JP6220063B2 - 太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池及び太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6220063B2 JP6220063B2 JP2016527615A JP2016527615A JP6220063B2 JP 6220063 B2 JP6220063 B2 JP 6220063B2 JP 2016527615 A JP2016527615 A JP 2016527615A JP 2016527615 A JP2016527615 A JP 2016527615A JP 6220063 B2 JP6220063 B2 JP 6220063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- bus bar
- solar cell
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- -1 fluororesin Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/022458—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
前記第1の導電型の拡散層に接合された第1の電極部と、前記第2の導電型の拡散層に接合された第2の電極部を備え、
前記第1の電極部上に形成された第1の電極ライン部と、
前記第2の電極部上に形成された第2の電極ライン部と、
前記第1の電極ライン部が接続された第1の電極バスバー部と、
前記第2の電極ライン部が接続された第2の電極バスバー部とを備え、
少なくとも前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域において、第1の絶縁膜が前記第2の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
少なくとも前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、第2の絶縁膜が前記第1の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
前記第1の絶縁膜の直下において、前記第2の電極部がライン状に連続して形成されており、
前記第2の絶縁膜の直下において、前記第1の電極部がライン状に連続して形成されているものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
前記第2の絶縁膜の直下に形成された前記第1の電極部の長さが前記第2の絶縁膜の長さよりも大きく、前記第1の電極部の幅が前記第2の絶縁膜の幅よりも小さく、
前記第1の絶縁膜の直下に形成された前記第2の電極部の長さが前記第1の絶縁膜の長さよりも大きく、前記第2の電極部の幅が前記第1の絶縁膜の幅よりも小さいことが好ましい。
前記第2の絶縁膜が少なくとも前記第2の電極バスバー部の直下に存在する前記第1の導電型の拡散層を覆うように形成されていることが好ましい。
前記第2の電極部の長さが0.35〜5.0mmであり、前記第1の絶縁膜の長さが0.32mm〜4.0mmであり、前記第1の電極バスバー部の幅が0.30mm〜3.0mmであり、
前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第1の電極部の長さが0.35〜5.0mmであり、前記第2の絶縁膜の長さが0.32mm〜4.0mmであり、前記第2の電極バスバー部の幅が0.30mm〜3.0mmであることが好ましい。
前記第1の電極バスバー部の長さが0.3mm以上であり、前記第1の絶縁膜の幅が0.03mm〜1.5mmであり、前記第2の電極部の幅が0.02〜0.20mmであり、
前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第2の電極バスバー部の長さが0.3mm以上であり、前記第2の絶縁膜の幅が0.03mm〜1.5mmであり、前記第1の電極部の幅が0.02〜0.20mmであることが好ましい。
前記受光面とは反対の面に、前記第1の導電型の拡散層及び該第1の導電型の拡散層に接合された第1の電極部、並びに前記第2の導電型の拡散層及び該第2の導電型の拡散層に接合された第2の電極部を形成する工程と、
前記第2の電極部の側面部と上部を覆うように第1の絶縁膜を形成し、前記第1の電極部の側面部と上部を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
第1の電極ライン部を前記第1の電極部上に、第1の電極バスバー部を前記第1の電極ライン部に接続するように形成することと、第2の電極ライン部を前記第2の電極部上に、第2の電極バスバー部を前記第2の電極ライン部に接続するように形成することとを同時に行う工程とを有し、
前記電極部を形成する工程において、前記第2の電極部を、前記第1の絶縁膜の直下においてライン状に連続して形成し、前記第1の電極部を、前記第2の絶縁膜の直下においてライン状に連続して形成し、
前記絶縁膜を形成する工程において、前記第1の絶縁膜を、少なくとも前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域に形成し、前記第2の絶縁膜を、少なくとも前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
上記のように、配線抵抗が低く、変換効率の高い裏面電極型太陽電池、及びそのような裏面電極型太陽電池を低コストで製造することができる太陽電池の製造方法が求められている。
図1は、本発明の太陽電池の一例を示す上面模式図である。図2、図3は、本発明の太陽電池の一部分を拡大した拡大図である。また、図4、図5は、本発明の太陽電池の一例を示す断面模式図である。なお、図4は、図1の1−1’断面図である。また、図5は、図1の2−2’断面図である。
本発明に用いることができる半導体基板は特に限定されない。例えば、N型シリコン基板を用いることができる。この場合、基板の厚さは、例えば、100〜200μm厚とすることができる。基板の主面の形状及び面積は特に限定されない。
第1の電極部26及び第2の電極部27の材料としては、例えば、銀粉末とガラスフリットを有機物バインダで混合した流動性のあるペースト(以下、焼結ペーストとも記載する。)を用いることができる。
絶縁膜は、絶縁領域において、電極部の側面部と上部を覆うように形成されている。ここで、本発明における絶縁領域とは、少なくとも電極部と電極バスバー部が交差する箇所のことである。絶縁領域は、この箇所の面積よりも大きいことが好ましい。絶縁膜の形状は特に限定されないが、例えば、矩形とすることができる。第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の厚みは、1〜60μmであることが好ましい。より好ましくは5〜40μm程度、特に好ましくは10〜30μmである。このような厚みとすることにより、絶縁性をより向上させることができる。また、過度に絶縁膜を形成することもないため、所望の太陽電池をより低コストで製造することができる。
