JP6191608B2 - 研磨材粒子の製造方法 - Google Patents
研磨材粒子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6191608B2 JP6191608B2 JP2014534360A JP2014534360A JP6191608B2 JP 6191608 B2 JP6191608 B2 JP 6191608B2 JP 2014534360 A JP2014534360 A JP 2014534360A JP 2014534360 A JP2014534360 A JP 2014534360A JP 6191608 B2 JP6191608 B2 JP 6191608B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive particles
- abrasive
- forming step
- mol
- outer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 180
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 89
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 86
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 73
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 45
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 30
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 25
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- -1 urea compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 72
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 52
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 36
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 29
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- DAHVGXJQRTYNST-UHFFFAOYSA-N nitric acid;yttrium Chemical compound [Y].O[N+]([O-])=O DAHVGXJQRTYNST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical class CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical class OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUTYWCZSEBLPAK-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)sulfonylurea Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)NC(N)=O)C=C1 RUTYWCZSEBLPAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWHURINXJWEER-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetraphenylurea Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C=1C=CC=CC=1)C(=O)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZVWHURINXJWEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COSWCAGTKRUTQV-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-trimethylurea Chemical compound CNC(=O)N(C)C COSWCAGTKRUTQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQGDIKHDDGEOE-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-triphenylurea Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C=1C=CC=CC=1)C(=O)NC1=CC=CC=C1 HKQGDIKHDDGEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 1
- RYECOJGRJDOGPP-UHFFFAOYSA-N Ethylurea Chemical compound CCNC(N)=O RYECOJGRJDOGPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRYILSDLIGTCOP-UHFFFAOYSA-N N-benzoylurea Chemical compound NC(=O)NC(=O)C1=CC=CC=C1 HRYILSDLIGTCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methyl urea Chemical compound CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENJPRSQISBMDN-UHFFFAOYSA-N [Y].[Ce] Chemical compound [Y].[Ce] LENJPRSQISBMDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- GHDLZGOOOLEJKI-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonylurea Chemical compound NC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GHDLZGOOOLEJKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZMZNLKYXLARXFY-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);oxalate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O ZMZNLKYXLARXFY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- VGBWDOLBWVJTRZ-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triacetate Chemical compound [Ce+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VGBWDOLBWVJTRZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- VCXYSAZTMYGBLO-UHFFFAOYSA-N n-(benzoylcarbamoyl)benzamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)NC(=O)NC(=O)C1=CC=CC=C1 VCXYSAZTMYGBLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STBNWEYNSYFYJF-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-(methylcarbamoyl)acetamide Chemical compound CNC(=O)N(C)C(C)=O STBNWEYNSYFYJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003746 yttrium Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
- C09K3/1445—Composite particles, e.g. coated particles the coating consisting exclusively of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
- C01F17/218—Yttrium oxides or hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
- C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
- C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
- C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、研磨材粒子の製造方法に関する。
ガラス光学素子やガラス基板、半導体デバイスを製造工程で精密研磨する研磨材としては、従来、酸化セリウムを主成分とし、これに酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化プラセオジムなどが加わった希土類元素の酸化物が使用されている。この他の研磨材としては、ダイヤモンド、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等が挙げられるが、研磨速度、研磨後の被研磨物の表面粗さの観点から比較したときに、酸化セリウムが有効であることは公知であり、広範囲で用いられている。しかし、酸化セリウムは、世界的に偏在しており、供給が安定するとはいえない。そこで、酸化セリウムの使用量を削減しつつ、高い精度で研磨を行うことができる研磨材の製造方法の確立が求められている。
光学ガラス等の製造工程で精密研磨を行うことのできる、高純度の酸化セリウム系研磨材の製造方法としては、精製された硝酸第一セリウム、塩化第一セリウム、硫酸第一セリウム等の水溶液に炭酸、シュウ酸、酢酸等の塩を添加して炭酸第一セリウム、シュウ酸第一セリウム、酢酸第一セリウム等の生成物を沈殿させ、この沈殿物をろ過し、乾燥したのち、焼成して酸化セリウムを得る方法がある。
例えば、非特許文献1では、硝酸セリウム水溶液、硝酸イットリウム水溶液、尿素を混合した水溶液を加熱撹拌し、粒子径分布の狭い粒子を得る方法が提案されている。
また、特許文献1には、酸化セリウムよりも比重が小さい無機材からなる基粒子により形成されたコア層と当該基粒子よりも粒径が小さい酸化セリウムを含む微粒子が当該基粒子の外側に、バインダーにより結合されて形成されたシェル層とを有する複合砥粒を含有している研磨材が記載されている。この研磨材は、基粒子である酸化ケイ素粒子を分散させた分散液中にバインダーとなる酸化アルミニウムゾルを撹拌しつつ加え、更に、酸化セリウム粒子を分散させた分散液を撹拌しつつ加えて、得られた基粒子(酸化ケイ素)と微粒子(酸化セリウム)がバインダー(酸化アルミニウム)を介して結合した固体を固液分離し、分離された固体を700℃〜900℃で焼成した後、得られた焼成物を乾式ジェットミルで粉砕することにより得られることが記載されている。この方法では、粒子に、酸化ケイ素からなる基粒子(コア層)と、基粒子の外側にバインダーにより結合されて形成された酸化セリウムを含むシェル層と、を有するコアシェル構造を採用することで、酸化セリウムの使用量を削減しながら、従来品と同程度の研磨精度と研磨速度を得ることができる。
例えば、非特許文献1では、硝酸セリウム水溶液、硝酸イットリウム水溶液、尿素を混合した水溶液を加熱撹拌し、粒子径分布の狭い粒子を得る方法が提案されている。
また、特許文献1には、酸化セリウムよりも比重が小さい無機材からなる基粒子により形成されたコア層と当該基粒子よりも粒径が小さい酸化セリウムを含む微粒子が当該基粒子の外側に、バインダーにより結合されて形成されたシェル層とを有する複合砥粒を含有している研磨材が記載されている。この研磨材は、基粒子である酸化ケイ素粒子を分散させた分散液中にバインダーとなる酸化アルミニウムゾルを撹拌しつつ加え、更に、酸化セリウム粒子を分散させた分散液を撹拌しつつ加えて、得られた基粒子(酸化ケイ素)と微粒子(酸化セリウム)がバインダー(酸化アルミニウム)を介して結合した固体を固液分離し、分離された固体を700℃〜900℃で焼成した後、得られた焼成物を乾式ジェットミルで粉砕することにより得られることが記載されている。この方法では、粒子に、酸化ケイ素からなる基粒子(コア層)と、基粒子の外側にバインダーにより結合されて形成された酸化セリウムを含むシェル層と、を有するコアシェル構造を採用することで、酸化セリウムの使用量を削減しながら、従来品と同程度の研磨精度と研磨速度を得ることができる。
J.Am.Ceram.Soc.,71巻、10号、845〜853頁(1988年)
しかしながら、非特許文献1の方法で製造された粒子を焼成し、研磨材としての効果を確認した結果、研磨速度が低かった。これは、粒子形状と粒子径分布を調整するために、粒子表面にセリウム以外の元素(イットリウム)が多く混合されていることが原因であると考えられる。
また、特許文献1の方法で得られた、バインダーにより結合された酸化セリウムを含む研磨材は、研磨加工を行う際に、研磨組成物に圧力を加えて被研磨物に対して摩擦力を働かせるため、研磨材粒子に加えられている圧力により研磨材粒子自体が時間の経過とともに壊れてしまい、研磨速度の低下につながっている。
また、特許文献1の方法で得られた、バインダーにより結合された酸化セリウムを含む研磨材は、研磨加工を行う際に、研磨組成物に圧力を加えて被研磨物に対して摩擦力を働かせるため、研磨材粒子に加えられている圧力により研磨材粒子自体が時間の経過とともに壊れてしまい、研磨速度の低下につながっている。
本発明の課題は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、酸化セリウムの使用量を抑制し、より高い耐久性及び研磨速度を得ることができる研磨材粒子の製造方法を提供することである。
上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、
研磨材粒子の製造方法において、
Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させる内層形成工程と、
前記内層形成工程により形成される前記元素の塩を分散させる反応溶液に、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩により調製された水溶液を所定時間添加して、前記内層の外側に前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩を含む前記研磨材粒子の前駆体の外層を形成させる外層形成工程と、
前記外層形成工程により外層が形成された前記研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する固液分離工程と、
前記固液分離工程で得られた前記研磨材粒子の前駆体を空気中又は酸化性雰囲気中で焼成する焼成工程と、
を備え、
前記外層形成工程での前記研磨材粒子の前駆体の表面を形成させる反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素並びにCeを含み、当該反応溶液に含有される前記元素の総含有量に対して、当該Ceの割合が60mol%以上、90mol%以下であることを特徴とする。
研磨材粒子の製造方法において、
Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させる内層形成工程と、
前記内層形成工程により形成される前記元素の塩を分散させる反応溶液に、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩により調製された水溶液を所定時間添加して、前記内層の外側に前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩を含む前記研磨材粒子の前駆体の外層を形成させる外層形成工程と、
前記外層形成工程により外層が形成された前記研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する固液分離工程と、
前記固液分離工程で得られた前記研磨材粒子の前駆体を空気中又は酸化性雰囲気中で焼成する焼成工程と、
を備え、
前記外層形成工程での前記研磨材粒子の前駆体の表面を形成させる反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素並びにCeを含み、当該反応溶液に含有される前記元素の総含有量に対して、当該Ceの割合が60mol%以上、90mol%以下であることを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の研磨材粒子の製造方法であって、
前記内層形成工程及び前記外層形成工程での反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、当該元素のイオン濃度及びCeのイオン濃度の合計値が、100.20mmol/L以下であることを特徴とする。
前記内層形成工程及び前記外層形成工程での反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、当該元素のイオン濃度及びCeのイオン濃度の合計値が、100.20mmol/L以下であることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の研磨材粒子の製造方法であって、
