JP6173560B2 - 光電変換モジュールおよびそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の光電変換モジュールの一例である実施の形態の光電変換モジュールの模式的な平面図を示す。実施の形態の光電変換モジュールは、基板1と、基板1上において直列に接続された複数の光電変換セル10とを含んでいる。光電変換セル10は、図1の横方向に直列に接続されており、多孔質半導体層3aを含む光電変換層3を備えている。
基板1としては、たとえば透光性を有する透光性基板を用いることができる。ただし、基板1は、少なくとも後述する増感色素に実効的な感度を有する波長の光を実質的に透過させる材料で形成されていればよく、必ずしもすべての波長領域の光に対して透光性を有する必要はない。基板1の厚さは、0.2mm以上5mm以下であることが好ましい。
第1導電層2としては、導電性および透光性を有するものであれば特に限定されず、たとえば、インジウム錫複合酸化物(ITO)、酸化錫(SnO2)、酸化錫にフッ素がドープされたもの(FTO)および酸化亜鉛(ZnO)からなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。
光電変換層3は、多孔質半導体層3aと、多孔質半導体層3a上の光増感剤とを含んでいる。なお、本実施の形態においては、光増感剤として増感色素を用いる場合について説明するが増感色素以外にも、たとえば量子ドットなどの光増感剤を用いてもよい。
多孔質半導体層3aとしては、一般に光電変換材料に使用されるものであれば特に限定されず、たとえば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛、リン化インジウム、銅−インジウム硫化物(CuInS2)、CuAlO2およびSrCu2O2からなる群から選択された少なくとも1種を用いることができ、なかでも、高い安定性を有する点から、酸化チタンを用いることが好ましい。
多孔質半導体層3a上に設置される光増感剤としては、たとえば増感色素を用いることができる。増感色素としては、可視光領域または赤外光領域に吸収を有する種々の有機色素および金属錯体色素の1種または2種以上を選択的に用いることができる。
多孔質絶縁層4としては、たとえば、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、シリカガラスまたはソーダガラスなどの酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよびチタン酸バリウムからなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。
触媒層5としては、たとえば、白金、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびフラーレンからなる群から選択された少なくとも1種を用いることができる。
第2導電層6は、第1導電層2と同一の材料で形成されていてもよく、または透光性を有さない材料で形成されていてもよい。第2導電層6としては、たとえば、チタン、タングステン、金、銀、銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択された少なくとも1種を含む金属材料を用いることができる。
封止材8としては、たとえば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソブチレン系樹脂、ホットメルト樹脂およびガラスフリット等のガラス系材料からなる群から選択された少なくとも1種を含む材料を用いることができ、より具体的には、スリーボンド社型番:31X−101、スリーボンド社製型番:31X−088および一般に市販されているエポキシ樹脂などを用いることができる。
カバー材9としては、キャリア輸送材料7を封止することができるとともに、外部からの水などの浸入を防止可能な材料を用いることができる。光電変換モジュールが屋外に設置される場合には、カバー材9としては、たとえば強化ガラスなどの機械強度の高い材料が用いられることが好ましい。
キャリア輸送材料7としては、電解液などの液体電解質を好適に用いることができるが、液体電解質以外にも、たとえば、固体電解質、ゲル電解質または溶融塩ゲル電解質などを用いることもできる。
図3に、実施の形態の光電変換モジュールの製造方法の一例のフローチャートを示す。図3に示すように、実施の形態の光電変換モジュールの製造方法は、第1導電層の形成工程(S10)と、多孔質半導体層の形成工程(S20)と、多孔質絶縁層の形成工程(S30)と、触媒層の形成工程(S40)と、第2導電層の形成工程(S50)と、光増感剤の設置工程(S60)と、封止材による封止工程(S70)と、キャリア輸送材料の注入工程(S80)とを含んでいる。なお、実施の形態の光電変換モジュールの製造方法には、S10〜S80以外の工程が含まれていてもよいことは言うまでもない。
第1導電層の形成工程(S10)は、基板1上に第1導電層2を形成することにより行なうことができる。第1導電層2を形成する方法としては、たとえば、スパッタ法およびスプレー法などの方法を用いることができる。
多孔質半導体層の形成工程(S20)は、第1導電層2上に多孔質半導体層3aを形成することにより行なうことができる。多孔質半導体層3aを形成する方法としては、特に限定されず、たとえば従来から公知の方法を用いることができる。たとえば、上述の半導体微粒子を含有する懸濁液を第1導電層2上に塗布し、乾燥および焼成の少なくとも一方を行なうことによって多孔質半導体層3aを形成することができる。
多孔質絶縁層の形成工程(S30)は、光電変換層3上に多孔質絶縁層4を形成することにより行なうことができる。多孔質絶縁層4の形成方法は、特に限定されず、たとえば上述の多孔質半導体層3aと同様の方法で形成することができる。たとえば、微粒子状の絶縁性材料を溶剤に分散し、さらにエチルセルロース、ポリエチレングリコール(PEG)などの高分子化合物を混合してペーストを作製し、そのペーストを光電変換層3の表面上に塗布した後に、乾燥および焼成の少なくとも一方により行なうことができる。
触媒層の形成工程(S40)は、多孔質絶縁層4上に触媒層5を形成することにより行なうことができる。触媒層5の形成方法は、特に限定されず、たとえば従来から公知の方法を用いることができる。触媒層5として白金を用いる場合には、触媒層5の形成方法としては、たとえば、スパッタ法、塩化白金酸の熱分解または電着などの方法を用いることができる。また、触媒層5として、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびフラーレンなどのカーボンを用いる場合には、触媒層5の形成方法としては、たとえば、カーボンを溶剤に分散させたペーストをスクリーン印刷法などを用いて多孔質絶縁層4に塗布する方法などを用いることができる。
第2導電層の形成工程(S50)は、触媒層5、多孔質絶縁層6および第1導電層2を覆うように第2導電層6を形成することにより行なうことができる。第2導電層6の形成方法としては、たとえば、スパッタ法またはスプレー法などの方法を用いることができる。
光増感剤の設置工程(S60)は、たとえば、多孔質半導体層3aに増感色素を吸着させることにより行なうことができる。これにより、第1導電層2上に、多孔質半導体層3aに増感色素が吸着してなる光電変換層3を形成することができる。
封止材による封止工程(S70)は、封止材8によって基板1とカバー材9とを接合することによって行なうことができる。封止材8による封止工程(S70)は、たとえば、カバー材9に封止材8をディスペンサーを用いて塗布した後に基板1とカバー材9とを貼り合わせて封止材8を硬化することにより行なうことができる。
キャリア輸送材料の注入工程(S80)は、基板1とカバー材9との間の封止材8で仕切られた空間にキャリア輸送材料7を注入することにより行なうことができる。キャリア輸送材料の注入工程(S80)は、たとえば、封止材8に予め設けられた孔からキャリア輸送材料7を注入することにより行なうことができる。以上により、実施の形態の光電変換モジュールを作製することができる。
実施の形態の光電変換モジュールは、光電変換セル10にエネルギ密度が100mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流密度Jscが式(I)(Jsc≧20mA/cm2)の関係を満たし、光電変換セル10にエネルギ密度が1mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流量Iscと、単位セル長さXとが式(II)(Isc/X≦2mA/cm)の関係を満たし、光電変換モジュールに入射する光の強度Pin[mW/cm2]と、光電変換セル10の第1導電層2と第2導電層6とのシート抵抗の合計Rs[Ω/□]と、単位セル幅Y[cm]とが式(III)(Pin×Rs×Y2×10-4<0.07)の関係を満たすことを特徴としている。これにより、実施の形態の光電変換モジュールによれば、受光面にグリッド電極を設けなくても高い変換効率を有するとともに、低照度下でも使用可能な光電変換モジュールとすることができる。また、実施の形態の光電変換モジュールにはグリッド電極が設けられていないため、発電に寄与する有効発電面積(受光面積率)を大きくすることができるとともに、グリッド電極の材料コストおよび設置コストを低減することができる。なお、上記の式(II)の関係を満たすこととしているのは、Isc/X>2mA/cmである場合には、単位セル幅Yを広くすると、光電変換モジュールの特性が低下することがあるためである。
単位セルの短絡電流密度Jsc[mA/cm2]は、光増感剤として用いられる増感色素の種類によって変更することができる。そこで、単位セルの短絡電流量Iscを確保するために、単位セルにエネルギ密度が100mW/cm2の擬似太陽光を照射したときの短絡電流密度Jsc[mA/cm2]が以下の式(B)を満たすような増感色素が用いられる。
また、光電変換モジュールに入射する光の強度Pin[mW/cm2]と、単位セルの短絡電流密度Jsc[mA/cm2]とはおおよそ比例の関係にあることが実験から判明しており上記の式(B)を満たす増感色素を用いた場合には、以下の式(C)の関係が成立する。
また、単位セルの第1導電層2と第2導電層6との抵抗の合計Rは、単位セルの第1導電層2と第2導電層6とのシート抵抗の合計Rs[Ω/□]と単位セル幅Y[cm]とから以下の式(D)で表わされる。
したがって、単位セルの短絡電流量Iscは、単位セルの短絡電流密度Jsc[mA/cm2]と以下の式(E)の関係を満たしている。
以上の式(A)、(D)および(E)から、以下の式(F)の関係が成立する。
E<0.07の関係を満たすときに0.65以上のFFを確保することができることが実験で確認されているため、上記の式(F)から、0.65以上のFFを確保するためには、以下の式(G)の関係が成立すればよいと考えられる。
したがって、上記の式(G)を変形した以下の式(H)で表わされる関係を満たすように、光電変換モジュールに入射する光の強度をPin[mW/cm2]と、単位セルの第1導電層2と第2導電層6とのシート抵抗の合計Rs[Ω/□]とに応じた単位セル幅Y[cm]を決定した場合には、FFの低下を抑制しつつ、単位セルの短絡電流量Iscを増加させることができる。
上記の式(H)を満たすように、たとえば、Pin=1[mW/cm2]、Rs=12[Ω/□]であるときの単位セル幅Y<7.63[cm]とすればよい。
<実施例1>
図1および図2に示す構造を有する実施例1の光電変換モジュールを作製した。
まず、長さ120mm×幅420mmの大きさの表面を有する日本板硝子株式会社製のSnO2膜付きガラス基板を用意し、図1に示す単位セル幅Y+1mmの間隔で、レーザースクライブ法により直列接続方向と垂直な方向に沿って、直線状にSnO2膜を除去した。これにより、SnO2膜の除去部分であるスクライブラインがストライプ状に形成され、基板1としてのガラス基板上に、第1導電層2としてのSnO2膜がストライプ状に形成された。
次に、室温にて酸化チタンペーストを1時間レベリングを行なって得られた塗膜を80℃で20分間予備乾燥して、450℃で1時間焼成を行なった。この酸化チタンペーストの塗布工程、レベリング工程、予備乾燥工程、および焼成工程をこの順に繰り返すことによって、厚さ30μmの酸化チタンからなる多孔質半導体層3aを形成した。
増感色素として、以下の構造式(i)で表わされるRuthenium620−1H3TBA色素(Solaronix社製)を用い、これのアセトニトリル(Aldrich Chemical Company製)/t−ブチルアルコール(Aldrich Chemical Company製)の1:1溶液(増感色素の濃度;4×10-4モル/リットル)を調製した。この溶液に多孔質半導体層3aを浸漬し、40℃の温度条件のもとで20時間放置した。その後、多孔質半導体層3aをエタノール(Aldrich Chemical Company製)で洗浄した後に乾燥した。このように、多孔質半導体層3aに色素を吸着させることによって、第1導電層2上に光電変換層3を形成した。なお、構造式(i)において、「TBA」は、テトラブチルアンモニウムを示す。
粒径が100nmの酸化ジルコニウムの微粒子(シーアイ化成株式会社製)を含むペーストを上記と同様の方法で調製した。多孔質半導体層3aの作製に用いたスクリーン版とスクリーン印刷機(ニューロング精密工業製LS−34TVA)とを用いて、光電変換層3上に調製したペーストを塗布した。室温にて1時間レベリングを行なった後、80℃で20分間予備乾燥し、450℃で1時間焼成を行なった。この工程により、光電変換層3上に、厚さ5μmの多孔質絶縁層4を形成した。
電子ビーム蒸着器EVD−500A(ANELVA社製)を用いて、白金を0.1Å/Sの蒸着速度で蒸着させることによって、多孔質絶縁層4上に、厚さ5nmの白金膜からなる触媒層5を形成した。
電子ビーム蒸着器EVD−500A(ANELVA社製)を用いて、チタン(Ti)を0.1Å/Sの蒸着速度で蒸着させることによって、触媒層5上に、厚さ2μmのTi膜からなる第2導電層6を形成した。
酸化還元性電解液として、溶媒にアセトニトリルを用いて、その中に1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾールアイオダイド(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide(四国化成工業株式会社製))を0.6モル/リットル、LiI(Aldrich Chemical Company製)を0.1モル/リットル、4−tert−ブチルピリジン(4-tert-butylpyridine(Aldrich Chemical Company製))を0.5モル/リットル、I2(東京化成工業株式会社製)を0.01モル/リットル溶解させたものを用意した。
幅110mm×長さ(4Y+10)mmの大きさの表面を有するガラス基板(Corning7059)からなるカバー材9上に、封止材8としての紫外線硬化材31X−101(スリーボンド社製)を塗布し、SnO2膜付ガラス基板に貼り合わせた。その後、紫外線照射ランプNovacure(EFD社製)を用いて紫外線硬化剤の塗布部分に紫外線を照射することにより、封止材8を硬化することによって、基板1としてのガラス基板とカバー材9とを封止材8によって固定した。
カバー材9に予め設けられた電解液の注入孔から、上記のようにして調製した酸化還元性電解液を基板1とカバー材9との間の封止材8で取り囲まれた空間に注入した。これにより、単位セル長さXが10cmであって、単位セル幅Yが0.5cmである光電変換セル10の複数が直列に接続された実施例1の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを1cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを1.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例3の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを2cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例4の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを2.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例5の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを3cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例6の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを3.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例7の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを4cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例8の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを4.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例9の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例10の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを5.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例11の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを6cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例12の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを6.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例13の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを7cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例14の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを7.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例15の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを8cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例1の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを8.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例2の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを9cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例3の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを9.5cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例4の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを10cmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例5の光電変換モジュールを作製した。
SnO2膜上に幅0.4mmで、厚さ2μmの直線状のTi膜からなるグリッド電極を間隔9.6mmで予め9本設けた後に多孔質半導体層3aを形成したこと以外は実施例2と同様にして、比較例6の光電変換モジュールを作製した。なお、グリッド電極は、第2導電層6と同様にして形成した。
単位セル幅Yを2cmとしたこと以外は比較例6と同様にして、比較例7の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを3cmとしたこと以外は比較例6と同様にして、比較例8の光電変換モジュールを作製した。
単位セル幅Yを4cmとしたこと以外は比較例6と同様にして、比較例9の光電変換モジュールを作製した。
上記のようにして作製された実施例1〜実施例15および比較例1〜比較例9の光電変換モジュールに、1mW/cm2のエネルギ密度の光(AM1.5ソーラーシミュレータ、NDフィルタにより減光)を照射することによって、変換効率[%]を測定した。
また、以下の式(IV)を用いて、実施例1〜15および比較例1〜9の光電変換モジュールの受光面積率[%]を求めた。なお、以下の式(IV)において、光電変換モジュールの発電層の面積は、図1に示す例においては、4個の光電変換層3のそれぞれの受光面の当該受光面に平行な任意の平面への投影面積の合計面積である。
表1に、実施例1〜15および比較例1〜9の光電変換モジュールの単位セル長さX[cm]、単位セル幅Y[cm]、単位セルの短絡電流量Isc[mA]、Isc/X[mA/cm]、単位セルの電圧降下E[V]、変換効率[%]、受光面積率[%]およびエネルギ密度100mW/cm2の擬似太陽光(AM1.5ソーラーシミュレータ)を照射することによって得られた単位セルの短絡電流密度Jsc[mA/cm2](1sun時Jsc[mA/cm2])を示す。
第2導電層6としてTi膜を用い、当該Ti膜の厚さを0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、1.0μm、1.5μmおよび2.0μmに変更して図1および図2に示す構成の光電変換モジュールを作製し、それぞれの光電変換モジュールに形成されたTi膜のシート抵抗を測定した。そして、Ti膜の厚さごとのシート抵抗測定から得られたRs[Ω/□]と、入射光の強度Pin(1[mW/cm2]、5[mW/cm2]および10[mW/cm2])とを上記の式(H)に代入して得られた単位セル幅Y[cm]の値をプロットした。その結果を図5に示す。なお、図5において、横軸がTi膜の厚さ[μm]を示し、縦軸が単位セル幅Y[cm]を示す。
単位セルの大きさを実施例11の単位セルの大きさとし、Ti膜からなる第2導電層6の厚さを変更することによって以下の実施例16〜実施例21の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを1.5μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例16の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを1.0μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例17の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを0.5μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例18の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを0.3μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例19の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを0.2μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例20の光電変換モジュールを作製した。
Ti膜からなる第2導電層6の厚さを0.1μmとしたこと以外は実施例11と同様にして、実施例21の光電変換モジュールを作製した。
上記のようにして作製された実施例16〜実施例21ならびに実施例11の光電変換モジュールの単位セルのTi膜からなる第2導電層6の表面のシート抵抗[Ω/□]を測定した。また、上記のようにして作製された実施例16〜実施例21の光電変換モジュールに、1mW/cm2のエネルギ密度の光(AM1.5ソーラーシミュレータ、NDフィルタにより減光)を照射することによって、実施例11の光電変換モジュールと同様にして、変換効率[%]を求めた。さらに、実施例16〜実施例21の光電変換モジュールの単位セルの電圧降下E[V]を実施例11の光電変換モジュールと同様にして算出した。
(1)本発明の第1の実施態様によれば、基板と、基板上において直列に接続された複数の光電変換セルとを含み、光電変換セルは、第1導電層と、第1導電層と間隔を空けて向かい合う第2導電層と、第1導電層上の光電変換層と、第1導電層と第2導電層との間のキャリア輸送材料とを備え、光電変換層は、多孔質半導体層と、多孔質半導体層上の光増感剤とを含み、光電変換セルにエネルギ密度が100mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流密度Jscが式(I)(Jsc≧20mA/cm2)の関係を満たし、光電変換セルにエネルギ密度が1mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流量Iscと、光電変換セルの直列接続方向に垂直な方向の多孔質半導体層の長さXとが式(II)(Isc/X≦2mA/cm)の関係を満たし、光電変換モジュールに入射する光の強度Pin[mW/cm2]と、光電変換セルの第1導電層と第2導電層とのシート抵抗の合計Rs[Ω/□]と、光電変換セルの直列接続方向の多孔質半導体層の長さY[cm]とが式(III)(Pin×Rs×Y2×10-4<0.07)の関係を満たす光電変換モジュールを提供することができる。このような構成とすることにより、受光面にグリッド電極を設けなくても高い変換効率を有するとともに、低照度下でも使用可能な光電変換モジュールとすることができる。また、グリッド電極を設ける必要がないため受光面積率を大きくすることができるとともに、グリッド電極の材料コストおよび設置コストを低減することができる。また、Isc/X≦2mA/cmの関係が満たされているため、単位セル幅Yを広くした場合でも、光電変換モジュールの特性の低下を抑制することができる。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上において、直列に接続された複数の光電変換セルとを含む光電変換モジュールであって、
前記光電変換セルは、
第1導電層と、
前記第1導電層と間隔を空けて向かい合う第2導電層と、
前記第1導電層上の光電変換層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間のキャリア輸送材料とを備え、
前記光電変換層は、多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層に吸着された光増感剤とを含み、
前記光電変換セルにエネルギ密度が100mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流密度Jscが以下の式(I)の関係
Jsc≧20mA/cm2 …(I)
を満たし、
前記光電変換セルにエネルギ密度が1mW/cm2の擬似太陽光を照射することによって得られる短絡電流量Iscと、前記光電変換セルの直列接続方向に垂直な方向の前記多孔質半導体層の長さXとが以下の式(II)の関係
Isc/X≦2mA/cm …(II)
を満たし、
前記光電変換モジュールに入射する光の強度Pin[mW/cm2]と、前記光電変換セルの前記第1導電層と前記第2導電層とのシート抵抗の合計Rs[Ω/□]と、前記光電変換セルの前記直列接続方向の前記多孔質半導体層の長さY[cm]とが、以下の式(III)の関係
Pin×Rs×Y2×10-4<0.07 …(III)
を満たす、光電変換モジュール。 - 前記第2導電層は、チタンを含み、
前記第2導電層の厚さが、0.3μm以上2μm以下である、請求項1に記載の光電変換モジュール。 - 前記Rsが、20Ω/□以下である、請求項1または請求項2に記載の光電変換モジュール。
- 前記Yが、0.5cm以上7.5cm以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の光電変換モジュール。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の光電変換モジュールを電源部として含む、電子機器。
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