JP6188587B2 - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Description
11a 表面
11b 裏面
11c 溝
15 分割予定ライン(ストリート)
17a デバイス
17b 素子
19 樹脂膜(機能層)
19a 凹部
21 保護部材
21a 表面
21b 裏面
23 エキスパンドテープ
25 接着フィルム
31 マスク
31a 表面
31b 裏面
33 開口
41 レジスト膜
6 プラズマエッチング装置
8 処理空間
10 真空チャンバ
10a 底壁
10b 上壁
10c 第1側壁
10d 第2側壁
10e 第3側壁
12 開口
14 ゲート
16 開閉機構
18 エアシリンダ
20 ピストンロッド
22 ブラケット
24 排気口
26 排気機構
28 下部電極
30 上部電極
32 保持部
34 支持部
36 開口
38 絶縁部材
40 高周波電源
42 テーブル
44 流路
46 吸引源
48 冷却流路
50 冷媒導入路
52 冷媒循環機構
54 冷媒排出路
56 ガス噴出部
58 支持部
60 開口
62 絶縁部材
64 高周波電源
66 昇降機構
68 支持アーム
70 噴出口
72 流路
74 流路
76 SF6供給源
78 C4F8供給源
80 O2供給源
82 制御装置
Claims (3)
- 基板の表面に有機高分子系の樹脂膜及び複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの表面に保護部材を配設する表面保護ステップと、
該表面保護ステップを実施した後に、裏面を研削してウェーハを所定の厚みに加工する研削ステップと、
ウェーハの裏面の該デバイスに対応する領域にレジスト膜を被覆するレジスト被覆ステップと、
該レジスト被覆ステップを実施したウェーハに、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを実施して、該分割予定ラインに沿って該樹脂膜が露出する溝をウェーハに形成する基板エッチングステップと、
該基板エッチングステップを実施したウェーハに、オゾンを用いたプラズマエッチングを実施して、該溝の底に露出する該樹脂膜の一部を除去する樹脂膜エッチングステップと、
該樹脂膜エッチングステップを実施した後に、ウェーハの裏面にエキスパンドテープを貼着する貼着ステップと、
該貼着ステップを実施した後に、ウェーハの表面から該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、
該保護部材除去ステップを実施した後に、ウェーハが貼着された該エキスパンドテープを拡張して、分割予定ラインに沿って該樹脂膜を破断する破断ステップと、を有し、
該破断ステップでは、該樹脂膜エッチングステップで除去された部分が該樹脂膜の破断起点となることを特徴とするウェーハの分割方法。 - 前記貼着ステップでは、ウェーハの裏面と前記エキスパンドテープとの間にダイボンディング用の接着フィルムが配設され、
前記破断ステップでは、前記樹脂膜と該接着フィルムとが前記分割予定ラインに沿って破断されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの分割方法。 - 前記破断ステップでは、前記接着フィルムを冷却し、伸縮性を低下させてから、前記エキスパンドテープを拡張することを特徴とする請求項2記載のウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004881A JP6188587B2 (ja) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014004881A JP6188587B2 (ja) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015133438A JP2015133438A (ja) | 2015-07-23 |
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ID=53900429
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014004881A Active JP6188587B2 (ja) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | ウェーハの分割方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6188587B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018152380A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
JP6903375B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2021-07-14 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2018198241A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212772A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212769A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7061022B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-04-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3991872B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2006049591A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置 |
JP5354149B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-11-27 | 株式会社東京精密 | エキスパンド方法 |
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2014
- 2014-01-15 JP JP2014004881A patent/JP6188587B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015133438A (ja) | 2015-07-23 |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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