JPS5848691A - メツキ方法 - Google Patents
メツキ方法Info
- Publication number
- JPS5848691A JPS5848691A JP13383981A JP13383981A JPS5848691A JP S5848691 A JPS5848691 A JP S5848691A JP 13383981 A JP13383981 A JP 13383981A JP 13383981 A JP13383981 A JP 13383981A JP S5848691 A JPS5848691 A JP S5848691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- case
- plated
- anode
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は側壁に多数の透孔を有する不溶性アノードケー
ス内にメッキ金属を装入したアノードと、金属等の導電
性被メツキ処理材をカソードとして、メッキ液が循環す
るメッキ槽内に対置し、被メツキ処理材の表面に金属被
膜を形成するメッキ方法に関するものである。
ス内にメッキ金属を装入したアノードと、金属等の導電
性被メツキ処理材をカソードとして、メッキ液が循環す
るメッキ槽内に対置し、被メツキ処理材の表面に金属被
膜を形成するメッキ方法に関するものである。
一般に金属メッキにおいては、メッキ液の清浄度がメッ
キ品質を左右する重要な因子となっており、メッキ液中
に微粒子が懸濁すると、メッキ被膜な粗面化したり、多
孔質化するな？！。
キ品質を左右する重要な因子となっており、メッキ液中
に微粒子が懸濁すると、メッキ被膜な粗面化したり、多
孔質化するな？！。
メッキ被膜の品質上極めて有害である。メッキ液中の懸
濁物の発生は一部は液中の微量有機物成分の分解変質に
よるが、そのほとんどはアノード表面に由来するもので
ある。即ち、可溶性アノードを用いると、アノード中の
不純物が残留したり、更にはアノードの溶解反応により
不可避的に不溶性粒子を発生する。例えは、酸性銅メッ
キでは、Ｃ１ｌ−４Ｃ’ ｗ” ＋ ｅ−４Ｃｕ” ”
−ｆ４ ｅ （Ｆ）反応が起り、その中間生成物であ
るＣｕ′″は不安定でＣｕ＊＋と金１１４Ｃｕに分解し
、銅粉を発生する◎従来、可溶性アノードを用いたメッ
キ方法としては、第１図に示すように、メッキ液を髄環
させたメッキ槽（１）内に側壁に多数の透光を有する不
溶性で導電性のアノードケース（２）内仁板又はチップ
状のメッキ金属（３）を装入したアノードと、被メツキ
処理材（４）をカソードとして対置してメッキを行なっ
ている。尚１図において（５）はメッキ液供給用の噴出
管を示す、しかしながらケース内のメッキ金属表面では
、メッキ液の流れが悪いため、アノードの分極が商まり
、不働態化し易くなって、メッキ液中に懸濁物が発生し
、これがケース内からメッキ槽内に浮遊し、被メツキ処
理材の表面に付着してメッキ品禦を低下する原因となっ
ている。またメッキ酸の清浄化をはかるため、メッキ液
を循環系において濾過しているが、多量のメッキ液中に
混入した懸濁物を除去することは濾過効率が悪”い欠め
かあった。
濁物の発生は一部は液中の微量有機物成分の分解変質に
よるが、そのほとんどはアノード表面に由来するもので
ある。即ち、可溶性アノードを用いると、アノード中の
不純物が残留したり、更にはアノードの溶解反応により
不可避的に不溶性粒子を発生する。例えは、酸性銅メッ
キでは、Ｃ１ｌ−４Ｃ’ ｗ” ＋ ｅ−４Ｃｕ” ”
−ｆ４ ｅ （Ｆ）反応が起り、その中間生成物であ
るＣｕ′″は不安定でＣｕ＊＋と金１１４Ｃｕに分解し
、銅粉を発生する◎従来、可溶性アノードを用いたメッ
キ方法としては、第１図に示すように、メッキ液を髄環
させたメッキ槽（１）内に側壁に多数の透光を有する不
溶性で導電性のアノードケース（２）内仁板又はチップ
状のメッキ金属（３）を装入したアノードと、被メツキ
処理材（４）をカソードとして対置してメッキを行なっ
ている。尚１図において（５）はメッキ液供給用の噴出
管を示す、しかしながらケース内のメッキ金属表面では
、メッキ液の流れが悪いため、アノードの分極が商まり
、不働態化し易くなって、メッキ液中に懸濁物が発生し
、これがケース内からメッキ槽内に浮遊し、被メツキ処
理材の表面に付着してメッキ品禦を低下する原因となっ
ている。またメッキ酸の清浄化をはかるため、メッキ液
を循環系において濾過しているが、多量のメッキ液中に
混入した懸濁物を除去することは濾過効率が悪”い欠め
かあった。
本発明者等はこれに鑑み、種々検討の結果、＄２図に示
すように、メッキ液を循環させたメッキ槽（１）内に、
