,44という)は、支柱部46と、支柱部46から水平方向に延在するアーム45とを備えている。支柱部46及びアーム45は、ガイドレール43(図1参照)に沿って図中紙面奥行方向に移動可能である。従って、アーム45は、図1に示した各槽の上方を移動することができる。アーム45は、アノードホルダ60を把持する2つのチャック47a,47bを有する。チャック47a,47bは、同様に基板ホルダ18も把持することができる。
めっき槽50は、その側壁の上部にアノードホルダ60を下側から支持するための一対の支持部材51−1,51−2を備えている。アノードホルダ60がめっき槽50内部に収納されるときは、アーム45が支柱部46に内蔵される昇降機構により下降され、アノードホルダ60は支持部材51−1,51−2により吊り下げ保持される。
図3は、図1に示したホルダ受け渡しユニット72を拡大した概略図である。
図示のように、ホルダ受け渡しユニット72は、めっき装置100の内部に位置する開口エリア78と、開口エリア78を閉鎖する一対の扉73と、アノードホルダ60(図2等参照)及び基板ホルダ18(図1参照)を吊り下げ保持する吊り下げバー75と、吊り下げバー75を水平方向にガイドする一対のリニアガイド74と、を備えている。
吊り下げバー75及びリニアガイド74は、開口エリア78内に位置する。吊り下げバー75は、アノードホルダ60及び基板ホルダ18を下方から支持する2対のホルダ支持部77を備えている。基板ホルダ18やアノードホルダ60の部品交換等のメンテナンスを行うときに、第2のトランスポータ44は、基板ホルダ18又はアノードホルダ60を搬送し、ホルダ支持部77に吊り下げ保持させる。扉73は、両開きの扉であり、めっき
装置100の外側に向かって開く。これにより、開口エリア78は、めっき装置100の外部と連通可能となる。メンテナンスを行う作業者は、扉73を開き、吊り下げバー75をリニアガイド74に沿って手前側(めっき装置100外側)に向かって引き出すことで、ホルダ支持部77に吊り下げられた基板ホルダ18又はアノードホルダ60を容易に取り出すことができる。
図4は、図1に示しためっき槽50の概略側断面図である。
図4に示すように、このめっき槽50は、添加剤を含むめっき液Qを収容するめっき処理槽52と、めっき処理槽52からオーバーフローしためっき液Qを受けて排出するめっき液排出槽54と、めっき処理槽52とめっき液排出槽54とを仕切る仕切り壁55と、を有する。
アノード40を保持したアノードホルダ60と基板Wを保持した基板ホルダ18は、めっき処理槽52内のめっき液Qに浸漬され、アノード40と基板Wの面が平行になるように対向して配置される。アノード40と基板Wは、めっき処理槽52のめっき液Qに浸漬された状態で、めっき電源90により電圧が印加される。これにより、金属イオンが基板Wの被めっき面W1で還元され、被めっき面W1に膜が形成される。
めっき処理槽52は、槽内部にめっき液Qを供給するためのめっき液供給口56を有する。めっき液排出槽54は、めっき処理槽52からオーバーフローしためっき液Qを排出するためのめっき液排出口57を有する。めっき液供給口56はめっき処理槽52の底部に配置され、めっき液排出口57はめっき液排出槽54の底部に配置される。
めっき液Qがめっき液供給口56からめっき処理槽52に供給されると、めっき液Qはめっき処理槽52から溢れ、仕切り壁55を越えてめっき液排出槽54に流入する。めっき液排出槽54に流入しためっき液Qはめっき液排出口57から排出され、めっき液循環装置58が有するフィルタ等で不純物が除去される。不純物が除去されためっき液Qは、めっき液循環装置58によりめっき液供給口56を介してめっき処理槽52に供給される。
図5は、図4に示した第1の実施形態に係るアノードホルダ60の平面図であり、図6は、図5に示した4−4断面におけるアノードホルダ60の側断面図であり、図7は、ホルダベースカバー63を取り外した状態のアノードホルダ60の分解斜視図であり、図8は、ホルダベースカバー63を取り外した状態のアノードホルダ60の平面図である。
なお、図8においては便宜上、把持部64−2が透過した状態のアノードホルダ60が示されている。また、図7及び図8においては、便宜上、アノード40が取り外された状態のアノードホルダ60が示されている。
本明細書において、「上」及び「下」はアノードホルダ60がめっき槽50に鉛直に収容された状態における上方向及び下方向をいう。同様に、本明細書において、「前面」は、アノードホルダ60が基板ホルダと対向する側の面をいい、「背面」は前面と逆側の面をいう。
図5ないし図7に示すように、本実施形態に係るアノードホルダ60は、アノード40を収容する内部空間61を有する略矩形状のホルダベース62と、ホルダベース62の上部に形成された一対の把持部64−1,64−2と、同じくホルダベース62の上部に形成された一対のアーム部70−1,70−2と、ホルダベース62の前面を部分的に覆うホルダベースカバー63と、内部空間61を覆うようにホルダベースカバー63の前面に設けられた隔膜66と、隔膜66の前面に設けられたアノードマスク67とを有する。
図5及び図8に示すように、ホルダベース62は、その下部の外表面から内部空間61
