JP2008306083A - Iii−v族窒化物半導体電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電流コラプスを抑制し、かつ、ゲートのドレイン側エッジに生じる電界を緩和し、高電圧で動作可能なFETを提供。
【解決手段】基板101上にGaNバッファ層102、AlGaN層103が形成され、AlGaN層103の表面上には、ソース電極104とドレイン電極105とが形成され、ソース電極104とドレイン電極105との間はSiN膜106に覆われる。SiN膜105には開口が、AlGaN層103にはリセスが形成されており、その開口とリセスを埋めてゲート電極107が形成されている。ゲート電極107の底面部は、AlGaN層/GaN層界面に平行な底部平坦部201と、界面に平行ではない傾斜変化部202とを有する。傾斜変化部202の曲線は、接線の勾配が連続的に変化し、かつ下に凸となっている。
【選択図】図1
【解決手段】基板101上にGaNバッファ層102、AlGaN層103が形成され、AlGaN層103の表面上には、ソース電極104とドレイン電極105とが形成され、ソース電極104とドレイン電極105との間はSiN膜106に覆われる。SiN膜105には開口が、AlGaN層103にはリセスが形成されており、その開口とリセスを埋めてゲート電極107が形成されている。ゲート電極107の底面部は、AlGaN層/GaN層界面に平行な底部平坦部201と、界面に平行ではない傾斜変化部202とを有する。傾斜変化部202の曲線は、接線の勾配が連続的に変化し、かつ下に凸となっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、III-V族窒化物半導体電界効果トランジスタとその製造方法に関し、特に、電流コラプスの低減と高電圧動作を両立できるようにしたIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法に関するものである。
近年の技術の発展に伴い、III-V族窒化物半導体用いた電界効果トランジスタ(FET)の実用化にむけた研究・開発が活発に行われている。III-V族窒化物半導体は、GaAsを中心とした非窒化物化合物半導体に比べ、広いバンドギャップを有し、破壊電界強度が高い。また、GaNでは電子の飽和速度もGaAsに比べ大きいという特徴も有する。これらの特徴から、III-V族窒化物半導体FETは高周波高出力電子デバイスへの利用が検討されている。
III-V族窒化物半導体FETは、例えば、SiC基板上にGaN層とAlGaN層とを結晶成長により形成し、AlGaN層上にショットキ電極であるゲート電極、およびオーミック電極であるソースおよびドレイン電極を形成して製作される。このようなAlGaN/GaN-FETにおいては、GaN層中のAlGaN層との界面近傍に二次元電子ガス層が形成されて、HEMT(High Electron Mobility Transistor)構造となり、不純物散乱による電子速度劣化が抑制されたチャネル領域が形成される。
このような、III-V族窒化物半導体FETにおいては、表面には高密度のトラップ準位が存在し、高電圧印加時には、ゲートから注入された電子がAlGaN層の表面トラップに捕獲され、その領域の空乏層が広がるためにチャネルが狭窄され、ドレイン電流が減少するという電流コラプスが問題になっている。
この電流コラプスを抑制するために、AlGaN層表面のゲート電極とソース電極間、および、ゲート電極とドレイン電極間の、各領域を窒化シリコン(SiN)膜で保護することにより表面トラップ密度を低減する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。しかし、この構造は、表面トラップ発生面とゲート電極底面とが同一面となっているため、表面トラップの影響を十分に低減することは困難である。そこで、ゲート電極底面が表面トラップ生成面より低くなるリセス構造のFETが提案されている(例えば、非特許文献1、特許文献2参照)。
この電流コラプスを抑制するために、AlGaN層表面のゲート電極とソース電極間、および、ゲート電極とドレイン電極間の、各領域を窒化シリコン(SiN)膜で保護することにより表面トラップ密度を低減する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。しかし、この構造は、表面トラップ発生面とゲート電極底面とが同一面となっているため、表面トラップの影響を十分に低減することは困難である。そこで、ゲート電極底面が表面トラップ生成面より低くなるリセス構造のFETが提案されている(例えば、非特許文献1、特許文献2参照)。
図10は、非特許文献1にて開示されたIII-V族窒化物半導体FETの構造を示す断面図である。これは、同図に示されるように、半絶縁性のSiCからなる基板101上に、GaNバッファ層102とAlGaN層103とをエピタキシャル成長させてヘテロ接合を形成し、AlGaN層103にリセス構造のゲート電極107を設けると共にその表面にソース電極104とドレイン電極105を設けたものである。そして、AlGaN層103表面は、表面保護膜としてのSiN膜106により被覆されている。
一方、特許文献2には、キャリア供給層であるAlGaN層に断面V字状ないし半円形状の凹部を設け、その凹部内を充填するようにゲート電極を形成することが開示されている。
これらリセス構造を採用したIII-V族窒化物半導体FETにおいては、表面からチャネルまでの距離を長くすることで、表面トラップのチャネルへの影響を実効的に低減することが可能である。また、非特許文献1には、リセス構造とゲート電極がドレイン側のSiN膜上にせり出した構造とを併せた構造に表面コラプスを抑制すると共にゲート電極のドレイン側エッジに生じる電界を緩和する効果があることが報告されている。
特開2002−359256
特開2005−210105
Y.Ando他、International Electron Device Meeting 2003 Digest pp.563−566
一方、特許文献2には、キャリア供給層であるAlGaN層に断面V字状ないし半円形状の凹部を設け、その凹部内を充填するようにゲート電極を形成することが開示されている。
これらリセス構造を採用したIII-V族窒化物半導体FETにおいては、表面からチャネルまでの距離を長くすることで、表面トラップのチャネルへの影響を実効的に低減することが可能である。また、非特許文献1には、リセス構造とゲート電極がドレイン側のSiN膜上にせり出した構造とを併せた構造に表面コラプスを抑制すると共にゲート電極のドレイン側エッジに生じる電界を緩和する効果があることが報告されている。
しかし、非特許文献1にて報告されたIII-V族窒化物半導体FETにおいては、ゲート電極底面端部の断面形状が直角となっているため、その部分に電界が集中し、FETの高電圧動作がせげんされるという問題が生じる。
また、特許文献2にて開示されたFETおいては、ゲート形状がV字形ないし半円であるため、一般にゲート長として規定される半導体結晶層に平行にゲート電極が接する部分がゼロかもしくは極めて短く、ショートチャネル効果によりドレインコンダクタンスが増加してしまい、高電圧動作素子に必要な高電圧印加時にドレインコンダクタンスが小さいという条件を満足しないという問題が生じてしまう。
また、特許文献2にて開示されたFETおいては、ゲート形状がV字形ないし半円であるため、一般にゲート長として規定される半導体結晶層に平行にゲート電極が接する部分がゼロかもしくは極めて短く、ショートチャネル効果によりドレインコンダクタンスが増加してしまい、高電圧動作素子に必要な高電圧印加時にドレインコンダクタンスが小さいという条件を満足しないという問題が生じてしまう。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、電流コラプスを抑制すると共にゲート端部近傍での電界集中が緩和された、高電圧印加時でのドレインコンダクタンスの小さいIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタを実現し、マイクロ波増幅器FETとして高い性能つまり、高耐圧かつ高出力電力密度特性を有するIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタを提供できるようにすることである。
上記の目的を達成するため、本発明によれば、凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記III-V族窒化物半導体層との接触面は、前記III-V族窒化物半導体層の底面に平行な底部平坦部と前記III-V族窒化物半導体層の底面に平行ではない傾斜変化部とを有し、該傾斜変化部においては、ソース電極またはドレイン電極方向に向って、前記接触面に接する、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化していることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ、が提供される。
そして、望ましくは、前記凹部の周囲の前記III-V族窒化物半導体層の表面は表面保護膜に被覆されており、前記ゲート電極の延長部が前記表面保護膜上に延在している。
また、一層望ましくは、前記接触面に接する接線の傾斜角度(前記III-V族窒化物半導体層の底面を基準とした)が、前記底部平坦部からソース電極またはドレイン電極方向に向って、徐々に増大した後徐々に低下する。
そして、望ましくは、前記凹部の周囲の前記III-V族窒化物半導体層の表面は表面保護膜に被覆されており、前記ゲート電極の延長部が前記表面保護膜上に延在している。
また、一層望ましくは、前記接触面に接する接線の傾斜角度(前記III-V族窒化物半導体層の底面を基準とした)が、前記底部平坦部からソース電極またはドレイン電極方向に向って、徐々に増大した後徐々に低下する。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、初期においては等方性の高いエッチングを行い終期においては異方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、初期においては等方性の高いエッチングを行い終期においては異方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、等方性の高いエッチングから始めて異方性の高いエッチングに移行しその後再び等方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、等方性の高いエッチングから始めて異方性の高いエッチングに移行しその後再び等方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層より上層の方がエッチングレートが低くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層より上層の方がエッチングレートが低くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層および上層のエッチングレートが中間層のそれより高くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層および上層のエッチングレートが中間層のそれより高くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法、が提供される。
本発明によれば、ゲートのリセス底面と側面との接続部が滑らかな曲面をなしているので(従来例のようにリセス底面と側面との接続部が角張っていないので)、ゲートのドレイン端において電界集中が生じることがなく、高電圧動作が可能となる。また、リセス開口部分にヘテロ接合界面と平行な部分を有することで、高電圧下におけるドレインコンダクタンスを低減でき、断面V字形ないし半円形のリセス構造のトランジスタに比較して高電圧動作が可能になる。
また、上記のリセス構造において、リセス側面の傾斜角度がソースまたはドレイン電極に向かって徐々に増大した後徐々に低下する実施例によれば、2番目に電界が集中しているドレイン側のリセス開口上部においても、電界を緩和することが可能であり、さらに高電圧動作が可能となる。
また、上記のリセス構造において、リセス側面の傾斜角度がソースまたはドレイン電極に向かって徐々に増大した後徐々に低下する実施例によれば、2番目に電界が集中しているドレイン側のリセス開口上部においても、電界を緩和することが可能であり、さらに高電圧動作が可能となる。
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図1は、本発明の第1の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの断面図である。図1に示されるように、SiC、サファイヤ、Siなどからなる基板101上にGaNバッファ層102、AlGaN層103が形成され、AlGaN層103の表面上には、AlGaN層103とオーミック接触するソース電極104とドレイン電極105とが形成され、ソース電極104とドレイン電極105との間は表面保護膜であるSiN膜106に覆われている。SiN膜105にはゲート開口が、AlGaN層103にはリセスが形成されており、そのゲート開口とリセスを埋めて半導体層とショットキ接触するゲート電極107が形成されている。ゲート電極の延長部がSiN膜106上に延在しているが、その延長部はソース側よりドレイン側の方が長くなっている。ゲート電極107とAlGaN層103との接触部は、GaNバッファ層102とAlGaN層103との界面に平行な底部平坦部201と、界面に平行ではない傾斜変化部202とを有する。傾斜変化部202においてゲート電極107とAlGaN層103との接触部に接する接線(チャネル方向に平行でGaNバッファ層102とAlGaN層103との界面に垂直な平面上で引いた接線)の勾配は、ソース電極またはドレイン電極に向って連続的に変化している。本実施の形態では、接線の傾斜角(AlGaN/GaN界面を基準とした)はソース電極またはドレイン電極に向って徐々に急峻になっている。
〔第1の実施の形態〕
図1は、本発明の第1の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの断面図である。図1に示されるように、SiC、サファイヤ、Siなどからなる基板101上にGaNバッファ層102、AlGaN層103が形成され、AlGaN層103の表面上には、AlGaN層103とオーミック接触するソース電極104とドレイン電極105とが形成され、ソース電極104とドレイン電極105との間は表面保護膜であるSiN膜106に覆われている。SiN膜105にはゲート開口が、AlGaN層103にはリセスが形成されており、そのゲート開口とリセスを埋めて半導体層とショットキ接触するゲート電極107が形成されている。ゲート電極の延長部がSiN膜106上に延在しているが、その延長部はソース側よりドレイン側の方が長くなっている。ゲート電極107とAlGaN層103との接触部は、GaNバッファ層102とAlGaN層103との界面に平行な底部平坦部201と、界面に平行ではない傾斜変化部202とを有する。傾斜変化部202においてゲート電極107とAlGaN層103との接触部に接する接線(チャネル方向に平行でGaNバッファ層102とAlGaN層103との界面に垂直な平面上で引いた接線)の勾配は、ソース電極またはドレイン電極に向って連続的に変化している。本実施の形態では、接線の傾斜角(AlGaN/GaN界面を基準とした)はソース電極またはドレイン電極に向って徐々に急峻になっている。
次に、本実施の形態の製造方法を簡単に説明する。SiCなどからなる基板101上にGaNバッファ層102、AlGaN層103を順次結晶成長させる。次に、結晶成長半導体層表面にオーミック接触する金属を選択的に堆積してソース電極104とドレイン電極105を形成する。そして、AlGaN層103表面に表面保護膜としてのSiN膜106を成膜する。ゲート電極を形成する領域のSiN膜106をエッチング除去してゲート開口を形成する。そして、そのゲート開口の形成されたSiN膜106をマスクにAlGaN層103をドライエッチングにより掘り込んでゲートリセスを形成する。このドライエッチング時において、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させ、等方性エッチングから異方性のつよいエッチングに変えることで、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平端部と、側面の、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の勾配が連続的に変化する下に凸の滑らかな曲線の傾斜変化部とを有するリセス形状を得る。次に、SiN膜のゲート開口より広い開口を有するレジストパターンを形成し、リフトオフ法を用いてショットキ用金属からなるゲート電極107を形成する。形成されたゲート電極のリセス底面部での形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、接線の勾配が連続的に変化する下に凸の曲線の傾斜変化部202とを有するものとなる。
このように形成されたFETにおいては、ゲート電極のドレイン側端部での電界集中は、図2(a)に示される等電位線301から分かるように、緩和される。このように、従来のゲート底面端部に角部のあるリセス形状において生じていた電界集中を緩和することができるので、図2(b)に示されるように、ブレークダウン電圧がV1からV2へと向上し、より高いドレイン電圧での動作が可能になる。図2(b)は、ドレイン電圧(Vgd)とリーク電流(Igd)との関係を示すグラフであって、実線は本発明の第1の実施の形態の特性を、また点線は従来例の特性を示す。また、AlGaN表面が露出することがなく、ゲート電極がSiN膜上にせり出した構造を実現することが可能であるので、表面コラプスの影響を低減することが可能である。
ここでは、一例としてAlGaN/GaNへテロ構造FETの場合を挙げたが、これに限るものではなく、AlGaN層の代わりにInAlGaN層を用い、GaN層の代わりにInGaN層を用いた構造など、一般にIII−V族窒化物半導体と呼ばれる材料を用いたFETの場合には適応可能である。
本発明において、上記リセス開口部において、エッチング底面が結晶層界面(AlGaN層底面)に平行としている構造は、2nm以下の凹凸を含んでいても、差し支えない。また、上記のリセス開口部において、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部とここから結晶層表面に向かって滑らかに変化する傾斜変化部とを有する開口形状としている構造は、2nm以下の段差を含んでいても、差し支えない。
本発明において、上記リセス開口部において、エッチング底面が結晶層界面(AlGaN層底面)に平行としている構造は、2nm以下の凹凸を含んでいても、差し支えない。また、上記のリセス開口部において、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部とここから結晶層表面に向かって滑らかに変化する傾斜変化部とを有する開口形状としている構造は、2nm以下の段差を含んでいても、差し支えない。
開口底面の平坦部(底部平坦部201)の長さ(ゲート長:Lg)と、開口底面部とAlGaN/GaN界面の距離(D0)(図3参照)との関係は、ショートチャネル効果によるドレインコンダクタンスが増加することを抑制するために、
Lg>10*D0
とすることが望ましい。
また、接線の傾斜が連続的に変化する下に凸の曲線の部分(傾斜変化部202)が長すぎると、実効的ゲート部(底部平坦部201の部分)での容量に対し、実効的にゲート作用を有しない部分(傾斜変化部202)での容量が無視できなくなってしまい、動作の高速性が犠牲となる。そのため、傾斜変化部202の曲線とAlGaN/GaN界面との距離を、ゲート長方向をx軸にとってD1(x)で定義すると(図4参照)、
∫1/D1(x)dx<1/10*Lg/D0
である必要がある。ただし、接線の傾斜が連続に変化する下に凸の曲線部分で傾斜変化部202端部からドレイン側に向かって少なくともLg/10までの領域においては、接線の傾きが水平方向に対し45度を超えないことが望ましい。これは、これ以上、急な角度を有すると、電界緩和効果が著しく低下するためである。
Lg>10*D0
とすることが望ましい。
また、接線の傾斜が連続的に変化する下に凸の曲線の部分(傾斜変化部202)が長すぎると、実効的ゲート部(底部平坦部201の部分)での容量に対し、実効的にゲート作用を有しない部分(傾斜変化部202)での容量が無視できなくなってしまい、動作の高速性が犠牲となる。そのため、傾斜変化部202の曲線とAlGaN/GaN界面との距離を、ゲート長方向をx軸にとってD1(x)で定義すると(図4参照)、
∫1/D1(x)dx<1/10*Lg/D0
である必要がある。ただし、接線の傾斜が連続に変化する下に凸の曲線部分で傾斜変化部202端部からドレイン側に向かって少なくともLg/10までの領域においては、接線の傾きが水平方向に対し45度を超えないことが望ましい。これは、これ以上、急な角度を有すると、電界緩和効果が著しく低下するためである。
〔第2の実施の形態〕
図5は、本発明の第2の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図5に示されるように、SiC、サファイヤ、Siなどからなる基板101上に、GaNバッファ層102、AlGaN層103が結晶成長により形成される。次に、結晶成長層表面にオーミック用金属からなるソース電極104とドレイン電極105が形成され、ソース電極とドレイン電極との間には、表面保護膜としてのSiN膜106が成膜される。ゲート電極を形成する領域のSiN膜106にゲート開口を形成し、この開口を有するSiN膜106をマスクにAlGaN層をドライエッチングにより掘り込む。このドライエッチング時において、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させ、等方性エッチングから異方性のつよいエッチングにかえ、再度、等方性エッチング条件にする。これにより、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の勾配が滑らかに変化する傾斜変化部とを有するリセス形状を得る。傾斜変化部は、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部とを有する。次に、SiN膜に形成されたゲート開口より広い開口を有するレジストパターンを形成し、リフトオフ法を用いてショットキ用金属からなるゲート電極107を形成する。形成されたゲート電極のリセス底面部での形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の勾配が連続的に変化する、底部平坦部201寄りの下に凸の曲線部とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部とを有する傾斜変化部203と、を有するものとなる。
図5は、本発明の第2の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図5に示されるように、SiC、サファイヤ、Siなどからなる基板101上に、GaNバッファ層102、AlGaN層103が結晶成長により形成される。次に、結晶成長層表面にオーミック用金属からなるソース電極104とドレイン電極105が形成され、ソース電極とドレイン電極との間には、表面保護膜としてのSiN膜106が成膜される。ゲート電極を形成する領域のSiN膜106にゲート開口を形成し、この開口を有するSiN膜106をマスクにAlGaN層をドライエッチングにより掘り込む。このドライエッチング時において、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させ、等方性エッチングから異方性のつよいエッチングにかえ、再度、等方性エッチング条件にする。これにより、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の勾配が滑らかに変化する傾斜変化部とを有するリセス形状を得る。傾斜変化部は、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部とを有する。次に、SiN膜に形成されたゲート開口より広い開口を有するレジストパターンを形成し、リフトオフ法を用いてショットキ用金属からなるゲート電極107を形成する。形成されたゲート電極のリセス底面部での形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の勾配が連続的に変化する、底部平坦部201寄りの下に凸の曲線部とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部とを有する傾斜変化部203と、を有するものとなる。
このように形成されたFETにおいては、リセス開口上部での電界集中を緩和することができる。第1の実施の形態では、リセス開口上部がゲート底面角部に続く次の電界集中部になるが、本実施の形態によると図6(a)に示される等電位線302から分かるように、この部分の電界を緩和することができる。このように、従来のリセス形状においてゲート底面端部の角部およびリセス開口上部で生じていた電界集中を緩和することができるので、図6(b)に示されるように、ブレークダウン電圧は第1の実施の形態のV2からV3へと一層向上し、より高いドレイン電圧での動作が可能になる。図6(b)は、ドレイン電圧(Vgd)とリーク電流(Igd)との関係を示すグラフであって、太い実線は本実施の形態の特性を、細い実線は第1の実施の形態の特性を、また点線は従来例の特性を示す。また、AlGaN表面が露出することがなく、ゲート電極がSiN膜上にせり出した構造を実現することが可能であるので、表面コラプスの影響を低減することが可能である。
ここでは、一例としてAlGaN/GaNへテロ構造FETの場合を挙げたが、これに限るものではなく、AlGaN層の代わりにInAlGaN層を用い、GaN層の代わりにInGaN層を用いた構造など、一般にIII−V族窒化物半導体と呼ばれる材料を用いたFETの場合には適応可能である。
本発明において、上記リセス開口部において、エッチング底面が結晶層界面(AlGaN層底面)に平行としている構造は、2nm以下の凹凸を含んでいても、差し支えない。また、上記のリセス開口部において、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部とここから結晶層表面に向かって底面の傾きが滑らかに変化する傾斜変化部とを有する開口形状としている構造は、2nm以下の段差を含んでいても、差し支えない。
本発明において、上記リセス開口部において、エッチング底面が結晶層界面(AlGaN層底面)に平行としている構造は、2nm以下の凹凸を含んでいても、差し支えない。また、上記のリセス開口部において、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部とここから結晶層表面に向かって底面の傾きが滑らかに変化する傾斜変化部とを有する開口形状としている構造は、2nm以下の段差を含んでいても、差し支えない。
開口底面の平坦部(底部平坦部201)の長さ(ゲート長:Lg)と、開口底面部とAlGaN/GaN界面の距離(D0)(図7参照)との関係は、ショートチャネル効果によるドレインコンダクタンスが増加することを抑制するために、
Lg>10*D0
とすることが望ましい。
また、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線の部分とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線の部分とを有する傾斜部(傾斜変化部203)が大きすぎると、実効的ゲート部(底部平坦部201の部分)でのゲート容量に対し、実効的にゲート作用を有しない部分(傾斜変化部203)での容量が無視できなくなってしまい、動作高速性が妨げられる。そのため、傾斜変化部203の曲線とAlGaN/GaN界面との距離を、ゲート長方向をx軸にとってD2(x)で定義すると(図7参照)、
∫1/D2(x)dx<1/10*Lg/D0
とする必要がある。ただし、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続に変化する曲線部分で傾斜変化部203端部からドレイン側に向かって少なくともLg/10までの領域においては、接線の傾きが水平方向に対し45度を超えないことが望ましい。これは、これ以上、急な角度を有すると、電界緩和効果が著しく低下するためである。
Lg>10*D0
とすることが望ましい。
また、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線の部分とソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線の部分とを有する傾斜部(傾斜変化部203)が大きすぎると、実効的ゲート部(底部平坦部201の部分)でのゲート容量に対し、実効的にゲート作用を有しない部分(傾斜変化部203)での容量が無視できなくなってしまい、動作高速性が妨げられる。そのため、傾斜変化部203の曲線とAlGaN/GaN界面との距離を、ゲート長方向をx軸にとってD2(x)で定義すると(図7参照)、
∫1/D2(x)dx<1/10*Lg/D0
とする必要がある。ただし、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続に変化する曲線部分で傾斜変化部203端部からドレイン側に向かって少なくともLg/10までの領域においては、接線の傾きが水平方向に対し45度を超えないことが望ましい。これは、これ以上、急な角度を有すると、電界緩和効果が著しく低下するためである。
〔第3の実施の形態〕
図8は、本発明の第3の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図8において、図1に示される第1の実施の形態の電界効果トランジスタの部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図8に示す本実施の形態おいて、GaNバッファ層102上に結晶成長したAlGaN層111は、結晶成長時に、そのAl組成がGaNバッファ層側から例えば0.2→0.1と連続的に変化するように形成される。その後、AlGaN層111は、ゲート開口の形成されたSiN膜106をマスクとしてドライエッチングされるが、そのドライエッチング時においては第1の実施の形態や第2の実施の形態などのように、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させる必要はなく、エッチング中、同一の条件でのエッチングが行なわれる。AlGaN層111のAl組成の違いによるエッチングレートの違いにより、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化する、下に凸の曲線の傾斜変化部とを有する開口形状を得ることができる。その結果、形成されたゲート電極のリセス底面部での形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、接線の勾配が連続的に変化する下に凸の曲線の傾斜変化部202とを有するものとなる。
このように形成された電界効果トランジスタによると、第1の実施の形態と同様に、耐圧向上と、表面コラプスの影響の低減を実現することができる。
図8は、本発明の第3の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図8において、図1に示される第1の実施の形態の電界効果トランジスタの部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図8に示す本実施の形態おいて、GaNバッファ層102上に結晶成長したAlGaN層111は、結晶成長時に、そのAl組成がGaNバッファ層側から例えば0.2→0.1と連続的に変化するように形成される。その後、AlGaN層111は、ゲート開口の形成されたSiN膜106をマスクとしてドライエッチングされるが、そのドライエッチング時においては第1の実施の形態や第2の実施の形態などのように、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させる必要はなく、エッチング中、同一の条件でのエッチングが行なわれる。AlGaN層111のAl組成の違いによるエッチングレートの違いにより、エッチング底面が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化する、下に凸の曲線の傾斜変化部とを有する開口形状を得ることができる。その結果、形成されたゲート電極のリセス底面部での形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、接線の勾配が連続的に変化する下に凸の曲線の傾斜変化部202とを有するものとなる。
このように形成された電界効果トランジスタによると、第1の実施の形態と同様に、耐圧向上と、表面コラプスの影響の低減を実現することができる。
〔第4の実施の形態〕
図9は、本発明の第4の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図9において、図5に示される第2の実施の形態の電界効果トランジスタの部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図9に示す本実施の形態おいて、GaNバッファ層102上に結晶成長したAlGaN層112は、結晶成長時に、そのAl組成がGaNバッファ層側から例えば0.2→0.1→0.2と連続的に変化するように形成される。その後、AlGaN層112は、ゲート開口の形成されたSiN膜106をマスクとしてドライエッチングされるが、そのドライエッチング時においては第1の実施の形態や第2の実施の形態などのように、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させる必要はなく、エッチング中、同一の条件でのエッチングが行なわれる。AlGaN層112のAl組成の違いによるエッチングレートの違いにより、エッチング開口断面形状が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ソース・ドレインに向かって接線の傾斜が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部およびソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部を備えた傾斜変化部とを有するものとすることができる。その結果、形成されたゲート電極のリセス底面部での断面形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、接線の勾配が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部およびソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部を備えた傾斜変化部203とを有するものとなる。
このように形成された電界効果トランジスタによると、第2の実施の形態の場合と同様に、耐圧向上と、表面コラプスの影響の低減を実現することができる。
図9は、本発明の第4の実施の形態のIII-V族窒化物半導体電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。図9において、図5に示される第2の実施の形態の電界効果トランジスタの部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図9に示す本実施の形態おいて、GaNバッファ層102上に結晶成長したAlGaN層112は、結晶成長時に、そのAl組成がGaNバッファ層側から例えば0.2→0.1→0.2と連続的に変化するように形成される。その後、AlGaN層112は、ゲート開口の形成されたSiN膜106をマスクとしてドライエッチングされるが、そのドライエッチング時においては第1の実施の形態や第2の実施の形態などのように、ガス流量、もしくは、混合ガス比、もしくは、パワーを時間に対して連続的に変化させる必要はなく、エッチング中、同一の条件でのエッチングが行なわれる。AlGaN層112のAl組成の違いによるエッチングレートの違いにより、エッチング開口断面形状が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、ソース・ドレインに向かって接線の傾斜が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部およびソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部を備えた傾斜変化部とを有するものとすることができる。その結果、形成されたゲート電極のリセス底面部での断面形状は、AlGaN/GaN界面に平行な底部平坦部201と、接線の勾配が連続的に変化する、底部平坦部寄りの下に凸の曲線部およびソース・ドレイン寄りの上に凸の曲線部を備えた傾斜変化部203とを有するものとなる。
このように形成された電界効果トランジスタによると、第2の実施の形態の場合と同様に、耐圧向上と、表面コラプスの影響の低減を実現することができる。
以下に、図1を参照して、第1の実施の形態の実施例について説明する。SiCからなる基板101を用い、その上に5μm厚のGaNバッファ層102、50nm厚のAlGaN層(Al組成0.2)103を、Metal Organic Chemical Vapor Deposition法(MOCVD法)により結晶成長させる。次に、成長基板表面にオーミック用金属であるTi(50nm)とAl(300nm)からなるソース電極104およびドレイン電極105をレジストリフトオフ法により形成する。その後、Rapid Thermal Annealing(RTA)法により基板を800℃にて1分間加熱し、上記Ti/Al電極が半導体とオーミック性接触特性を示すようにする。その後、ソースおよびドレイン電極の間に、表面保護膜としてSiN膜(200nm)106をプラズマCVD法により成膜する。ゲート電極を形成する部分のSiN膜をレジストをマスクに、ICP(Inductively Coupled Plasma)プラズマエッチング(SF6の分圧0.2Pa、バイアスパワー=10W、アンテナパワー=200W)してゲート開口を形成する。次に、ゲート開口が形成されたSiN膜106をマスクにして、AlGaN層をICPプラズマエッチングにて掘り込む。このAlGaN層のエッチングにおいて、アンテナパワーは200Wに固定し、エッチング開始時のエッチング条件をCl2の分圧を1Pa、BCl3 の分圧を0Pa、バイアスパワー=2Wとし、エッチング終了までにCl2の分圧を0Paに、BCl3の分圧を0.2Pa、バイアスパワーを10Wに連続的に変化させる。このエッチング手法により、、エッチング初期には等方性のエッチングを行い、エッチング終了時には異方性エッチングに連続的に変化させることが可能で、エッチング底面の断面形状が、結晶層界面に平行な底部平坦部と、傾斜が連続的に変化する下に凸の曲線の傾斜変化部とを有する開口を得る。このAlGaN層のエッチングに続いて、SiN膜に形成されたゲート開口より広い開口を有するレジストパターンを形成し、ショットキ用金属からなるNi(50nm)と良導電性材料であるAu(200nm)とを成膜してゲート電極107を形成した。
101 基板
102 GaNバッファ層
103 AlGaN層
104 ソース電極
105 ドレイン電極
106 SiN膜
107 ゲート電極
111 AlGaN層(Al組成が0.2→0.1へ変化している層)
112 AlGaN層(Al組成が0.2→0.1→0.2へ変化している層)
201 底部平坦部
202、203 傾斜変化部
301、302 等電位線
102 GaNバッファ層
103 AlGaN層
104 ソース電極
105 ドレイン電極
106 SiN膜
107 ゲート電極
111 AlGaN層(Al組成が0.2→0.1へ変化している層)
112 AlGaN層(Al組成が0.2→0.1→0.2へ変化している層)
201 底部平坦部
202、203 傾斜変化部
301、302 等電位線
Claims (10)
- 凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記III-V族窒化物半導体層との接触面は、前記III-V族窒化物半導体層の底面に平行な底部平坦部と前記III-V族窒化物半導体層の底面に平行ではない傾斜変化部とを有し、該傾斜変化部においては、ソース電極またはドレイン電極方向に向って、前記接触面に接する、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜が連続的に変化していることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- 前記凹部の周囲の前記III-V族窒化物半導体層の表面は表面保護膜に被覆されており、前記ゲート電極の延長部が前記表面保護膜上に延在していることを特徴とする請求項1に記載のIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- 前記接触面に接する、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜角度(前記III-V族窒化物半導体層の底面を基準とした)が、前記底部平坦部からソース電極またはドレイン電極方向に向って、徐々に増大した後徐々に低下することを特徴とする請求項1または2に記載のIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- 前記底部平坦部のゲート長方向の長さをLg、前記ゲート電極底面から前記III-V族窒化物半導体層底面までの距離をD0として、Lg>10*D0の関係が成立することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- x軸をゲート長方向にとり、前記傾斜変化部における前記ゲート電極底面から前記III-V族窒化物半導体層底面までの距離をD(x)、前記底部平坦部のゲート長方向の長さをLg、底部平坦部における前記ゲート電極底面から前記III-V族窒化物半導体層底面までの距離をD0として、∫1/D (x)dx<1/10*Lg/D0の関係が成立することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- 傾斜変化部における前記ゲート電極と前記III-V族窒化物半導体との接触面に接する、ゲート長方向に平行な縦断面での接線の傾斜角度(前記III-V族窒化物半導体層の底面を基準とした)は、前記底部平坦部のゲート長方向の長さをLgとして、前記底部平坦部のドレイン側端部からドレイン側に向かってLg/10までの範囲においては、45度を超えないことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ。
- 凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、初期においては等方性の高いエッチングを行い終期においては異方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法。 - 凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記第(3)の工程においては、等方性の高いエッチングから始めて異方性の高いエッチングに移行しその後再び等方性の高いエッチングを行うことを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法。 - 凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層より上層の方がエッチングレートが低くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法。 - 凹部が形成されたIII-V族窒化物半導体層と、該III-V族窒化物半導体層と前記凹部において接触するゲート電極とを有するIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタ製造方法において、
(1)前記III-V族窒化物半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、
(2)前記表面保護膜を選択的にエッチング除去して前記表面保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(3)前記ゲート開口が形成された前記表面保護膜をマスクとして前記III-V族窒化物半導体層に対してエッチングを行い該III-V族窒化物半導体層に前記凹部を形成する工程と、
を有し、前記III-V族窒化物半導体層の組成が、前記第(3)の工程のエッチングにおいて、下層および上層のエッチングレートが中間層のそれより高くなるように設定されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体電界効果型トランジスタの製造方法。
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