被メツキ処理材（４）と対置したアノードケース（２）
内に側壁に多数の流出孔を設けた排液筒（６）を立設し
、メッキ槽（１）の＆部にアノードケース（２）内の排
液１１ｔ（６）に合せて排液口（７）を設け、ケース（
２）側壁と排液筒（６）間に装入したメッキ金ｊｌｌ（
３１の間を通して循環するメッキ液の一部を図に示す矢
印方向に排液筒（６）と排液口（７）を通してメッキ槽
（１）外に流出させながら被メツキ処理材（４）にメッ
キする方法を開発し、提案した。
すように、メッキ液を循環させたメッキ槽（１）内に、
被メツキ処理材（４）と対置したアノードケース（２）
内に側壁に多数の流出孔を設けた排液筒（６）を立設し
、メッキ槽（１）の＆部にアノードケース（２）内の排
液１１ｔ（６）に合せて排液口（７）を設け、ケース（
２）側壁と排液筒（６）間に装入したメッキ金ｊｌｌ（
３１の間を通して循環するメッキ液の一部を図に示す矢
印方向に排液筒（６）と排液口（７）を通してメッキ槽
（１）外に流出させながら被メツキ処理材（４）にメッ
キする方法を開発し、提案した。
この方法によれば、メッキ金属表面のメッキ液の流れを
向上して、アノード分極を下げ、同時Ｉ：不働態化を防
止し、更にメッキ金属の溶出により生じた懸濁物は排液
筒から排液口を通してメッキ槽外に流出するため、メッ
キ槽内のメッキ液を常に清浄に保つことが可能となり、
またメッキ液の濾過も排液口から流出したメッキ液につ
いて行なえばよいことになり、濾過が容易となる利点が
ある。
向上して、アノード分極を下げ、同時Ｉ：不働態化を防
止し、更にメッキ金属の溶出により生じた懸濁物は排液
筒から排液口を通してメッキ槽外に流出するため、メッ
キ槽内のメッキ液を常に清浄に保つことが可能となり、
またメッキ液の濾過も排液口から流出したメッキ液につ
いて行なえばよいことになり、濾過が容易となる利点が
ある。
しかしながら、この方法においても、メッキ液供給用の
噴出管近傍では液流が大きいため、アノードケース内の
メッキ液の流出が不充分な場合にはメッキ槽内の液圧よ
りアノードケース内の液圧が高くなり、ケース内のメッ
キ液がメッキ槽内に流出して、懸濁物がメッキ槽内に逸
散、浮遊し、被メツキ処理材の表面に付看してメッキ品
質を低下することがある。これを防止するため、ＩＪ２
図に示すようにアノードケース（２）と被メツキ処理材
（４）間、特にアノードケース（２）の“直前に隔Ｈ（
８）を設けてみたが、懸濁物は１〜２μ程度の小さなも
のであるため、メッキ槽（１１内への逸散、浮遊を抑え
ることができなかった。
噴出管近傍では液流が大きいため、アノードケース内の
メッキ液の流出が不充分な場合にはメッキ槽内の液圧よ
りアノードケース内の液圧が高くなり、ケース内のメッ
キ液がメッキ槽内に流出して、懸濁物がメッキ槽内に逸
散、浮遊し、被メツキ処理材の表面に付看してメッキ品
質を低下することがある。これを防止するため、ＩＪ２
図に示すようにアノードケース（２）と被メツキ処理材
（４）間、特にアノードケース（２）の“直前に隔Ｈ（
８）を設けてみたが、懸濁物は１〜２μ程度の小さなも
のであるため、メッキ槽（１１内への逸散、浮遊を抑え
ることができなかった。
本発明はこれに鑑み、更に検討を憲ねた結果、アノード
ケース内の排液効果を高めることにより、＠濁物のメッ
キ槽内への逸散、浮遊を防止したメッキ方法を開発した
もので、側！！ζ二多数の透孔を有する不溶性アノード
ケース内ことメッキ金属を装入したアノードと、被メツ
キ処理材からなるカソードとをメッキ液が１！Ｉａｉｔ
するメッキ槽内に対置して被メツキ処理材にメッキを行
なう方法において、アノードとカソード間に隔膜を設け
、ケース内に透孔より流入するメッキ液より多量のメッ
キ液を流出する多数の流出口を側壁に設けた排液筒な立
設し、メッキ槽の底部に排液筒と合せて調整弁付排出口
を設け、ケース内の液面をメッキ槽内の液面より低く保
持してメッキすることを特徴とするものである。
ケース内の排液効果を高めることにより、＠濁物のメッ
キ槽内への逸散、浮遊を防止したメッキ方法を開発した
もので、側！！ζ二多数の透孔を有する不溶性アノード
ケース内ことメッキ金属を装入したアノードと、被メツ
キ処理材からなるカソードとをメッキ液が１！Ｉａｉｔ
するメッキ槽内に対置して被メツキ処理材にメッキを行
なう方法において、アノードとカソード間に隔膜を設け
、ケース内に透孔より流入するメッキ液より多量のメッ
キ液を流出する多数の流出口を側壁に設けた排液筒な立
設し、メッキ槽の底部に排液筒と合せて調整弁付排出口
を設け、ケース内の液面をメッキ槽内の液面より低く保
持してメッキすることを特徴とするものである。
即ち１本発明は第３図及びｇｌ＆４図に示すように、メ
