JP6233313B2 - センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 - Google Patents
センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6233313B2 JP6233313B2 JP2014536797A JP2014536797A JP6233313B2 JP 6233313 B2 JP6233313 B2 JP 6233313B2 JP 2014536797 A JP2014536797 A JP 2014536797A JP 2014536797 A JP2014536797 A JP 2014536797A JP 6233313 B2 JP6233313 B2 JP 6233313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealed space
- transparent support
- sensor chip
- thin film
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N2021/6482—Sample cells, cuvettes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N2021/651—Cuvettes therefore
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Optical Measuring Cells (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
このような検体検出装置の一つとして、ナノメートルレベルなどの微細領域中で電子と光とが共鳴することにより、高い光出力を得る現象(表面プラズモン共鳴(SPR;Surface Plasmon Resonance)現象)を応用し、例えば、生体内の極微少なアナライトの検出を行うようにした表面プラズモン共鳴装置(以下、「SPR装置」と言う)が挙げられる。
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップであって、
少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する密閉空間形成部材を備え、
前記透明支持体と、前記密閉空間形成部材とによって前記密閉空間が形成され、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整されていることを特徴とする。
透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップであって、
少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、
前記反応部上に反応空間を形成するための反応空間形成部材と、を備え、
前記透明支持体と、前記反応空間形成部材と、前記密閉空間形成部材とによって前記密閉空間が形成され、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整されていることを特徴とする。
透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップの保存方法であって、
前記透明支持体と、密閉空間形成部材とによって、少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する工程と、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整する工程と、
を含むことを特徴とする。
透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップの保存方法であって、
前記透明支持体と、前記反応部上に反応空間を形成するための反応空間形成部材と、密閉空間形成部材とによって、少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する工程と、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整する工程と、
を含むことを特徴とする。
1.センサーチップの構成
図1は、本実施例のセンサーチップの構成を説明するための概略構成図である。
図1のセンサーチップ10は、鉛直断面形状が略台形であるプリズム形状の透明支持体12と、透明支持体12の一方の表面に形成された金属薄膜14と、金属薄膜14の、透明支持体12とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部16とを有している。
すなわち、透明支持体12と反応空間形成部材(流路部材18、ウェル部材22)と密閉空間形成部材26とによって密閉空間が形成されている。
このように構成されるセンサーチップ10は、例えば、SPR装置やSPFS装置などの光学式検体検出装置などに用いられる。
図5は、図1のセンサーチップの使用方法の一例として、センサーチップ10をSPFS装置に用いた場合の構成を説明するための概略構成図である。
なお、金属薄膜14の欠陥の有無は、光学顕微鏡を用いて金属薄膜14の表面状態を観察することによって行った。また、密閉空間中の水分量はアッセイ性能を確認するセンサーチップとは別に、全く同一の方法で準備したセンサーチップを、カールフィッシャー水分計を用いて計測した。
まず、流路20に、AFP(2.0mg/mL溶液、Acris Antibodies GmbH社)が0.1ng/mLの濃度となるようPBSバッファー(pH7.4)で希釈した溶液を、500μL/分の流速にて20分間フローさせた。
S/N=|(アッセイシグナル)|/|(ブランクシグナル)|
実施例1は、透明支持体12の材料としてシクロオレフィンポリマー樹脂(日本ゼオン株式会社、ZEONEX(登録商標))を用いて、密閉空間中の水分量を0.01μg/mm2とした。
12 透明支持体
12a 側面
14 金属薄膜
16 反応部
18 流路部材
20 流路
20a 端部
20b 端部
22 ウェル部材
24 反応空間
25 開口部側
26 密閉空間形成部材
27 包装体
27a 口部
27b シール部材
50 SPFS装置
52 センサーチップ装填部
54 光源
56 励起光
58 蛍光
60 光検出手段
Claims (6)
- 透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップであって、
少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する密閉空間形成部材を備え、
前記透明支持体と、前記密閉空間形成部材とによって前記密閉空間が形成され、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整されているセンサーチップ。
- 透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップであって、
少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、
前記反応部上に反応空間を形成するための反応空間形成部材と、を備え、
前記透明支持体と、前記反応空間形成部材と、前記密閉空間形成部材とによって前記密閉空間が形成され、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整されているセンサーチップ。
- 前記反応空間形成部材が、検体液を一時的に貯留することができるウェル部材である請求項2に記載のセンサーチップ。
- 前記反応空間形成部材が、検体液を前記反応部に対して循環させることができる流路部材である請求項2に記載のセンサーチップ。
- 透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップの保存方法であって、
前記透明支持体と、密閉空間形成部材とによって、少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する工程と、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整する工程と、
を含むセンサーチップの保存方法。
- 透明支持体と、
前記透明支持体の一方の表面に形成された金属薄膜と、
前記金属薄膜の、前記透明支持体とは接していないもう一方の表面に、リガンドが固定化されてなる反応部と、
を含むセンサーチップの保存方法であって、
前記透明支持体と、前記反応部上に反応空間を形成するための反応空間形成部材と、密閉空間形成部材とによって、少なくとも前記反応部が密閉空間内に収まるように密閉空間を形成する工程と、
前記密閉空間中の水分量が下記式(1)を満たすように調整する工程と、
を含むセンサーチップの保存方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012205500 | 2012-09-19 | ||
JP2012205500 | 2012-09-19 | ||
PCT/JP2013/074664 WO2014046000A1 (ja) | 2012-09-19 | 2013-09-12 | センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014046000A1 JPWO2014046000A1 (ja) | 2016-08-18 |
JP6233313B2 true JP6233313B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=50341314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014536797A Active JP6233313B2 (ja) | 2012-09-19 | 2013-09-12 | センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10281403B2 (ja) |
EP (1) | EP2899532B1 (ja) |
JP (1) | JP6233313B2 (ja) |
WO (1) | WO2014046000A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2938262T3 (es) | 2015-01-20 | 2023-04-05 | Otsuka Pharma Co Ltd | Chip de análisis y aparato de análisis |
CN108700527B (zh) * | 2016-02-08 | 2021-05-18 | 普森斯精密传感有限公司 | 传感器装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3739537B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2006-01-25 | 大日本印刷株式会社 | 光学的分析装置用測定チップ |
KR20030047567A (ko) * | 2001-12-11 | 2003-06-18 | 한국전자통신연구원 | 표면 플라즈몬 공명 센서 시스템 |
JP4455362B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-04-21 | 富士フイルム株式会社 | 全反射減衰を利用した測定装置 |
JP4548416B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-22 | オムロン株式会社 | 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置 |
JP2006090758A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 全反射減衰を利用した測定装置 |
JP4460405B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2010-05-12 | 富士フイルム株式会社 | 全反射減衰を利用した測定方法及び装置並びに固定装置 |
JP2006098345A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | センサの固定量測定装置及び方法 |
US7835006B2 (en) * | 2004-11-05 | 2010-11-16 | Nomadics, Inc. | Optical fiber sensors using grating-assisted surface plasmon-coupled emission (GASPCE) |
JP4474290B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2010-06-02 | 富士フイルム株式会社 | センサユニット |
US20060257290A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-11-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Fluid dispenser, fluid dispensing method and assay apparatus for assay in utilizing attenuated total reflection |
JP2006308458A (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサ |
JP2007064943A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 全反射減衰を利用した測定方法及び装置 |
JP2007085794A (ja) | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | センサユニット用収納ケース及び搬送装置 |
JP4893032B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-03-07 | オムロン株式会社 | 光学部品、光学センサ及び表面プラズモンセンサ |
JP2007292585A (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Nec Corp | 試料分析システム |
JP5021408B2 (ja) | 2007-09-26 | 2012-09-05 | 富士フイルム株式会社 | バイオセンサー |
JP2009145189A (ja) | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Fujifilm Corp | バイオセンサー |
JP2010027748A (ja) | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Alps Electric Co Ltd | 紫外線センサ |
JPWO2011155179A1 (ja) | 2010-06-10 | 2013-08-01 | コニカミノルタ株式会社 | 分析素子チップ |
JP2012037477A (ja) | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Konica Minolta Holdings Inc | センサチップおよびそれを用いたアッセイ法 |
-
2013
- 2013-09-12 JP JP2014536797A patent/JP6233313B2/ja active Active
- 2013-09-12 EP EP13839543.9A patent/EP2899532B1/en active Active
- 2013-09-12 US US14/429,745 patent/US10281403B2/en active Active
- 2013-09-12 WO PCT/JP2013/074664 patent/WO2014046000A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2899532A1 (en) | 2015-07-29 |
EP2899532B1 (en) | 2018-10-24 |
JPWO2014046000A1 (ja) | 2016-08-18 |
EP2899532A4 (en) | 2016-07-06 |
US10281403B2 (en) | 2019-05-07 |
US20150233834A1 (en) | 2015-08-20 |
WO2014046000A1 (ja) | 2014-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6627747B2 (ja) | 表面プラズモン励起増強蛍光分光測定用センサーチップ | |
JP5726038B2 (ja) | 表面プラズモン励起増強蛍光分光法を用いた前立腺特異抗原の定量方法 | |
JP6048405B2 (ja) | アナライト量の測定方法およびspfs用装置 | |
JP5958339B2 (ja) | 近接場増強蛍光センサチップ | |
JP6233313B2 (ja) | センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 | |
EP2799843B1 (en) | Spfs measurement method employing spfs measurement sensor chip, and spfs measurement device comprising spfs measurement sensor chip | |
JP5835335B2 (ja) | 表面プラズモン共鳴及び表面プラズモン励起増強蛍光分光法を用いた特定のアナライトの定量測定方法 | |
CN1421699A (zh) | 并行检测多个生物学信号的表面等离子体共振生物传感器 | |
JP2007147420A (ja) | バイオセンサー | |
JP2011257216A (ja) | 表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体ユニット | |
EP2607888B1 (en) | Spfs sensor equipped with non-specific adsorption type purification mechanism | |
JP6455149B2 (ja) | センサーチップの製造方法 | |
JP2012032282A (ja) | プラズモン励起センサチップおよびこれを用いたプラズモン励起センサ、並びにアナライトの検出方法 | |
JP5831230B2 (ja) | 表面プラズモン増強蛍光測定装置 | |
JP5663905B2 (ja) | チップ構造体 | |
JP5655917B2 (ja) | チップ構造体 | |
JPWO2014021171A1 (ja) | センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 | |
JP2011169609A (ja) | プラズモン励起センサを用いたアッセイ法 | |
JP2011127991A (ja) | プラズモン励起センサおよび該センサを用いたアッセイ法 | |
JP5786985B2 (ja) | 表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体ユニット | |
JP5516197B2 (ja) | プラズモン励起センサおよび該センサを用いたアッセイ法 | |
WO2015186684A1 (ja) | 検出チップの製造方法 | |
JP2012026924A (ja) | 光ファイバー型表面プラズモン増強蛍光測定装置およびこれに用いられるプラズモン励起センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6233313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |