JP6149568B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
複数のチャンバを備える成膜装置を用いて、前記複数のチャンバのうち第1チャンバで第1の厚さの第1の膜を半導体ウエハに第1基板温度、第1圧力、および第1電力で形成する第1工程と、
前記第1の膜を形成した前記半導体ウエハを前記複数のチャンバのうち第2チャンバへ真空雰囲気で搬送し、前記第2チャンバ内において前記第1基板温度、前記第1圧力、および前記第1電力で、前記第1の膜の上に前記第1の膜と同じ材料からなる第2の厚さの第2の膜を形成する工程と、
を備え、
前記成膜装置がスパッタ装置であり、
前記第1の膜および前記第2の膜が、スパッタ膜であり、
前記半導体ウエハに前記第1の膜を成膜した後に前記第1チャンバ内に不活性ガスを導入することで、又は前記半導体ウエハに前記第2の膜を成膜した後に前記第2チャンバ内に不活性ガスを導入することで、前記第1チャンバ内の部品および前記第2チャンバ内の部品の少なくとも一方と前記半導体ウエハとを冷却することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。図1(a)は、実施の形態1で用いられるスパッタ装置SPの各チャンバC1、C2、C3、CMを示す図である。図2は、実施の形態1にかかる製造法の流れを示すチャート図である。
図2および図3は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の製造装置の構成を説明するための図である。図2および図3は、図示しないチャンバ内にセットされた半導体ウエハ3の端部と、その端部に沿って設けられて半導体ウエハ3を固定するためのクランプリング1の断面図である。図2の断面図と図3の断面図は、後述するように、クランプリング1の周方向位置が異なる2つの断面をそれぞれ示している。
図5および図6は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の製造装置の構成を説明するための図である。図5には、クランプリング51の円周方向の途中で切断した断面を示す断面図が示されている。接触部7が半導体ウエハ3上に成膜するときに端部から離れており半導体ウエハへの成膜後に端部を押圧するように、可動部を操作する。実施の形態3と実施の形態2との間で共通する構成については、共通の符号を用いて説明を簡略化ないしは省略する。
図11は、本発明の実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。スパッタ装置のチャンバ内で半導体ウエハに成膜を行った後に、チャンバ内にガスを導入することでチャンバ内を冷却するものである。本実施の形態で使用する成膜装置、具体的にはスパッタ装置は、既存の装置を用いても良いし、上述した実施の形態2または3にかかる装置を用いても良い。スパッタ装置は、内部にクランプリング、ターゲットおよびヒータを備えている。
Claims (4)
- 複数のチャンバを備える成膜装置を用いて、前記複数のチャンバのうち第1チャンバで第1の厚さの第1の膜を半導体ウエハに第1基板温度、第1圧力、および第1電力で形成する第1工程と、
前記第1の膜を形成した前記半導体ウエハを前記複数のチャンバのうち第2チャンバへ真空雰囲気で搬送し、前記第2チャンバ内において前記第1基板温度、前記第1圧力、および前記第1電力で、前記第1の膜の上に前記第1の膜と同じ材料からなる第2の厚さの第2の膜を形成する工程と、
を備え、
前記成膜装置がスパッタ装置であり、
前記第1の膜および前記第2の膜が、スパッタ膜であり、
前記半導体ウエハに前記第1の膜を成膜した後に前記第1チャンバ内に不活性ガスを導入することで、又は前記半導体ウエハに前記第2の膜を成膜した後に前記第2チャンバ内に不活性ガスを導入することで、前記第1チャンバ内の部品および前記第2チャンバ内の部品の少なくとも一方と前記半導体ウエハとを冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハの温度が低下するように前記真空雰囲気で前記半導体ウエハを搬送することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の厚さと前記第2の厚さが等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数のチャンバが第3チャンバを含み、前記第2の膜を形成した前記半導体ウエハを前記第3チャンバへ真空雰囲気で搬送し、前記第3チャンバ内において前記第1基板温度、前記第1圧力、および前記第1電力で前記第2の膜の上に前記第1の膜および前記第2の膜と同じ材料からなる第3の厚さの第3の膜を形成する工程を、
さらに備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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