まで延在し、内部空間61に連通する孔71を有する。また、ホルダベース62は、その上部の把持部64−1,64−2間に、内部空間61の空気を排出するための空気排出口81を有する。ホルダベース62がめっき液に浸漬されたとき、めっき液が孔71から内部空間61に流入するとともに、内部空間61の空気が空気排出口81から排出される。また、アノード40として不溶性アノードを用いた場合、めっき処理中にアノード40から発生する酸素も、空気排出口81を通じて排出される。空気排出口81は、空気の排出を妨げないように形成された蓋83により閉止される。
また、図6に示すように、ホルダベースカバー63の略中央部には、アノード40の径よりも大きい径を有する環状の開口63aが形成されている。ホルダベースカバー63は、ホルダベース62とともに内部空間61を形成する。隔膜66は、開口63aの前面に設けられ、内部空間61を閉鎖する。隔膜66とアノードマスク67との間には、隔膜押え68が設けられる。また、ホルダベースカバー63の前面には、開口63aに沿って、例えばO−リング等からなる環状の第1のシール部材84が設けられる。隔膜押え68により隔膜66が第1のシール部材84に押圧されることで、隔膜66は開口63aを密閉する。即ち、第1のシール部材84は、隔膜66と内部空間61との間を密閉することができる。これにより、隔膜66を介して内部空間61と外部空間とが仕切られる。
隔膜66は、例えば陽イオン交換膜のようなイオン交換膜、又は中性隔膜である。隔膜66は、めっき液中の添加剤やブラックフィルムを通過させることなく、めっき処理時にアノード側からカソード側へ陽イオンを通過させることができる。
アノードマスク67は、中央部に環状の開口を有する板状の部材であり、隔膜押え68の前面に着脱自在に取り付けられる。アノードマスク67の開口の径は、アノード40の外径よりも小さい。このため、アノードマスク67は、アノードマスク67が隔膜押え68に取り付けられたときに、図5に示した平面から見てアノード40の外周縁部を覆うように構成されている。これにより、アノードマスク67は、めっき処理時にアノード40の表面の電場を制御することができる。
ホルダベースカバー63はホルダベース62に対してねじ結合や溶着などにより密に固定されており、ホルダベースカバー63とホルダベース62との結合部は密着されている。なお、ホルダベースカバー63とホルダベース62は一体に形成してもよい。
図5、図7及び図8に示すように、把持部64−1,64−2は、ホルダベース62の上部に形成された連結部62−1,62−2を介してホルダベース62と連結している。把持部64−1,64−2は、連結部62−1,62−2からホルダベース62の中央方向に延在して形成される。把持部64−1,64−2は、アノードホルダ60が各槽に搬送されるときに、図2に示したトランスポータ42,44のチャック47a,47bにより把持される。把持部64−1,64−2の下部には、その厚みが下方に向けて小さくなるようにテーパ部65−1,65−2が形成される。アノードホルダ60が把持されるとき、チャック47a,47b(図2参照)は、把持部64−1,64−2を前面および背面から挟み込み、テーパ部65−1,65−2を下から支えるように把持する。
アーム部70−1,70−2は、連結部62−1,62−2から外側方向に延在して形成される。アーム部70−1,70,2は、アノードホルダ60をめっき槽50に収容したときに、めっき槽50の支持部材51−1,51−2(図2参照)により下方から支持される。これにより、アノードホルダ60がめっき槽50に対して吊り下げ保持される。
アーム部70−1の下部には、アノード40に電圧を印加するための電極端子82が設けられている。電極端子82は、アノードホルダ60がめっき槽に収容されたときに、支
持部材51−1(図2参照)に設けられる導電板と接触する。この導電板がめっき電源90の正極に接続されることで、電極端子82がめっき電源90(図4参照)と通電する。また、アノードホルダ60は、電極端子82から内部空間61の略中央部まで延在する給電部材89を有する。給電部材89は、略板状の導電部材であり、電極端子82と電気的に接続される。
図6に示すように、給電部材89の前面には、例えばねじ等からなる固定部材88により、アノード40が固定されている。これにより、電極端子82及び給電部材89を介して図4に示しためっき電源90によりアノード40に電圧を印加することができる。
ホルダベース62の略中央部、即ち固定部材88に対応する位置には、アノード40を交換するための環状の開口部69が形成されている。開口部69は、内部空間61の背面側に連通しており、蓋86により覆われる。ホルダベース62の背面側には、開口部69に沿って、例えばO−リング等からなる環状の第2のシール部材85が設けられている。この第2のシール部材85により、開口部69と蓋86との間が密閉される。
蓋86は、アノード40を交換するときに取り外される。具体的には、例えばアノード40が耐用年数を経過したときに、オペレータにより蓋86が取り外され、開口部69を介して固定部材88が取り外される。オペレータはアノードマスク67を隔膜押え68から取り外し、アノード40を内部空間61から取り出す。続いて、別のアノード40を内部空間61に収容し、開口部69を介して固定部材88によりアノード40を給電部材89の前面に固定する。最後に、蓋86により開口部69を封止し、アノードマスク67を隔膜押え68に取り付ける。
ホルダベース62の背面には、重り87が取り付けられている。これにより、アノードホルダ60をめっき液に浸漬したときに、浮力によりアノードホルダ60が水面上に浮き上がることを防止することができる。
