JP6197442B2 - 半導体素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
入力信号を受けるための入力端子と、
前記入力信号から生成した駆動信号を出力する第1出力端子と、
電源生成装置と接続し、前記電源生成装置から制御電源電圧を受ける制御電源端子と、
前記電源生成装置と接続し、前記電源生成装置に出力信号を与える第2出力端子と、
リセット信号を受けるリセット信号端子と、
を備える半導体素子の駆動回路であって、
前記リセット信号を受けたら、前記駆動信号の出力を停止し、前記電源生成装置が前記制御電源電圧を低減するように前記出力信号を変更し、
前記制御電源電圧を電源として作動し、前記駆動回路の異常を検知する異常検知回路を、さらに備え、
前記リセット信号を受けたら、前記異常検知回路の最小作動電圧を下回らないように前記制御電源電圧を低減することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体素子の駆動回路HVIC1の構成を示す回路図である。図1には、駆動回路HVIC1とともに、その周辺回路もあわせて図示している。
図2は、本発明の実施の形態2にかかる半導体素子の駆動回路HVIC2の構成を示す回路図である。駆動回路HVIC2は、システムリセット回路30の後段の回路を変更した点を除き、実施の形態1にかかる駆動回路HVIC1と同じ回路構成を備えている。したがって、以下の説明では実施の形態1と同一または相当する構成については同一の符号を付して説明を行うとともに、実施の形態1との相違点を中心に説明し、共通事項は説明を簡略化ないしは省略する。
図3は、本発明の実施の形態3にかかる半導体素子の駆動回路HVIC3の構成を示す回路図である。駆動回路HVIC3は電源制御回路240を駆動回路HVICの外側に別の独立した回路として設置している。駆動回路HVIC3では、高圧側パワーデバイス駆動制御回路46の代わりに、高圧側システムリセット出力回路146が設けられている。
図4は、本発明の実施の形態4にかかる半導体素子の駆動回路HVIC4の構成を示す回路図である。駆動回路HVIC4は、低圧側のパワーデバイス駆動制御回路などを有さない点を除いては、実施の形態3にかかる駆動回路HVIC3と同様の構成を備えている。
図5は、本発明の実施の形態5にかかる半導体素子の駆動回路HVIC5の構成を示す回路図である。駆動回路HVIC5は、実施の形態3にかかる駆動回路HVIC3に、初期電源生成回路50と、カウンタ回路51とを追加したものである。実施の形態3と同一または相当する構成については同一の符号を付しており、実施の形態3との相違点を中心に説明し、共通事項は説明を簡略化ないしは省略する。
Claims (7)
- 入力信号を受けるための入力端子と、
前記入力信号から生成した駆動信号を出力する第1出力端子と、
電源生成装置と接続し、前記電源生成装置から制御電源電圧を受ける制御電源端子と、
前記電源生成装置と接続し、前記電源生成装置に出力信号を与える第2出力端子と、
リセット信号を受けるリセット信号端子と、
を備える半導体素子の駆動回路であって、
前記リセット信号を受けたら、前記駆動信号の出力を停止し、前記電源生成装置が前記制御電源電圧を低減するように前記出力信号を変更し、
前記制御電源電圧を電源として作動し、前記駆動回路の異常を検知する異常検知回路を、さらに備え、
前記リセット信号を受けたら、前記異常検知回路の最小作動電圧を下回らないように前記制御電源電圧を低減することを特徴とする半導体素子の駆動回路。 - レベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の前段に設けられ、パルス信号を生成して前記出力信号として出力し、前記出力信号のオンデューティ比が可変な電源制御回路と、
をさらに備え、
前記出力信号が前記電源生成装置のスイッチング素子の駆動信号であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記電源制御回路は、
前記パルス信号のデューティ比を変更可能な出力デューティ可変回路と、
前記リセット信号を受けたら、前記出力デューティ可変回路の出力を間欠化する間欠回路と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記異常検知回路は、前記制御電源電圧の値が所定値以下か否かを検知するUV回路と、前記駆動回路内の温度が所定値以上か否かを検知するOT回路と、のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記制御電源端子と接続し、起動時に前記制御電源端子に電圧を供給する初期電源生成回路をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記入力端子への入力信号が所定回数オンとなったときに前記初期電源生成回路を停止させるカウンタ回路をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記電源生成装置が、スイッチング素子を有するコンバータ回路と、前記スイッチング素子を制御するためのパルス信号を生成し前記パルス信号のオンデューティ比が可変な電源制御回路とを含み、
前記出力信号は、前記電源制御回路に対して前記パルス信号のデューティ比を低下させ又はおよび前記パルス信号を間欠化させるための第2リセット信号であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。
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