JP6231299B2 - 配線基板および電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子などの電子部品が搭載される配線基板などに関するものである。

半導体素子などの電子部品における動作速度の高速化に伴って、電子部品に基準電位を供給するための電源配線層とグランド配線層との間において、特定の周波数において共振が生じる可能性が高まってきている。共振が生じる周波数において、電源配線層とグランド配線層との間のインピーダンスがピーク値となりＥＭＩノイズの原因となったり、電源配線層およびグランド配線層におけるノイズが増加したりすることが知られている。そこで、電源配線層およびグランド配線層の表面に電源配線層およびグランド配線層よりも抵抗率の高い金属からなる金属層（抵抗成分）を設けて、高周波電流を減衰させて共振を抑制する手法が考えられている（例えば、特許文献１を参照。）。

特開平11−97810号公報

しかしながら、特許文献１に示された配線基板においては、抵抗成分そのもののコストの発生、または配線基板の製造方法において抵抗成分を設けるための新たな工程が必要となることなどから、製造コストが増加する可能性がある。

本発明の一つの態様による配線基板は、絶縁基体と、絶縁基体の主面または内部に設けられた電源配線層およびグランド配線層とを含んでいる。電源配線層またはグランド配線層は、矩形状の配線本体部と配線本体部の周囲領域に設けられた線状配線部とを含んでおり、線状配線部が、配線本体部の角部のみに電気的に接続され、配線本体部の辺に沿うように設けられて配線本体部を囲んでいる。

本発明の一つの態様による配線基板において、電源配線層またはグランド配線層は配線本体部と配線本体部の周囲領域に設けられた線状配線部とを含んでおり、線状配線部が配線本体部に電気的に接続されていることによって、抵抗成分（線状配線部）が電源配線層またはグランド配線層に付加されて、電源配線層とグランド配線層との間における共振を抑制することができる。線状配線部が配線本体部の角部に電気的に接続されているので、配線本体部の中央部と線状配線部との間の距離をより長くすることができ、一般的に配線本体部の中央部から縁部へ流れる傾向にある電流が線状配線部に到達するまでの距離をより長くし得るため、抵抗成分の値が高くなり、グランド配線層と電源配線層との間の共振をさらに抑制することができる。また、抵抗成分（線状配線部）と配線本体部とを同一のプロセスによって形成し得るため、製造コストの増加を抑えることもできる。すなわち、本発明の一つの態様による配線基板は、製造コストの増加を抑えつつ、電源配線層とグランド配線層との間の共振を抑えることが可能となる。

本発明の一つの実施形態における電子装置を示す縦断面図である。 図１に示された電子装置におけるグランド配線層を示す平面図である。 図２に示されたグランド配線層を有する配線基板と比較例の配線基板とのシミュレーション結果を示すグラフである。 （ａ）は比較例の配線基板を示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された配線基板におけるグランド配線層を示す平面図である。 （ａ）は図１に示された電子装置の変形例を示す縦断面図であり、（ｂ）は図１に示された電子装置の他の変形例を示す縦断面図であり、（ｃ）は図１に示された電子装置の他の変形例を示す縦断面図である。 図２に示されたグランド配線層の変形例を示す平面図である。 図１に示された電子装置の他の変形例を示す断面図である。 図２に示されたるグランド配線層の他の変形例を示す平面図である。 図２に示されたグランド配線層の他の変形例を示す平面図である。 図２に示されたグランド配線層の他の変形例を示す平面図である。 （ａ）〜（ｂ）は図１に示された電子装置の変形例を示す縦断面図である。

本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。

図１に示されているように、本発明の実施形態における電子装置は、配線基板１と、配線基板１に実装された電子部品８とを含んでいる。

配線基板１は、絶縁基体２と、例えば絶縁基体２の内部に設けられた複数の信号配線層３と、絶縁基体２の内部または主面（すなわち、上面または下面）に設けられたグランド配線層４および電源配線層５と、絶縁基体２の上面に設けられた複数の電子部品実装用パッド６（以下、単に複数のパッド６ともいう）と、絶縁基体２の下面に設けられた複数の外部電極７（以下、単に複数の電極７ともいう）とを含んでいる。