図8に示すように、アノードホルダ60は、孔71を封止可能に構成された弁91と、弁91が閉じるように弁91を付勢するためのばね96と、ばね96の付勢力を弁91に伝達するためのシャフト93と、弁91の開閉を操作する操作部であるプッシュロッド95と、プッシュロッド95に加えられた力をシャフト93に伝達するための中間部材94と、をさらに備える。
弁91は、孔71をホルダベース62の内部側から封止できるように、ホルダベース62の内部に配置される。シャフト93は、アノードホルダ60の長手方向に沿ってホルダベース62の内部に配置される。シャフト93は、その一端が弁91に連結され、他端がばね96に連結される。これによりシャフト93は、ばね96の付勢力を弁91に伝達し、弁91が孔71をホルダベース62の内部側から封止するように弁91を付勢する。
図9は、図8に示した把持部64−2の拡大図である。
図示のように、把持部64−2の上部には、ばね台座97aが設けられ、シャフト93の一端には、ばね台座97bが設けられる。ばね96は、一端がばね台座97aにより把持部64−2に固定され、他端がばね台座97bによりシャフト93に固定される。これにより、ばね96はシャフト93をその軸方向に付勢し、図8に示した弁91が孔71を封止するように、即ち弁91が閉じるように弁91を間接的に付勢することができる。
プッシュロッド95は、その一端が把持部64−2から突出し、他端が把持部64−2内に位置する。プッシュロッド95は、その軸方向に摺動可能に構成される。把持部64−2内部に位置するプッシュロッド95の他端の外周面には、中間部材94と連結するた
めのピン95aが形成される。
また、シャフト93の外周面には、中間部材94と連結するためのピン93aが形成される。
中間部材94は、その略中央部が枢軸94aにより把持部64−2に固定され、且つ枢軸94aを中心に回転可能に構成される。中間部材94の一端はプッシュロッド95のピン95aに連結され、他端はシャフト93のピン93aに連結される。これにより、ピン95aを力点、枢軸94aを支点、ピン93aを作用点として、プッシュロッド95に加えられた力がシャフト93に伝達される。
図10は、図8に示した把持部64−2がトランスポータにより把持された状態を示す図である。
図2に示したトランスポータ42,44のチャック47a,47bは、把持部64−2を前面および背面から挟み込み、把持部64−2の下面のテーパ部を下から支えるように把持する。このとき、図10に示すように、把持部64−2から突出するプッシュロッド95は、チャック47a,47b(図2参照)のプッシュロッド95に対向する面により、把持部64−2の内部方向に押し込まれる。即ち、プッシュロッド95は、下方向に押下される。プッシュロッド95が下方向に押下されると、ピン95aが下方向に移動し、枢軸94aを中心として中間部材94が回転する。これに伴い、ばね96が圧縮されるとともに、ピン93a及びシャフト93が上方向(ばね96の付勢力の方向と逆方向)に移動する。これにより、シャフト93の他端に接続された弁91(図8参照)が上方向に移動し、孔71が開放される。
図11は、図8に示した孔71及び弁91を示す拡大図である。
ホルダベース62は、弁91を受けるための弁座99を備える。弁座99は、孔71に挿入される挿入部99aと、ホルダベース62の下部に固定される固定部99bと、孔71と連通する孔99cとを有する。孔71は、孔99cを介して内部空間61(図8参照)とホルダベース62の外部とを連通させる。
挿入部99aは、略円筒状に形成される。例えばO−リングである環状の第3のシール部材92が挿入部99aの先端部に、孔99cに沿って設けられる。第3のシール部材92は、弁91と弁座99との間を密閉する。これにより、弁91が弁座99に接触したときに孔71が封止される。挿入部99aの外周部には、孔71と弁座99との間を密閉する例えばO−リングである環状の第4のシール部材98が設けられる。第4のシール部材98は、孔71と弁座99との隙間をめっき液が通過することを防止する。弁91がばね96(図9参照)に付勢されることにより、図示のように弁91が弁座99に押し付けられる。
図12は、図8に示した把持部64−2がトランスポータにより把持された状態における、孔71及び弁91を示す拡大図である。
図10に示したように、トランスポータ42,44のチャック47a,47b(図2参照)により把持部64−2が把持されると、シャフト93がアノードホルダ60の上方向に移動する。これに伴い、図12に示すように、弁91が上方向に移動して開き、孔71が開放される。孔71が開放されることにより、孔71は内部空間61と連通し、めっき液が内部空間61に流入することができる。
次に、図5ないし図12に示したアノードホルダ60を、図4に示しためっき槽50に収容するプロセスについて説明する。
アノードホルダ60をめっき槽50に収容するときは、まず、図2に示したトランスポータ42,44のチャック47a,47bにより把持部64−1,64−2が把持される
。これにより、図10に示したように、プッシュロッド95が押下され、シャフト93がばね96の付勢方向と逆方向に移動する。また、弁91は、図12に示したように弁座99から離れ、孔71が開放される。
