JP2015211571A - Ｖｒレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、端子ピン保持部を小形化し、端子ピンとリード線との溶接を容易化することである。
【解決手段】本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法は、輪状ステータ(1)の絶縁カバーの一部に設けられ端子ピン(5)を一体に有する端子ピン保持部(4)に空洞部(10)を形成して端子ピン保持部(4)の形状を小形化し、前記空洞部(10)内のＬ字形の第１抵抗溶接プローブ(8A)と外側の第２抵抗溶接プローブ(8B)とにより簡単に溶接ができる構成と方法である。
【選択図】図１
【解決手段】本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法は、輪状ステータ(1)の絶縁カバーの一部に設けられ端子ピン(5)を一体に有する端子ピン保持部(4)に空洞部(10)を形成して端子ピン保持部(4)の形状を小形化し、前記空洞部(10)内のＬ字形の第１抵抗溶接プローブ(8A)と外側の第２抵抗溶接プローブ(8B)とにより簡単に溶接ができる構成と方法である。
【選択図】図１
Description
本発明は、ＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法に関し、特に、Ｌ字形の抵抗溶接プローブを用いて端子ピンとリード線を溶接することにより、端子ピン保持部の構造の形状を小形化するための新規な改良に関する。
従来、用いられていたこの種のＶＲレゾルバの端子ピンとリード線とを抵抗溶接する構造としては、例えば、特許文献１及び２に開示されているが、実際には代表的な構成としては、本出願人が製造販売していた図２の構成を挙げることができる。
すなわち、図２及び図３で示されるように、図２において符号１で示されるものは、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する磁極１Ａを有する輪状ステータであり、この輪状ステータ１の各スロット（図示せず）には、一体又は別体で形成された絶縁カバー２を介してステータ巻線３が巻回されている。
前記絶縁カバー２の一部に一体成形された端子ピン保持部４には、複数の端子ピン５がインサート成形され、この端子ピン５とリード線６とは、前記端子ピン保持部４の外側において、一対の抵抗溶接用プローブ７,８によって抵抗溶接部９が形成されて一体接続される。また、前記輪状ステータ１の内側には、巻線を有することなく、かつ、磁極１Ａに対して変化するギャップパーミアンスを有するように形成されたロータ１Ｂが設けられている。
前述の場合、前記抵抗溶接部９は前記端子ピン保持部４の完全に外側に位置しているため、前記抵抗溶接部９を直線形の一対の抵抗溶接プローブ７,８で挟持するようにして抵抗溶接を行うために、直線状の抵抗溶接プローブ７,８が採用されていた。
従来のＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造は、以上のように構成されていたため、次のような課題が存在していた。
すなわち、端子ピン保持部４の形状のうち、輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１が、前記輪状ステータ１のステータ巻線３の前記軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２よりも大であるため、本来レゾルバとしての厚さである第２厚さＴ２よりも前記端子ピン保持部４の第１厚さＴ１が大幅に大きくなり、レゾルバとして装置等に取り付ける際に、この端子ピン保持部４の第１厚さＴ１が障害となり、余分なスペースを必要とし、装置全体の構成にも影響していた。
すなわち、端子ピン保持部４の形状のうち、輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１が、前記輪状ステータ１のステータ巻線３の前記軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２よりも大であるため、本来レゾルバとしての厚さである第２厚さＴ２よりも前記端子ピン保持部４の第１厚さＴ１が大幅に大きくなり、レゾルバとして装置等に取り付ける際に、この端子ピン保持部４の第１厚さＴ１が障害となり、余分なスペースを必要とし、装置全体の構成にも影響していた。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたもので、特に、Ｌ字形の抵抗溶接プローブを用いて端子ピンとリード線を溶接することにより、端子ピン保持部の構造の形状を小形化するようにしたＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法を提供することを目的とする。