絶縁基体２は、互いに積層された複数の絶縁層２ａ〜２ｄから成る。絶縁層２ａ〜２ｄは、例えば、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいは、ポリイミド，エポキシ樹脂，フッ素樹脂，ポリノルボルネンまたはベンゾシクロブテン等の有機樹脂材料、あるいはセラミック材料の粉末を有機樹脂材料中に分散して成る複合絶縁材料等の電気絶縁材料から成るものである。絶縁基体２は、例えばセラミックグリーンシート積層法またはアディティブ法等の基板形成手段によって形成される。

絶縁基体２が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まず、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化カルシウムまたは酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これをドクターブレード法等のシート形成方法によってシート状となすことによって絶縁層２ａ〜２ｄとなるセラミックグリーンシートを得る。このセラミックグリーンシートを適当な大きさに切断して、上下に積層して積層体を作製し、この積層体を還元雰囲気中で約1,600℃の温度で焼成するこ
とによって複数の絶縁層２ａ〜２ｄが積層された絶縁基体２が製作される。

絶縁基体２が、例えばエポキシ樹脂から成る場合であれば、まず、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させて成るガラスエポキシ樹脂から成る基板を最下層の絶縁層２ｄとし、その上面に液状の熱硬化性または感光性のエポキシ樹脂前駆体をスピンコート法もしくはカーテンコート法等により被着させ、これを加熱あるいは紫外線等の光を照射することで硬化処理することによって絶縁層２ｃを形成する。さらにこの上に必要な層数に応じて繰り返し絶縁層を形成することで複数の絶縁層２ａ〜２ｄを形成することができる。

図１に示された例において、信号配線層３は、絶縁基体２の内部の絶縁層２ｂと絶縁層２ｃとの間に設けられており、図示されていないビア導体を介して複数の電極７のいずれかに電気的に接続されている。配線基板１の厚み方向への信号の伝送はこのビア導体によって行なわれる。ビア導体は、例えば、その一端が信号配線層３に電気的に接続され、絶
縁層２ｃおよび２ｄを貫通して、その他端が電極７に電気的に接続されている。

信号配線層３は、絶縁層２ｂおよび２ｃを介してグランド配線層４および電源配線層５によって挟まれており、信号配線層３とグランド配線層４と電源配線層５とによって所謂ストリップ線路構造が構成されている。このように信号伝送線路がストリップ線路構造であることによって、信号配線層３の配線幅または絶縁層２ｂ，２ｃの厚みを設定することによって、特性インピーダンスを任意の値（一般的には、シングル配線であれば50Ω、差動配線であれば100Ω）に設定することができる。特性インピーダンスが整合された信号
伝送路によって、信号の伝送特性が向上された配線基板１を実現することが可能となる。

信号伝送路は、高周波信号を伝送するのに適した構造であればよく、上記のようなストリップ線路に限られるものではない。例えば、マイクロストリップ線路、または２つの平行な線路導体からなる差動線路構造としてもよい。

グランド配線層４および電源配線層５は、絶縁基体２の内部または主面（すなわち、上面または下面）に設けられている。なお、図１に示された構造において、グランド配線層４および電源配線層５は、絶縁基体２の内部に設けられており、グランド配線層４は、電源配線層５の上方に設けられている。

グランド配線層４は、絶縁層２ａおよび２ｂの間に設けられている。グランド配線層４は、図示されていないビア導体を介して複数の電極７のいずれかに電気的に接続されている。

図２に示されているように、グランド配線層４は、配線本体部４ａと配線本体部４ａの周囲領域に設けられた線状配線部４ｂとを含んでおり、線状配線部４ｂが、配線本体部４ａに電気的接続されている。

配線本体部４ａは、絶縁層２ｂの上面において全体的に設けられており、例えば矩形状の絶縁層２ｂに対応して矩形状を有するものである。線状配線部４ｂは、配線本体部４ａに比べて幅の狭いものであり、配線本体部４ａに対して抵抗成分として働くものである。

線状配線部４ｂは、絶縁層２ｂの左上の角部において配線本体部４ａに電気的に接続されており、配線本体部４ａとの接続部４ｃ以外の部分においては配線本体部４ａから離間されており、絶縁層２ｂの上面に設けられた導体層は、配線本体部４ａと線状配線部４ｂとの間にスリット部４ｄが設けられた構造を有している。線状配線部４ｂは、例えば矩形状の配線本体部４ａの４辺に沿うように設けられており、配線本体部４ａを囲んでいる。線状配線部４ｂの先端４ｅは、他の導体層には電気的に接続されていない。