ッキ液が循環するメッキ槽（１）内に被メツキ処理材（
４）と相対して配置した側壁に多数の透光を有するアノ
ードケース（２）との間に、特にアノードケース（２）
の直前に液導通及び電流導通性の隔膜（８）を設け、ア
ノードケース（２）内に透孔−より流入するメッキ液よ
り多量のメッキ液を流出できる多数の流出孔を設けた排
液筒（６）を立設し、メッキ槽（１）の底部にアノード
ケース（２）内に立設した排液筒（６）に合せて調整弁
（９）を設けた排液口（７）を形成し、アノードケース
（２）と排液筒（６）間にメッキ金属（３）を装入して
、透孔よりメッキ金属（３）間を通して１ＩＮＩＩする
メッキ液の−゛部を因に示す矢印方向に排液筒（６）と
排除口（７）を通してメッキ槽（１）外に流出させる。
ッキ液が循環するメッキ槽（１）内に被メツキ処理材（
４）と相対して配置した側壁に多数の透光を有するアノ
ードケース（２）との間に、特にアノードケース（２）
の直前に液導通及び電流導通性の隔膜（８）を設け、ア
ノードケース（２）内に透孔−より流入するメッキ液よ
り多量のメッキ液を流出できる多数の流出孔を設けた排
液筒（６）を立設し、メッキ槽（１）の底部にアノード
ケース（２）内に立設した排液筒（６）に合せて調整弁
（９）を設けた排液口（７）を形成し、アノードケース
（２）と排液筒（６）間にメッキ金属（３）を装入して
、透孔よりメッキ金属（３）間を通して１ＩＮＩＩする
メッキ液の−゛部を因に示す矢印方向に排液筒（６）と
排除口（７）を通してメッキ槽（１）外に流出させる。
このようにして調整弁（９）を胸整し、常にアノードケ
ース（２）内の液面なメッキ槽（１）内の液面より低く
保持して被メツキ処理材（４）にメッキを行なうもので
ある。尚、図に示すようにアノードケース（２）の上部
にメッキ液流入口（１１を設け、循環するメッキ液の一
部がアノードケース（２）の上部よりケース（２１内に
流入するようにするとよい。また図において（５）はメ
ッキ液供給用の噴出管を示す。
ース（２）内の液面なメッキ槽（１）内の液面より低く
保持して被メツキ処理材（４）にメッキを行なうもので
ある。尚、図に示すようにアノードケース（２）の上部
にメッキ液流入口（１１を設け、循環するメッキ液の一
部がアノードケース（２）の上部よりケース（２１内に
流入するようにするとよい。また図において（５）はメ
ッキ液供給用の噴出管を示す。
このような本発明方法によれは、アノードケース内の液
圧はメッキ槽内の液圧よりｉ＠ζ；低く保たれるため、
ケース内の懸濁物がメッキ槽内に逸散、浮遊するのを確
実に防止することができる。
圧はメッキ槽内の液圧よりｉ＠ζ；低く保たれるため、
ケース内の懸濁物がメッキ槽内に逸散、浮遊するのを確
実に防止することができる。
従って、［濁物が被メツキ処理材に付看し。
メッキ品質を低下するようなことはない。またメッキ金
属表面のメッキ液の流れが史に１ρ」上し７ノードの分
極な下げ、同時に不働態化をより有効に防止することが
できる。
属表面のメッキ液の流れが史に１ρ」上し７ノードの分
極な下げ、同時に不働態化をより有効に防止することが
できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
巾２５０■の銅テープにｌ！Ａ３１Ｏμの銅メッキを連
続的に行なった。銅テープは巾方向な垂直にして２ｗｉ
／ｍｍの速度で搬送しながら常法によりアルカッ脱脂、
酸洗、シアン化銅ストライクメッキしてから硫酸銅メッ
キを行なった。銅メツキ槽は長さ１．５ｍの合成樹脂製
細長槽３個を連設し、それぞれ各種に第３因に示すよう
にチタンメツシュのアノードケースを設け、該ケースの
［！１ｌｉｆｌに３０ ｃ ｃ／ａｉ ｓｅｃの通気量
の隔験を設け、アノードケース内にケースに流入するメ
ッキ液よりも多量のメッキ液を流出する多数の流出孔を
＠壁に設けた排液筒を１本立設し、メッキ槽の底面に排
液筒に合せて調整弁付排液口を形成し、アノードケース
内のメッキ液を１６ ｊ／ｍｉｎの速度で流出させ、ケ
ース内の液面をメッキ槽内の液面より３傷低く保持して
メッキを行なった。
続的に行なった。銅テープは巾方向な垂直にして２ｗｉ
／ｍｍの速度で搬送しながら常法によりアルカッ脱脂、
酸洗、シアン化銅ストライクメッキしてから硫酸銅メッ
キを行なった。銅メツキ槽は長さ１．５ｍの合成樹脂製
細長槽３個を連設し、それぞれ各種に第３因に示すよう
にチタンメツシュのアノードケースを設け、該ケースの
［！１ｌｉｆｌに３０ ｃ ｃ／ａｉ ｓｅｃの通気量
の隔験を設け、アノードケース内にケースに流入するメ
ッキ液よりも多量のメッキ液を流出する多数の流出孔を
＠壁に設けた排液筒を１本立設し、メッキ槽の底面に排
液筒に合せて調整弁付排液口を形成し、アノードケース
