JP6152626B2 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents

パワーモジュール用基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6152626B2
JP6152626B2 JP2012082570A JP2012082570A JP6152626B2 JP 6152626 B2 JP6152626 B2 JP 6152626B2 JP 2012082570 A JP2012082570 A JP 2012082570A JP 2012082570 A JP2012082570 A JP 2012082570A JP 6152626 B2 JP6152626 B2 JP 6152626B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit layer
etching
brazing
power module
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012082570A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013214541A (ja
Inventor
寛 登本
寛 登本
慎介 青木
慎介 青木
長瀬 敏之
敏之 長瀬
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱マテリアル株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Priority to JP2012082570A priority Critical patent/JP6152626B2/ja
Publication of JP2013214541A publication Critical patent/JP2013214541A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6152626B2 publication Critical patent/JP6152626B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Description

本発明は、大電流、大電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板の製造方法に関する。

従来のパワーモジュールとして、セラミックス基板の一方の面に、回路層となるアルミニウム等の金属層が積層され、この回路層の上に半導体チップ等の電子部品がはんだ付けされるとともに、セラミックス基板の他方の面に放熱層となる金属層が形成され、この金属層にヒートシンクが接合された構成のものが知られている。

この種のパワーモジュールに用いられるパワーモジュール用基板においては、はんだ濡れ性を向上させて、電子部品との接合性を高めるために、回路層の表面にニッケルメッキが施されたものが知られている。
例えば、特許文献1から特許文献3記載のパワーモジュール用基板においては、金属層の表面に無電解ニッケルメッキ又は電解ニッケルメッキを施している。また、特許文献4記載のパワーモジュール用基板では、回路層となるアルミニウム金属層上に、そのアルミニウム金属層と密着性の高い無電解ニッケルメッキを施し、その上にさらに電解ニッケルメッキを重ねてメッキ層を形成している。

特開平5‐243421号公報 特開2004‐207445号公報 特開2004‐250762号公報 特開2010‐50415号公報

ところで、このようにして回路層にニッケルメッキを施したパワーモジュール用基板では、その上面に搭載される電子部品のはんだ付けを行い、その後、回路層と電子部品とを電子的に接続するワイヤボンディングを行っている。
しかしながら、回路層へのボンディングワイヤの接合部において、ニッケルメッキ膜が母材から剥がれるという不具合が生じており、その対策が望まれていた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ボンディングワイヤが接続されるニッケルメッキ膜の剥がれを防止することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。

セラミックス基板に回路層又は放熱層となる金属層を積層状態に接合する場合、セラミックス基板にろう材を介して金属層を積層した積層体と耐熱シートとをその厚さ方向に交互に積み重ね、これらを加圧しながら加熱することにより、セラミックス基板と金属層とをろう付けすることが行われている。この耐熱シートにはカーボン板が用いられているが、本発明者は、鋭意研究の結果、セラミックス板に金属層をろう付けする際に、セラミックス板と金属層との間から染み出たろう材が、金属層の表面に重ねられたカーボン板の一部と接触することにより、そのカーボンの一部が脱落してろう材とともに金属層の表面に付着していることを突き止めた。この金属層の表面に付着したカーボン及びろう材を除去できれば、ニッケルメッキ膜の剥がれを防止することができる。このような知見のもと、本発明は以下の解決手段とした。

本発明は、セラミックス基板の表面にろう材を介在させて回路層をろう付け接合し、ろう付け接合後の前記回路層上にニッケルメッキ膜を形成するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板に前記ろう材を介在させて積層した前記回路層にカーボン板を重ねて、これらを加圧した状態で加熱することにより、前記セラミックス基板に前記回路層をろう付け接合するろう付け工程と、ろう付け接合後に前記回路層表面をエッチング処理する第1エッチング処理工程と、該第1エッチング処理工程後の前記回路層表面にブラスト処理を施すブラスト処理工程と、ブラスト処理後の前記回路層表面を再度エッチング処理する第2エッチング処理工程と、該第2エッチング処理工程後の回路層上にニッケルメッキ膜を形成するメッキ形成工程とを有し、前記第2エッチング処理工程において、前記回路層表面を0.8μm以上除去することを特徴とする。

回路層の表面にニッケルメッキ膜を形成する場合には、回路層とニッケルメッキ膜との密着性を向上させるために、回路層の表面にブラスト処理が施されている。しかし、回路層の表面にカーボン及びろう材が付着した状態でブラスト処理を行うと、カーボン及びろう材が叩きこまれることにより回路層表面に押し込まれ、その後のエッチング処理によっても回路層表面上にカーボンが除去しきれずに残り、ニッケルメッキ膜の剥がれを誘発することがある。
そこで、ブラスト処理前に、エッチング処理を行う第1エッチング処理工程を設け、回路層表面からカーボン等を除去した後にブラスト処理を行うことで、カーボン等が回路層の表面に入り込む現象を回避することができる。そして、再度行われるエッチング処理は(第2エッチング処理工程)、ブラスト処理に使用した投射材の除去を目的としており、回路層表面の凹凸を残して回路層とニッケルメッキ膜との密着性を向上させることができる。
また、この製造方法によれば、回路層表面のカーボン量を2.0at%以下、シリコン量を0.5at%以下とするパワーモジュール用基板を製造することができる。これにより、回路層とニッケルメッキ膜との密着性を向上させることができ、パワーモジュール用基板のニッケルメッキ膜の剥がれを防止することができる。

本発明によれば、回路層表面のカーボン量及びシリコン量を低減化することにより、回路層の表面上に付着したカーボンを確実に除去することができるので、回路層とニッケルメッキ膜との密着性を向上させてニッケルメッキ膜の剥がれを防止することができる。

本発明の実施形態の製造方法が適用されるパワーモジュールの全体構成を示す縦断面図である。 本発明のパワーモジュール用基板の製造に用いられる加圧装置を示す概略側面図である。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、この発明により製造されるパワーモジュール用基板3を適用したパワーモジュール1を示している。この図1のパワーモジュール1は、セラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成される。
パワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2の一方の面に回路層6が接合されており、その表面に電子部品4が接合される。また、他方の面に放熱層7が接合されており、その表面にヒートシンク5が取り付けられる。

セラミックス基板2は、例えば、AlN(窒化アルミニウム)、Si(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl(アルミナ)等の酸化物系セラミックスやSiC(炭化珪素)等の炭化物系セラミックスにより形成される。
回路層6及び放熱層7は、いずれも純度99.90質量%以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では、1N90(純度99.90質量%以上:いわゆる3Nアルミニウム)又は1N99(純度99.99質量%以上:いわゆる4Nアルミニウム)を用いることができる。なお、回路層6及び放熱層7には、アルミニウムの他、アルミニウム合金、銅又は銅合金を用いることもできる。
また、回路層6には、その表面にはんだの濡れ性を向上させるために、ニッケルメッキ処理によってニッケルメッキ膜9が形成されている。

回路層6及び放熱層7とセラミックス基板2とは、ろう付けにより接合されている。ろう材としては、Al‐Si系、Al‐Ge系、Al‐Cu系、Al‐Mg系またはAl‐Mn系等の合金が使用される。
なお、回路層6と電子部品4との接合には、Sn‐Cu系、Sn‐Ag‐Cu系,Zn‐Al系もしくはPb‐Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と回路層6の端子部との間は、アルミニウム等からなるワイヤ及びリボンボンディング等により接続されるが、図1のパワーモジュール1では、ボンディングワイヤ15により接続されている。

また、ヒートシンク5は、平板状のもの、熱間鍛造等によって多数のピン状フィンを一体に形成したもの、押出成形によって相互に平行な帯状フィンを一体に形成したもの等、適宜の形状のものを採用することができる。また、ヒートシンク5と放熱層7との間に、さらにアルミニウム、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの金属板で形成された放熱板若しくは応力緩衝層を設けることもできる。
放熱層7とヒートシンク5との間の接合法としては、Al‐Si系、Al‐Ge系、Al‐Cu系、Al‐Mg系またはAl‐Mn系等の合金のろう材によるろう付け法や、Al‐Si系のろう材にフラックスを用いたノコロックろう付け法、放熱層7およびヒートシンク5にNiめっきを施し、Sn‐Ag‐Cu系、Zn‐AlもしくはPb‐Sn系等のはんだ材によりはんだ付けする方法が用いられ、あるいは、シリコングリースによって密着させた状態でねじによって機械的に固定される。

そして、このような構成のパワーモジュール用基板3の製造に際しては、まず、セラミックス基板2の各面にろう材を介して回路層6及び放熱層7を積層した積層体30を、図2に示すように、耐熱シート40を介して積み重ねた状態とする。
耐熱シート40としては、耐熱性を有するカーボン板又グラファイト板、あるいはこれらの積層板を用いることができる。図2に示す例では、耐熱シート40として、2枚のカーボン板の間にグラファイト板を挟んだ構成のものを用いている。そして、これら積層体30と耐熱シート40とを積み重ねたものを、加圧装置100に設置する。

この加圧装置100は、ベース板111と、このベース板111の上面の四隅に垂直に取り付けられたガイドポスト112と、これらガイドポスト112の上端部に固定された固定板113と、ベース板111と固定板113との間で上下移動自在にガイドポスト112に支持された押圧板114と、固定板113と押圧板114との間に設けられて押圧板114を下方に付勢するばね等の付勢手段115とを備えている。
そして、固定板113及び押圧板114との間に、積層体30と耐熱シート40とを積み重ねたものが配置される。なお、積層体30の両面に、加圧を均一にするために耐熱シート40が配設される。

この加圧装置100により、積層体30を加圧した状態で、加圧装置100ごと不図示の加熱炉内に設置し、真空雰囲気中で例えば630℃のろう付け温度に加熱し、ろう材を溶融させることによって回路層6及び放熱層7とセラミックス基板2とをろう付け接合する(ろう付け工程)。
そして、ろう付け接合後に、例えば50℃、2質量%NaOH溶液に浸すことにより、回路層6の表面をエッチング処理する(第1エッチンング処理工程)。この第1エッチング処理工程は、回路層6を形成するアルミニウム材料とともにカーボン及びろう材等の付着物をエッチングして、回路層6の表面から、カーボン及びろう材を除去するものである。
次に、回路層6の表面に投射材(SiCの微粒子)を投射することによりブラスト処理を施し、回路層6の表面を算術平均粗さ(Ra)を0.1μm以上0.7μm以下に仕上げる(ブラスト処理工程)。

そして、ブラスト処理後の回路層6の表面を、例えば20℃(RT)、50%HNO溶液に浸して再度エッチング処理する(第2エッチング処理工程)。この第2エッチング処理工程は、ブラスト処理に使用した投射材の除去を目的とするものであり、回路層6の表面を中和洗浄するとともに、その表面に強制的に酸化膜を形成するものである。そして、第2エッチング処理工程において、回路層6表面を少なくとも0.8μm以上エッチング除去することによって、回路層6表面のカーボン量を2.0at%以下、シリコン量を0.5at%以下となるように形成することができる。
最後に、この回路層6の表面に無電解めっきによりニッケルメッキ膜9を形成して(めっき形成工程)、パワーモジュール用基板3とする。
このようにして製造したパワーモジュール用基板3には、その回路層6の上面に電子部品4がはんだ付けされるとともに、放熱層7がヒートシンク5にはんだ付けされる。そして、電子部品4と回路層6との間がボンディワイヤ15で接続され、パワーモジュール1が完成する。

以上の一連の製造工程において、ブラスト処理前に、エッチング処理を行う第1エッチング処理工程を設け、回路層6の表面からカーボン及びろう材を除去した後にブラスト処理を行うことで、カーボン及びシリコンが回路層6の表面に入り込む現象を回避することができる。この場合、第2エッチング処理工程後における回路層6表面のカーボン量を2.0at%以下、シリコン量を0.5at%以下となるように処理することで、回路層6とニッケルメッキ膜9との密着性を向上させることができ、ニッケルメッキ膜9の剥がれを防止できる。

