JPS5838876A - 半導体装置の試験法 - Google Patents
半導体装置の試験法Info
- Publication number
- JPS5838876A JPS5838876A JP13643781A JP13643781A JPS5838876A JP S5838876 A JPS5838876 A JP S5838876A JP 13643781 A JP13643781 A JP 13643781A JP 13643781 A JP13643781 A JP 13643781A JP S5838876 A JPS5838876 A JP S5838876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor device
- collector
- high temperature
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 101100444142 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dut-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、恒温檜笠特別の昇温装置を必要とせず、簡便
で、特に製造工程における高温特性全数検査に適した半
導体装置の試験法に関するものである。
で、特に製造工程における高温特性全数検査に適した半
導体装置の試験法に関するものである。
半導体装置は実際の使用状態では多少であれ電力を消費
しているので発熱があシ、又、同時に使用される他の発
熱体からの熱放散にょシ周囲温度が上昇するため、一般
的にある程度高温条件下で動作しているとみてよい。従
って半導体装置の高温特性を知ることは市場における故
障等を防止する上で重要なことの一つである。
しているので発熱があシ、又、同時に使用される他の発
熱体からの熱放散にょシ周囲温度が上昇するため、一般
的にある程度高温条件下で動作しているとみてよい。従
って半導体装置の高温特性を知ることは市場における故
障等を防止する上で重要なことの一つである。
一方、半導体装置は半導体チップを製造する拡散工程か
らチップを容器に組み込む組立工程まで極めて多くの部
材と作業工程を経て製造され、全てが正常なときその製
品は良品となる。又、作業コスト低減のため多数個同時
に同一工程作業を行うのが一般的である。従って組立完
了した半導体装着はある程度の特性のバラツキ、異常品
、不良品の混入は必らず起上っているとみてよい。
らチップを容器に組み込む組立工程まで極めて多くの部
材と作業工程を経て製造され、全てが正常なときその製
品は良品となる。又、作業コスト低減のため多数個同時
に同一工程作業を行うのが一般的である。従って組立完
了した半導体装着はある程度の特性のバラツキ、異常品
、不良品の混入は必らず起上っているとみてよい。
こ仁で前述の使用条件を考えるとき高温時の特性検査が
必要となる場合が生じてくる。このような場合、従来は
恒温槽等、特別の昇温設備を用いるが、大がかりな設備
と時間コストを必櫓とする場合力帳かった。
必要となる場合が生じてくる。このような場合、従来は
恒温槽等、特別の昇温設備を用いるが、大がかりな設備
と時間コストを必櫓とする場合力帳かった。
本発明の目的は昇温のための特別の設備を必要とせず簡
便な高温特性検査を可能にする半導体装置の試験法を提
供するものである。
便な高温特性検査を可能にする半導体装置の試験法を提
供するものである。
本発明によれば、半導体装置自身の発熱で高温時の素子
特性を検査する半導体装置の試験法を得る。
特性を検査する半導体装置の試験法を得る。
次に実施例を用いて本発明をより詳細に説明する
半導体装置の熱抵抗は電力印加の瞬間から経時的に大き
くなシ大略数十秒から数十分で一定値を示すようになる
。この一定になるまでの過渡的熱抵抗は半導体装置の設
計によシ＃１とんど決定されるのでくり返し測定の再現
性は良い。第１図は電力用トランジスタの過度熱抵抗特
性の例を示す。
くなシ大略数十秒から数十分で一定値を示すようになる
。この一定になるまでの過渡的熱抵抗は半導体装置の設
計によシ＃１とんど決定されるのでくり返し測定の再現
性は良い。第１図は電力用トランジスタの過度熱抵抗特
性の例を示す。
領域■は半導素子内伝搬、領域■は容器内伝搬、領域■
は容器表面から大気への過渡的熱放散、領域■は飽和熱
抵抗をおおむね表している。過渡熱抵抗を’Ｒｔ ｈ（
ｔ）、印加電力をＰ、電力印加経過時間をｔとすると半
導体素子の接合温度Ｔ ｊ （ｔ）は（１）弐により求
まる。
は容器表面から大気への過渡的熱放散、領域■は飽和熱
抵抗をおおむね表している。過渡熱抵抗を’Ｒｔ ｈ（
ｔ）、印加電力をＰ、電力印加経過時間をｔとすると半
導体素子の接合温度Ｔ ｊ （ｔ）は（１）弐により求
まる。
Ｔｊ（ｔ） −Ｒｔｈ（ｔ） ｘ Ｐ
（１）従って過渡熱抵抗Ｒ１ｈ（ｔ）があらかじめ分っ
ていれば電力印加時間を設定するだけで任意の接合温度
を得ることができる。
（１）従って過渡熱抵抗Ｒ１ｈ（ｔ）があらかじめ分っ
ていれば電力印加時間を設定するだけで任意の接合温度
を得ることができる。
第２図は予め過渡熱抵抗の分っている被試験ＮＰＮ）ラ
ンジスタ（以下Ｄｕｔという） １をベース接地接続し
た回路例である。
ンジスタ（以下Ｄｕｔという） １をベース接地接続し
た回路例である。
まづ、エンツタ端子スイッチ（以下８ｍという）２ペー
ス端子スイツチ（以下Ｓｍという） ３、コレクタ端子
スイッチ（以下８ｃという） ４をいづれも閉じＤｕｔ
ｌに電力を消費させ、所定の温度になったとき測定を行
う。例えば５ｌｃ２のみを開いたときのコレクタ電流計
７の指示は高温コレクタ・ベースリーク電流であり、８
１３のみを開いたときのコレクタ電流計７の指示は高温
コレクタ・工建ツタリーク電流である。またエミッタ、
ベース、コレクタ３端子を他の測定器１３に接続すれば
あらゆる高温特性の測定が可能である。このとき測定ま
でにＤｕＴｌの温度が低下する分を十分考慮しなければ
ならない。又Ｄｕｔ１を並列に接続し、加熱と測定の同
期を取りながら測定時間を少しづつずらすことによ＃）
Ｄｕｔ１個当シに要する試験時間を短縮することができ
る。
ス端子スイツチ（以下Ｓｍという） ３、コレクタ端子
スイッチ（以下８ｃという） ４をいづれも閉じＤｕｔ
ｌに電力を消費させ、所定の温度になったとき測定を行
う。例えば５ｌｃ２のみを開いたときのコレクタ電流計
７の指示は高温コレクタ・ベースリーク電流であり、８
１３のみを開いたときのコレクタ電流計７の指示は高温
コレクタ・工建ツタリーク電流である。またエミッタ、
ベース、コレクタ３端子を他の測定器１３に接続すれば
あらゆる高温特性の測定が可能である。このとき測定ま
でにＤｕＴｌの温度が低下する分を十分考慮しなければ
ならない。又Ｄｕｔ１を並列に接続し、加熱と測定の同
期を取りながら測定時間を少しづつずらすことによ＃）
Ｄｕｔ１個当シに要する試験時間を短縮することができ
る。
以上のべたように本発明によれば恒温槽等特別の昇温設
備を用いることなく被試験半導体装置の熱特性を利用し
て容易に半導体装置の高温緒特性の測定が可能となる。
備を用いることなく被試験半導体装置の熱特性を利用し
て容易に半導体装置の高温緒特性の測定が可能となる。
第１図は電力用トランジスタの過渡熱抵抗特性の例を示
す図である。 第２図は本発明の一実施例によるＮＰＮ）ランジスタの
高温特性測定回路例である。 １・・・・・・被試験ＮＰＮ）ランジスタ（Ｄｕテ）。
す図である。 第２図は本発明の一実施例によるＮＰＮ）ランジスタの
高温特性測定回路例である。 １・・・・・・被試験ＮＰＮ）ランジスタ（Ｄｕテ）。
Claims (1)
- 半導体装置自身の熱抵抗と消費電力との積による自己発
熱によって被試験半導体装置の温度を上昇させ、素子の