前記内層形成工程及び前記外層形成工程で形成される塩が塩基性炭酸塩であることを特徴とする。
前記内層形成工程及び前記外層形成工程で形成される塩が塩基性炭酸塩であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の研磨材粒子の製造方法であって、
前記内層形成工程は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びに尿素系化合物により調製された水溶液を撹拌して、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩基性炭酸塩を形成させ、当該元素の塩基性炭酸塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させることを特徴とする。
前記内層形成工程は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びに尿素系化合物により調製された水溶液を撹拌して、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩基性炭酸塩を形成させ、当該元素の塩基性炭酸塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させることを特徴とする。
本発明により、酸化セリウムの使用量を抑制し、より高い耐久性及び研磨速度を得ることができる。
以下、既存の研磨材及び本発明に係る研磨材粒子の製造方法について詳細に説明する。
<研磨材>
一般的な研磨材には、ベンガラ(αFe2O3)、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の研磨材粒子を水や油に分散させてスラリー状にしたものなどがある。本発明は、半導体デバイスやガラスの研磨加工において、高精度に平坦性を維持しつつ、十分な研磨速度を得るために物理的な作用と化学的な作用の両方で研磨を行う、化学機械研磨(CMP;Chemical Mechanical Polishing)が可能な酸化セリウムを主成分とする研磨材に用いられる新規な研磨材粒子の製造方法であり、以下、詳細に説明する。
<研磨材>
一般的な研磨材には、ベンガラ(αFe2O3)、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の研磨材粒子を水や油に分散させてスラリー状にしたものなどがある。本発明は、半導体デバイスやガラスの研磨加工において、高精度に平坦性を維持しつつ、十分な研磨速度を得るために物理的な作用と化学的な作用の両方で研磨を行う、化学機械研磨(CMP;Chemical Mechanical Polishing)が可能な酸化セリウムを主成分とする研磨材に用いられる新規な研磨材粒子の製造方法であり、以下、詳細に説明する。
<研磨材粒子の構造>
本発明に係る研磨材粒子として、内層1と、外層2とを有する2層構造の研磨材粒子が好ましい。具体的には、図1に示すように、2層構造の研磨材粒子は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩、例えば、酸化イットリウムを主成分とする内層1と、内層1の外側に形成される外層2を備えている。
本発明に係る研磨材粒子として、内層1と、外層2とを有する2層構造の研磨材粒子が好ましい。具体的には、図1に示すように、2層構造の研磨材粒子は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩、例えば、酸化イットリウムを主成分とする内層1と、内層1の外側に形成される外層2を備えている。
内層1は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩、例えば、酸化イットリウムがほぼ100mol%を占め、酸化セリウムをほとんど含まない。これは、前記元素の塩が、研磨の際にかかる応力に対して酸化セリウムよりも壊れにくいためである。以下の説明においては、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素をY(イットリウム)として説明する。
外層2は、例えば、酸化イットリウムと酸化セリウムを含み、研磨材粒子の中心から表面に向かって酸化セリウムの組成が連続的に増加する。具体的には、外層2のうち、研磨材粒子の中心側の内層1に近い部分の組成は、酸化イットリウムが多い割合を占めている。そして、研磨材粒子の中心側から表面側にむかうにつれて、外層2の組成は、酸化セリウムの占める割合が連続的に増加する。なお、研磨材粒子の形状は、球状に限定するものではなく、略楕円形状等であってもよい。
<研磨材粒子の製造方法>
以下に、内層1、外層2からなる研磨材粒子の製造方法を示す。
本発明の研磨材粒子の製造方法は、図2に示すように、内層形成工程A、外層形成工程B、固液分離工程C、焼成工程Dの4つの工程からなる。
以下に、内層1、外層2からなる研磨材粒子の製造方法を示す。
本発明の研磨材粒子の製造方法は、図2に示すように、内層形成工程A、外層形成工程B、固液分離工程C、焼成工程Dの4つの工程からなる。
1.内層形成工程A
内層形成工程Aは、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする研磨材粒子の前駆体の内層1を形成させる。具体的には、内層形成工程Aは、イットリウムの塩及び沈殿剤を水に溶解させ、所定の濃度の溶液を調製する。そして、内層形成工程Aは、調製された溶液を80℃以上で加熱撹拌し、研磨材粒子の前駆体の内層1となる、水に不溶な塩基性炭酸塩を形成させる。以下の説明においては、加熱撹拌を開始した溶液を反応溶液とする。
内層形成工程Aは、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする研磨材粒子の前駆体の内層1を形成させる。具体的には、内層形成工程Aは、イットリウムの塩及び沈殿剤を水に溶解させ、所定の濃度の溶液を調製する。そして、内層形成工程Aは、調製された溶液を80℃以上で加熱撹拌し、研磨材粒子の前駆体の内層1となる、水に不溶な塩基性炭酸塩を形成させる。以下の説明においては、加熱撹拌を開始した溶液を反応溶液とする。
内層形成工程Aにおいて、水に溶解させるAl、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩としては、硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩等を用いることができるが、製品への不純物の混入が少ない硝酸塩を使用することが好ましい。また、沈殿剤としては、前記元素の塩とともに水に混ぜて加熱した際に塩基性炭酸塩を生成する種類のアルカリ化合物であればよく、尿素系化合物、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等が好ましい。尿素系化合物としては、尿素の塩(例えば、硝酸塩、塩酸塩等)、N,N’−ジメチルアセチル尿素、N,N’−ジベンゾイル尿素、ベンゼンスルホニル尿素、p−トルエンスルホニル尿素、トリメチル尿素、テトラエチル尿素、テトラメチル尿素、トリフェニル尿素、テトラフェニル尿素、N−ベンゾイル尿素、メチルイソ尿素、エチルイソ尿素等が挙げられ、尿素も含むものとする。尿素系化合物の中で特に尿素は、徐々に加水分解することでゆっくり沈殿が生成し、均一な沈殿が得られる点で好ましい。また、水に不溶な塩基性炭酸塩、例えば、イットリウムの塩基性炭酸塩を生成させることで、析出した沈殿を単分散の状態で分散させることができる。更に、後述する外層形成工程Bにおいてもセリウムの塩基性炭酸塩を形成させるため、塩基性炭酸塩による連続的な層構造を形成させることができる。なお、以下の実施例において、内層形成工程A及び外層形成工程Bにおいて反応溶液に添加される水溶液は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩として、硝酸イットリウムを水に溶解させ、調製されるイットリウム硝酸水溶液の場合を示す。また、尿素系化合物として、尿素を用いる場合について示すが、一例であって、これに限定されるものではない。
内層形成工程Aにおけるイットリウムを含有する水溶液の添加速度は、1分当たり0.003mol/Lから5.5mol/Lが好ましく、80℃以上で加熱撹拌しながら反応溶液に添加されることが好ましい。添加速度を当該範囲とすることにより、単分散性の優れた、球状の研磨材粒子が形成されやすくなるためである。加熱する温度については、80℃以上で加熱撹拌されると、添加された尿素の分解が進みやすくなるためである。また、添加する尿素の濃度は、イットリウムのイオン濃度の5から50倍の濃度が好ましい。これは、イットリウムの水溶液中でのイオン濃度及び尿素の濃度を、当該範囲内とすることで、単分散性を示す球状の研磨材粒子を合成することができるためである。
なお、加熱撹拌の際には、十分な撹拌効率を得られれば、特に撹拌機の形状等は指定しないが、より高い撹拌効率を得るためには、ローター・ステータータイプの軸流撹拌機を使用することが好ましい。
なお、加熱撹拌の際には、十分な撹拌効率を得られれば、特に撹拌機の形状等は指定しないが、より高い撹拌効率を得るためには、ローター・ステータータイプの軸流撹拌機を使用することが好ましい。
2.外層形成工程B