本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造は、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極を有する輪状ステータと、前記各磁極に絶縁カバーを介して巻回されたステータ巻線と、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータと、前記絶縁カバーに一体に形成され端子ピンを有する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に形成された空洞部と、前記空洞部内に露出して位置し前記端子ピンの内端に抵抗溶接されたリード線と、よりなり、前記端子ピンと、リード線との抵抗溶接部の抵抗溶接は、前記空洞部内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブを介して行われる構成であり、また、前記端子ピン保持部の前記輪状ステータの軸方向に沿う第１厚さは、前記輪状ステータの前記ステータ巻線の前記軸方向に沿う第２厚さと同等である構成であり、また、本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部の溶接方法は、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極を有する輪状ステータと、前記各磁極に絶縁カバーを介して巻回されたステータ巻線と、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータと、前記絶縁カバーに一体に形成され端子ピンを有する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に形成された空洞部と、前記空洞部内に露出して位置し前記端子ピンの内端に抵抗溶接されたリード線と、を用い、前記端子ピンと、リード線との抵抗溶接部の抵抗溶接は、前記空洞部内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブを介して行われる方法であり、また、前記端子ピン保持部の前記輪状ステータの軸方向に沿う第１厚さは、前記輪状ステータの前記ステータ巻線の前記軸方向に沿う第２厚さと同等である方法である。
本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法は、以上のように構成されているため、次のような効果を得ることができる。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極を有する輪状ステータと、前記各磁極に絶縁カバーを介して巻回されたステータ巻線と、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータと、前記絶縁カバーに一体に形成され端子ピンを有する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に形成された空洞部と、前記空洞部内に露出して位置し前記端子ピンの内端に抵抗溶接されたリード線と、よりなり、前記端子ピンと、リード線との抵抗溶接部の抵抗溶接は、前記空洞部内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブを介して行われる構成としたことにより、レゾルバの厚さを従来より大幅に薄くでき、レゾルバ取付けの自由度を大きく向上できる。
また、前記端子ピン保持部の前記輪状ステータの軸方向に沿う第１厚さは、前記輪状ステータの前記ステータ巻線の前記軸方向に沿う第２厚さと同等であることにより、端子ピン保持部の厚さが薄くでき、装置内への収容が容易となる。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極を有する輪状ステータと、前記各磁極に絶縁カバーを介して巻回されたステータ巻線と、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータと、前記絶縁カバーに一体に形成され端子ピンを有する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に形成された空洞部と、前記空洞部内に露出して位置し前記端子ピンの内端に抵抗溶接されたリード線と、よりなり、前記端子ピンと、リード線との抵抗溶接部の抵抗溶接は、前記空洞部内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブを介して行われる構成としたことにより、レゾルバの厚さを従来より大幅に薄くでき、レゾルバ取付けの自由度を大きく向上できる。
また、前記端子ピン保持部の前記輪状ステータの軸方向に沿う第１厚さは、前記輪状ステータの前記ステータ巻線の前記軸方向に沿う第２厚さと同等であることにより、端子ピン保持部の厚さが薄くでき、装置内への収容が容易となる。
本発明は、Ｌ字形の抵抗溶接プローブを用いて端子ピンとリード線を溶接することにより、端子ピン保持部の構造の形状を小形化することである。