電源配線層５は、グランド配線層４に対向するようにグランド配線層４の下方に設けられている。電源配線層５は、絶縁層２ｃおよび２ｄの間に設けられている。電源配線層５は、図示されていないビア導体を介して複数の電極７のいずれかに電気的に接続されている。

信号配線層３、グランド配線層４、電源配線層５、パッド６および電極７は、絶縁基体２がセラミック材料から成る場合であれば、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の金属粉末によるメタライズで形成することができ、絶縁基体２が有機樹脂材料から成る場合であれば、例えば銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ），ニオブ（Ｎｂ）またはそれらの合金等の金属材料から成る薄膜等で形成することができる。

絶縁基体２がセラミック材料から成る場合であれば、上記した絶縁基体２を作製する工程において、セラミックグリーンシートに金型による打ち抜き加工またはレーザー加工によって貫通孔を形成して、この貫通孔を上記金属の粉末に適当な有機バインダーまたは溶剤等を添加混合して得た金属ペーストで充填しておき、セラミックグリーンシートの表面には信号配線層３、グランド配線層４、電源配線層５、パッド６および電極７の所定のパターンで金属ペーストを印刷塗布しておいて、セラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成することができる。

絶縁基体２が有機樹脂材料から成る場合であれば、上記のように形成する絶縁層と、銅層を無電解めっき法または蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィ技術を採用することによって形成して成る配線導体とを交互に作製すればよい。例えば、感光性樹脂を用いて貫通孔を有する絶縁層を形成し、絶縁層上に所定パターン形状のマスクを形成して、スパッタリング法，真空蒸着法またはメッキ法によって貫通孔内および絶縁層の表面に所定形状の金属薄膜を形成すればよい。または、マスクを形成せずに絶縁層の上面の全面に金属薄膜を形成した後に、所定形状のマスクを形成して不要な部分をエッチングによって除去する方法で形成してもよい。あるいは、例えば銅から成る金属箔を所定形状に加工して絶縁層上に転写することで信号配線層３、グランド配線層４、電源配線層５、パッド６および電極７を形成してもよい。

本実施形態の配線基板１において、グランド配線層４が、配線本体部４ａと配線本体部４ａの周囲領域に設けられた線状配線部４ｂとを含んでおり、線状配線部４ｂが、配線本体部４ａに電気的接続されていることによって、抵抗成分（線状配線部４ｂ）がグランド配線層４に付加されて、グランド配線層４と電源配線層５との間における共振を抑制することができる。

また、本実施形態の配線基板１においては、製法に関して上述したように、抵抗成分（線状配線部４ｂ）と配線本体部４ａとを同一のプロセスによって形成し得るため、製造コストの増加を抑えることもできる。

すなわち、本実施形態の配線基板１は、製造コストの増加を抑えつつ、グランド配線層４と電源配線層５との間の共振を抑えることが可能となる。

通常、グランド配線層４と電源配線層５との間の共振のピーク値は、グランド配線層４または電源配線層５の抵抗、もしくはグランド配線層４と電源配線層５との間に存在するコンダクタンス等の損失成分に依存し、損失成分が小さいほど共振のピーク値は大きくなることが知られている。本実施形態の配線基板１においては、線状配線部４ｂによってグランド配線層４の抵抗を増加させ、共振のピーク値を小さくすることができる。

また、本実施形態の配線基板１においては、平面視において、信号配線層３が配線本体部４ａと線状配線部４ｂとの間の領域（スリット部４ｄ）と重ならないように配置されている場合、信号配線層３における特性インピーダンスの不連続が発生しにくく、信号の伝送特性を向上させることができる。図２に示された構造においては、平面視において、複数の信号配線層３は、配線本体部４ａに重なるように配置されており、配線本体部４ａと線状配線部４ｂとの間の領域（スリット部４ｄ）には重ならないように配置されている。

また、本実施形態の配線基板１において、線状配線部４ｂが配線本体部４ａの角部に電気的に接続されている場合、配線本体部４ａの中央部と線状配線部４ｂとの間の距離をより長くすることができ、一般的に配線本体部４ａの中央部から縁部へ流れる傾向にある電流が線状配線部４ｂに到達するまでの距離をより長くし得るため、抵抗成分の値が高くな
り、グランド配線層４と電源配線層５との間の共振をさらに抑制することができる。