電極ライン部及び電極バスバー部は、少なくともAg、Cu、Au、Al、Zn、In、Sn、Bi、Pbから選択される1種類以上の導電性物質と、さらにエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂から選択される1種類以上の樹脂を含有する材料(以下、熱硬化ペーストとも記載する。)からなるものであることが好ましい。このような電極材料からなるものであれば、ガラスフリットを含む必要がないので、加熱時に電極材料がシリコン基板等の半導体基板と直接結合することがなく、コンタクト面積の増加が抑制される。
本発明の太陽電池の製造方法は、第1の導電型の半導体基板の受光面とは反対の面に第1の導電型の拡散層と第2の導電型の拡散層が形成された太陽電池の製造方法であって、少なくとも以下に示す工程を有する太陽電池の製造方法である。
まず、図6(a)に示すように、100〜200μm厚のN型シリコン基板13の受光面となる面(以下「N型シリコン基板の受光面」という。)の反対側の面である裏面(以下「N型シリコン基板の裏面」という。)に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク31をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。
次に絶縁膜24、25の形成について説明する。図6(k)はP型バスバー電極の断面図、図6(l)はN型バスバー電極の断面図である。それぞれ図1の1−1’断面図と、2−2’断面図を示している。
次に、第1の電極ライン部35、第2の電極ライン部36、第1の電極バスバー部37及び第2の電極バスバー部38の形成方法について説明する。
本発明の有効性を確認するため、以下の工程を半導体基板90枚(実施例1〜8、比較例1について10枚ずつ)について行い、太陽電池90枚を作製した。
実施例1〜4では、図7に示すようなパターンの電極部、絶縁膜、電極ライン部及び電極バスバー部を形成した(図6j〜l)。
実施例5〜8では、図8に示すようなパターンの電極部、絶縁膜、電極ライン部及び電極バスバー部を形成した(図6j〜l)。
比較例1では、コンタクト電極とバスバー電極のみを形成した。これらの電極の形状は、基板の端に幅1.2mmのバスバー電極が1対設けられ、それぞれのバスバー電極から幅100μmのコンタクト電極が、拡散層の延伸する方向に沿って設置されたパターンとした(図19)。焼結ペーストを用いて、スクリーン印刷により、所定の位置に塗布し、乾燥、および700℃5分の焼成を行った。
Claims (10)
- 第1の導電型の半導体基板の受光面とは反対の面に第1の導電型の拡散層と第2の導電型の拡散層が形成されている太陽電池であって、
前記第1の導電型の拡散層に接合された第1の電極部と、前記第2の導電型の拡散層に接合された第2の電極部を備え、
前記第1の電極部上に形成された第1の電極ライン部と、
前記第2の電極部上に形成された第2の電極ライン部と、
前記第1の電極ライン部が接続された第1の電極バスバー部と、
前記第2の電極ライン部が接続された第2の電極バスバー部とを備え、
少なくとも前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域において、第1の絶縁膜が前記第2の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
少なくとも前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、第2の絶縁膜が前記第1の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
前記第1の絶縁膜の直下において、前記第2の電極部がライン状に連続して形成されており、
前記第2の絶縁膜の直下において、前記第1の電極部がライン状に連続して形成されているものであることを特徴とする太陽電池。 - 前記第2の絶縁膜が形成された箇所以外の箇所における前記第1の電極部の形状及び前記第1の絶縁膜が形成された箇所以外の箇所における前記第2の電極部の形状が、ドット状、ライン状、又はこれらの形状の組み合わせのいずれかであり、
前記第2の絶縁膜の直下に形成された前記第1の電極部の長さが前記第2の絶縁膜の長さよりも大きく、前記第1の電極部の幅が前記第2の絶縁膜の幅よりも小さく、
前記第1の絶縁膜の直下に形成された前記第2の電極部の長さが前記第1の絶縁膜の長さよりも大きく、前記第2の電極部の幅が前記第1の絶縁膜の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第1の絶縁膜が少なくとも前記第1の電極バスバー部の直下に存在する前記第2の導電型の拡散層を覆うように形成され、
前記第2の絶縁膜が少なくとも前記第2の電極バスバー部の直下に存在する前記第1の導電型の拡散層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池。 - 前記第1の電極バスバー部及び前記第2の電極バスバー部の本数の合計が4本以上、10本以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が、少なくともシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂及びポバール樹脂から一つ以上選択された樹脂を含有する材料からなるものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第2の電極部の長さが0.35〜5.0mmであり、前記第1の絶縁膜の長さが0.32mm〜4.0mmであり、前記第1の電極バスバー部の幅が0.30mm〜3.0mmであり、
前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第1の電極部の長さが0.35〜5.0mmであり、前記第2の絶縁膜の長さが0.32mm〜4.0mmであり、前記第2の電極バスバー部の幅が0.30mm〜3.0mmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の太陽電池。 - 前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第1の電極バスバー部の長さが0.3mm以上であり、前記第1の絶縁膜の幅が0.03mm〜1.5mmであり、前記第2の電極部の幅が0.02〜0.20mmであり、
前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域において、
