JP2014216481A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、ゲート電極のドレイン電極側端部の直下に電界が集中して結晶欠陥が生じることを防止しつつ、電気特性の劣化を抑えることができる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】2次元電子ガスが形成されるチャネル層14と、該チャネル層の上に形成された電子供給層16と、該電子供給層の上に形成されたソース電極20と、該電子供給層の上に形成されたドレイン電極22と、該電子供給層の上の、該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた位置に形成されたゲート電極18と、該ゲート電極の該ドレイン電極側端部の直下における該チャネル層の、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域より深い場所に埋め込まれた埋め込み層30Aと、を備え、該埋め込み層は、該埋め込み層がない場合と比較して、該2次元電子ガス領域14Aのポテンシャルを上げる材料で形成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば高周波帯域で動作する電界効果トランジスタに関する。
特許文献1には、2DEG(2次元電子ガス)中の可動電荷の濃度を低減することによってゲート端縁及び角におけるピーク電界を低減する電界効果トランジスタが開示されている。具体的には、チャネル層の2次元電子ガスが形成される領域中に電荷低減領域を形成する。電荷低減領域は、通電状態にあるときには隣接する領域よりも導電性が低い。
特表2009−530857号公報
高電圧を印加する電界効果トランジスタでは、ゲート電極のドレイン電極側端部の直下に電界が集中し結晶欠陥が生じる問題があった。結晶欠陥は電界効果トランジスタの特性を劣化させる要因となる。そこでゲート電極のドレイン電極側端部の直下における電界を低減する必要がある。
特許文献1に開示の技術のように2次元電子ガスが形成される領域中に電荷低減領域を設けることで電界緩和が可能である。しかしながら、2次元電子ガスが形成される領域中に電荷低減領域を設けると、2次元電子ガスの濃度が大きく低下して電界効果トランジスタの電気特性を劣化させる問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ゲート電極のドレイン電極側端部の直下に電界が集中して結晶欠陥が生じることを防止しつつ、電気特性の劣化を抑えることができる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
本願の発明に係る電界効果トランジスタは、2次元電子ガスが形成されるチャネル層と、該チャネル層の上に形成された電子供給層と、該電子供給層の上に形成されたソース電極と、該電子供給層の上に形成されたドレイン電極と、該電子供給層の上の、該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた位置に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の該ドレイン電極側端部の直下における該チャネル層の、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域より深い場所に埋め込まれた埋め込み層と、を備え、該埋め込み層は、該埋め込み層がない場合と比較して、該2次元電子ガス領域のポテンシャルを上げる材料で形成されたことを特徴とする。
本願の発明に係る他の電界効果トランジスタは、2次元電子ガスが形成されるチャネル層と、該チャネル層の上に形成された電子供給層と、該電子供給層の上に形成されたソース電極と、該電子供給層の上に形成されたドレイン電極と、該ソース電極と該ドレイン電極の間の該電子供給層の上に形成された、下面が曲面で形成されたゲート電極と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、ゲート電極のドレイン電極側端部の直下に電界が集中して結晶欠陥が生じることを防止しつつ、電気特性の劣化を抑えることができる。
本発明の実施の形態1に係る電界効果トランジスタの断面図である。 図1の電界効果トランジスタの平面図である。 電子供給層とチャネル層のバンド図である。 追加埋め込み層を省略した電界効果トランジスタの平面図である。 埋め込み層の形成位置の変形例を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る電界効果トランジスタの平面図である。 本発明の実施の形態3に係る電界効果トランジスタの断面図である。 本発明の実施の形態4に係る電界効果トランジスタの断面図である。 本発明の実施の形態5に係る電界効果トランジスタの平面図である。 本発明の実施の形態6に係る電界効果トランジスタの断面図である。 本発明の実施の形態7に係る電界効果トランジスタの断面図である。
本発明の実施の形態に係る電界効果トランジスタについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る電界効果トランジスタの断面図である。この電界効果トランジスタは、例えばSiC又はSiで形成された基板10を備えている。基板の10の上には格子緩和層12を介してチャネル層14が形成されている。格子緩和層12は基板10とチャネル層14の格子不整合を緩和するためにAlNで形成されている。チャネル層14はGaNで形成されている。チャネル層14の層厚Ycは例えば1μmである。チャネル層14には2次元電子ガス(2DEG)が形成される。
チャネル層14の上には電子供給層16が形成されている。電子供給層16はAlGaNで形成されている。電子供給層16の層厚Yeは例えば20〜30nmである。電子供給層16はショットキーバリアを形成するとともにチャネル層14へ電子を供給する部分である。なお、格子緩和層12、チャネル層14、及び電子供給層16はそれぞれエピ層で形成される。また、チャネル層14と電子供給層16の導電型はn型である。
電子供給層16の上には、ゲート電極18、ソース電極20、及びドレイン電極22が形成されている。ゲート電極18は、ソース電極20とドレイン電極22に挟まれた位置に形成されている。ゲート電極18の幅Xgは例えば0.2〜0.7μmである。ゲート電極18、ソース電極20、及びドレイン電極22を外部に露出させつつ電子供給層16を覆うように保護膜24が形成されている。保護膜24は、例えばSiN又はSiOで形成される。なお、保護膜24の厚さは例えば100nm〜数100nmである。
チャネル層14には埋め込み層30Aと追加埋め込み層30Bが埋め込まれている。埋め込み層30Aと追加埋め込み層30BはAlGaNで形成されている。埋め込み層30Aは、ゲート電極18のドレイン電極22側端部18Aの直下におけるチャネル層14に埋め込まれている。しかも、埋め込み層30Aは、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域14Aより深い場所に埋め込まれている。2次元電子ガス領域14Aはチャネル層14の表面から深さYsまで及ぶ領域である。深さYsは例えば1〜20nmである。埋め込み層30Aの幅Xbは例えば0.1〜2μmであり、高さYbは例えば10nm〜0.5μmである。
追加埋め込み層30Bは、ゲート電極18のソース電極20側端部18Bの直下におけるチャネル層14に埋め込まれている。しかも、追加埋め込み層30Bは、2次元電子ガス領域14Aより深い場所に埋め込まれている。追加埋め込み層30Bのサイズは埋め込み層30Aと同じである。
図2は、図1の電界効果トランジスタの平面図である。説明の便宜上、埋め込み層30Aと追加埋め込み層30Bを示している。ゲート電極18は平面視で直線的に形成されている。埋め込み層30Aと追加埋め込み層30Bはゲート電極18の長手方向に沿うように平面視で直線的に形成されている。
図3は、電子供給層とチャネル層のバンド図である。実線は本発明の実施の形態1に係る電界効果トランジスタのバンド構造を示し、一点鎖線は埋め込み層がない場合のバンド構造を示す。埋め込み層30Aを形成することで、埋め込み層がない場合と比較して、2次元電子ガス領域14Aのポテンシャルが上がる。従って、埋め込み層30Aを形成することで2次元電子ガス領域14Aの電子ガス濃度を低減できる。
このように、埋め込み層30Aによりゲート電極18のドレイン電極22側端部の直下における2次元電子ガス濃度を低下させて、この部分の電界を緩和することができる。同様にして、追加埋め込み層30Bはゲート電極18のソース電極20側端部の直下における2次元電子ガス濃度を低下させて、この部分の電界を緩和する。従って、ゲート電極18のドレイン電極22側端部の直下及びソース電極20側端部の直下に電界が集中して結晶欠陥が生じる問題を解消できるので、電界効果トランジスタを長寿命化できる。
ところで、2次元電子ガス領域14Aに埋め込み層と追加埋め込み層を形成すると、2次元電子ガス領域14Aのポテンシャルが上がり過ぎ、2次元電子ガスの濃度が大きく低下する。この場合電界効果トランジスタの高周波電気特性などの電気特性が悪化する。そこで、本発明の実施の形態1に係る電界効果トランジスタでは、埋め込み層30Aと追加埋め込み層30Bを2次元電子ガス領域14Aより深い場所に埋め込んだ。これにより、2次元電子ガスの濃度が大きく低下することを回避できるので、電気特性の劣化を抑えることができる。
GaN系の材料で形成した実施の形態1に係る電界効果トランジスタでは、例えばドレイン電極‐ソース電極間に60V、ゲート電極‐ソース電極間に−5V、ゲート電極‐ドレイン電極間に65Vの電圧が加わる。ゲート電極‐ドレイン電極間に高電圧を印加する場合ゲート電極のドレイン電極側端部の直下に電界が集中しやすいので、埋め込み層30Aを形成することが有効である。よって、ゲート電極‐ドレイン電極間にある程度の高電圧を印加する電界効果トランジスタであれば埋め込み層30Aを形成することで電界集中の問題を解消できるので、高電界トランジスタの材料はGaN系に限定されない。
特に、バンドギャップが1.42eVであるGaAsをチャネル層に用いた電界効果トランジスタよりも高電圧を印加する電界効果トランジスタにおいて埋め込み層を形成する効果が顕著である。
埋め込み層30Aと追加埋め込み層30Bの材料は2次元電子ガス領域14Aのポテンシャルを上げるものであれば特に限定されない。ところで、電界集中による結晶欠陥が最も発生しやすいのはゲート電極18のドレイン電極22側端部の直下である。従って、追加埋め込み層30Bは省略しても良い。図4は、追加埋め込み層を省略した電界効果トランジスタの平面図である。
図5は、埋め込み層の形成位置の変形例を示す図である。埋め込み層30Cはゲート電極18のドレイン電極22側端部18Aの直下よりもドレイン電極22側に形成されている。追加埋め込み層30Dはゲート電極18のソース電極20側端部18Bの直下よりもソース電極20側に形成されている。埋め込み層30Aと比較すると埋め込み層30Cは、端部18A直下の2次元電子ガス領域のポテンシャルを上げる効果が低い。追加埋め込み層30Dも同様である。従って埋め込み層30Cと埋め込み層30Dは、端部18A直下と端部18B直下においてごく僅かな電界緩和を実現したい場合に有用である。なお、これらの変形は、以下の実施の形態に係る電界効果トランジスタについても適用できる。
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図6は、本発明の実施の形態2に係る電界効果トランジスタの平面図である。埋め込み層30Eは、平面視でゲート電極18に沿って断続的に形成されている。追加埋め込み層30Fも同様である。
本発明の実施の形態2に係る電界効果トランジスタによれば、島状に形成された埋め込み層30E及び追加埋め込み層30Fの大きさを変更することで、容易に2次元電子ガス領域のポテンシャルを調整できる。
実施の形態3.
本発明の実施の形態3に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図7は、本発明の実施の形態3に係る電界効果トランジスタの断面図である。チャネル層14には、いわゆる活性領域の全面に渡って埋め込み層30Gが埋め込まれている。
本発明の実施の形態3に係る電界効果トランジスタによれば、2次元電子ガス領域全体のポテンシャルを上げることができる。
実施の形態4.
本発明の実施の形態4に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図8は、本発明の実施の形態4に係る電界効果トランジスタの断面図である。埋め込み層30Hと追加埋め込み層30Jは断面視で三角形となるように形成されている。埋め込み層30Hは、この三角形の各辺の延長方向がゲート電極18のドレイン電極22側端部に向かないように形成されている。追加埋め込み層30Jは、各辺の延長方向がゲート電極18のソース電極20側端部に向かないように形成されている。
このように、埋め込み層30Hと追加埋め込み層30Jの形状を逆三角形状で形成することで、これらを基点とした転位が端部18A、18Bの直下領域へ及ぶことを防止できる。なお、図8では転位を破線で示した。
実施の形態5.
本発明の実施の形態5に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図9は、本発明の実施の形態5に係る電界効果トランジスタの平面図である。埋め込み層30Kと追加埋め込み層30Lは、平面視でゲート電極18の中央部から端部に向かうほど幅が減少するように形成されている。つまり、平面視で直線的に形成された埋め込み層30Kと追加埋め込み層30Lは、中央部で最も幅が広くなり、端部に向かうほど幅が狭くなっている。
電界効果トランジスタの平面視での中央部分は放熱が難しく温度が高くなりやすい。従って、電界効果トランジスタの中央部と外周部の2次元電子ガス濃度を同程度とすると、中央部の方が先に劣化しやすい。そこで、埋め込み層30Kと追加埋め込み層30Lを平面視でゲート電極18の中央部から端部に向かうほど幅が減少するように形成することで、当該中央部分の2次元電子ガス濃度を低下させた。よって当該中央部分での温度上昇による劣化を抑制することができる。
埋め込み層30Kと追加埋め込み層30Lの形状は図9の形状に限定されない。つまり、電界効果トランジスタの熱分布が面内で均一となるように埋め込み層と追加埋め込み層の幅を調整することが好ましい。
実施の形態6.