また、本実施形態の配線基板１においては、線状配線部４ｂの幅が配線基板１において伝送される信号の波長の１／16以下であると、抵抗成分（線状配線部４ｂ）の値を十分に大きくすることができ、グランド層４と電源配線層５との間における共振を十分に抑えることができる。

また、本実施形態の配線基板１においては、スリット部４ｄの幅が配線基板１において伝送される信号の波長の１／16以下であると、スリット部４ｄの幅を十分に小さくすることができ、小型化を図ることができる。

また、線状配線部４ｂと配線本体部４ａとの接続部４ｃの幅は、狭すぎても断線が発生する可能性があり、また広すぎても接続部４ｃの抵抗値が低くなり共振を抑える効果が低減する可能性があるため、線状配線部４ｂまたはスリット部４ｄと同程度の幅であることが望ましい。

また、図２に示された構造において、線状配線部４ｂは配線本体部４ａの左上の角部の１箇所で電気的に接続されているが、他の角部においても電気的に接続されていてもよい。

ここで、図２に示された構造の具体例について説明すると、絶縁基体２の比誘電率が10.0であり、信号配線層３を伝送される信号の最大周波数が25ＧＨｚである場合には、線状配線部４ｂおよびスリット部４ｄの幅は、信号の波長の１／16である約240μｍ以下とす
ればよい。また、線状配線部４ｂと配線本体部４ａとの接続部４ｃの幅は、線状配線部４ｂおよびスリット部４ｄと同程度の約240μｍ以下とすればよい。

以下、図２に示されたグランド配線層４を有する配線基板と比較例の配線基板とのシミュレーション結果について図３を参照して説明する。

図３は、グランド配線層４と電源配線層５との間のインピーダンス特性を示すグラフであり、横軸は周波数を、縦軸はインピーダンス値を示している。また、図３において、実線は本実施形態の配線基板１の特性を示し、破線は比較例の配線基板の特性を示している。

本実施形態の配線基板のシミュレーションモデルでは、電源配線層５およびグランド配線層４のサイズが9.4ｍｍ角であり、電源配線層５とグランド配線層４との間の絶縁層２
ｂ，２ｃの厚みが200μｍ、線状配線部４ｂの線幅を100μｍ、スリット部４ｄの幅を200
μｍ、接続部４ｃの幅を100μｍとしてある。

これに対して比較例の配線基板は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示されているものであり、電源配線層50およびグランド配線層40のサイズが10ｍｍ角であり、線状配線部がない点以外は同様の構成である。

図３に示されているように、比較例の配線基板においては、8.43ＧＨzでインピーダン
スのピーク値が105.7Ωとなっているのに対して、本実施形態の配線基板においては、8.97ＧＨzでインピーダンスのピーク値が67.1Ωとなっており改善されている。

このようなことから、本実施形態の配線基板は、電源配線層５とグランド配線層４との間の共振を抑制し、ＥＭＩノイズ、または電源配線層およびグランド配線層におけるノイズを低減させることができる。

なお、図５（ａ）に示されているように、グランド配線層４が電源配線層５の下方に設けられており、そのグランド配線層４において、図２において示された技術的工夫が施されていてもよい。すなわち、グランド配線層４が、配線本体部４ａと配線本体部４ａの周囲領域に設けられた線状配線部４ｂとを含んでおり、線状配線部４ｂが、配線本体部４ａに電気的接続されている構造であってもよい。

また、図５（ｂ）に示されているように、電源配線層５がグランド配線層４の下方に設けられており、その電源配線層５において、図２において示された技術的工夫が施されていてもよい。すなわち、電源配線層５が、配線本体部５ａと配線本体部５ａの周囲領域に設けられた線状配線部５ｂとを含んでおり、線状配線部５ｂが、配線本体部５ａに電気的接続されている構造であってもよい。

また、図５（ｃ）に示されているように、電源配線層５がグランド配線層４の上方に設けられた構造において、その電源配線層５に、図２において示された技術的工夫が施されていてもよい。すなわち、電源配線層５が、配線本体部５ａと配線本体部５ａの周囲領域に設けられた線状配線部５ｂとを含んでおり、線状配線部５ｂが、配線本体部５ａに電気的接続されている構造であってもよい。

なお、図１および図５（ａ）〜図５（ｂ）に示された構造において、グランド配線層４および電源配線層５の両方が線状配線部４ｂ，５ｂを有していてもよい。

また、図６に示されているように、本実施形態の配線基板１においては、線状配線部４ｂがミアンダ状の形状を有している場合、線状配線部４ｂを十分に長くして抵抗成分（線状配線部４ｂ）の値を十分に大きくすることができ、グランド層４と電源配線層５との間における共振を十分に抑えることができる。ミアンダ状に形成される線状配線部４ｂは、付加させたい抵抗値に応じて線幅または折り曲げ数等を調整すればよい。なお、図６に示された構造における技術的工夫は、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示された構造においても適用可能である。

また、図７および図８に示されているように、線状配線部４ｂがミアンダ状の形状を有している場合、その線状配線部４ｂは、絶縁基体２の厚み方向においてミアンダ状の形状を有しているものであってもよい。この場合にも、線状配線部４ｂを十分に長くして抵抗成分（線状配線部４ｂ）の値を十分に大きくすることができ、グランド層４と電源配線層５との間における共振を十分に抑えることができる。

また、この場合には、線状配線部４ｂのミアンダ状の部分が絶縁基体２の厚み方向に配置されているため、絶縁基体２の平面方向において線状配線部４ｂが占める面積の割合をより小さく抑えることができる。そのため、配線基板１の小型化および設計の自由度の向上等の点において有利である。

線状配線部４ｂについて絶縁基体２の厚み方向にミアンダ状の形状とするには、例えば絶縁基体２の一部を厚み方向に貫通する複数の貫通導体（ビア導体）４ｂａと、配線本体部４ａと同じ層に設けられた破線状の複数の部分配線４ｂｂとを順次交互に接続させてパターン形成すればよい。

また、線状配線部４ｂが、絶縁基体２の厚み方向においてミアンダ状の形状を有している場合、信号配線層３が、絶縁基体２の内部に設けられており、側面透視において線状配線部４ｂと信号配線層３とが互いに重なっていてもよい。この場合、実際には、線状配線部４ｂのうちビア導体４ｂａが、側面透視において信号配線層３と重なる。このような場
合には、信号線路３から外部へのノイズ（ＥＭＩノイズ）の放射がより効果的に抑制される。すなわち、信号配線層３の周囲が線状配線部４ｂのうち複数のビア導体４ｂａの部分によって囲まれるため、信号配線層３が外部に対してより有効に電磁的に遮蔽される。そのため、信号線路３から外部へのノイズの放射、および外部から信号線路３へのノイズの侵入が抑制される。

なお、このようなノイズの放射抑制の効果を考慮したとき、複数のビア導体４ｂａ同士の隣接間隔は信号線路３を伝送する信号周波数に対応する波長の１／４以下程度が好ましい。

また、側面透視において線状配線部４ｂと信号配線層３とが互いに重なっている場合、絶縁基体２の内部において信号配線層３が電源配線層５とグランド配線層４との間に位置しており、側面透視において、線状配線部４ｂのビア導体４ｂａが電源配線層５とグランド配線層４との間に設けられていてもよい。この場合には、信号配線部３が、上下の電源配線層５およびグランド配線層４と、横方向の外側に位置する線状配線部４ｂのビア導体４ｂａとによって囲まれる。そのため、信号配線部３から外部へのノイズの放射、および外部から信号線路３へのノイズの侵入がより効果的に抑制される。

なお、この場合、グランド配線層４および電源配線層５の両方が、絶縁基体２の厚み方向にミアンダ状となる部分を有する線状配線部（図示せず）を有していてもよい。これにより、信号配線部３の横方向の外側が、グランド配線層４のミアンダ状の線状配線部（ビア導体）と、電源配線層５のミアンダ状の線状配線部（ビア導体）とによって二重に囲まれる。そのため、信号配線部３から外部へのノイズの放射がさらに効果的に抑制される。

グランド配線層４および電源配線層５の両方が、絶縁基体２の厚み方向にミアンダ状となる部分を有する線状配線部を有する場合、両方の線状配線部同士が接しないようにする必要がある。例えば、平面透視において、グランド配線層４の線状配線部および電源配線層５の線状配線部について、いずれか一方が他方よりも外側に位置する二重巻き状に配置される。

また、図９に示されているように、本実施形態の配線基板１においては、線状配線部４ｂが複数巻きになっている場合、抵抗値をさらに増大させて、グランド層４と電源配線層５との間における共振をさらに抑えることができる。なお、図９に示された構造における技術的工夫は、図５（ａ）〜図５（ｃ）および図６に示された構造においても適用可能である。

また、図10に示されているように、本実施形態の配線基板１は、複数の線状配線部４ｂを有していてもよい。なお、図10に示された構造における技術的工夫は、図５（ａ）〜図５（ｃ）、図６および図９に示された構造においても適用可能である。

また、本実施形態における技術的工夫は、図11（ａ）〜図11（ｃ）に示された構造においても適用可能である。さらに詳細に説明すると、図11（ａ）〜図11（ｃ）には、デカップリングコンデンサの機能を付加するために、絶縁層２ａおよび２ｂの間に設けられたグランド配線層４、絶縁層２ｂおよび２ｃの間に設けられた電源配線層５、および絶縁層２ｃおよび２ｄの間に設けられたグランド配線層４を有している構造においても、本実施形態の技術的工夫を適用することが可能である。

図11（ａ）に示された構造においては、絶縁層２ａおよび２ｂの間に設けられたグランド配線層４が、配線本体部４ａと線状配線部４ｂとを有している。また、図11（ｂ）に示された構造においては、絶縁層２ｂおよび２ｃの間に設けられた電源配線層５が、配線本
体部５ａと線状配線部５ｂとを有している。また、図11（ｃ）に示された構造においては、絶縁層２ｃおよび２ｄの間に設けられたグランド配線層４が、配線本体部４ａと線状配線部４ｂとを有している。なお、これらのグランド配線層４および電源配線層５のうち複数の配線層が配線本体部と線状配線部とを有していてもよい。

また、グランド配線層４および電源配線層５のそれぞれの配線本体部４ａ、５ａと、それぞれの線状配線部４ｂ、５ｂとが、線状配線部４ｂ、５ｂよりも抵抗率が高い材料からなる抵抗体によって電気的に接続されていてもよい。すなわち、例えばグランド層４における抵抗率が、接続部４ｃにおいて他の部分よりも大きくてもよい。この場合には、グランド配線層４および電源配線層５に対する抵抗成分の付加が、抵抗体によってより効果的に行なわれる。そのため、例えば線状配線部４ｂ、５ｂ用のスペースがより小さくなり、設計の自由度の確保等においてより有利である。また、配線基板１としての経済性（製造コスト）においてより有利である。

１：配線基板
２：絶縁基体
２ａ〜２ｄ：絶縁層
３：信号配線層
４：グランド配線層
４ａ：配線本体部
４ｂ：線状配線部
４ｂａ：ビア導体
４ｂｂ：部分配線
４ｃ：接続部
４ｄ：スリット部
５：電源配線層
６：パッド
７：電極

Claims (8)

1. 絶縁基体と、
   該絶縁基体の主面または内部に設けられた電源配線層およびグランド配線層とを備えており、
   該電源配線層または該グランド配線層は、矩形状の配線本体部と該配線本体部の周囲領域に設けられた線状配線部とを含んでおり、該線状配線部が、前記配線本体部の角部のみに電気的に接続され、前記配線本体部の辺に沿うように設けられて前記配線本体部を囲んでいることを特徴とする配線基板。
2. 前記絶縁基体の前記主面または前記内部に設けられた信号配線層をさらに備えており、平面視において、該信号配線層は、前記配線本体部と前記線状配線部との間の領域と重なっていないことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記線状配線部は、ミアンダ状の形状を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記線状配線部は、前記絶縁基体の厚み方向においてミアンダ状の形状を有していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
5. 前記線状配線部は、前記絶縁基体の厚み方向においてミアンダ状の形状を有しており、前記信号配線層が前記絶縁基体の内部に設けられており、側面透視において前記線状配線部と前記信号配線層とが互いに重なっていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
6. 前記信号配線層が前記電源配線層とグランド配線層との間に位置しており、
   前記線状配線部は、側面透視において前記電源配線層と前記グランド配線層との間で前記絶縁基体を貫通している複数のビア導体と、平面透視において前記配線本体部の周囲に設けられているとともに前記複数のビア導体同士を順次直列に接続している複数の部分配線とを含んでおり、側面透視において、前記線状配線部の前記複数のビア導体と前記信号配線層とが互いに重なっていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
7. 前記配線本体部と前記線状配線部とが、該線状配線部よりも抵抗率が高い材料からなる抵抗体によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板と、
   該配線基板に実装された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。

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