以下、図面と共に本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法の好適な実施の形態について説明する。
尚、従来例と同一又は同等部分については、同一符号を用いて説明する。
図１において、符号１で示されるものは、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する磁極を有する輪状ステータであり、この輪状ステータ１の各スロット(図示せず)には、周知のように、一体又は別体で形成された絶縁カバー２を介してステータ巻線３が巻回されている。
尚、従来例と同一又は同等部分については、同一符号を用いて説明する。
図１において、符号１で示されるものは、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する磁極を有する輪状ステータであり、この輪状ステータ１の各スロット(図示せず)には、周知のように、一体又は別体で形成された絶縁カバー２を介してステータ巻線３が巻回されている。
前記絶縁カバー２の一部に一体成形された端子ピン保持部４には、階段状に接続された複数の端子ピン５がインサート成形され、この端子ピン保持部４は、図１に示されているように、リード線６が前記端子ピン５の内端５Ａと抵抗溶接される抵抗溶接部９の周辺に大きい空洞部１０が形成されている。
前記空洞部１０の大きさ、すなわち、容積は、図１の断面図で見た状態では、断面で本体（ハッチング部分）として残っている部分の約３倍近く、前記リード線が引出される方向に向けて開口するように形成されている。
前記空洞部１０の大きさ、すなわち、容積は、図１の断面図で見た状態では、断面で本体（ハッチング部分）として残っている部分の約３倍近く、前記リード線が引出される方向に向けて開口するように形成されている。
前記リード線６は、外部からＬ字形に曲折して前記空洞部１０内に案内して露出した状態で挿入されており、このリード線６の内端６Ａと前記端子ピン５の内端５Ａとは互いに重合した状態とされている。
尚、端子ピン保持部４の輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１は、前記巻線３の軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２と同等である。
前述の状態下で、前記空洞部１０内に抵抗溶接プローブ８の全体形状がＬ字形に曲折された第１抵抗溶接プローブ８Ａを挿入されると共に、前記空洞部１０の反対側から直線状の第２抵抗溶接プローブ８Ｂが挿入されるように構成されている。
尚、端子ピン保持部４の輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１は、前記巻線３の軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２と同等である。
前述の状態下で、前記空洞部１０内に抵抗溶接プローブ８の全体形状がＬ字形に曲折された第１抵抗溶接プローブ８Ａを挿入されると共に、前記空洞部１０の反対側から直線状の第２抵抗溶接プローブ８Ｂが挿入されるように構成されている。
前述の状態で、第１、第２抵抗溶接プローブ８Ａ，８Ｂを前進させると、第１抵抗溶接プローブ８Ａの曲折部１１の第１先端８Ａａと第２抵抗溶接プローブ８Ｂの第２先端８Ｂａとは、前記抵抗溶接部９を介して互いに対向し、前記各先端８Ａａと８Ｂａを互いに前進させることにより、前記抵抗溶接部９は各プローブ８Ａ，８Ｂによって挟持され、前記抵抗溶接部９が抵抗溶接されることにより、前記各内端５Ａ，６Ａ同士が一体化される。
前述の場合、各抵抗溶接プローブ８Ａと８Ｂのうち、一方の第１抵抗溶接プローブ８ＡがＬ字形に曲折しているために前記空洞部１０内に挿入することができ抵抗溶接が可能となったものである。
また、前記輪状ステータ１の内側には、巻線を有することなく、かつ、磁極１Ａに対して変化するギャップパーミアンスを有するように形成されたロータ１Ｂが設けられている。
尚、本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法の要旨とするところは、次の通りである。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極１Ａを有する輪状ステータ１と、前記各磁極１Ａに絶縁カバー２を介して巻回されたステータ巻線３と、前記輪状ステータ１の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ１Ｂと、前記絶縁カバー２に一体に形成され端子ピン５を有する端子ピン保持部４と、前記端子ピン保持部４に形成された空洞部１０と、前記空洞部１０内に露出して位置し前記端子ピン５の内端５Ａに抵抗溶接されたリード線６と、よりなり、前記端子ピン５と、リード線６との抵抗溶接部９の抵抗溶接は、前記空洞部１０内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブ８Ａを介して行われる構成と方法であり、また、前記端子ピン保持部４の前記輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１は、前記輪状ステータ１の前記ステータ巻線３の前記軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２と同等である構成と方法である。
すなわち、所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極１Ａを有する輪状ステータ１と、前記各磁極１Ａに絶縁カバー２を介して巻回されたステータ巻線３と、前記輪状ステータ１の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ１Ｂと、前記絶縁カバー２に一体に形成され端子ピン５を有する端子ピン保持部４と、前記端子ピン保持部４に形成された空洞部１０と、前記空洞部１０内に露出して位置し前記端子ピン５の内端５Ａに抵抗溶接されたリード線６と、よりなり、前記端子ピン５と、リード線６との抵抗溶接部９の抵抗溶接は、前記空洞部１０内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブ８Ａを介して行われる構成と方法であり、また、前記端子ピン保持部４の前記輪状ステータ１の軸方向Ｐに沿う第１厚さＴ１は、前記輪状ステータ１の前記ステータ巻線３の前記軸方向Ｐに沿う第２厚さＴ２と同等である構成と方法である。
本発明によるＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造及びその溶接方法は、端子ピン保持部に空洞部を形成してＬ字形の溶接プローブを用いて溶接されているため、溶接の容易化と、レゾルバ等の小形化に寄与できる。
１ 輪状ステータ
１Ａ 磁極
１Ｂ ロータ
２ 絶縁カバー
３ ステータ巻線
４ 端子ピン保持部
５ 端子ピン
５Ａ 内端
６ リード線
６Ａ 内端
８ 抵抗溶接プローブ
８Ａ 第１抵抗溶接プローブ
８Ｂ 第２抵抗溶接プローブ
８Ａａ 第１先端
８Ｂａ 第２先端
９ 抵抗溶接部
１０ 空洞部
１１ 曲折部
１Ａ 磁極
１Ｂ ロータ
２ 絶縁カバー
３ ステータ巻線
４ 端子ピン保持部
５ 端子ピン
５Ａ 内端
６ リード線
６Ａ 内端
８ 抵抗溶接プローブ
８Ａ 第１抵抗溶接プローブ
８Ｂ 第２抵抗溶接プローブ
８Ａａ 第１先端
８Ｂａ 第２先端
９ 抵抗溶接部
１０ 空洞部
１１ 曲折部
Claims (4)
- 所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極(1A)を有する輪状ステータ(1)と、前記各磁極(1A)に絶縁カバー(2)を介して巻回されたステータ巻線(3)と、前記輪状ステータ(1)の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ(1B)と、前記絶縁カバー(2)に一体に形成され端子ピン(5)を有する端子ピン保持部(4)と、前記端子ピン保持部(4)に形成された空洞部(10)と、前記空洞部(10)内に露出して位置し前記端子ピン(5)の内端(5A)に抵抗溶接されたリード線(6)と、よりなり、
前記端子ピン(5)と、リード線(6)との抵抗溶接部(9)の抵抗溶接は、前記空洞部(10)内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブ(8A)を介して行われる構成としたことを特徴とするＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造。 - 前記端子ピン保持部(4)の前記輪状ステータ(1)の軸方向(P)に沿う第１厚さ(T1)は、前記輪状ステータ(1)の前記ステータ巻線(3)の前記軸方向(P)に沿う第２厚さ(T2)と同等であることを特徴とする請求項１記載のＶＲレゾルバの抵抗溶接部構造。
- 所定角度間隔で内方へ向けて突出する複数の磁極(1A)を有する輪状ステータ(1)と、前記各磁極(1A)に絶縁カバー(2)を介して巻回されたステータ巻線(3)と、前記輪状ステータ(1)の内側に回転自在に設けられ前記内側との間にギャップパーミアンスの変化を形成するように形成されたロータ(1B)と、前記絶縁カバー(2)に一体に形成され端子ピン(5)を有する端子ピン保持部(4)と、前記端子ピン保持部(4)に形成された空洞部(10)と、前記空洞部(10)内に露出して位置し前記端子ピン(5)の内端(5A)に抵抗溶接されたリード線(6)と、を用い、
前記端子ピン(5)と、リード線(6)との抵抗溶接部(9)の抵抗溶接は、前記空洞部(10)内でＬ字形の第１抵抗溶接プローブ(8A)を介して行われることを特徴とするＶＲレゾルバの抵抗溶接部の溶接方法。 - 前記端子ピン保持部(4)の前記輪状ステータ(1)の軸方向(P)に沿う第１厚さ(T1)は、前記輪状ステータ(1)の前記ステータ巻線(3)の前記軸方向(P)に沿う第２厚さ(T2)と同等であることを特徴とする請求項３記載のＶＲレゾルバの抵抗溶接部の溶接方法。
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