内のメッキ液を１６ ｊ／ｍｉｎの速度で流出させ、ケ
ース内の液面をメッキ槽内の液面より３傷低く保持して
メッキを行なった。
アノードケース内には純銅板を装入してケースを直流電
源のブラヌ側に接続し、向電源のマイナス側に接続した
ステンレス製コンタクトロルを各メッキ槽外に設けて、
メッキ槽内な走行通過する一テープに２０Ａ／ｄｌｌ＠
の電流を流した。
源のブラヌ側に接続し、向電源のマイナス側に接続した
ステンレス製コンタクトロルを各メッキ槽外に設けて、
メッキ槽内な走行通過する一テープに２０Ａ／ｄｌｌ＠
の電流を流した。
各メッキ槽ニハ硫酸銅７０１１−Ｃｕ／４．硫＊４０１
１／Ｉｔ、ニカワ１ ｐｐｍ 、温度５０℃の銅メッキ
液を３００１の貯液槽から各メッキ槽の中央槽底にｇＱ
Ｊ／ｈｔｉｎの速さで供給した。供給したメッキ液の大
部分は銅テープの走行する種駒より流出させ、一部をケ
ース内の排液筒な通して槽底の排液口より流出させた。
１／Ｉｔ、ニカワ１ ｐｐｍ 、温度５０℃の銅メッキ
液を３００１の貯液槽から各メッキ槽の中央槽底にｇＱ
Ｊ／ｈｔｉｎの速さで供給した。供給したメッキ液の大
部分は銅テープの走行する種駒より流出させ、一部をケ
ース内の排液筒な通して槽底の排液口より流出させた。
その結果、表面平滑で全くコブ等の発生が認められない
銅メツキ銅テープが得られた。
銅メツキ銅テープが得られた。
尚、比較のため、アノードケース内のメッキ液流出量を
３７／ｍｉｎに下げ、メッキｊａ内とケース内のメッキ
液面を同一レベルにしてメッキを行なったところ、メッ
キ表面に小突起の発生が認められた。
３７／ｍｉｎに下げ、メッキｊａ内とケース内のメッキ
液面を同一レベルにしてメッキを行なったところ、メッ
キ表面に小突起の発生が認められた。
このように、本発明によれは、アノードケースにおける
アノード分極を緩和し、不働態化を防止すると共に、ア
ノードより発生するＩ＠＠物がケース内からメッキ槽内
に逸散、浮遊するのを確実に防止し、被メツキ処理材の
表面に付線するのを防止することができる顕著な効果を
奏するものである。
アノード分極を緩和し、不働態化を防止すると共に、ア
ノードより発生するＩ＠＠物がケース内からメッキ槽内
に逸散、浮遊するのを確実に防止し、被メツキ処理材の
表面に付線するのを防止することができる顕著な効果を
奏するものである。
１３１図は従来のメッキ方法の一例を示す説明図、ｓ２
図は改良メッキ方法の一例を示す説明図、１８３図及び
第４図は本発明の一実施例を示すもので、Ｉｔ！３因は
側断面図、第４図は平面図を示す。 １、メッキ槽 ２．アノードケース ３．メ
ッキ金属４、被メツキ処理材 ５．メッキ液噴出管 ６
．排液筒７、排液口 ８．隔膜
図は改良メッキ方法の一例を示す説明図、１８３図及び
第４図は本発明の一実施例を示すもので、Ｉｔ！３因は
側断面図、第４図は平面図を示す。 １、メッキ槽 ２．アノードケース ３．メ
ッキ金属４、被メツキ処理材 ５．メッキ液噴出管 ６
．排液筒７、排液口 ８．隔膜
Claims (1)
- 側壁に多数の透孔を有する不溶性アノードケース内にメ
ッキ金属を装入したアートと、被メツキ処理材からなる
カソードとを、メッキ液が循環するメッキ槽内に対置し
て被メツキ処理材にメッキを行なう方法において、アノ
ードとカッー″ド間に隔膜を設け、ケース内に透孔より
流入するメッキ液より多量のメッキ液を流出する多数の
流出孔を側壁に設けた排液筒な立設し、メッキ槽の底部
に排液筒と合せてｍ！１弁付徘液口を設け、ケース内の
液面をメッキ槽内の液面より低く保持してメッキするこ
とを特徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13383981A JPS5848691A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13383981A JPS5848691A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848691A true JPS5848691A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15114241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13383981A Pending JPS5848691A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999032689A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Hideyuki Kobayashi | Dispositif anode pour galvanoplastie |
