JP6171441B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図1乃至図7を用いて説明する。
第2実施形態による半導体装置及びその製造方法について図8乃至図14を用いて説明する。図1乃至図7に示す第1実施形態による半導体装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
12…i−GaN電子走行層
14…i−AlGaNスペーサ層
16…n−AlGaN電子供給層
18…i−AlNスペーサ層
20…n−InAlN電子供給層
22…n−GaN第1保護層
24…n−InAlN第2保護層24
26,38,46…レジスト膜
28,30,40,42,44,48…開口部
32,50…導電膜
34…ソース電極
36…ドレイン電極
52…空洞
54…ゲート電極
Claims (3)
- 半導体基板上に、電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上に、AlGaN又はInAlNよりなる電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層上に、GaNよりなる第1の保護層を形成する工程と、
前記第1の保護層上に、InAlNよりなる第2の保護層を形成する工程と、
前記第2の保護層に、前記第1の保護層に達する第1の開口部を形成する工程と、
前記第1の開口部が形成された前記第2の保護層をマスクとして、前記第1の保護層を等方的にエッチングし、前記第1の保護層に、前記電子供給層に達し、前記第1の開口部よりも開口径の大きい第2の開口部を形成する工程と、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部を介して前記電子供給層に接続され、前記第2の保護層上に延在するゲート電極を形成する工程とを有し、
前記第1の開口部を形成する工程では、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いて、前記第2の保護層をドライエッチングし、
前記第2の開口部を形成する工程では、塩素系ガスと弗素系ガスとを含むエッチングガスを用いて、前記第1の保護層をドライエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の開口部を形成する工程において、前記塩素系ガスは、塩素ガスであり、前記弗素系ガスは、六弗化硫黄ガスである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の開口部を形成する工程において、前記エッチングガスは、三塩化硼素ガスである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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