前記第2の電極バスバー部の長さが0.3mm以上であり、前記第2の絶縁膜の幅が0.03mm〜1.5mmであり、前記第1の電極部の幅が0.02〜0.20mmであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池。 - 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の厚みが1〜60μmであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記第1の電極ライン部、前記第2の電極ライン部、前記第1の電極バスバー部及び前記第2の電極バスバー部が、少なくともAg、Cu、Au、Al、Zn、In、Sn、Bi、Pbから選択される1種類以上の導電性物質と、さらにエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂から選択される1種類以上の樹脂を含有する材料からなるものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 第1の導電型の半導体基板の受光面とは反対の面に第1の導電型の拡散層と第2の導電型の拡散層が形成された太陽電池の製造方法であって、
前記受光面とは反対の面に、前記第1の導電型の拡散層及び該第1の導電型の拡散層に接合された第1の電極部、並びに前記第2の導電型の拡散層及び該第2の導電型の拡散層に接合された第2の電極部を形成する工程と、
前記第2の電極部の側面部と上部を覆うように第1の絶縁膜を形成し、前記第1の電極部の側面部と上部を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
第1の電極ライン部を前記第1の電極部上に、第1の電極バスバー部を前記第1の電極ライン部に接続するように形成することと、第2の電極ライン部を前記第2の電極部上に、第2の電極バスバー部を前記第2の電極ライン部に接続するように形成することとを同時に行う工程とを有し、
前記電極部を形成する工程において、前記第2の電極部を、前記第1の絶縁膜の直下においてライン状に連続して形成し、前記第1の電極部を、前記第2の絶縁膜の直下においてライン状に連続して形成し、
前記絶縁膜を形成する工程において、前記第1の絶縁膜を、少なくとも前記第2の電極部と前記第1の電極バスバー部が交差する領域に形成し、前記第2の絶縁膜を、少なくとも前記第1の電極部と前記第2の電極バスバー部が交差する領域に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014120283 | 2014-06-11 | ||
JP2014120283 | 2014-06-11 | ||
PCT/JP2015/001954 WO2015190024A1 (ja) | 2014-06-11 | 2015-04-07 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015190024A1 JPWO2015190024A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6220063B2 true JP6220063B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=54833143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016527615A Active JP6220063B2 (ja) | 2014-06-11 | 2015-04-07 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10249775B2 (ja) |
EP (1) | EP3157062B1 (ja) |
JP (1) | JP6220063B2 (ja) |
KR (1) | KR102319471B1 (ja) |
CN (1) | CN106463549B (ja) |
ES (1) | ES2970755T3 (ja) |
MY (1) | MY181161A (ja) |
PH (1) | PH12016502437B1 (ja) |
RU (1) | RU2016150513A (ja) |
SG (1) | SG11201609998SA (ja) |
TW (1) | TWI703621B (ja) |
WO (1) | WO2015190024A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3333901B1 (en) * | 2016-10-05 | 2020-12-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing a high photoelectric conversion efficiency solar cell |
WO2018078669A1 (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
US10236397B2 (en) | 2016-11-07 | 2019-03-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing high-efficiency solar cell |
KR102623721B1 (ko) | 2016-11-15 | 2024-01-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고효율 태양전지 및 고효율 태양전지의 제조방법 |
CN110024136B (zh) * | 2016-12-01 | 2022-10-04 | 信越化学工业株式会社 | 高光电变换效率太阳能电池胞及高光电变换效率太阳能电池胞的制造方法 |
JP6986726B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-12-22 | アートビーム有限会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JP6875252B2 (ja) | 2017-10-26 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドペーストの乾燥方法及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
JP7009172B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-01-25 | シャープ株式会社 | 光電変換装置、およびそれを備える太陽電池ストリング |
JP6564081B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-21 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
CN108447922A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-08-24 | 苏州浩顺光伏材料有限公司 | 一种转换率高的太阳能电池片 |