| WO2015119182A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 株式会社荏原製作所 | アノードホルダ及びめっき装置 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP13383981A patent/JPS5848691A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999032689A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Hideyuki Kobayashi | Dispositif anode pour galvanoplastie |
| WO2015119182A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 株式会社荏原製作所 | アノードホルダ及びめっき装置 |
| JP2015151553A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社荏原製作所 | アノードホルダ及びめっき装置 |
| US10240247B2 (en) | 2014-02-10 | 2019-03-26 | Ebara Corporation | Anode holder and plating apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3503856A (en) | Process for controlling electrodeposition | |
| KR20010024470A (ko) | 불용성 애노드를 사용한 실리콘 웨이퍼의 구리 금속화 | |
| US4832811A (en) | Electroplating apparatus for plate-shaped workpieces, particularly printed circuit boards | |
| JP4699105B2 (ja) | 金の回収方法および装置 | |
| JPS5848691A (ja) | メツキ方法 | |
| JP4707941B2 (ja) | めっき処理装置およびめっき処理方法 | |
| PL95746B1 (pl) | Sposob galwanicznego cynowania | |
| KR880005287A (ko) | 도금배스의 안정을 강화하고 베일아웃을 배제하기 위한 장치 및 방법 | |
| JP3091583B2 (ja) | 無電解めっき液への酸素供給方法及び装置 | |
| CH617723A5 (ja) | ||
| SE462980B (sv) | Foerfarande och anordning foer kontinuerlig elektroplaetering av metaller vid hoeg stroemtaethet i vertikala celler | |
| US1371414A (en) | Nickel-plating | |
| JP3362512B2 (ja) | 半導体ウエハのめっき方法およびめっき装置 | |
| JPH09509222A (ja) | プロセス有機物で電解液から金属を電解的に析出する方法 | |
| JP4143235B2 (ja) | 塩化銅エッチング液電解再生システム | |
| US7811509B2 (en) | Material submergence system | |
| JPH11158686A (ja) | 高速メッキ装置及び高速メッキ方法 | |
| US1062966A (en) | Process of electrolysis and apparatus therefor. | |
| JP3086048B2 (ja) | 電気亜鉛めっきにおける亜鉛イオンの供給装置 | |
| CN210886282U (zh) | 电镀槽液水位控制装置 | |
| JP2636227B2 (ja) | 電気めっき方法 | |
| WO2001020062A1 (fr) | Procede de decomposition electrolytique a densite de courant elevee de cuivre | |
| JPH0480997B2 (ja) | ||
| CN216156004U (zh) | 一种新型电镀槽刮杆搅拌装置 | |
| JPH03202488A (ja) | メッキ装置 |