外層形成工程Bは、内層形成工程Aにより形成される、例えば、イットリウムの塩基性炭酸塩を分散させる反応溶液に、硝酸イットリウム及び硝酸セリウムにより調製された水溶液を一定速度で所定時間添加して、内層1の外側にイットリウムの塩基性炭酸塩及びセリウムの塩基性炭酸塩を含む研磨材粒子の前駆体の外層2を形成させる。なお、水溶液の調製に用いるセリウムの塩として、製品への不純物の混入が少ない硝酸塩を使用することが好ましいため、硝酸セリウムを用いる場合を示したが、これに限定するものではなく、塩酸塩、硫酸塩等を用いることができる。
外層形成工程Bは、内層形成工程Aにより形成される、例えば、イットリウムの塩基性炭酸塩を分散させる反応溶液に、硝酸イットリウム及び硝酸セリウムにより調製された水溶液を一定速度で所定時間添加して、内層1の外側にイットリウムの塩基性炭酸塩及びセリウムの塩基性炭酸塩を含む研磨材粒子の前駆体の外層2を形成させる。なお、水溶液の調製に用いるセリウムの塩として、製品への不純物の混入が少ない硝酸塩を使用することが好ましいため、硝酸セリウムを用いる場合を示したが、これに限定するものではなく、塩酸塩、硫酸塩等を用いることができる。
外層形成工程Bで添加する水溶液の添加速度は、1分当たり0.003mol/Lから5.5mol/Lが好ましい。これは、添加速度を当該範囲とすることにより、単分散性の優れた、球状の研磨材粒子が形成されやすくなるためである。また、添加する水溶液が含有するセリウムの濃度の割合が90mol%以下であることが好ましい。これは、添加する水溶液のセリウムの濃度の割合が90mol%より大きい場合、90mol%以下に調製された水溶液を添加する場合と同じ添加時間で添加を行うと、形成される研磨材粒子が単分散性を示さず、板状に凝集してしまうためである。また、反応溶液は、前記添加速度で水溶液を添加されながら、80℃以上で加熱撹拌されることが好ましい。これは、80℃以上で加熱撹拌されると、内層形成工程Aにおいて添加された尿素の分解が進みやすくなるためである。
内層形成工程A及び外層形成工程Bでの反応溶液中に含まれるイットリウム及びセリウムの組成比変化の一例を図3に示す。図3に示す場合において、反応開始から60分後までの間は、内層形成工程Aにおける反応溶液の組成比を表している。反応開始から60分後以降、反応が終了する120分後までの間は、外層形成工程Bにおける反応溶液の組成比を表している。具体的には、内層形成工程Aにおいて、硝酸イットリウム及び尿素により調製された水溶液の加熱撹拌の開始を反応開始として、60分後までの間、イットリウムが100mol%を占める反応溶液中で、研磨材粒子の前駆体の内層1が形成される。内層形成工程Aにおいては、反応溶液に含まれるイットリウムが内層1の形成により消費されるため、所定の間隔でイットリウムを含有する水溶液を添加することが好ましい。
外層形成工程Bにおいて、イットリウム及びセリウムを含有する所定の濃度に調製された水溶液を反応溶液に所定時間添加することで、反応溶液中のセリウムの組成が、連続的に増加する。具体的には、図3に示すように、外層形成工程Bにおける反応溶液の組成は、当該水溶液の添加開始後から反応溶液中のセリウムの組成比が増加し、イットリウムの組成比が減少する。加熱撹拌を開始してから100分後付近では反応溶液中で大きな組成変化は見られず、添加する水溶液のイットリウムとセリウムの組成比に近づいている。外層形成工程Bにより形成される外層2は、反応溶液の組成変化に対応したイットリウム及びセリウムの組成比で形成される。
具体的には、外層形成工程Bで研磨材粒子の前駆体の表面を形成させる反応溶液の組成は、イットリウム及びセリウムのうち、セリウムの割合が60mol%以上、90mol%以下に調製される。ここで、研磨材粒子の前駆体の表面とは、研磨材粒子の前駆体に形成された外層2のうち、内層1と接していない側の面である。反応溶液中のセリウムの割合を当該範囲に調製することで、形成される外層2の表面でセリウムが異常成長することなく、単分散性を示す粒子に成長させることができる。また、セリウム単独で凝集することなく単分散性を示す粒子成長を促すためには、当該セリウムの割合が60mol%以上、81mol%以下であることがより好ましい。
内層形成工程A及び外層形成工程Bでの反応溶液は、イットリウムを含み、含まれるイットリウム及びセリウムのイオン濃度の合計値が100.20mmol/L以下に調製されることが好ましい。これは、反応溶液にイットリウムが含まれることで、尿素の分解反応により内層1となるイットリウムの塩基性炭酸塩が形成されるためである。また、反応溶液は、含まれるイットリウム及びセリウムのイオン濃度の合計値を100.20mmol/L以下に調製することで、凝集を抑制して研磨材粒子の前駆体となる塩基性炭酸塩を形成させることができるためである。特に好ましくは、含まれるイットリウム及びセリウムのイオン濃度の合計値を50.33mmol/L以下に調製することで、より平均粒子径の揃った粒子成長を促すことができる。なお、外層形成工程Bにおける硝酸イットリウム及び硝酸セリウムにより調製された水溶液の添加は、反応溶液から析出した分のイットリウム及びセリウムを補うよう調整されている。従って、反応溶液のイオン濃度の合計は、ほぼ一定に保たれるように調整されている。また、反応溶液の加熱撹拌を開始してから水溶液を添加する時間及び反応終了時間は、目的とする研磨材粒子の平均粒子径、外層2に含まれるセリウムの組成比に応じて適宜変更することができる。
3.固液分離工程C
固液分離工程Cは、外層形成工程Bにより外層2が形成された研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する。なお、固液分離工程Cにおいては、必要に応じて、得られた研磨材粒子の前駆体を乾燥した後に、焼成工程Dへ移行してもよい。
固液分離工程Cは、外層形成工程Bにより外層2が形成された研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する。なお、固液分離工程Cにおいては、必要に応じて、得られた研磨材粒子の前駆体を乾燥した後に、焼成工程Dへ移行してもよい。
4.焼成工程D
焼成工程Dは、固液分離工程Cで得られた研磨材粒子の前駆体を空気中若しくは酸化性雰囲気中、300℃以上で焼成する。研磨材粒子の前駆体は、焼成されることにより二酸化炭素が脱離するため、塩基性炭酸塩から酸化物となり、目的の研磨材粒子が得られる。
焼成工程Dは、固液分離工程Cで得られた研磨材粒子の前駆体を空気中若しくは酸化性雰囲気中、300℃以上で焼成する。研磨材粒子の前駆体は、焼成されることにより二酸化炭素が脱離するため、塩基性炭酸塩から酸化物となり、目的の研磨材粒子が得られる。
<研磨材の粒子径と研磨速度、表面精度>
研磨材粒子は、その使用用途によって粒子径に対する要求レベルは異なるが、研磨後の仕上がり表面精度が高くなるにつれて、使用される研磨材に含まれる研磨材粒子の微粒子化が必要になり、例えば、半導体デバイスの製造工程で使用するには平均粒子径が2.0μm以下である必要がある。研磨材の粒子径が小さくなるほど、研磨後の仕上がり表面精度が高くなるのに対して、研磨速度は粒子径が小さいほど遅くなる傾向があるので、0.02μm未満の粒子径では、セリウム系研磨材の研磨速度が、コロイダルシリカ等の研磨材に比べて速いという優位性が失われてしまう。したがって、研磨材粒子の平均粒子径としては0.02〜2.0μmの範囲が好ましく、さらに0.05〜1.5μmの範囲がより好ましい。
また、研磨加工後の平面精度を高めるためには、出来るだけ粒子径が揃っており、粒子径分布の変動係数が小さい研磨材を使用することが望ましい。
研磨材粒子は、その使用用途によって粒子径に対する要求レベルは異なるが、研磨後の仕上がり表面精度が高くなるにつれて、使用される研磨材に含まれる研磨材粒子の微粒子化が必要になり、例えば、半導体デバイスの製造工程で使用するには平均粒子径が2.0μm以下である必要がある。研磨材の粒子径が小さくなるほど、研磨後の仕上がり表面精度が高くなるのに対して、研磨速度は粒子径が小さいほど遅くなる傾向があるので、0.02μm未満の粒子径では、セリウム系研磨材の研磨速度が、コロイダルシリカ等の研磨材に比べて速いという優位性が失われてしまう。したがって、研磨材粒子の平均粒子径としては0.02〜2.0μmの範囲が好ましく、さらに0.05〜1.5μmの範囲がより好ましい。
また、研磨加工後の平面精度を高めるためには、出来るだけ粒子径が揃っており、粒子径分布の変動係数が小さい研磨材を使用することが望ましい。
<研磨材の使用方法と研磨材の劣化>
情報記録ディスク用ガラス基板の研磨加工を例にとり、研磨材の使用方法を記載する。
1.研磨材スラリーの調製
研磨材粒子を用いた研磨材の粉体を水等の溶媒に添加し、研磨材スラリーを作製する。研磨材スラリーには、分散剤等を添加することで、凝集を防止するとともに、撹拌機等を用いて常時撹拌し、分散状態を維持する。研磨材スラリーは供給用ポンプを利用して、研磨機に循環供給される。
2.研磨工程
研磨パット(研磨布)が貼られた研磨機の上下定盤にガラス基板を接触させ、接触面に対して研磨材スラリーを供給しながら、加圧条件下でパットとガラスを相対運動させることで研磨される。
3.研磨材の劣化
研磨材は、前記研磨工程にあるように、加圧条件下で使用される。このため、研磨材に含まれる研磨材粒子は、研磨時間が経過するにつれて、徐々に崩壊し微小化してしまう。研磨材粒子の微小化は研磨速度の減少を引き起こすので、研磨前後で粒子径分布の変化が小さい研磨材粒子が望まれる。