トランスポータ42,44は、アーム45(図2参照)を下降させることで、孔71が開放された状態のアノードホルダ60をめっき槽50に収容する。アノードホルダ60のアーム部70−1,70−2は、めっき槽50の支持部材51−1,51−2(図2参照)により下方から支持される。アノードホルダ60はめっき液Qに浸漬され、めっき液Qは解放された孔71を通じて内部空間61に流入する。これと同時に内部空間61の空気は空気排出口81から排出され、内部空間61はめっき液Qで満たされる。
内部空間61がめっき液Qで満たされると、トランスポータ42,44はチャック47a,47b(図2参照)による把持部64−1,64−2の把持を解除し、アーム45(図2参照)を上昇させる。アノードホルダ60はめっき槽50内に吊り下げ保持される。このとき、アーム45の上昇とともに、ばね96の付勢力によりシャフト93が元の位置に戻される。これにより、弁91は第3のシール部材92を介して弁座99に密着し、孔71が封止される。
孔71が封止されると、アノードホルダ60の内部空間61に存在するめっき液Qは、めっき槽50内のめっき液Qと、隔膜66を介して隔離される。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが内部空間61の外に拡散されることを防止することができる。また、アノード40近傍で酸素又は一価の銅が発生しても、めっき槽50内のめっき液Qが内部空間61に入り込まないので、添加剤の分解の進行を防止することができる。
メンテナンス等のときにアノード40又は隔膜66を交換する場合には、まず、めっき槽50内に配置されたアノードホルダ60の把持部64−1,64−2をトランスポータ42,44のチャック47a,47b(図2参照)が把持する。このとき、図12に示したように弁91が弁座99から離れ、孔71が開放される。トランスポータ42,44は把持されたアノードホルダ60をめっき液Qから取り出し、めっき槽50の上方に静止させる。このとき、内部空間61のめっき液Qは、解放された孔71からめっき槽50内に排出される。内部空間61が空になったアノードホルダ60は、第2の水洗槽32bおよびブロー槽34を経由して洗浄され、乾燥された後、ホルダ受け渡しユニット72(図3参照)に搬送される。その後、アノードホルダ60は、ホルダ受け渡しユニット72から作業者により取り出されて、アノード40又は隔膜66が交換される。
なお、アノードホルダ60を第2の水洗槽32b内の洗浄液(純水)に浸漬する際にも、アノードホルダ60の把持部64−1,64−2をトランスポータ42,44のチャック47a,47bが把持することにより、解放された孔71を通じて洗浄液が内部空間61に流入する。これにより、アノードホルダ60の内部空間61が洗浄され、メンテナンスが容易になる。
以上で説明したように、アノードホルダ60は孔71を封止するための弁91を備えるので、アノードホルダ60をめっき液Qに浸漬して内部空間61にめっき液Qを満たした後に、孔71を封止することができる。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが、内部空間61の外に拡散されることを抑制することができる。また、アノード40近傍で酸素又は一価の銅が発生しても、めっき槽50内のめっき液Qが内部空間61に入り込まないので、添加剤の分解の進行を抑制することができる。
アノードホルダ60は、弁91が孔71を封止するように弁91を付勢するばね96(
付勢部材)と、弁91が開いて孔71を開放するように弁91を操作するプッシュロッド95(操作部)を有する。これにより、通常時には弁91が孔71を封止することができるとともに、プッシュロッド95により孔71を容易に開放することができる。
また、プッシュロッド95は、把持部64−2に設けられている。これにより、トランスポータ42,44が把持部64−2を把持することで、プッシュロッド95を操作することができる。したがって、トランスポータ42,44以外にプッシュロッド95を操作する機構が不要であるので、めっき装置にプッシュロッド95を操作するための特別な機構を設ける必要がない。
アノードホルダ60は、シャフト93と中間部材94、及び枢軸94aを有する。シャフト93は一端が弁91に連結され、他端がばね96に連結される。中間部材94は、一端がシャフト93に連結され、他端がプッシュロッド95に連結される。枢軸94aは、中間部材94を回転可能に固定される。プッシュロッド95は、一端が把持部64−2から突出し、他端が中間部材94の上記他端に連結される。また、プッシュロッド95が把持部64−2の内部に押下されたとき、弁91がばね96の付勢力の方向と逆方向に移動する。これにより、トランスポータ42,44が把持部64−2を把持することで、プッシュロッド95を操作することができる。また、プッシュロッド95を操作することで、弁91が開くように操作することができる。
アノードホルダ60は、隔膜66と内部空間61との間を密閉する第1のシール部材84を有する。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが、隔膜66と内部空間61との隙間から拡散することを防止することができる。また、めっき槽50内のめっき液Qが、隔膜66と内部空間61との隙間から内部空間61に入り込むことを防止することができ、添加剤の分解の進行を抑制することができる。
アノードホルダ60は、内部空間61の背面に通じる開口部69を有するので、開口部69を介してアノード40を容易に交換することができる。また、アノードホルダは、開口部69を覆う蓋86と、開口部69と蓋86との間を密閉する第2のシール部材85を有する。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが、開口部69と蓋86との隙間から拡散することを防止することができる。また、めっき槽50内のめっき液Qが、開口部69と蓋86との隙間から内部空間61に入り込むことを防止することができ、添加剤の分解の進行を抑制することができる。
アノードホルダ60は、空気排出口81を有する。これにより、内部空間61の空気を排出することができ、孔71からめっき液Qを内部空間61に供給することができる。
隔膜66は、イオン交換膜又は中性隔膜である。これにより、めっき液中の添加剤やブラックフィルムを通過させることなく、めっき処理時にアノード側からカソード側へ陽イオンを通過させることができる。
また、第1の実施形態に係るめっき装置100は、トランスポータ42,44を有し、アノードホルダ60の弁91は、トランスポータ42,44がアノードホルダ60を把持したときに開き、把持を解除したときに閉じるように構成される。これにより、アノードホルダ60が把持されつつめっき液Qに浸漬されるときに、内部空間61にめっき液Qを満たすことができる。また、アノードホルダ60の把持が解除されてめっき槽50に収容されたときには、弁91が孔71を封止することができる。さらに、アノード40の交換等のために、アノードホルダ60が把持されつつめっき液Qから取り出されるとき、弁91が開くので、内部空間61のめっき液Qを孔71から排出することができる。
なお、第1の実施形態においては、弁91を開閉させるための構成としてシャフト93、ばね96、中間部材94、枢軸94a、及びプッシュロッド95等を有するものとしているが、これに限らず、弁91を開閉させることができる他の構成を採用することができる。
アノードホルダ60は、アノード40の交換の便宜上、ホルダベース62に開口部69を設けているが、他の方法でアノード40を交換する場合は、この開口部69は設けなくともよい。
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態に係るめっき装置について説明する。なお、第2の実施形態に係るめっき装置は、第1の実施形態に係るめっき装置に比べて、めっき槽50及びアノードホルダ60が異なる。その他の構成は第1の実施形態と同様であるので、めっき槽50及びアノードホルダ60以外の構成は説明を省略する。
図13は、第2の実施形態に係るめっき装置が有するめっき槽50の概略側断面図である。
めっき槽50は、図示のように、側壁の上部に設けられた支持部材51−1,51−2によってアノードホルダ60の把持部64−1,64−2の下部を支持し、アノードホルダ60を収容するように構成される。支持部材51−1は、アノードホルダ60の電極端子82と接触する位置に、図4に示しためっき電源90の正極と接続した導電板53を備えている。したがって、アノードホルダ60がめっき槽50に収容されたとき、電極端子82と導電板53と接触することにより、アノードホルダ60がめっき電源90と通電する。
また、めっき槽50は、その底部(図示省略)から鉛直方向に延在するシャフト193と、シャフト193の端部に連結した弁191を有する。図示のようにアノードホルダ60がめっき槽50に収容された状態において、弁191はアノードホルダ60の孔71を封止することができる。
図14は、ホルダベースカバー63を取り外した状態の図13に示したアノードホルダ60の平面図である。なお、図14においては便宜上、アノード40が取り外され、把持部64−1,64−2が透過した状態のアノードホルダ60が示されている。
図示のように、アノードホルダ60は、第1の実施形態におけるプッシュロッド95、ばね96、シャフト93、弁91を備えていない。一方で、アノードホルダ60は、第1の実施形態と同様に、その下部の外表面から内部空間61まで延在し、内部空間61に連通する孔71を有する。
図15は、図14に示した孔71を示す拡大図である。
ホルダベース62は、図13に示した弁191を受けるための弁座199を備える。弁座199は、孔71に挿入される挿入部199aと、ホルダベース62の下部に固定される固定部199bと、孔71と連通する孔199cとを有する。孔71は、孔199cを介して内部空間61(図14参照)とホルダベース62の外部とを連通させる。
挿入部199aは略円筒状に形成される。一方で、第1の実施形態とは異なり、挿入部199aは、第3のシール部材92(図11参照)を備えていない。挿入部99aの外周部には、例えばO−リングである環状の第5のシール部材198が設けられる。第5のシール部材198は、孔71と弁座199との間を密に封止し、孔71と弁座199との隙間をめっき液が通過することを防止する。
例えばO−リングである環状の第6のシール部材196が、固定部199bの下部に孔
199cの外周に沿って設けられる。第6のシール部材196は、アノードホルダ60がめっき槽50(図13参照)に収容されたときに、弁191と接触する。これにより、孔71が封止される。
次に、図13ないし図15に示したアノードホルダ60を、図13に示しためっき槽50に収容するプロセスについて説明する。
アノードホルダ60をめっき槽50に収容するときは、まず、図2に示したトランスポータ42,44のチャック47a,47bにより把持部64−1,64−2が把持される。トランスポータ42,44は、アーム45(図2参照)を下降させることで、孔71が開放された状態のアノードホルダ60をめっき槽50に収容する。アノードホルダ60のアーム部70−1,70−2は、めっき槽50の支持部材51−1,51−2(図2参照)により下方から支持される。アノードホルダ60はめっき液Qに浸漬され、めっき液Qは解放された孔71を通じて内部空間61に流入する。これと同時に内部空間61の空気は空気排出口81から排出され、内部空間61はめっき液Qで満たされる。
トランスポータ42,44は、内部空間61がめっき液Qで満たされたときに、アノードホルダ60をめっき槽50内の最終位置、即ち図13に示した位置に配置する。アノードホルダ60がめっき槽50内の最終位置に配置されると、弁191が第6のシール部材196を介して弁座199に密着し、孔71が封止される。
孔71が封止されると、アノードホルダ60の内部空間61に存在するめっき液Qは、めっき槽50内のめっき液Qと、隔膜66を介して隔離される。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが内部空間61の外に拡散されることを防止することができる。また、アノード40近傍で酸素又は一価の銅が発生しても、めっき槽50内のめっき液Qが内部空間61に入り込まないので、添加剤の分解の進行を防止することができる。
メンテナンス等のときにアノード40又は隔膜66を交換する場合には、まず、めっき槽50内に配置されたアノードホルダ60の把持部64−1,64−2をトランスポータ42,44のチャック47a,47b(図2参照)が把持する。トランスポータ42,44は把持されたアノードホルダ60をめっき液Qから取り出し、めっき槽50の上方に静止させる。アノードホルダ60が上昇することにより、弁191が弁座199から離れ、孔71が開放される。内部空間61のめっき液Qは、解放された孔71からめっき槽50内に排出される。内部空間61が空になったアノードホルダ60は、第2の水洗槽32bおよびブロー槽34を経由して洗浄され、乾燥された後、ホルダ受け渡しユニット72(図3参照)に搬送される。その後、アノードホルダ60は、ホルダ受け渡しユニット72から作業者により取り出されて、アノード40又は隔膜66が交換される。
以上で説明したように、めっき槽50はアノードホルダ60の孔71を封止する弁191を備えるので、アノードホルダ60をめっき液Qに浸漬して内部空間61にめっき液Qを満たした後に、孔71を封止することができる。これにより、内部空間61に発生したブラックフィルムが、内部空間61の外に拡散されることを抑制することができる。また、アノード40近傍で酸素又は一価の銅が発生しても、めっき槽50内のめっき液Qが内部空間61に入り込まないので、添加剤の分解の進行を抑制することができる。
また、弁191は、アノードホルダ60がめっき槽50に収容されたときに孔71を封止するように構成されているので、弁191を開閉するための特別な操作機構を設ける必要がない。
なお、第2の実施形態において、アノードホルダ60は弁191と接触する弁座199
を備えているが、弁座199を設けず、第6のシール部材196がホルダベース62の下部に直接設けられてもよい。
以上に本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
10…カセット
12…カセットテーブル
14…アライナ
16…基板搬送装置
17…スピンドライヤ
18…基板ホルダ
20…基板着脱部
22…レール
24…載置プレート
26…ストッカ
28…プリウェット槽
30…プリソーク槽
32a…第1の水洗槽
32b…第2の水洗槽
34…ブロー槽
36…パドル駆動装置
40…アノード
41…基板ホルダ搬送装置
42…第1のトランスポータ
44…第2のトランスポータ
45…アーム
46…支柱部
47a…チャック
47b…チャック
50…めっき槽
51−1…支持部材
51−2…支持部材
52…めっき処理槽
53…導電板
54…めっき液排出槽
55…仕切り壁
56…めっき液供給口
57…めっき液排出口
58…めっき液循環装置
60…アノードホルダ
61…内部空間
62…ホルダベース
62−1…連結部
62−2…連結部
63…ホルダベースカバー
63a…開口
64−1…把持部
64−2…把持部
65−1…テーパ部
65−2…テーパ部
66…隔膜
67…アノードマスク
68…隔膜押え
69…開口部
70−1…アーム部
70−2…アーム部
71…孔
72…ホルダ受け渡しユニット
73…扉
74…リニアガイド
75…吊り下げバー
77…ホルダ支持部
78…開口エリア
81…空気排出口
82…電極端子
83…蓋
84…第1のシール部材
85…第2のシール部材
86…蓋
88…固定部材
89…給電部材
90…電源
91…弁
92…第3のシール部材
93…シャフト
93a…ピン
94…中間部材
94a…枢軸
95…プッシュロッド
95a…ピン
96…ばね
97a…ばね台座
97b…ばね台座
98…第4のシール部材
99…弁座
99a…挿入部
99b…固定部
99c…孔
100…めっき装置
191…弁
193…シャフト
196…第6のシール部材
198…第5のシール部材
199…弁座
199a…挿入部
199b…固定部
