JP6283784B2 - Vrレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法 - Google Patents
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Description
すなわち、端子ピン保持部4の形状のうち、輪状ステータ1の軸方向Pに沿う第1厚さT1が、前記輪状ステータ1のステータ巻線3の前記軸方向Pに沿う第2厚さT2よりも大であるため、本来レゾルバとしての厚さである第2厚さT2よりも前記端子ピン保持部4の第1厚さT1が大幅に大きくなり、レゾルバとして装置等に取り付ける際に、この端子ピン保持部4の第1厚さT1が障害となり、余分なスペースを必要とし、装置全体の構成にも影響していた。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極を有する輪状ステータと、前記各磁極に絶縁カバーを介して巻回されたステータ巻線と、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータと、前記絶縁カバーに一体に形成され端子ピンを有する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に形成された空洞部と、前記空洞部内に露出して位置し前記端子ピンの内端に抵抗溶接されたリード線と、よりなり、前記端子ピンと、リード線との抵抗溶接部の抵抗溶接は、前記空洞部内でL字形の第1抵抗溶接プローブを介して行われる構成としたことにより、レゾルバの厚さを従来より大幅に薄くでき、レゾルバ取付けの自由度を大きく向上できる。
また、前記端子ピン保持部の前記輪状ステータの軸方向に沿う第1厚さは、前記輪状ステータの前記ステータ巻線の前記軸方向に沿う第2厚さと同等であることにより、端子ピン保持部の厚さが薄くでき、装置内への収容が容易となる。
尚、従来例と同一又は同等部分については、同一符号を用いて説明する。
図1において、符号1で示されるものは、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する磁極を有する輪状ステータであり、この輪状ステータ1の各スロット(図示せず)には、周知のように、一体又は別体で形成された絶縁カバー2を介してステータ巻線3が巻回されている。
前記空洞部10の大きさ、すなわち、容積は、図1の断面図で見た状態では、断面で本体(ハッチング部分)として残っている部分の約3倍近く、前記リード線が引出される方向に向けて開口するように形成されている。
尚、端子ピン保持部4の輪状ステータ1の軸方向Pに沿う第1厚さT1は、前記巻線3の軸方向Pに沿う第2厚さT2と同等である。
前述の状態下で、前記空洞部10内に抵抗溶接プローブ8の全体形状がL字形に曲折された第1抵抗溶接プローブ8Aを挿入されると共に、前記空洞部10の反対側から直線状の第2抵抗溶接プローブ8Bが挿入されるように構成されている。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極1Aを有する輪状ステータ1と、前記各磁極1Aに絶縁カバー2を介して巻回されたステータ巻線3と、前記輪状ステータ1の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ1Bと、前記絶縁カバー2に一体に形成され端子ピン5を有する端子ピン保持部4と、前記端子ピン保持部4に形成された空洞部10と、前記空洞部10内に露出して位置し前記端子ピン5の内端5Aに抵抗溶接されたリード線6と、よりなり、前記端子ピン5と、リード線6との抵抗溶接部9の抵抗溶接は、前記空洞部10内でL字形の第1抵抗溶接プローブ8Aを介して行われる構成と方法であり、また、前記端子ピン保持部4の前記輪状ステータ1の軸方向Pに沿う第1厚さT1は、前記輪状ステータ1の前記ステータ巻線3の前記軸方向Pに沿う第2厚さT2と同等である構成と方法である。
1A 磁極
1B ロータ
2 絶縁カバー
3 ステータ巻線
4 端子ピン保持部
5 端子ピン
5A 内端
6 リード線
6A 内端
8 抵抗溶接プローブ
8A 第1抵抗溶接プローブ
8B 第2抵抗溶接プローブ
8Aa 第1先端
8Ba 第2先端
9 抵抗溶接部
10 空洞部
11 曲折部
Claims (4)
- 所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極(1A)を有する輪状ステータ(1)と、前記各磁極(1A)に絶縁カバー(2)を介して巻回されたステータ巻線(3)と、前記輪状ステータ(1)の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ(1B)と、前記絶縁カバー(2)に一体に形成され端子ピン(5)を有する端子ピン保持部(4)と、前記端子ピン保持部(4)に形成された空洞部(10)と、前記空洞部(10)内に露出して位置し前記端子ピン(5)の内端(5A)に抵抗溶接されたリード線(6)と、よりなり、
前記端子ピン(5)と、リード線(6)との抵抗溶接部(9)の抵抗溶接は、前記空洞部(10)内でL字形の第1抵抗溶接プローブ(8A)を介して行われる構成としたことを特徴とするVRレゾルバの抵抗溶接部構造。 - 前記端子ピン保持部(4)の前記輪状ステータ(1)の軸方向(P)に沿う第1厚さ(T1)は、前記輪状ステータ(1)の前記ステータ巻線(3)の前記軸方向(P)に沿う第2厚さ(T2)と同等であることを特徴とする請求項1記載のVRレゾルバの抵抗溶接部構造。
- 所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極(1A)を有する輪状ステータ(1)と、前記各磁極(1A)に絶縁カバー(2)を介して巻回されたステータ巻線(3)と、前記輪状ステータ(1)の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ(1B)と、前記絶縁カバー(2)に一体に形成され端子ピン(5)を有する端子ピン保持部(4)と、前記端子ピン保持部(4)に形成された空洞部(10)と、前記空洞部(10)内に露出して位置し前記端子ピン(5)の内端(5A)に抵抗溶接されたリード線(6)と、を用い、
前記端子ピン(5)と、リード線(6)との抵抗溶接部(9)の抵抗溶接は、前記空洞部(10)内でL字形の第1抵抗溶接プローブ(8A)を介して行われることを特徴とするVRレゾルバの抵抗溶接部の溶接方法。 - 前記端子ピン保持部(4)の前記輪状ステータ(1)の軸方向(P)に沿う第1厚さ(T1)は、前記輪状ステータ(1)の前記ステータ巻線(3)の前記軸方向(P)に沿う第2厚さ(T2)と同等であることを特徴とする請求項3記載のVRレゾルバの抵抗溶接部の溶接方法。
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