次に、本発明の効果確認のために、セラミックス基板の両面にそれぞれ回路層及び放熱層をろう付け接合した後に、回路層に第1エッチング処理工程、ブラスト処理工程、第2エッチング処理工程を実施したものに、無電解めっきにより4μm〜7μmのニッケルメッキ膜を形成した実施例1〜4及び比較例の試験片を製作し、これらの「メッキ密着性」をそれぞれ評価した。なお、従来例は、セラミックス基板の両面にそれぞれ回路層及び放熱層をろう付け接合した後に、回路層に第1エッチング処理工程、ブラスト処理工程を実施したものに、無電解めっきにより4μm〜7μmのニッケルメッキ膜を形成して作製した。

回路層及び放熱層には、JIS規格における1N99(純度99.99質量%以上:いわゆる4Nアルミニウム)、セラミックス基板にはAlNを用いた。また、第1エッチング処理工程は、50℃、2質量%NaOH溶液に浸すことにより行い、試験片ごとに浸漬時間を変更して行った。
また、ブラスト処理工程は、第1エッチング処理工程後の全ての試験片について同じ条件で行い、SiC(炭化珪素)の投射材を回路層表面に投射することにより行った。ブラスト処理条件を以下に示す。
(ブラスト処理条件)
投射材:SiC、平均粒径30±2μm(昭和電工株式会社製のデンシックC#400J)
投射速度:加工圧力として0.15MPa〜0.20MPa
ブラスト処理後の回路層の表面粗さ:≦0.7μm

そして、第2エッチング処理工程は、表1記載のとおり、エッチング深さを変化させた以外は同じ条件で行い、20℃(RT)、50質量%HNO溶液に20sec間浸すことにより行った。
表1に示す「カーボン量」及び「シリコン量」は、各試験片の回路層6の表面のニッケルメッキ膜9を硝酸(HNO)で溶解して、回路層6表面をX線光電子分光装置(XPS)により測定したものである。

X線光電子分光には、アルバック・ファイ社製のX線光電子分光装置を用い、測定条件は以下に示すとおりとした。
(測定条件)
X線源:Standard AlKα 350W
パスエネルギー:187.85eV(Survey)、23.5eV(Depth)
測定間隔:0.8eV/step、0.05eV(Depth)
測定面に対する光電子取出角:45deg
分光エリア:約800μmφ

そして、このようにして製作したそれぞれの試験片について、98%水素ガス雰囲気に360℃、1分間さらす加速試験を行った後に、「メッキ密着性」を評価した。
「メッキ密着性」は、基盤目付着試験(一辺1mmの10×10の升目状の切り目をカッターナイフで膜につけ、18mm幅の粘着テープを貼り付けて剥がしたとき、剥がれずに残った升目の数で表す)で評価した。粘着テープで升目が剥がされることなく、残った升目の数が100であったものを「○」、残った升目の数が99以下で、升目の1つでも剥がれが発生したものを「×」として評価した。

表1からわかるように、カーボン量が2.0at%以下、シリコン量が0.5at%以下とした実施例1〜4では、メッキ密着性が良くなった。
また、第2エッチング量が0.5μmとした比較例では、カーボン量が2.0at%超、及びシリコン量が0.5at%超となり、メッキ密着性が劣化した。さらに、第2エッチング処理を施さなかった従来例でも、カーボン量が2.0at%超、及びシリコン量が0.5at%超となり、メッキ密着性が劣化した。
このことから、回路層表面のカーボン量が2.0at%以下、シリコン量が0.5at%以下となると、ニッケルメッキ膜の剥がれを防止することができることがわかった。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

1 パワーモジュール
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,7 金属層
8 はんだ接合層
9 ニッケルメッキ膜
15 ボンディングワイヤ
30 積層体
40 耐熱シート
100 加圧装置
111 ベース板
112 ガイドポスト
113 固定板
114 押圧板
115 付勢手段

Claims (1)

  1. セラミックス基板の表面にろう材を介在させて回路層をろう付け接合し、ろう付け接合後の前記回路層上にニッケルメッキ膜を形成するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板に前記ろう材を介在させて積層した前記回路層にカーボン板を重ねて、これらを加圧した状態で加熱することにより、前記セラミックス基板に前記回路層をろう付け接合するろう付け工程と、ろう付け接合後に前記回路層表面をエッチング処理する第1エッチング処理工程と、該第1エッチング処理工程後の前記回路層表面にブラスト処理を施すブラスト処理工程と、ブラスト処理後の前記回路層表面を再度エッチング処理する第2エッチング処理工程と、該第2エッチング処理工程後の回路層上にニッケルメッキ膜を形成するメッキ形成工程とを有し、前記第2エッチング処理工程において、前記回路層表面を0.8μm以上除去することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
JP2012082570A 2012-03-30 2012-03-30 パワーモジュール用基板の製造方法 Active JP6152626B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012082570A JP6152626B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 パワーモジュール用基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012082570A JP6152626B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 パワーモジュール用基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013214541A JP2013214541A (ja) 2013-10-17
JP6152626B2 true JP6152626B2 (ja) 2017-06-28

Family

ID=49587707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012082570A Active JP6152626B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 パワーモジュール用基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6152626B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6273971B2 (ja) * 2014-03-31 2018-02-07 三菱マテリアル株式会社 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法
JP6390481B2 (ja) * 2015-03-19 2018-09-19 三菱マテリアル株式会社 めっき付きパワーモジュール用基板の製造方法
JP6477386B2 (ja) * 2015-09-18 2019-03-06 三菱マテリアル株式会社 めっき付パワーモジュール用基板の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2953163B2 (ja) * 1991-12-06 1999-09-27 三菱マテリアル株式会社 半導体装置実装用基板の製造方法
JPH1065294A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Toshiba Corp セラミックス配線基板およびその製造方法
JP2002359453A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Ngk Insulators Ltd 回路基板及びその製造方法
JP4750325B2 (ja) * 2001-08-09 2011-08-17 電気化学工業株式会社 回路基板の部分メッキ方法
JP4710798B2 (ja) * 2006-11-01 2011-06-29 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP5245989B2 (ja) * 2009-03-31 2013-07-24 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013214541A (ja) 2013-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6307832B2 (ja) パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
JP5434701B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール
JP5686606B2 (ja) フィン一体型基板の製造方法およびフィン一体型基板
JP2014099596A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
WO2014142310A1 (ja) 接合体、パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板
WO2013094213A1 (ja) セラミックス銅回路基板とそれを用いた半導体装置
US9837363B2 (en) Power-module substrate unit and power module
US9807865B2 (en) Substrate for power modules, substrate with heat sink for power modules, and power module
JP3935037B2 (ja) アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法
KR101690820B1 (ko) 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
JP4241397B2 (ja) 回路基板の製造方法
KR20140147090A (ko) 파워 모듈용 기판, 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
KR20110059519A (ko) Led 칩의 다이-본딩 방법과 이에 의해 제조된 led
US9306142B2 (en) High heat-radiant optical device substrate and manufacturing method thereof
WO2014148420A1 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
JP2004115337A (ja) アルミニウム−セラミックス接合体
JP4629016B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
TWI601465B (zh) A method of manufacturing a power module substrate
EP3057125B1 (en) Substrate for heat sink-equipped power module, and production method for same
JP6359455B2 (ja) 半導体回路基板およびそれを用いた半導体装置並びに半導体回路基板の製造方法
US20150055302A1 (en) Power module substrate with heatsink, power module substrate with cooler and power module
WO2013008865A1 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
TWI527119B (zh) 用於高功率密度晶片之金屬熱接合物
JP5991102B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
WO2003046981A1 (en) Module structure and module comprising it

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150602

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160315

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160913

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161102

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170216

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170502

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170515

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6152626

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150