199c…孔
Q…めっき液
W…基板
W1…面

Claims (11)

  1. めっき装置に用いられるアノードを保持するためのアノードホルダであって、
    前記アノードホルダの内部に形成され、前記アノードを収容するための内部空間と、
    前記内部空間の前面を覆うように構成される隔膜と、
    前記アノードホルダの外表面に形成され、前記内部空間に連通する孔と、
    前記孔を封止するための弁と、を有する、
    アノードホルダ。
  2. 請求項1に記載されたアノードホルダであって、
    前記弁が閉じるように前記弁を付勢する付勢部材と、
    前記弁が開くように前記弁を操作する操作部と、を有する
    アノードホルダ。
  3. 請求項2に記載されたアノードホルダであって、
    前記アノードホルダが搬送されるときに把持される把持部を有し、
    前記操作部は、前記把持部に設けられる、
    アノードホルダ。
  4. 請求項3に記載されたアノードホルダであって、
    一端が前記弁に連結され、他端が前記付勢部材に連結されるシャフトと、
    一端が前記シャフトに連結され、他端が前記操作部に連結される中間部材と、
    前記中間部材を回転可能に固定する枢軸と、を有し、
    前記操作部は、一端が前記把持部から突出し、他端が前記中間部材の前記他端に連結されるプッシュロッドであり、
    前記プッシュロッドが前記把持部の内部に押下されたとき、前記弁が前記付勢部材の付勢力の方向と逆方向に移動する、
    アノードホルダ。
  5. 請求項1ないし4のいずれか一項に記載されたアノードホルダであって、
    前記隔膜と前記内部空間の前面との間を密閉するように構成される第1のシール部材を有する、
    アノードホルダ。
  6. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載されたアノードホルダであって、
    前記内部空間の背面に連通する開口部と、
    前記開口部を覆う蓋と、
    前記開口部と前記蓋との間を密閉するように構成される第2のシール部材と、を有する、
    アノードホルダ。
  7. 請求項1ないし6のいずれか一項に記載されたアノードホルダであって、
    前記内部空間の空気を排出するための空気排出口を有する、
    アノードホルダ。
  8. 請求項1ないし7のいずれか一項に記載されたアノードホルダであって、
    前記隔膜は、イオン交換膜又は中性隔膜である、
    アノードホルダ。
  9. 請求項1ないし8のいずれか一項に記載されたアノードホルダを収容するように構成されるめっき槽を備えためっき装置であって、
    前記アノードホルダを搬送するためのトランスポータを有し、
    前記アノードホルダの前記弁は、前記トランスポータが前記アノードホルダを把持した時に開き、把持を解除した時に閉じるように構成される、
    めっき装置。
  10. めっき槽を有するめっき装置であって、
    前記めっき槽は、めっき処理の間アノードホルダを収容する内部空間を有し、
    前記アノードホルダ、前記アノードホルダの内部に形成され、アノードを収容するための内部空間と、前記アノードホルダの前記内部空間の前面を覆うように構成される隔膜と、前記アノードホルダの外表面に形成され、前記アノードホルダの前記内部空間と前記めっき槽の前記内部空間とを連通させる孔と、を有し、
    前記めっき槽は、前記アノードホルダの前記孔を封止するための弁を備える、
    めっき装置。
  11. 請求項10に記載されためっき装置であって、
    前記弁は、前記アノードホルダが前記めっき槽に収容されたときに、前記アノードホルダの前記孔を封止するように構成される、
    めっき装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020217796A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社荏原製作所 アノードホルダ、めっき装置、及びめっき方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6621377B2 (ja) * 2016-06-07 2019-12-18 株式会社荏原製作所 めっき装置、めっき方法、及び記録媒体
JP7014553B2 (ja) * 2017-09-22 2022-02-01 株式会社荏原製作所 めっき装置
WO2019130859A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 株式会社カネカ 光電変換素子の製造方法及びめっき用治具、めっき装置
CN109763166A (zh) * 2019-03-07 2019-05-17 苏州热工研究院有限公司 适用于金属样品电解抛光的装置
JP7256042B2 (ja) * 2019-03-20 2023-04-11 株式会社ユアサメンブレンシステム 隔膜部材
JP7183111B2 (ja) * 2019-05-17 2022-12-05 株式会社荏原製作所 めっき方法、めっき用の不溶性アノード、及びめっき装置
JP7173932B2 (ja) * 2019-06-10 2022-11-16 株式会社荏原製作所 アノードホルダ、及びめっき装置
