JP6179158B2 - トランジスタの製造方法、増幅器の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体基板、前記半導体基板の上に成長した窒化物半導体層、前記窒化物半導体層に設けられたソース電極およびドレイン電極、並びに前記窒化物半導体層にショットキー接合したゲート電極を備えたトランジスタを準備する工程と、
前記トランジスタにゲート電圧を与えてドレイン電流を流し且つドレイン電圧を与えることで前記トランジスタを加熱してバーンインを行い、前記バーンインの前よりも前記トランジスタのゲート電流を低減するバーンイン工程と、
を備え、
前記バーンイン工程は、
前記ゲート電極のゲート幅が10mmのときに、ドレイン電圧を30V以上とし、ゲート幅1mmあたり200mA以上400mA以下の範囲内のドレイン電流を流すことを特徴とする。
半導体基板、前記半導体基板の上に成長した窒化物半導体層、前記窒化物半導体層に設けられたソース電極およびドレイン電極、並びに前記窒化物半導体層にショットキー接合したゲート電極を備えたトランジスタを準備する工程と、
前記トランジスタにゲート電圧を与えてドレイン電流を流し且つドレイン電圧を与えることで前記トランジスタを加熱してバーンインを行い、前記バーンインの前よりも前記トランジスタのゲート電流を低減するバーンイン工程と、
を備え、
前記バーンイン工程は、
前記ゲート電極のゲート幅が10mmより小さいときに、ドレイン電圧を30V以上とし、ゲート幅1mmあたりに予め定めた下限ドレイン電流値以上のドレイン電流を前記トランジスタが壊れない範囲内で流し、
前記下限ドレイン電流値は、横軸をゲート幅とし、縦軸をゲート幅1mmあたりのドレイン電流である単位ドレイン電流としたグラフにおいて、第一の点および第二の点を通る直線で定められ、
前記グラフにおける前記第一の点の座標は、前記ゲート幅=500μmかつ前記単位ドレイン電流=300mA/mmであり、
前記グラフにおける前記第二の点の座標は、前記ゲート幅=10mmかつ前記単位ドレイン電流=200mA/mmであることを特徴とする。
上記第1乃至第3のいずれか1つの発明にかかるトランジスタの製造方法で製造したトランジスタを用いて増幅器を製造することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1にかかるトランジスタの製造方法のバーンイン工程を示す図である。図2は、本発明の実施の形態1にかかるトランジスタの製造方法のフローチャートである。上記図1の構成は、図2のステップS110の工程中の様子を示している。実施の形態1では、図1に示す状態でトランジスタTrに対してバーンイン工程を実施するものである。
図2のフローチャートでは、先ず、半導体層成長工程が実施される。このステップでは、半導体ウェハの段階におけるSiC基板3の上に、ガリウム、窒素で構成されたGaNバッファ層2およびアルミニウム、ガリウム、窒素で構成されたAlGaNバリア層1を成長させる。
次に、電極形成工程が実施される。このステップでは、AlGaNバリア層1に、ソース電極5、ドレイン電極7、およびゲート電極6を形成する。
次に、保護膜形成工程が実施される。このステップでは、上記電極形成後の半導体ウェハに、SiN膜を選択的に設けることで、窒化膜8を形成する。
次に、ダイシングが実施される。このステップでは、上記ステップS100〜S104により複数のトランジスタ素子が形成された半導体ウェハをダイシングして、半導体チップ化する。個々の半導体チップに、トランジスタTrが形成されている。
その後、実施の形態1では、ダイシング後の半導体チップに対してパッケージ組込工程を実施する。樹脂封止等の一般的なパッケージ組込み工程が実施されることで、複数のパッケージが製造される。製品の典型例としては、高周波半導体増幅器の内部回路におけるトランジスタとしてトランジスタTrを組み込んで、他の回路要素とともに樹脂封止等によりパッケージ化してもよい。
次に、実施の形態1では、上記パッケージ組込工程を経て完成した半導体パッケージに対して、バーンイン工程を実施する。図1には、この半導体パッケージ内のトランジスタTrのみを抜き出して模式的に図示し、ドレイン電源9等との電気接続を行った様子が示されている。
実施の形態1の図2のフローチャートでは、ダイシング、パッケージ組込、バーンインという順番で、製造工程を実施している。
図8は、本発明の実施の形態2にかかるトランジスタの製造方法に用いられるエッチング装置の内部構成を示す断面図である。図9は、本発明の実施の形態2にかかるトランジスタの製造方法におけるエッチング工程を示す模式図である。図10は、本発明の実施の形態2にかかるトランジスタの製造方法のフローチャートである。
図10のフローチャートでは、半導体層成長工程、ソース電極およびドレイン電極の形成、および窒化膜の形成が実施される。このステップでは、先ず、半導体ウェハの段階におけるSiC基板3の上に、ガリウム、窒素で構成されたGaNバッファ層2およびアルミニウム、ガリウム、窒素で構成されたAlGaNバリア層1を成長させる。
次に、開口部25を有するマスク24を半導体ウェハ上(すなわち窒化膜8上)に形成することで、図9に示す構造を得る。
その後、図9に示す構造を備えた半導体ウェハを、エッチング装置50のチャンバ21内に搬入し、下部電極20に載せる。
次に、エッチングガスでチャンバ21内を満たす。実施の形態2では、窒化物半導体層のエッチング用のガスを用いるのであり、具体的にはエッチングガスはCHF3やO2の混合ガスとする。また、チャンバ21の内部は減圧(例えば1パスカル程度)の雰囲気とする。
次に、RF電力制御を実施する。上部電極22に約100WのRF電力を供給すると、上部電極22付近でガスが分解もしくはラジカル化する。その結果、エッチングガスが励起されてエッチング種17が生じる。
エッチング工程の後、AlGaNバリア層1の露出部分に、ゲート電極6を形成する。適宜にマスク24の除去も行われる。
その後、ゲート電極6の表面を保護する保護膜を形成する。
その後、ダイシングにより半導体ウェハを半導体チップ化し、個々の半導体チップをパッケージに組み込む。
本発明の実施の形態3にかかるトランジスタの製造方法は、エッチング装置50におけるRF電力の供給の仕方(具体的には、下部電極20に対するRF電力の供給の有無)を除き、実施の形態2にかかるトランジスタの製造方法と同様の製造工程を備えている。実施の形態3では下部電極20へのRF電力を、従来の使用範囲を超えて増加させたものである。この点が、実施の形態2では下部電極20へのRF電力を無くしたものであったのとは異なる。
Claims (6)
- 半導体基板、前記半導体基板の上に成長した窒化物半導体層、前記窒化物半導体層に設けられたソース電極およびドレイン電極、並びに前記窒化物半導体層にショットキー接合したゲート電極を備えたトランジスタを準備する工程と、
前記トランジスタにゲート電圧を与えてドレイン電流を流し且つドレイン電圧を与えることで前記トランジスタを加熱してバーンインを行い、前記バーンインの前よりも前記トランジスタのゲート電流を低減するバーンイン工程と、
を備え、
前記バーンイン工程は、
前記ゲート電極のゲート幅が10mmのときに、ドレイン電圧を30V以上とし、ゲート幅1mmあたり200mA以上400mA以下の範囲内のドレイン電流を流すことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 半導体基板、前記半導体基板の上に成長した窒化物半導体層、前記窒化物半導体層に設けられたソース電極およびドレイン電極、並びに前記窒化物半導体層にショットキー接合したゲート電極を備えたトランジスタを準備する工程と、
前記トランジスタにゲート電圧を与えてドレイン電流を流し且つドレイン電圧を与えることで前記トランジスタを加熱してバーンインを行い、前記バーンインの前よりも前記トランジスタのゲート電流を低減するバーンイン工程と、
を備え、
前記バーンイン工程は、
前記ゲート電極のゲート幅が10mmより小さいときに、ドレイン電圧を30V以上とし、ゲート幅1mmあたりに予め定めた下限ドレイン電流値以上のドレイン電流を前記トランジスタが壊れない範囲内で流し、
前記下限ドレイン電流値は、横軸をゲート幅とし、縦軸をゲート幅1mmあたりのドレイン電流である単位ドレイン電流としたグラフにおいて、第一の点および第二の点を通る直線で定められ、
前記グラフにおける前記第一の点の座標は、前記ゲート幅=500μmかつ前記単位ドレイン電流=300mA/mmであり、
前記グラフにおける前記第二の点の座標は、前記ゲート幅=10mmかつ前記単位ドレイン電流=200mA/mmであることを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 前記半導体基板は、炭化珪素基板であり、
前記窒化物半導体層は、窒化ガリウム層、窒化アルミニウム層、および窒化アルミニウムガリウム層からなる群から選択した1つ以上の半導体層が積層されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載のトランジスタの製造方法。 - 前記トランジスタを形成した半導体ウェハを、前記バーンイン工程の前にダイシングする工程を備え、
前記バーンイン工程は、前記ダイシングの後の半導体チップに形成された前記トランジスタに対して、前記バーンインを行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法。 - 前記トランジスタが、半導体ウェハの上に複数形成されており、
前記バーンイン工程は、前記半導体ウェハの上の前記トランジスタに対して複数個を同時に又は1つずつ前記バーンインを行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法で製造したトランジスタを用いて増幅器を製造することを特徴とする増幅器の製造方法。
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