情報記録ディスク用ガラス基板の研磨加工を例にとり、研磨材の使用方法を記載する。
1.研磨材スラリーの調製
研磨材粒子を用いた研磨材の粉体を水等の溶媒に添加し、研磨材スラリーを作製する。研磨材スラリーには、分散剤等を添加することで、凝集を防止するとともに、撹拌機等を用いて常時撹拌し、分散状態を維持する。研磨材スラリーは供給用ポンプを利用して、研磨機に循環供給される。
2.研磨工程
研磨パット(研磨布)が貼られた研磨機の上下定盤にガラス基板を接触させ、接触面に対して研磨材スラリーを供給しながら、加圧条件下でパットとガラスを相対運動させることで研磨される。
3.研磨材の劣化
研磨材は、前記研磨工程にあるように、加圧条件下で使用される。このため、研磨材に含まれる研磨材粒子は、研磨時間が経過するにつれて、徐々に崩壊し微小化してしまう。研磨材粒子の微小化は研磨速度の減少を引き起こすので、研磨前後で粒子径分布の変化が小さい研磨材粒子が望まれる。
以下、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<研磨材1:実施例1>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.001mol/L、尿素を0.025mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、0.1mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.03mol/Lのイットリウム、0.07mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材1:実施例1>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.001mol/L、尿素を0.025mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、0.1mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.03mol/Lのイットリウム、0.07mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材2:実施例2>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.1mol/Lのイットリウム、0.9mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.1mol/Lのイットリウム、0.9mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材3:実施例3>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.2mol/Lのイットリウム、0.8mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.2mol/Lのイットリウム、0.8mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材4:実施例4>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、0.2mol/Lのイットリウム、0.8mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で120分間添加した。
3 前記1から2で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、0.2mol/Lのイットリウム、0.8mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で120分間添加した。
3 前記1から2で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材5:実施例5>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.3mol/Lのイットリウム、0.7mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.3mol/Lのイットリウム、0.7mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材6:実施例6>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.4mol/Lのイットリウム、0.6mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.4mol/Lのイットリウム、0.6mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材7:実施例7>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.05mol/L、尿素を1.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.5mol/Lのイットリウム、3.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.05mol/L、尿素を1.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.5mol/Lのイットリウム、3.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材8:実施例8>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.1mol/L、尿素を2.5mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.5mol/Lのイットリウム、3.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.1mol/L、尿素を2.5mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.5mol/Lのイットリウム、3.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材9:実施例9>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.11mol/L、尿素を2.75mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.5mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.65mol/Lのイットリウム、3.85mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.11mol/L、尿素を2.75mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、5.5mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.65mol/Lのイットリウム、3.85mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分2mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材10:比較例1>
1 水10Lに対して、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.0mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で10分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.0mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で10分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材11:比較例2>
1 水10Lに対して、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.0mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、1.0mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材12:比較例3>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.05mol/Lのイットリウム、0.95mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.05mol/Lのイットリウム、0.95mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
<研磨材13:比較例4>
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.5mol/Lのイットリウム、0.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
1 水10Lに対して、イットリウム硝酸水溶液を0.01mol/L、尿素を0.25mol/Lになるように調製し、十分に撹拌したのち、90℃で加熱撹拌を開始した。
2 前記1の水溶液に対して、1.0mol/Lのイットリウム硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
3 前記2の水溶液に対して、0.5mol/Lのイットリウム、0.5mol/Lのセリウムを含む硝酸水溶液を毎分1mLの添加速度で60分間添加した。
4 前記1から3で析出した研磨材粒子の前駆体をメンブランフィルターにて分離し、600℃で焼成して研磨材粒子を得た。
以上の研磨材1から13についての実験条件を表1にまとめた。なお、表1においてY濃度及びU濃度とは、反応開始前に調製された水溶液のイットリウムの濃度及び尿素の濃度を表す。また、添加Y濃度及び添加Ce濃度は、添加された水溶液に含まれるイットリウム及びセリウムの濃度を表す。また、添加時間1、添加時間2及び添加速度は、それぞれ内層形成工程A及び外層形成工程Bにおける水溶液を添加した時間及び水溶液の添加速度を表す。
<研磨材の評価>
研磨材1から13の外層形成工程B後(反応終了後)の溶液について、以下の方法に従って、組成分析を行うとともに、研磨材1から13の形状及び研磨性能の評価を行った。
研磨材1から13の外層形成工程B後(反応終了後)の溶液について、以下の方法に従って、組成分析を行うとともに、研磨材1から13の形状及び研磨性能の評価を行った。
1.反応溶液の組成分析
反応終了後の沈殿を含む溶液を採取し、沈殿物と上澄み液に固液分離した後、上澄み液に含まれるイットリウム、セリウムの各濃度及び合計値を、エスアイアイナノテクノロジー社製 ICP−AES(SPS3520V)により、フッ化水素酸導入システムを用いて測定した。得られたイットリウム及びセリウムの濃度の合計値を反応溶液濃度とした。また、得られたイットリウム及びセリウムの各濃度に基づいて、反応溶液中のセリウムの組成比を算出した。
反応終了後の沈殿を含む溶液を採取し、沈殿物と上澄み液に固液分離した後、上澄み液に含まれるイットリウム、セリウムの各濃度及び合計値を、エスアイアイナノテクノロジー社製 ICP−AES(SPS3520V)により、フッ化水素酸導入システムを用いて測定した。得られたイットリウム及びセリウムの濃度の合計値を反応溶液濃度とした。また、得られたイットリウム及びセリウムの各濃度に基づいて、反応溶液中のセリウムの組成比を算出した。
2.元素分析
得られた研磨材粒子に日立ハイテクノロジーズ社製 集束イオンビーム(FB-2000A)により断面加工を行い、粒子中心付近を通る面を切り出した。切断面より、日立ハイテクノロジーズ社製 STEM−EDX(HD-2000)を使用して元素分析を行い、粒子組成の分布評価を行った。一例として、実施例5の研磨材粒子の元素分析結果を図4に示す。図4Aに示す実施例5の研磨材粒子の断面について、研磨材粒子の表面に近い0.05μm付近及び0.6μm付近におけるセリウムの割合が高くなっていることが確認できる(図4B参照)。
得られた研磨材粒子に日立ハイテクノロジーズ社製 集束イオンビーム(FB-2000A)により断面加工を行い、粒子中心付近を通る面を切り出した。切断面より、日立ハイテクノロジーズ社製 STEM−EDX(HD-2000)を使用して元素分析を行い、粒子組成の分布評価を行った。一例として、実施例5の研磨材粒子の元素分析結果を図4に示す。図4Aに示す実施例5の研磨材粒子の断面について、研磨材粒子の表面に近い0.05μm付近及び0.6μm付近におけるセリウムの割合が高くなっていることが確認できる(図4B参照)。
3.平均粒子径・粒子径分布の変動係数
研磨材粒子100個の走査型電子顕微鏡写真(SEM像)から平均粒子径及び粒子径分布の変動係数を求めた。
図5に研磨材粒子100個の走査型電子顕微鏡写真を示す。図5Aは、研磨材粒子が、分散溶媒中で単分散となっている様子である。図5Bは、研磨材粒子が、分散溶媒中で凝集状態となっている様子である。図5Cは、研磨材粒子が、分散溶媒中で板状に分散している様子である。
また、粒子径分布の変動係数は下記の式で求めた。
粒子径分布の変動係数(%)=(粒子径分布の標準偏差/平均粒子径)×100
研磨材粒子100個の走査型電子顕微鏡写真(SEM像)から平均粒子径及び粒子径分布の変動係数を求めた。
図5に研磨材粒子100個の走査型電子顕微鏡写真を示す。図5Aは、研磨材粒子が、分散溶媒中で単分散となっている様子である。図5Bは、研磨材粒子が、分散溶媒中で凝集状態となっている様子である。図5Cは、研磨材粒子が、分散溶媒中で板状に分散している様子である。
また、粒子径分布の変動係数は下記の式で求めた。
粒子径分布の変動係数(%)=(粒子径分布の標準偏差/平均粒子径)×100
4.研磨速度
研磨加工に使用した研磨機は、研磨材粒子を用いた研磨材の粉体を水等の溶媒に分散させた研磨材スラリーを、研磨対象面に供給しながら、研磨対象面を研磨布で研磨するものである。研磨材スラリーは分散媒を水のみとして、濃度は100g/Lとした。研磨試験においては、研磨材スラリーを5L/minの流量で循環供給させて研磨加工を行った。研磨対象物として、65mmΦのガラス基板を使用し、研磨布は、ポリウレタン製の物を使用した。研磨面に対する研磨時の圧力は、9.8kPa(100g/cm2)とし、研磨試験機の回転速度は100min−1(rpm)に設定し、30分間研磨加工を行った。研磨前後の厚さをNikon Digimicro(MF501)にて測定し、厚さ変位から1分間当たりの研磨量(μm)を算出し、研磨速度とした。この研磨速度で研磨を連続5回繰り返し、初回と5回目での研磨速度の変化を調べた。ここで、初回の研磨速度を研磨速度1とし、5回目の研磨速度を研磨速度2として得られた研磨速度を表2に示す。
研磨加工に使用した研磨機は、研磨材粒子を用いた研磨材の粉体を水等の溶媒に分散させた研磨材スラリーを、研磨対象面に供給しながら、研磨対象面を研磨布で研磨するものである。研磨材スラリーは分散媒を水のみとして、濃度は100g/Lとした。研磨試験においては、研磨材スラリーを5L/minの流量で循環供給させて研磨加工を行った。研磨対象物として、65mmΦのガラス基板を使用し、研磨布は、ポリウレタン製の物を使用した。研磨面に対する研磨時の圧力は、9.8kPa(100g/cm2)とし、研磨試験機の回転速度は100min−1(rpm)に設定し、30分間研磨加工を行った。研磨前後の厚さをNikon Digimicro(MF501)にて測定し、厚さ変位から1分間当たりの研磨量(μm)を算出し、研磨速度とした。この研磨速度で研磨を連続5回繰り返し、初回と5回目での研磨速度の変化を調べた。ここで、初回の研磨速度を研磨速度1とし、5回目の研磨速度を研磨速度2として得られた研磨速度を表2に示す。
<研磨材の形状・研磨性能の評価>
以上の評価により得られた結果を表2にまとめた。
以上の評価により得られた結果を表2にまとめた。
Ce組成比及び反応溶液濃度は、反応終了後の溶液から上記組成分析により求めた値である。表2に示す形状は、研磨材粒子100個のSEM像から確認できる粒子の形状である。また、研磨材粒子100個のSEM像から平均粒子径(μm)を求めた。また、変動係数は、上記式から求めた粒子径分布の変動係数である。
表2から分かるように、本発明の実施例1〜9で得られた研磨材粒子の粒子形状は、単分散性を示し、平均粒子径が小さく、変動係数も小さい。また、研磨性能については、高い研磨速度を示すとともに、研磨速度1の値と5回目の研磨速度である研磨速度2の値を比較して、研磨速度の減少が抑えられていることから、耐久性が高いことが分かる。従って、外層形成工程Bでの外層2の表面を形成する反応溶液中のセリウムの組成比を60〜90mol%の範囲内とする反応溶液中で研磨材粒子の前駆体を形成させ、内層形成工程Aから焼成工程Dを経て研磨材粒子を形成させることで、酸化セリウムの使用量を抑えながら、高い研磨速度及び耐久性を示す研磨材粒子を得ることができる。更に、反応溶液濃度を100.20mmol/L以下である、実施例1〜8は、実施例9よりも平均粒子径及び変動係数が小さいことが分かる。また、反応溶液濃度が1.17〜50.33mmol/Lの範囲内であって、反応溶液におけるセリウムの組成比を60〜81mol%の範囲内とした、実施例1、3〜7は、他の実施例よりも更に平均粒子径及び変動係数が小さいことが分かる。
表2から分かるように、本発明の実施例1〜9で得られた研磨材粒子の粒子形状は、単分散性を示し、平均粒子径が小さく、変動係数も小さい。また、研磨性能については、高い研磨速度を示すとともに、研磨速度1の値と5回目の研磨速度である研磨速度2の値を比較して、研磨速度の減少が抑えられていることから、耐久性が高いことが分かる。従って、外層形成工程Bでの外層2の表面を形成する反応溶液中のセリウムの組成比を60〜90mol%の範囲内とする反応溶液中で研磨材粒子の前駆体を形成させ、内層形成工程Aから焼成工程Dを経て研磨材粒子を形成させることで、酸化セリウムの使用量を抑えながら、高い研磨速度及び耐久性を示す研磨材粒子を得ることができる。更に、反応溶液濃度を100.20mmol/L以下である、実施例1〜8は、実施例9よりも平均粒子径及び変動係数が小さいことが分かる。また、反応溶液濃度が1.17〜50.33mmol/Lの範囲内であって、反応溶液におけるセリウムの組成比を60〜81mol%の範囲内とした、実施例1、3〜7は、他の実施例よりも更に平均粒子径及び変動係数が小さいことが分かる。
比較例1、2は、外層形成工程Bにおいて、イットリウムを含まずセリウムを含有する水溶液を添加しているため、酸化イットリウムのみからなる内層1と、酸化セリウムのみからなる外層2とを有する2層構造の研磨材粒子となっている。比較例1は、外層形成工程Bでのセリウムを含有する水溶液の添加時間が実施例よりも短いため、外層2が実施例よりも薄く形成されている。このため、比較例1は、研磨速度1と研磨速度2の値を比較すると、実施例と比較して格段に低下しており、耐久性が低下していると考えられる。比較例2は、実施例と同じ添加時間で水溶液を添加したため、反応溶液中のセリウムの組成比が実施例の範囲を越えて高い値となり、研磨材粒子が板状に形成されている。比較例3は、外層形成工程Bで添加する水溶液のセリウムの濃度の割合が実施例の範囲を越えて高い値であるため、反応溶液中のセリウムの組成比が実施例の範囲を越えて高い値となり、研磨材粒子が板状に形成されている。比較例4は、外層形成工程Bで添加する水溶液のセリウムの濃度の割合が実施例の範囲を越えて低い値であるため、外層形成工程Bでの外層2の表面を形成する反応溶液中のセリウムの組成比が実施例の範囲を越えて低い値となり、研磨材粒子の研磨速度が実施例よりも低い値を示している。
以上のように、本実施形態の研磨材粒子の製造方法によれば、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする研磨材粒子の前駆体の内層1を形成させる内層形成工程Aと、内層形成工程Aにより形成される元素の塩を分散させる反応溶液に、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩により調製された水溶液を所定時間添加して、内層1の外側にAl、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩を含む研磨材粒子の前駆体の外層2を形成させる外層形成工程Bと、外層形成工程Bにより外層2が形成された研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する固液分離工程Cと、固液分離工程Cで得られた研磨材粒子の前駆体を空気中又は酸化性雰囲気中で焼成する焼成工程Dと、を備え、外層形成工程Bでの研磨材粒子の前駆体の表面を形成させる反応溶液は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素並びにCeを含み、当該反応溶液に含有される前記元素の総含有量に対して、当該Ceの割合が60mol%以上、90mol%以下であるので、研磨材粒子の中心から表面にむかって酸化セリウムの組成比を連続的に増加させることにより、酸化セリウムの使用量を抑えつつ、研磨材粒子の表面に酸化セリウムを多く使用することでき、酸化セリウムによる高い研磨速度及び耐久性を示す研磨材粒子を製造することができる。
また、内層形成工程A及び外層形成工程Bでの反応溶液は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、当該元素のイオン濃度及びCeのイオン濃度の合計値が、100.20mmol/L以下であるので、凝集を抑制して研磨材粒子の前駆体となる塩を形成させることができる。
また、内層形成工程A及び外層形成工程Bで形成される塩が塩基性炭酸塩であるので、形成された塩は、反応溶液である水溶液に不溶であり、反応溶液中で単分散性を示して分散することができる。
内層形成工程Aは、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びに尿素系化合物により調製された水溶液を撹拌して、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩基性炭酸塩を形成させ、当該元素の塩基性炭酸塩を主成分とする研磨材粒子の前駆体の内層1を形成させるので、尿素系化合物が徐々に加水分解することでゆっくり沈殿が生成し、均一な沈殿を得ることができる。
なお、本実施形態では、外層形成工程Bにおいて反応溶液のイットリウム及びセリウムの組成比について、水溶液を一定速度で添加することで、図3に示すような反応溶液の組成変化が得られるが、これに限定するものではない。外層形成工程Bにおいて反応溶液の組成変化が連続的に変化することにより外層2が形成されればよく、添加速度及び添加時間は目的とする研磨材粒子の粒子サイズ等に応じて適宜変更することができる。また、図3に示す場合については、反応溶液にイットリウム及びセリウムを含有する水溶液の添加による組成変化がほぼ収束した後も水溶液の添加を続けて行っているが、反応溶液の組成が水溶液に含まれるイットリウム及びセリウムの組成比に近づいた時点で水溶液の添加をやめ、反応を終了させてもよい。また、本実施例では、硝酸イットリウム及び尿素により調製された水溶液を加熱撹拌することにより内層形成工程Aの反応を開始しているが、別個の水溶液として所定の濃度に調製した後に混合して、加熱撹拌することにより反応を開始させてもよい。
本発明は、ガラス製品や半導体デバイス、水晶発振子等の製造工程において、酸化セリウムを含有する研磨材により研磨する分野において利用可能性がある。
1 内層
2 外層
A 内層形成工程
B 外層形成工程
C 固液分離工程
D 焼成工程
2 外層
A 内層形成工程
B 外層形成工程
C 固液分離工程
D 焼成工程
Claims (4)
- 研磨材粒子の製造方法において、
Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩を形成させ、当該元素の塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させる内層形成工程と、
前記内層形成工程により形成される前記元素の塩を分散させる反応溶液に、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩により調製された水溶液を所定時間添加して、前記内層の外側に前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びにCeの塩を含む前記研磨材粒子の前駆体の外層を形成させる外層形成工程と、
前記外層形成工程により外層が形成された前記研磨材粒子の前駆体を反応溶液から固液分離する固液分離工程と、
前記固液分離工程で得られた前記研磨材粒子の前駆体を空気中又は酸化性雰囲気中で焼成する焼成工程と、
を備え、
前記外層形成工程での前記研磨材粒子の前駆体の表面を形成させる反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素並びにCeを含み、当該反応溶液に含有される前記元素の総含有量に対して、当該Ceの割合が60mol%以上、90mol%以下であることを特徴とする研磨材粒子の製造方法。 - 前記内層形成工程及び前記外層形成工程での反応溶液は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、当該元素のイオン濃度及びCeのイオン濃度の合計値が、100.20mmol/L以下であることを特徴とする請求項1に記載の研磨材粒子の製造方法。
- 前記内層形成工程及び前記外層形成工程で形成される塩が塩基性炭酸塩であることを特徴とする請求項1又は2に記載の研磨材粒子の製造方法。
- 前記内層形成工程は、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩並びに尿素系化合物により調製された水溶液を撹拌して、前記Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、In、Sn、Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、W、Bi、Th及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素の塩基性炭酸塩を形成させ、当該元素の塩基性炭酸塩を主成分とする前記研磨材粒子の前駆体の内層を形成させることを特徴とする請求項3に記載の研磨材粒子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012194691 | 2012-09-05 | ||
JP2012194691 | 2012-09-05 | ||
PCT/JP2013/073640 WO2014038536A1 (ja) | 2012-09-05 | 2013-09-03 | 研磨材粒子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014038536A1 JPWO2014038536A1 (ja) | 2016-08-08 |
JP6191608B2 true JP6191608B2 (ja) | 2017-09-06 |
Family
ID=50237145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014534360A Active JP6191608B2 (ja) | 2012-09-05 | 2013-09-03 | 研磨材粒子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10011752B2 (ja) |
JP (1) | JP6191608B2 (ja) |
WO (1) | WO2014038536A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2954978B1 (en) * | 2013-02-05 | 2020-05-20 | Konica Minolta, Inc. | Core/shell-type inorganic particles |
JP2016055352A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材スラリー |
JP2016055351A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材スラリー |
JP2016056215A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材の製造方法 |
KR102401698B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2022-05-26 | 솔베이(소시에떼아노님) | 정제된 알칼리 토금속 탄산염의 제조 공정 |
US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
JP6936183B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2021-09-15 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用の研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
US11495471B2 (en) * | 2019-09-26 | 2022-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry compositions for chemical mechanical planarization |
JP2021183655A (ja) * | 2020-05-21 | 2021-12-02 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用の研磨剤及びその研磨剤の製造方法、及び合成石英ガラス基板の研磨方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE399740T1 (de) * | 2001-03-24 | 2008-07-15 | Evonik Degussa Gmbh | Mit einer hülle umgebene, dotierte oxidpartikeln |
US6827639B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-12-07 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Polishing particles and a polishing agent |
JP2004002723A (ja) | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用粒子とその製造方法および研磨材 |
JP4190198B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-12-03 | 日揮触媒化成株式会社 | 研磨用粒子および研磨材 |
US6645265B1 (en) * | 2002-07-19 | 2003-11-11 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Polishing formulations for SiO2-based substrates |
KR100574225B1 (ko) | 2003-10-10 | 2006-04-26 | 요업기술원 | 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 화학적 기계적 연마용연마재 및 그 제조방법 |
US7687401B2 (en) * | 2006-05-01 | 2010-03-30 | Ferro Corporation | Substantially spherical composite ceria/titania particles |
JP5150833B2 (ja) | 2006-07-07 | 2013-02-27 | 国立大学法人 熊本大学 | 複合粒子の製造方法 |
CA2662765A1 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Cerion Technology, Inc. | Cerium dioxide nanoparticle-containing fuel additive |
CN101555387B (zh) * | 2008-04-07 | 2012-08-22 | 北京有色金属研究总院 | 一种核壳结构的稀土抛光材料及其制备方法 |
EP2438133B1 (en) * | 2009-06-05 | 2018-07-11 | Basf Se | Polishing slurry containing raspberry-type metal oxide nanostructures coated with CeO2 |
JP2012011526A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Admatechs Co Ltd | 研磨材およびその製造方法 |
JP2012011525A (ja) | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Admatechs Co Ltd | 研磨材およびその製造方法 |
EP2669045B1 (en) * | 2011-01-25 | 2019-09-04 | Konica Minolta, Inc. | Fine abrasive particles and process for producing same |
-
2013
- 2013-09-03 US US14/426,071 patent/US10011752B2/en active Active
- 2013-09-03 WO PCT/JP2013/073640 patent/WO2014038536A1/ja active Application Filing
- 2013-09-03 JP JP2014534360A patent/JP6191608B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10011752B2 (en) | 2018-07-03 |
WO2014038536A1 (ja) | 2014-03-13 |
US20150232728A1 (en) | 2015-08-20 |
JPWO2014038536A1 (ja) | 2016-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6191608B2 (ja) | 研磨材粒子の製造方法 | |
JP6493207B2 (ja) | 酸化セリウム研磨材の製造方法 | |
JP6447499B2 (ja) | 研磨材の製造方法及び研磨加工方法 | |
JP6102922B2 (ja) | 研磨材粒子及びその製造方法 | |
JP2015229750A (ja) | Cmp用研磨液 | |
JP6225909B2 (ja) | 研磨材粒子の製造方法 | |
WO2014122982A1 (ja) | 研磨材スラリー | |
JP6237650B2 (ja) | コア・シェル型無機粒子 | |
JP2016098351A (ja) | 研磨剤粒子の製造方法、研磨剤粒子及び研磨剤スラリー | |
JP6512096B2 (ja) | 研磨材、研磨材スラリー及び研磨材の製造方法 | |
TWI523943B (zh) | A method for producing abrasive material, abrasive material and grinding method | |
WO2014122978A1 (ja) | 研磨材の製造方法 | |
WO2014122976A1 (ja) | 研磨材スラリー | |
JP2016092045A (ja) | 研磨材、研磨材スラリー及び研磨加工方法 | |
JP2015065261A (ja) | Cmp用研磨液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6191608 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |