JP2010027748A - 紫外線センサ - Google Patents
紫外線センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010027748A JP2010027748A JP2008185494A JP2008185494A JP2010027748A JP 2010027748 A JP2010027748 A JP 2010027748A JP 2008185494 A JP2008185494 A JP 2008185494A JP 2008185494 A JP2008185494 A JP 2008185494A JP 2010027748 A JP2010027748 A JP 2010027748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- ultraviolet sensor
- wavelength
- ultraviolet
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。これにより、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。これにより、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、感応膜に紫外線が照射されることにより発生するキャリアを利用する紫外線センサに関する。
従来、酸化亜鉛を主成分として、焼結体により光感知部が構成された光センサがある。例えば、特許文献1では、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、副成分として、少なくとも酸化コバルト(Co3O4)、酸化プラセオジム(Pr6O11)、酸化モリブデン(MoO3)及び二酸化珪素(SiO2)の各酸化物とし、これらの焼結体を光感知部とした光センサが開示されている。
特開2003−142700号公報
ところで、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現できれば、紫外線の様々な波長域で感度を持つものを個別に用意する必要がなくなり、コスト削減に寄与することになる。このため、このように広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサが望まれている。
しかしながら、従来の紫外線センサは、主成分に特化した波長域に感度を持つものであるため、広帯域に亘って紫外線を検知するには、紫外線の様々な波長域で感度を持つものを個別に用意する必要がある。上述した特許文献で開示された光センサは、光感知部が酸化亜鉛の主成分と酸化コバルトなどの副成分の各材料の粉体を混合して焼成させることで得られたものであり、主成分と副成分とが互いに溶け合って固溶した状態になっていることから、主成分の素性が微妙に変化した単一の感度波長を持つに過ぎない。このため、現在望まれている広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することはできない。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを提供することを目的とする。
本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、酸化亜鉛と該酸化亜鉛により広いバンドギャップを持つ感度波長域拡張材料とが互いに溶け合った固溶した状態ではなく、混合した状態となっているので、それぞれの材料の感度波長をそのまま利用することができ、感知波長域を拡張(ブロードに)することができる。その結果、広帯域に亘る紫外線検知が可能となる。
本発明の紫外線センサにおいては、前記紫外線感知部の感知波長は、前記感知波長域拡張材料の種類と前記混合物における前記感知波長域拡張材料の含有量により調整されることが好ましい。
本発明の紫外線センサにおいては、前記感知波長域拡張材料は、金属酸化物、金属窒化物又は金属フッ化物であることが好ましい。この場合において、前記感知波長域拡張材料は、酸化マグネシウム又は窒化アルミニウムであることが好ましい。
本発明の紫外線センサにおいては、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が10:0から8:2であって、波長320nmから400nmに感度ピークを持つことが好ましく、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が9:1から7:3であって、波長280nmから320nmに感度ピークを持つことが好ましく、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が8:2以下であって、波長280nm以下に感度ピークを持つことが好ましい。
本発明の紫外線センサにおいては、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が10:0から7:3であって、波長320nmから400nmに感度ピークを持つことが好ましく、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が9:1から6:4であって、波長280nmから320nmに感度ピークを持つことが好ましく、前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が7:3以下であって、波長280nm以下に感度ピークを持つことが好ましい。
本発明による紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されているので、広帯域に亘って紫外線を検知することができる。
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る紫外線センサの断面図であり、図2は本実施の形態の紫外線センサの平面図である。図1及び図2において、本実施の形態の紫外線センサ1は、シリコン、ガラス又はプラスチックなどで構成された基板2を備える。基板2上には、紫外線を感知する感応膜(紫外線感知部)3が形成されている。また、感応膜3上の感知領域以外の領域には、金(Au)、プラチナ(Pt)、アルミニウム(Al)などで構成された1対の電極4が形成されている。
図1は、本発明の実施の形態に係る紫外線センサの断面図であり、図2は本実施の形態の紫外線センサの平面図である。図1及び図2において、本実施の形態の紫外線センサ1は、シリコン、ガラス又はプラスチックなどで構成された基板2を備える。基板2上には、紫外線を感知する感応膜(紫外線感知部)3が形成されている。また、感応膜3上の感知領域以外の領域には、金(Au)、プラチナ(Pt)、アルミニウム(Al)などで構成された1対の電極4が形成されている。
感応膜3は、酸化亜鉛(ZnO)と、この酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料とを含有する混合物で構成されている。ここでは、酸化亜鉛の微粒子と、酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料である酸化マグネシウム(MgO)の微粒子とを混合させて感応膜3を形成している。
感知波長域拡張材料としては、酸化亜鉛のバンドギャップ(3.3eV〜3.4eV)よりも広いバンドギャップを持つ金属酸化物、金属窒化物又は金属フッ化物を挙げることができる。この中で、酸化マグネシウム又は窒化アルミニウムであることが好ましい。
感応膜3を構成する微粒子のサイズは、充填率の影響による感度などを考慮すると、50nm以下、好ましくは10nmから20nm程度であることが好ましい。酸化亜鉛の微粒子と、感知波長域拡張材料の微粒子を混合させるためには、例えばアセトン、エタノール、イソプロピルアルコールなどの有機溶媒を分散剤として用いることが好ましい。
紫外線感知部の感知波長は、感知波長域拡張材料の種類と混合物における感知波長域拡張材料の含有量により調整されることが好ましい。このような調整を行うことにより、感知波長(感度ピークの波長)をシフトさせることができ、種々の感知波長域を持つ紫外線センサを実現することが可能となる。
感知波長域拡張材料が酸化マグネシウムである場合においては、混合物における酸化亜鉛と酸化マグネシウムの比率が10:0から8:2であると、波長320nmから400nm(UV−A)に感度ピークを持ち、混合物における酸化亜鉛と酸化マグネシウムの比率が9:1から7:3であると、波長280nmから320nm(UV−B)に感度ピークを持ち、混合物における酸化亜鉛と酸化マグネシウムの比率が8:2以下であると、波長280nm以下(UV−C)に感度ピークを持つ。なお、UV−A及びUV−Bは太陽光から発せられる紫外線であり、UV−Cは殺菌用として用いられる紫外線である。
図3は、酸化亜鉛の微粒子と酸化マグネシウムの微粒子との間の混合比率を変えたときの感度のピーク波長を示すグラフであり、横軸が酸化マグネシウムの混合比(%)を示し、縦軸が波長(nm)を示す。図3に示すように、酸化マグネシウムの混合比率が大きくなるにしたがって感度のピーク波長が短くなる。この傾向から、酸化マグネシウムの混合比率を変化させることにより、ピーク波長を制御することができる。すなわち、混合物における酸化マグネシウムの含有量を多くすることにより、感度のピーク波長を短波長側にシフトさせることができる。
図4は、酸化亜鉛の微粒子と酸化マグネシウムの微粒子との間の混合比を50%としたときの波長と相対感度との間の関係を示すグラフであり、横軸が波長(nm)を示し、縦軸が相対感度を示す。図4において、”□”でプロットした特性曲線は酸化亜鉛単体のものであり、”△”でプロットした特性曲線は酸化亜鉛と酸化マグネシウムを混合したものである。図4から分かるように、酸化亜鉛単体の場合は320nm〜350nmで感度を持ち、酸化亜鉛に酸化マグネシウムを混合させた場合は200nm付近まで大きな感度を持つ。すなわち、酸化亜鉛に酸化マグネシウムを混合してなる混合物で構成された紫外線感知部を備えた紫外線センサは、酸化亜鉛単体で構成された紫外線感知部を備えた紫外線センサよりも広帯域に亘って紫外線を検知することができる。
感知波長域拡張材料が窒化アルミニウムである場合においては、混合物における酸化亜鉛と窒化アルミニウムの比率が10:0から7:3であると、波長320nmから400nm(UV−A)に感度ピークを持ち、混合物における酸化亜鉛と窒化アルミニウムの比率が9:1から6:4であると、波長280nmから320nm(UV−B)に感度ピークを持ち、混合物における酸化亜鉛と窒化アルミニウムの比率が7:3以下であると、波長280nm以下(UV−C)に感度ピークを持つ。
図5は、酸化亜鉛の微粒子と窒化アルミニウムの微粒子との間の混合比率を変えたときの感度のピーク波長を示すグラフであり、横軸が窒化アルミニウムの混合比(%)を示し、縦軸が波長(nm)を示す。図5に示すように、窒化アルミニムの混合比率が大きくなるにしたがって感度のピーク波長が短くなる。この傾向から、窒化アルミニウムの混合比率を変化させることにより、ピーク波長を制御することができる。すなわち、混合物における窒化アルミニウムの含有量を多くすることにより、感度のピーク波長を短波長側にシフトさせることができる。
図6は、酸化亜鉛の微粒子と窒化アルミニウムの微粒子との間の混合比を50%としたときの波長と相対感度との間の関係を示すグラフであり、横軸が波長(nm)を示し、縦軸が相対感度を示す。図6において、”□”でプロットした特性曲線は酸化亜鉛単体のものであり、”△”でプロットした特性曲線は酸化亜鉛と窒化アルミニウムを混合したものである。図6から分かるように、酸化亜鉛単体の場合は320nm〜350nmで感度を持ち、酸化亜鉛に窒化アルミニウムを混合させた場合は200nm付近まで大きな感度を持つ。すなわち、酸化亜鉛に窒化アルミニウムを混合してなる混合物で構成された紫外線感知部を備えた紫外線センサは、酸化亜鉛単体で構成された紫外線感知部を備えた紫外線センサよりも広帯域に亘って紫外線を検知することができる。
上記構成を有する紫外線センサにおいては、感応膜3に紫外線が照射されることで光電子が放出され、1対の電極4の間に流れる電流量又は1対の電極4の間の抵抗が変化する。この電流量又は抵抗の変化を検知することにより紫外線量を求めることができる。
図7は、本発明の実施の形態に係る紫外線センサの製造工程を示す断面図である。ここでは、感応膜が酸化亜鉛及び酸化マグネシウムで構成されている場合について説明する。図7(a)に示すように、酸化亜鉛の微粒子及び酸化マグネシウムの微粒子をアセトン、エタノール、イソプロピルアルコールなどの有機溶媒と混合して分散液を調製し、この分散液を基板2上に塗布する。この場合、分散液の基板2上への塗布方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコートなどが挙げられる。その後、基板2を約200〜600℃でベーキングして分散液を乾燥させて感応膜3を形成する。
次いで、図7(b)に示すように、感応膜3上にレジストを塗布・乾燥してレジスト膜6を形成し、レジスト膜6にフォトリソグラフィを行って紫外線感知部に対応する領域にレジスト膜6が残存するようにパターニングする。次いで、図7(c)に示すように、全面に電極材料7を形成し、レジスト膜6を溶解する材料でレジスト膜6を除去することにより(リフトオフ)、図7(d)に示すように、紫外線感知部以外の領域(紫外線感知部の両側)に電極4を形成して紫外線センサを作製する。なお、電極4は、銀(Ag)ペーストや金(Au)ペーストを用いて印刷により形成しても良い。