RU2710390C1 (ru) * | 2019-05-31 | 2019-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" | Фотопреобразователь с увеличенной фотоактивной площадью |
CN111211227A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-29 | 北京交通大学 | 太阳能电池的制备方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5214755B2 (ja) | 1972-10-20 | 1977-04-23 | ||
JPH05317209A (ja) | 1992-05-27 | 1993-12-03 | Tokyo Electric Co Ltd | 電気掃除機の吸込口体 |
US20050115602A1 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | Kyocera Corporation | Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system |
US20060130891A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
EP2009701A1 (en) * | 2006-03-01 | 2008-12-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar battery cell and solar battery module using such solar battery cell |
JP4697194B2 (ja) | 2006-10-13 | 2011-06-08 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池セルの接続方法及び太陽電池モジュール |
US7804022B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-09-28 | Sunpower Corporation | Solar cell contact fingers and solder pad arrangement for enhanced efficiency |
WO2009025147A1 (ja) | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
EP2224496A1 (en) | 2007-11-22 | 2010-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring member between elements, photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element connecting body and photoelectric conversion module using the wiring member between elements and the photoelectric conversion element |
DE102007059486A1 (de) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür |
JP2009206366A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP5406189B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2014-02-05 | パナソニック株式会社 | フレキシブル半導体装置の製造方法 |
JP2011003724A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP5289291B2 (ja) | 2009-12-01 | 2013-09-11 | デクセリアルズ株式会社 | 電子部品の製造方法、電子部品および導電性フィルム |
JP5495777B2 (ja) | 2009-12-25 | 2014-05-21 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP5214755B2 (ja) | 2011-03-03 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池セル、裏面電極型太陽電池サブセルおよび太陽電池モジュール |
KR101231314B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-02-07 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101218416B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2013-01-21 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR101103501B1 (ko) | 2011-05-30 | 2012-01-09 | 한화케미칼 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
US20140352753A1 (en) * | 2011-09-29 | 2014-12-04 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic cell interconnect |
US10383207B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-08-13 | Cellink Corporation | Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells |
US20130160825A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Back contact photovoltaic module with glass back-sheet |
DE112012006610T5 (de) | 2012-06-29 | 2015-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solarzelle, Solarzellenmodul und Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle |
JP2014075532A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Panasonic Corp | 太陽電池モジュール |
KR102124520B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2020-06-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
KR102175893B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2020-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈의 제조 방법 |
-
2015
- 2015-04-07 CN CN201580030808.7A patent/CN106463549B/zh active Active
- 2015-04-07 MY MYPI2016704526A patent/MY181161A/en unknown
- 2015-04-07 WO PCT/JP2015/001954 patent/WO2015190024A1/ja active Application Filing
- 2015-04-07 JP JP2016527615A patent/JP6220063B2/ja active Active
- 2015-04-07 RU RU2016150513A patent/RU2016150513A/ru unknown
- 2015-04-07 KR KR1020167033341A patent/KR102319471B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-07 EP EP15807525.9A patent/EP3157062B1/en active Active
- 2015-04-07 SG SG11201609998SA patent/SG11201609998SA/en unknown
- 2015-04-07 US US15/315,520 patent/US10249775B2/en active Active
- 2015-04-07 ES ES15807525T patent/ES2970755T3/es active Active
- 2015-06-11 TW TW104118945A patent/TWI703621B/zh active
-
2016
- 2016-12-06 PH PH12016502437A patent/PH12016502437B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102319471B1 (ko) | 2021-10-28 |
JPWO2015190024A1 (ja) | 2017-04-20 |
US20170186894A1 (en) | 2017-06-29 |
ES2970755T3 (es) | 2024-05-30 |
PH12016502437A1 (en) | 2017-03-06 |
CN106463549A (zh) | 2017-02-22 |
WO2015190024A1 (ja) | 2015-12-17 |
KR20170017895A (ko) | 2017-02-15 |
EP3157062A4 (en) | 2018-01-17 |
RU2016150513A (ru) | 2018-07-11 |
EP3157062A1 (en) | 2017-04-19 |
EP3157062B1 (en) | 2023-12-20 |
US10249775B2 (en) | 2019-04-02 |
TW201611103A (zh) | 2016-03-16 |
CN106463549B (zh) | 2019-08-13 |
TWI703621B (zh) | 2020-09-01 |
PH12016502437B1 (en) | 2017-03-06 |
MY181161A (en) | 2020-12-20 |
SG11201609998SA (en) | 2017-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6220063B2 (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
JP6199839B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP6328606B2 (ja) | 背面接触型太陽光発電モジュールの半導体ウエハのセル及びモジュール処理 | |
JP5869608B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP6189971B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
EP2184787A1 (en) | Rear surface bonding type solar cell, rear surface bonding type solar cell having wiring board, solar cell string and soar cell module | |
TWI597856B (zh) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
US20170288081A1 (en) | Photovoltaic module | |
WO2009081684A1 (ja) | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 | |
JP6644884B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造システムおよび太陽電池の製造方法 | |
JP2013048146A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP6013198B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP6455099B2 (ja) | 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法 | |
JP2014220462A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2011222630A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
JP2011165805A (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6220063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |