JP6177805B2 - シリコン精製の鋳型および方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2012年2月1日に出願され参照によりその全体が本明細書に組み入れられる米国特許仮出願第61/593,573号に対する優先権の恩典を主張するものである。
太陽電池は、太陽光を電気エネルギーに変換するその能力を利用することにより、実施可能なエネルギー源であり得る。シリコンは、半導体材料であり、太陽電池の製造において使用される受け入れ原材料である。この電池の電気特性、すなわち、変換効率は、シリコンの純度に依存する。シリコンを精製するために、いくつかの技術が使用されている。最も周知の技術は、「シーメンス法」と呼ばれている。この技術では、シリコン内に存在する実質的にすべての不純物が除去される。しかしながら、この技術は、不純物を除去するために、シリコンをガス相で生成して、固相に再堆積させる必要がある。他の技術としては、ゾーン精製および方向性凝固が挙げられる。
太陽電池用のシリコン結晶を作製する様々な技術では、精製作業の最中に溶融シリコンを保持するために、るつぼまたは鋳型が用いられる。精製作業における課題の1つは、精製の最中のるつぼ内の温度を正確に制御することである。1つの例では、溶融シリコン合金の温度が共晶温度未満に下がる場合に、望ましくない共晶相が形成され得る。この共晶相中に不純物がトラップされ得て、所望のシリコン純度に達するためにさらなる精製が必要となる場合がある。
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程;
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金の少なくとも一部を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程;
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼ内の温度を制御する工程;
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程;および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
[本発明1002]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ60重量%〜22重量%がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1004]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ50重量%〜30重量%がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1005]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ577℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1006]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ720℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1007]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ650℃〜960℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1008]
前記るつぼ内の温度を制御する工程が、該るつぼの上部を覆うことを含む、本発明1001の方法。
[本発明1009]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程;
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程;
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼを能動的に加熱する工程;
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程;および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
[本発明1010]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウムを形成することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1011]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1012]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの側部を加熱することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1013]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、本発明1012の方法。
[本発明1014]
複数のるつぼ内張り層を備え、該複数のるつぼ内張り層が、耐熱性内張りを有する金属シェルをSiC底部層とともに備える、るつぼと、
該るつぼの少なくとも一部内の温度を制御するための、該るつぼに隣接して位置する加熱システムと、
作動中の場合に該るつぼ内を二成分シリコン合金共晶温度より高い最低温度に維持するように構成された、加熱システムコントローラーと
を備える、シリコン精製システム。
[本発明1015]
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1016]
前記上部ヒーターが、金属シェル内に耐熱性層を備える、本発明1015のシリコン精製システム。
[本発明1017]
前記加熱システムが側部ヒーターを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1018]
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、本発明1016のシリコン精製システム。
[本発明1019]
前記加熱システムが上部カバーを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1020]
前記加熱システムコントローラーが、およそ720℃〜1100℃の範囲内において作動するように構成されている、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1021]
析出したシリコンを溶融二成分シリコン合金内から取り出すためのすくい上げシステムをさらに備える、本発明1014のシリコン精製システム。
本発明の鋳型、鋳型システム、および関連する方法のこれらの例および他の例ならびに特徴については、以下の詳細な説明においてその一部を説明する。これらの概説は、本発明の主題の非限定的な例を提供することを意図するものであり、排他的または包括的な説明を提供することを意図するものではない。以下の詳細な説明は、本発明の鋳型、鋳型システム、および方法についてのさらなる情報を提供するために含められている。
以下の詳細な説明では、添付の図面について言及する。図面は、説明の一部を形成し、実例として提供されるが、限定としてではない。図示される態様は、当業者により本発明の主題を実施することを可能するのに十分詳細に記述されている。本発明の範囲から逸脱することなく、他の態様を用いることができ、かつ機械的、構造的、物質的変更が可能である。
Claims (16)
- るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程;
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金の少なくとも一部を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程;
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼ内の温度を制御する工程;
該溶融金属合金の上面を該溶融金属合金の上面に隣接する該共晶温度より高い最低温度に維持するために、少なくとも該溶融金属合金の上面を能動的に加熱する工程;
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含むるつぼの底面から優先的に、該溶融金属合金を冷却する工程;および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。 - るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、60重量%〜22重量%がシリコンであり残りがアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項2に記載の方法。
- るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、50重量%〜30重量%がシリコンであり残りがアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項2に記載の方法。
- 冷却する工程が、前記るつぼ内の温度を577℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
- 冷却する工程が、前記るつぼ内の温度を720℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
- 冷却する工程が、前記るつぼ内の温度を650℃〜960℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記るつぼ内の温度を制御する工程が、該るつぼの上部を覆うことを含む、請求項1に記載の方法。
- るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程;
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程;
該溶融金属合金の上面を該溶融金属合金の上面に隣接する該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該溶融金属合金の上面を能動的に加熱する工程;
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含むるつぼの底面から優先的に、該溶融金属合金を冷却する工程;および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。 - るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウムを形成することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの側部を加熱することを含む、請求項9に記載の方法。
- 複数のるつぼ内張り層を備え、該複数のるつぼ内張り層が、耐熱性内張りを有する金属シェルをSiC底部層とともに備える、るつぼと、
二成分シリコン合金の上面の温度を制御するための、上部ヒーターを備える加熱システムと、
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料から形成された、るつぼの底面と、
作動中の場合に該二成分シリコン合金の上面を二成分シリコン合金共晶温度より高い最低温度に維持するように構成された、加熱システムコントローラーと
を備える、シリコン精製システム。 - 前記上部ヒーターが、金属シェル内に耐熱性層を備える、請求項12に記載のシリコン精製システム。
- 前記加熱システムが側部ヒーターを備える、請求項12に記載のシリコン精製システム。
- 前記加熱システムコントローラーが、720℃〜1100℃の範囲内において作動するように構成されている、請求項12に記載のシリコン精製システム。
- 析出したシリコンを溶融二成分シリコン合金内から取り出すためのすくい上げシステムをさらに備える、請求項12に記載のシリコン精製システム。
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