特性を測定することを特徴とする半導体装置の試験法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643781A JPS5838876A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の試験法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643781A JPS5838876A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の試験法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838876A true JPS5838876A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15175103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13643781A Pending JPS5838876A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の試験法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05156752A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-22 | Asano Slate Co Ltd | ボルトの連結方法およびリフレッシュ工法 |
| JP2014192352A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタの製造方法、増幅器の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145479A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Toshiba Corp | Temperature characteristics testing method of semiconductor device |
| JPS5473579A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Hitachi Ltd | Testing method of electronic parts |
| JPS5477576A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | Measuring method of high teperature characteristics of semiconductor devices |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13643781A patent/JPS5838876A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145479A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Toshiba Corp | Temperature characteristics testing method of semiconductor device |
| JPS5473579A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Hitachi Ltd | Testing method of electronic parts |
| JPS5477576A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | Measuring method of high teperature characteristics of semiconductor devices |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05156752A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-22 | Asano Slate Co Ltd | ボルトの連結方法およびリフレッシュ工法 |
| JP2014192352A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタの製造方法、増幅器の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Oettinger et al. | Thermal characterization of power transistors | |
| US6593761B1 (en) | Test handler for semiconductor device | |
| CN212622913U (zh) | 一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统 | |
| JPS5838876A (ja) | 半導体装置の試験法 | |
| CN116699352A (zh) | 一种功率半导体模块高温反偏测试的测试温度确定方法 | |
| Cain et al. | Electrical measurement of the junction temperature of an RF power transistor | |
| Elger et al. | Transient thermal analysis as in-situ method in accelerated stress tests to access package integrity of leds | |
| Szckely et al. | Thermal monitoring and testing of electronic systems | |
| CN113805023A (zh) | 一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统 | |
| CN112505526A (zh) | 一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法 | |
| JP3442818B2 (ja) | 電子部品の環境試験装置 | |
| KR0144830B1 (ko) | 반도체 회로 시험지그 온도 측정장치 | |
| CN114264932B (zh) | 一种用于跨平台监测芯片温度的测量方法 | |
| Dupont et al. | Power cycling test circuit for thermal fatigue resistance analysis of solder joints in IGBT | |
| Gardell | Temperature control during test and burn-in | |
| CN219715662U (zh) | 一种高温寿命测试装置 | |
| Li et al. | On-line measurement of chip temperature based on blocking leakage current of the insulated-gate bipolar transistor module in the high-temperature reverse-bias test | |
| CN221006583U (zh) | 一种元件温度检测装置 | |
| JP3539231B2 (ja) | 接合温度測定方法及びその方法を実施するための測定装置 | |
| von Arx et al. | Test structures to measure the Seebeck coefficient of CMOS IC polysilicon | |
| JPS6340876A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| Wong et al. | Rapid Assessment of Semiconductor Thermal Quality | |
| SU432541A1 (ru) | Устройство для моделированияи измерения тел1пературныхрежимов микросхем | |
| Szekely et al. | Test structure for thermal monitoring | |
| JPS62297749A (ja) | ガラス転移温度測定法 |