JP7316908B2 (ja) * 2019-10-30 2023-07-28 株式会社荏原製作所 アノード組立体
CN112746308B (zh) * 2020-12-30 2022-03-25 杭州俊豪电镀有限公司 一种挂镀镀锌生产设备及工艺
KR102378307B1 (ko) * 2021-02-22 2022-03-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2519945A (en) * 1946-01-25 1950-08-22 Gen Electric Electroplating apparatus
US3431187A (en) * 1965-11-22 1969-03-04 Lancy Lab Gold recovery
JPS5848691A (ja) * 1981-08-26 1983-03-22 Furukawa Electric Co Ltd:The メツキ方法
JP2510422B2 (ja) 1988-05-25 1996-06-26 ペルメレック電極 株式会社 プリント基板の銅メッキ方法
JP2510422Y2 (ja) 1991-08-23 1996-09-11 本田技研工業株式会社 皮張り性塗料用貯蔵タンク
JP3681791B2 (ja) * 1995-07-25 2005-08-10 上村工業株式会社 めっき装置のボール状アノード補給装置
JP2000087299A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ebara Corp 基板メッキ装置
US6660139B1 (en) * 1999-11-08 2003-12-09 Ebara Corporation Plating apparatus and method
EP2017374A3 (en) 2000-03-17 2011-04-27 Ebara Corporation Plating apparatus and method
US6793794B2 (en) 2000-05-05 2004-09-21 Ebara Corporation Substrate plating apparatus and method
US7195696B2 (en) * 2000-05-11 2007-03-27 Novellus Systems, Inc. Electrode assembly for electrochemical processing of workpiece
US6576110B2 (en) * 2000-07-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Coated anode apparatus and associated method
JP3328812B2 (ja) * 2000-10-06 2002-09-30 株式会社山本鍍金試験器 電気めっき試験器の陰極カートリッジおよび陽極カートリッジ
EP1516357A2 (en) * 2002-06-21 2005-03-23 Ebara Corporation Substrate holder and plating apparatus
US7247222B2 (en) * 2002-07-24 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US7128823B2 (en) * 2002-07-24 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Anolyte for copper plating
US7374646B2 (en) * 2003-01-31 2008-05-20 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and substrate processing method
CN101369533B (zh) * 2003-03-11 2010-06-02 株式会社荏原制作所 镀覆装置
JP2007113082A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
JP4942580B2 (ja) * 2007-08-20 2012-05-30 株式会社荏原製作所 アノードホルダ用通電ベルトおよびアノードホルダ
JP5184308B2 (ja) * 2007-12-04 2013-04-17 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP5400408B2 (ja) 2009-02-13 2014-01-29 株式会社荏原製作所 アノードホルダ用通電部材およびアノードホルダ
CN201400723Y (zh) * 2009-04-09 2010-02-10 安得膜分离技术工程(北京)有限公司 一种管式阳极

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020217796A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社荏原製作所 アノードホルダ、めっき装置、及びめっき方法

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