このように、本実施の形態の紫外線センサ1においては、酸化亜鉛の微粒子と酸化亜鉛より広いバンドギャップを持つ波長域拡張材料である酸化マグネシウム(又は窒化アルムニウム)の微粒子とを混合した混合物で構成された感応膜3を有するので、酸化亜鉛と感度波長域拡張材料とが互いに溶け合った固溶した状態ではなく、混合した状態となっているので、それぞれの材料の感度波長をそのまま利用することができ、感知波長域を拡張(ブロードに)することができる。その結果、広帯域に亘る紫外線検知が可能となる。
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、感知波長域拡張材料として酸化マグネシウムや窒化アルムニウムを使用した場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、酸化亜鉛より広いバンドギャップを持つ金属酸化物、金属窒化物又は金属フッ化物を感知波長域拡張材料として用いても良い。また、上記実施の形態では、感応膜を平面状に形成した場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、図8に示すように感応膜を櫛形に形成しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
本発明は、太陽からの紫外線や工業用途に用いられる殺菌灯からの紫外線及び炎から発せられる紫外線を検出する計測機器に適用可能である。
1 紫外線センサ
2 基板
3 感応膜
4 電極
6 レジスト膜
7 電極材料
2 基板
3 感応膜
4 電極
6 レジスト膜
7 電極材料
Claims (10)
- 紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする紫外線センサ。
- 前記紫外線感知部の感知波長は、前記感知波長域拡張材料の種類と前記混合物における前記感知波長域拡張材料の含有量により調整されることを特徴とする請求項1記載の紫外線センサ。
- 前記感知波長域拡張材料は、金属酸化物、金属窒化物又は金属フッ化物であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の紫外線センサ。
- 前記感知波長域拡張材料は、酸化マグネシウム又は窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項3記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が10:0から8:2であって、波長320nmから400nmに感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が9:1から7:3であって、波長280nmから320nmに感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記酸化マグネシウムの比率が8:2以下であって、波長280nm以下に感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が10:0から7:3であって、波長320nmから400nmに感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が9:1から6:4であって、波長280nmから320nmに感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
- 前記混合物における前記酸化亜鉛と前記窒化アルミニウムの比率が7:3以下であって、波長280nm以下に感度ピークを持つことを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008185494A JP2010027748A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 紫外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008185494A JP2010027748A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 紫外線センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010027748A true JP2010027748A (ja) | 2010-02-04 |
Family
ID=41733309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008185494A Withdrawn JP2010027748A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 紫外線センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010027748A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012046479A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社 村田製作所 | 光検出素子、及び該光検出素子の製造方法 |
WO2014046000A1 (ja) | 2012-09-19 | 2014-03-27 | コニカミノルタ株式会社 | センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 |
CN104701393A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 双波段光电探测器及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005154565A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | 重合体結合紫外線吸収剤組成物、それを用いた紫外線遮蔽性組成物、その製造方法およびその加工物品 |
JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
JP2007103148A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
-
2008
- 2008-07-17 JP JP2008185494A patent/JP2010027748A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005154565A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | 重合体結合紫外線吸収剤組成物、それを用いた紫外線遮蔽性組成物、その製造方法およびその加工物品 |
JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
JP2007103148A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012046479A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 株式会社 村田製作所 | 光検出素子、及び該光検出素子の製造方法 |
CN103180963A (zh) * | 2010-10-04 | 2013-06-26 | 株式会社村田制作所 | 光检测元件和该光检测元件的制造方法 |
JP5294162B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2013-09-18 | 株式会社村田製作所 | 光検出素子、及び該光検出素子の製造方法 |
WO2014046000A1 (ja) | 2012-09-19 | 2014-03-27 | コニカミノルタ株式会社 | センサーチップおよびセンサーチップの保存方法 |
US10281403B2 (en) | 2012-09-19 | 2019-05-07 | Konica Minolta, Inc. | Sensor chip and method for storing sensor chip |
CN104701393A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 双波段光电探测器及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Nasiri et al. | Three-dimensional nano-heterojunction networks: A highly performing structure for fast visible-blind UV photodetectors | |
Horprathum et al. | NO2-sensing properties of WO3 nanorods prepared by glancing angle DC magnetron sputtering | |
Chen et al. | Sensitive and low-power metal oxide gas sensors with a low-cost microelectromechanical heater | |
US8178157B2 (en) | Gas sensor and manufacturing method thereof | |
Hong et al. | Improved CO gas detection of Si MOSFET gas sensor with catalytic Pt decoration and pre-bias effect | |
JP2010027748A (ja) | 紫外線センサ | |
Manjula et al. | Sensing characteristics of nanocrystalline bismuth oxide clad-modified fiber optic gas sensor | |
JP2009092633A (ja) | インピーダンスセンサ | |
Hai et al. | Photodetector with superior functional capabilities based on monolayer WO3 developed by atomic layer deposition | |
KR101201896B1 (ko) | 정전용량형 환경유해가스 센서 및 그 제조방법 | |
Usta et al. | Effects of annealing on morphological, structural and electrical properties of thermally evaporated WO3 thin films | |
Zima et al. | In-and Sb-doped tin oxide nanocrystalline films for selective gas sensing | |
JPH0418261B2 (ja) | ||
US8625085B2 (en) | Defect evaluation method for semiconductor | |
Suchea et al. | Substrate temperature influence on the properties of nanostructured ZnO transparent ultrathin films grown by PLD | |
JP7158680B2 (ja) | ガスセンサ | |
KR101618337B1 (ko) | 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 센서 | |
JP5925634B2 (ja) | 半導体の欠陥評価方法 | |
JP6364356B2 (ja) | ガスの検知方法及びガスセンサ | |
DE10356508B4 (de) | Mikromechanische Infrarotquelle | |
KR101854533B1 (ko) | 불소계 가스 감지 장치 및 이의 제조방법 | |
JP2011009292A (ja) | 紫外線センサおよび紫外線センサの製造方法 | |
Castro et al. | HSP90 cleavage associates with oxidized proteins accumulation after oxidative stress | |
JP2002359364A (ja) | 光センサー、および光センサーユニット | |
Mills et al. | Photocatalyst activity indicating adhesive labels for use in the field |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120507 |