本発明の実施の形態6に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図10は、本発明の実施の形態6に係る電界効果トランジスタの断面図である。埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nは結晶欠陥で形成されている。つまり、埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nはそれらの周辺よりも結晶欠陥密度が高い。
保護膜24と電子供給層16越しにチャネル層14へイオンビームを入射させ、イオンが停止する位置が埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nになる。従って、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域より深い場所に埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nが形成されるように、イオンの加速エネルギーを調整する。
Arイオンをチャネル層14に入射させて埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nを形成する場合、シミュレーション結果によると、数10〜数100keV程度のイオンの加速エネルギーとすることが好ましいことが分かった。なお、チャネル層14へ入射させるイオンは例えばAr、Kr、Fe、Br、Xe、Eu、B等から選択する。
埋め込み層30Mと追加埋め込み層30Nのピンニング効果により2次元電子ガス領域のポテンシャルを上げることで2次元電子ガス濃度を低下させることができる。
実施の形態7.
本発明の実施の形態7に係る電界効果トランジスタは、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図11は、本発明の実施の形態7に係る電界効果トランジスタの断面図である。ゲート電極200の下面が曲面で形成されている。埋め込み層と追加埋め込み層は形成されていない。
ゲート電極の角(端部)が電子供給層16にあたるとこの端部直下に電界が集中する問題があった。本発明の実施の形態7に係る電界効果トランジスタは、ゲート電極200の下面を曲面にしたのでゲート電極200の端部直下における電界集中を緩和することができる。なお、ここまでの各実施の形態に係る電界効果トランジスタの特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。
10 基板、 12 格子緩和層、 14 チャネル層、 14A 2次元電子ガス領域、 16 電子供給層、 18 ゲート電極、 18A ドレイン電極側端部、 18B ソース電極側端部、 20 ソース電極、 22 ドレイン電極、 24 保護層、 30A,30C,30E,30H,30K,30M 埋め込み層、 30B,30D,30F,30J,30L,30N 追加埋め込み層、 200 ゲート電極

Claims (8)

  1. 2次元電子ガスが形成されるチャネル層と、
    前記チャネル層の上に形成された電子供給層と、
    前記電子供給層の上に形成されたソース電極と、
    前記電子供給層の上に形成されたドレイン電極と、
    前記電子供給層の上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれた位置に形成されたゲート電極と、
    前記ゲート電極の前記ドレイン電極側端部の直下における前記チャネル層の、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域より深い場所に埋め込まれた埋め込み層と、を備え、
    前記埋め込み層は、前記埋め込み層がない場合と比較して、前記2次元電子ガス領域のポテンシャルを上げる材料で形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
  2. 前記電子供給層はAlGaNで形成され、
    前記チャネル層はGaNで形成され、
    前記埋め込み層はAlGaNで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
  3. 前記ゲート電極の前記ソース電極側端部の直下における前記チャネル層の、2次元電子ガスが形成される2次元電子ガス領域より深い場所に埋め込まれた追加埋め込み層を備え、
    前記追加埋め込み層は、前記追加埋め込み層がない場合と比較して、前記2次元電子ガス領域のポテンシャルを上げる材料で形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の電界効果トランジスタ。
  4. 前記ゲート電極は平面視で直線的に形成され、
    前記埋め込み層は、平面視で前記ゲート電極に沿って断続的に形成されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
  5. 前記埋め込み層は断面視で三角形となるように形成され、
    前記埋め込み層は、前記三角形の各辺の延長方向が前記ゲート電極の前記ドレイン電極側端部に向かないように形成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
  6. 前記ゲート電極は平面視で直線的に形成され、
    前記埋め込み層は、平面視で前記ゲート電極の中央部から端部に向かうほど幅が減少することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電界効果トランジスタ。
  7. 前記埋め込み層は結晶欠陥で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
  8. 2次元電子ガスが形成されるチャネル層と、
    前記チャネル層の上に形成された電子供給層と、
    前記電子供給層の上に形成されたソース電極と、
    前記電子供給層の上に形成されたドレイン電極と、
    前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記電子供給層の上に形成された、下面が曲面で形成されたゲート電極と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
JP2013092624A 2013-04-25 2013-04-25 電界効果トランジスタ Active JP6111821B2 (ja)

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