JP6196880B2 - 電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス - Google Patents
電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6196880B2 JP6196880B2 JP2013230504A JP2013230504A JP6196880B2 JP 6196880 B2 JP6196880 B2 JP 6196880B2 JP 2013230504 A JP2013230504 A JP 2013230504A JP 2013230504 A JP2013230504 A JP 2013230504A JP 6196880 B2 JP6196880 B2 JP 6196880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- powder
- less
- sintering
- pressure sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
SiC + 2O2 → SiO2 + CO2 ・・・ 式1
このため、比表面積の小さい、つまり、気孔率が低く密度の高いSiCセラミックスほど寿命は長くなる。
A:アチソン法で合成したグリーンSiCを平均粒径0.7μmに粉砕したもの
B:アチソン法で合成したブラックSiCを平均粒径0.7μmに粉砕したもの
C:シリカ還元法でのSiC合成時にAlを添加したSiCを平均粒径0.7μmに粉砕したもの
D:シリカ還元法でのSiC合成時にAlを添加したSiCを平均粒径0.7μmに粉砕したもの
E:Alを添加しアチソン法で合成したブラックSiCを平均粒径0.7μmに粉砕したもの
ただし、SiC粉末は、オージェ電子分光(AES)またはX線光電子分光分析(XPS/ESCA)による表面分析でSiC粉末表面のAl、Al2O3、AlN、AlB2、Al4C3、Al(OH)3、AlP、Al2S2またはAlSbなどのAl化合物のAl量が0.1atom%以下を確認する必要がある。
実施例1〜5
表3に実施例1〜5を示す。SiC粉末として、Al固溶量が0.08%の粉末Bと0.48%の粉末Eを使用し、焼結助剤としてSiC粉末に対して外割りでB4C=0.2wt%、C=2.0wt%を添加し、1500℃まで真空で焼成し、Arガス置換した後、2050℃〜2300℃でそれぞれ焼結した。いずれの試料の比抵抗も100Ω・cm以下で、嵩比重3.00以上で開気孔率は2.0%以下であった。
実施例1〜5において、1600℃まで真空で焼成し、Arガス置換した後、2100℃で焼結した以外は全て実施例1〜5と同様の方法で行った。結果を表4に示す。実施例6,7から、いずれの試料も、比抵抗が100Ω・cm以下で、嵩比重3.00以上で開気孔率は2.0%以下であった。
表5に比較例1〜4を示す。SiC粉末として、Al固溶量が0.01%の粉末Aを使用し、焼結助剤としてSiC粉末に対して外割りでB4C=0.2wt%、C=2.0wt%を添加し、1500℃まで真空で焼成し、Arガス置換した後、2000℃〜2300℃でそれぞれ焼結した。結果を表3に示す。いずれの試料の比抵抗は100Ω・cm以上であった。比較例1においては、嵩比重2.79以下で開気孔率は11.5%であった。
比較例1〜4において、1600℃まで真空で焼成し、Arガス置換した後、2100℃で焼結した以外は全て比較例1〜4と同様の方法で行った。結果を表6に示す。比較例5は、比抵抗が147Ω・cm、嵩比重2.99で開気孔率は1.4%であった。
SiC粉末として、Al固溶量が0.08%の粉末Bと0.01%の粉末Aを使用し、焼結助剤としてSiC粉末に対して外割りでB=1.0wt%、C=2.0wt%を添加し、1500℃まで真空で焼成し、Arガス置換した後、2300℃で焼結した。粉末Bは比抵抗が35Ω・cm、嵩比重3.10、開気孔率0.3%であったが、粉末Aは比抵抗が203Ω・cmと高かった。
SiC粉末として、ESCAでのAl2O3の表面分析(atom%)が9.85%の粉末Cおよび7.79%の粉末Dを実施例2と同条件にて焼結したが、嵩比重が低く、緻密なSiCセラミックスが得られなかった。
Claims (1)
- SiC粉末が所定の条件を満足することを確認する第1のステッフ゜と、
前記所定の条件を満足するSiC粉末を出発原料として、焼結助剤にBまたはB4C及び3wt%未満のCを使用し、嵩比重が3.00以上かつ開気孔率が2%以下、室温での比抵抗が100Ω・cm以下の常圧焼結SiCセラミックスを製造する第2のステッフ゜と、
を有し、
前記所定の条件は、ICP分析によるAl量が0.06wt%以上かつ、オーシ゛ェ電子分光またはX線光電子分光分析による表面分析でSiC粉末表面のAl量が0.1atom%以下であることを特徴とする常圧焼結SiCセラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013230504A JP6196880B2 (ja) | 2013-11-06 | 2013-11-06 | 電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013230504A JP6196880B2 (ja) | 2013-11-06 | 2013-11-06 | 電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015089862A JP2015089862A (ja) | 2015-05-11 |
JP6196880B2 true JP6196880B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=53193560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013230504A Active JP6196880B2 (ja) | 2013-11-06 | 2013-11-06 | 電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6196880B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102603574B1 (ko) * | 2020-10-15 | 2023-11-21 | 서울시립대학교 산학협력단 | 1~30 Ωcm 범위의 전기비저항을 갖는 상압소결 탄화규소 소재, 그 조성물 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60235766A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | 昭和電工株式会社 | 炭化ケイ素の製造法 |
US5322824A (en) * | 1993-05-27 | 1994-06-21 | Chia Kai Y | Electrically conductive high strength dense ceramic |
JPH11263667A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化ケイ素焼結体およびその製造方法 |
JP2000169234A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素焼結体、その製造方法、それを用いたマイクロ波吸収体及びそれを用いた電力用抵抗体 |
-
2013
- 2013-11-06 JP JP2013230504A patent/JP6196880B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015089862A (ja) | 2015-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4987238B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JP5121268B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材 | |
TWI573757B (zh) | A silicon nitride powder manufacturing method and a silicon nitride powder, and a silicon nitride sintered body and a circuit board using the same | |
JP4245125B2 (ja) | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材、耐蝕性部材および導電性部材 | |
KR101413250B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체, 그 제법 및 그것을 이용한 정전 척 | |
JP4493264B2 (ja) | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 | |
JP6196880B2 (ja) | 電気抵抗の低い常圧焼結SiCセラミックス | |
JP6325202B2 (ja) | ホウ化ランタン焼結体及びその製造方法 | |
JP5350426B2 (ja) | 導電性セラミックス焼結体の製造方法 | |
KR102432509B1 (ko) | 복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
JP5415382B2 (ja) | 導電性炭化珪素質多孔体の製造方法 | |
JP5434583B2 (ja) | 金属ホウ化物焼結体の製造方法 | |
JP2007008793A (ja) | Al−Si−C系化合物を主構成物とする炭素含有導電性セラミックス | |
JP6720053B2 (ja) | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
JP2011063487A (ja) | ホウ化ランタン焼結体、その焼結体を用いたターゲット及びその焼結体の製造方法 | |
JP6387128B2 (ja) | 導電性炭化珪素質焼結体の製造方法及び導電性炭化珪素質焼結体 | |
JP2003073168A (ja) | 反応焼結炭化珪素発熱体及びその製造方法 | |
JP5603765B2 (ja) | 炭化ケイ素発熱体の製造方法および炭化ケイ素発熱体ならびにハニカムの製造方法およびハニカム | |
JP2020083744A (ja) | 導電性セラミックス | |
JP2012041214A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体 | |
JPH1179848A (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
JP4268440B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JP5204972B2 (ja) | 炭化珪素焼結体の製造方法 | |
JP4181359B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びに窒化アルミニウム焼結体を用いた電極内蔵型サセプタ | |
JP2008069036A (ja) | 導電性窒化ケイ素焼結体とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6196880 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |