JP6147520B2 - メモリシステム及びそれの書込み方法 - Google Patents
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Description
tunnel junction)構造の断面を概略的に示す。図1A乃至図1Dを参照すれば、MTJ10は基準層12、トンネル層14、及び自由層16を含む。基準層12と自由層16とは強磁性体層で形成し、反面トンネル層14は非磁性層で形成され得る。基準層12の磁化方向は製造工程で固定され、そのためSTT−RAMメモリ装置の動作の時には固定される。しかし、自由層16の磁化方向はMTJ構造へ流れる電流の大きさが要求される強さに到達すれば、変わられる。
各書込みサイクルは同一のメモリ位置のヒドン読出しサイクルの後に進行され得る。その
図17Bは本発明の実施形態による図17Aのテーブルと関連された応答信号を有する非同期式書込み動作を概略的に示すタイミング図である。
図20Bは書込み確認回路1855の概略図である。図20Bを参照すれば、書込み検証及び再書込み動作が説明される。書込み動作の間にメモリアレタイル(MAT)地域のメモリセルは対応するワードライン(WL)及びビットライン(BL)を活性化して選択される。データは選択したメモリセルに記録される。書込み制御回路はローカル書込みが必要である書込みパルス幅(tWP)、例えば、5nsの後に活性信号(ENW)を非活性化する。
102・・・メモリアレイ
110・・・ローデコーダー
120・・・カラムデコーダー
130・・・アドレス回路
140・・・制御ロジック
150・・・感知及び書込みドライバー
160・・・ヒドン読出し比較セクション
170・・・書込みエラーアドレスタッグメモリ
180・・・データ入力出力セクション
134・・・プリデコーダー
182・・・入力バッファデータ−インラッチ
184・・・データ−アウトラッチ出力バッファ
190・・・スマートメモリコントローラ
191・・・メモリコントローラ
195・・・NVMメモリ
Claims (15)
- 少なくとも1つのアレイを有するメモリと、
メモリプロセッサーと、
読出し及び書込み動作の成功或いは失敗の検証を提供するために前記少なくとも1つのアレイ及び前記メモリプロセッサーの間に非同期ハンドシェーキングインターフェイスを提供するように具現された共通メモリバスと、
エラーを禁止するメモリ位置に関連された前記メモリプロセッサーからアドレス情報を受信するように具現された不揮発性エラーリテンションメモリと、を含み、
前記メモリプロセッサーは前記不揮発性エラーリテンションメモリに格納されたアドレスのメモリ位置で少なくとも1つのエラー訂正を処理するように具現され、
前記不揮発性エラーリテンションメモリは、前記エラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報に連関されたエラー種類を格納する
ことを特徴とするスマートメモリシステム。 - 少なくとも1つの読出し信号或いは書込み信号を受信するように具現された制御ロジックと、
メモリアドレスを受信するように具現されたアドレスラインと、をさらに含み、
前記制御ロジックは前記メモリアドレスに応答して応答信号の論理状態の第1変異を惹起するように具現される請求項1に記載のスマートメモリシステム。 - 前記制御ロジックは前記メモリアドレスで成功した読出し動作或いは成功した書込み動作に応答して前記応答信号の前記論理状態の第2変異を惹起するように具現される請求項2に記載のスマートメモリシステム。
- 前記応答信号の前記論理状態の前記第1変異はハイ状態でロー状態でありと、
前記応答信号の前記論理状態の前記第2変異はロー状態でハイ状態である請求項3に記載のスマートメモリシステム。 - エラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報を臨時的に格納するように具現された書込みエラーアドレスタッグバッファをさらに含み、
前記不揮発性エラーリテンションメモリは前記メモリプロセッサーの制御下で前記共通メモリバスを通じて前記書込みエラーアドレスタッグバッファからエラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報を受信するように具現される請求項2に記載のスマートメモリシステム。 - 前記不揮発性エラーリテンションメモリはエラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報をテーブルに蓄積及び格納するように具現される請求項5に記載のスマートメモリシステム。
- 前記不揮発性エラーリテンションメモリはエラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報に連関されたエラー種類を蓄積するように具現される請求項6に記載のスマートメモリシステム。
- 前記メモリプロセッサーは前記不揮発性エラーリテンションメモリに格納された前記テーブルからフェイル位置をリコールするように、そして前記不揮発性エラーリテンションメモリに格納された連関されたエラー種類に基づいて治癒動作を遂行するように具現される請求項7に記載のスマートメモリシステム。
- メモリシステムのメモリアレイにデータを書き込む方法において、
入力バッファデータ−インラッチに第1データをラッチする段階と、
アドレスバッファ及びラッチにメモリアドレスをラッチする段階と、
プリデコーダーに前記ラッチされたメモリアドレスをパスする段階と、
前記プリデコーダーによってロー及びカラムデコーダーのための入力バスを駆動する段階と、
前記ロー及びカラムデコーダーによって前記メモリアドレスに対応する前記メモリアレイでワードライン及びカラムを選択する段階と、
前記メモリアドレスに対応する位置で前記メモリアレイに前記第1データを書き込む段階と、
前記メモリアドレスに対応する前記位置から第2データを読み出すために同一のメモリアドレスでヒドン読出し動作を遂行する段階と、
前記入力バッファデータ−インラッチに格納された前記第1データと前記メモリアドレスに対応する前記位置から読み出された前記第2データを比較する段階と、を含み、
不揮発性エラーリテンションメモリは、エラーを禁止するメモリ位置に関連されたアドレス情報に連関されたエラー種類を格納する
ことを特徴とする書込み方法。 - 前記ヒドン読出し動作は分離読出し命令無しで前記書込み動作の一部として前記メモリアドレスに対応する前記位置から前記第2データを自動的に読み出す段階を含む請求項9に記載の書込み方法。
- 前記第1データが前記第2データと同一である時、次の動作に進行され、
前記第1データが前記第2データと同一でない時、前記メモリアドレスに連関されたメモリ位置がエラーを禁止することを指示するエラーフラッグを設定する段階をさらに含む請求項9に記載の書込み方法。 - 前記第1データが前記第2データと同一でない時、前記メモリアドレスを前記アドレスバッファ及びラッチから書込みエラーアドレスタッグバッファへ伝送する段階と、
前記メモリアドレスを前記書込みエラーアドレスタッグバッファに格納する段階と、をさらに含む請求項11に記載の書込み方法。 - 前記不揮発性エラーリテンションメモリによって、前記エラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記メモリアドレスを前記書込みエラーアドレスタッグバッファから受信する段階と、
前記不揮発性エラーリテンションメモリによって、前記エラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記メモリアドレスに連関されたフェイル位置を格納する段階と、
前記不揮発性エラーリテンションメモリによって、前記エラーに連関されたエラー種類を格納して蓄積する段階と、をさらに含む請求項12に記載の書込み方法。 - 前記不揮発性エラーリテンションメモリの、エラーを禁止する前記メモリ位置に関連された前記アドレス情報を格納したテーブル、から前記フェイル位置をリコールする段階と、
前記不揮発性エラーリテンションメモリに格納された前記連関されたエラー種類に基づいて治癒動作を遂行する段階と、をさらに含む請求項13に記載の書込み方法。 - 前記第1データが前記第2データと同一でない時、前記第2データを反転する段階と、
前記メモリアドレスに対応する前記位置で前記メモリアレイに前記反転された第2データを書き込む段階と、をさらに含む請求項11に記載の書込み方法。
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US9286225B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-03-15 | Saratoga Speed, Inc. | Flash-based storage system including reconfigurable circuitry |
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US9116702B2 (en) * | 2013-11-21 | 2015-08-25 | International Business Machines Corporation | Computer memory power management |
US9454422B2 (en) * | 2014-01-30 | 2016-09-27 | International Business Machines Corporation | Error feedback and logging with memory on-chip error checking and correcting (ECC) |
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US9672180B1 (en) | 2014-08-06 | 2017-06-06 | Sanmina Corporation | Cache memory management system and method |
US20160044520A1 (en) * | 2014-08-11 | 2016-02-11 | Verizon Patent And Licensing Inc. | Mobile automation test platform |
US9384147B1 (en) | 2014-08-13 | 2016-07-05 | Saratoga Speed, Inc. | System and method for cache entry aging |
US9715428B1 (en) | 2014-09-24 | 2017-07-25 | Sanmina Corporation | System and method for cache data recovery |
US9632867B2 (en) * | 2014-12-08 | 2017-04-25 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array |
US9959939B2 (en) * | 2014-12-23 | 2018-05-01 | Intel Corporation | Granular cache repair |
US10020031B2 (en) * | 2015-05-21 | 2018-07-10 | Arm Limited | Location-based optimization for memory systems |
US10147500B2 (en) | 2015-05-22 | 2018-12-04 | SK Hynix Inc. | Hybrid read disturb count management |
CN105159598B (zh) * | 2015-06-30 | 2018-11-20 | 广州市邦沃电子科技有限公司 | 一种在任意设备上读取使用总时间的方法 |
US20170082687A1 (en) * | 2015-09-23 | 2017-03-23 | Roland W. Klinger | De-bugging environment with smart card |
US10361945B2 (en) | 2015-10-08 | 2019-07-23 | Fluke Corporation | System and method to reconcile cabling test results with cabling test configurations |
US10367713B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-07-30 | Fluke Corporation | Cloud based system and method for managing testing configurations for cable test devices |
US10303536B2 (en) * | 2015-10-28 | 2019-05-28 | Via Technologies, Inc. | Non-volatile memory device and control method thereof |
US10901939B2 (en) * | 2015-10-30 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Computer architecture with resistive processing units |
US10062451B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Background memory test apparatus and methods |
US10082955B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-09-25 | International Business Machines Corporation | Automated home memory cloud with key authenticator |
US9928924B2 (en) * | 2015-12-15 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | Systems, methods, and computer programs for resolving dram defects |
US10097443B2 (en) * | 2015-12-16 | 2018-10-09 | Fluke Corporation | System and method for secure communications between a computer test tool and a cloud-based server |
US9916195B2 (en) * | 2016-01-12 | 2018-03-13 | International Business Machines Corporation | Performing a repair operation in arrays |
KR102529171B1 (ko) | 2016-02-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 진단 시스템 |
US9767878B1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant Ltd. | Semiconductor memory device and method for controlling the same |
CN107341129B (zh) * | 2016-04-29 | 2021-06-29 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 细胞阵列计算系统及其测试方法 |
US11119910B2 (en) * | 2016-09-27 | 2021-09-14 | Spin Memory, Inc. | Heuristics for selecting subsegments for entry in and entry out operations in an error cache system with coarse and fine grain segments |
US10283212B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-05-07 | International Business Machines Corporation | Built-in self-test for embedded spin-transfer torque magnetic random access memory |
JP2018156978A (ja) | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置のスクリーニング方法、そのスクリーニング装置及び磁気記憶装置の製造方法 |
US10691573B2 (en) * | 2017-04-20 | 2020-06-23 | The Boeing Company | Bus data monitor |
US10467174B2 (en) | 2017-04-20 | 2019-11-05 | The Boeing Company | System and method of monitoring data traffic on a MIL-STD-1553 data bus |
US10685125B2 (en) | 2017-04-20 | 2020-06-16 | The Boeing Company | Multiple security level monitor for monitoring a plurality of MIL-STD-1553 buses with multiple independent levels of security |
US10592370B2 (en) * | 2017-04-28 | 2020-03-17 | Advantest Corporation | User control of automated test features with software application programming interface (API) |
KR102277728B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2021-07-14 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 시스템, 데이터 저장 시스템의 데이터 저장 방법, 및 솔리드 스테이트 드라이브의 제조 방법 |
JP2019050070A (ja) | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20190046491A (ko) * | 2017-10-26 | 2019-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리, 반도체 메모리를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 반도체 메모리의 동작 방법 |
US11373726B2 (en) * | 2019-04-03 | 2022-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Management of multiple memory in-field self-repair options |
US10937495B2 (en) * | 2019-07-02 | 2021-03-02 | Winbond Electronics Corp. | Resistive memory apparatus and method for writing data thereof |
KR20210034726A (ko) * | 2019-09-20 | 2021-03-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템 |
CN110908599B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-02-02 | 珠海博雅科技有限公司 | 数据的写入方法与写入系统 |
WO2022094776A1 (en) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | Alibaba Group Holding Limited | Error detection, prediction and handling techniques for system-in-package memory architectures |
US11621963B2 (en) * | 2021-05-27 | 2023-04-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Fleet health management corrective action communication exchange |
US11520661B1 (en) | 2021-07-12 | 2022-12-06 | Apple Inc. | Scheduling of data refresh in a memory based on decoding latencies |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273300A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Ricoh Co Ltd | 冗長メモリ付き記憶装置 |
JPH01283654A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nec Corp | エラー検出装置 |
JP2853555B2 (ja) * | 1994-03-10 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 記憶制御装置 |
US5644704A (en) * | 1994-11-30 | 1997-07-01 | International Game Technology | Method and apparatus for verifying the contents of a storage device |
US5682472A (en) * | 1995-03-17 | 1997-10-28 | Aehr Test Systems | Method and system for testing memory programming devices |
JP3145946B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2001-03-12 | 静岡日本電気株式会社 | リモート検査方式 |
US6026503A (en) * | 1997-08-12 | 2000-02-15 | Telrad Communication And Electronic Industries Ltd. | Device and method for debugging systems controlled by microprocessors |
US6138249A (en) | 1997-12-11 | 2000-10-24 | Emc Corporation | Method and apparatus for monitoring computer systems during manufacturing, testing and in the field |
US6480972B1 (en) * | 1999-02-24 | 2002-11-12 | International Business Machines Corporation | Data processing system and method for permitting a server to remotely perform diagnostics on a malfunctioning client computer system |
US6584589B1 (en) | 2000-02-04 | 2003-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-testing of magneto-resistive memory arrays |
US6754866B1 (en) | 2001-09-28 | 2004-06-22 | Inapac Technology, Inc. | Testing of integrated circuit devices |
US6904389B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Remote computer testing |
US6760865B2 (en) | 2001-05-16 | 2004-07-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiple level built-in self-test controller and method therefor |
US6657914B1 (en) | 2001-07-19 | 2003-12-02 | Inapac Technology, Inc. | Configurable addressing for multiple chips in a package |
US7365557B1 (en) | 2001-09-28 | 2008-04-29 | Inapac Technology, Inc. | Integrated circuit testing module including data generator |
JP4080227B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2008-04-23 | 株式会社日立製作所 | データ検証方法およびディスクアレイ装置 |
JP2004054630A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Pc Depot Corp | 端末点検装置、端末点検方法、及びプログラム |
US7433890B2 (en) * | 2002-09-10 | 2008-10-07 | Thermo Fisher Scientific Inc. | Method and apparatus for storing and retrieving data stored within an associated piece of equipment |
US6694204B1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-02-17 | Gsle Development Corporation | Method and apparatus for accessing and executing internal diagnostic tests stored on a piece of equipment |
JP4129381B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-08-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7466160B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-12-16 | Inapac Technology, Inc. | Shared memory bus architecture for system with processor and memory units |
US7673193B1 (en) | 2005-08-18 | 2010-03-02 | Rambus Inc. | Processor-memory unit for use in system-in-package and system-in-module devices |
JP4795936B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2011-10-19 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 分散された命令解読及び一般化された命令プロトコルを有するメモリ内蔵自己診断(bist)アーキテクチャ |
JP3866701B2 (ja) | 2003-08-25 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 |
US20050257095A1 (en) * | 2004-04-21 | 2005-11-17 | Gateway, Inc. | Apparatus and method for detecting and indicating faults on a motherboard |
US7139204B1 (en) * | 2004-06-07 | 2006-11-21 | Virage Logic Corporation | Method and system for testing a dual-port memory at speed in a stressed environment |
US7248986B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-07-24 | Avo Multi-Amp Corporation | Programmable system for device testing and control |
WO2006001260A1 (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 機能管理装置 |
FR2879781B1 (fr) * | 2004-12-20 | 2009-08-28 | Oberthur Card Syst Sa | Procede et dispositif de remplissage de securisation d'une memoire et memoire associee |
US7356744B2 (en) * | 2005-05-12 | 2008-04-08 | Pc-Doctor, Inc. | Method and system for optimizing testing of memory stores |
US7779311B2 (en) | 2005-10-24 | 2010-08-17 | Rambus Inc. | Testing and recovery in a multilayer device |
JP2009514088A (ja) * | 2005-11-01 | 2009-04-02 | サンディスク アイエル リミテッド | フラッシュメモリをテストするための方法、システム、および、コンピュータで読み取り可能なコード |
JP2007334813A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Nec Electronics Corp | メモリ制御回路及びデータ書き換え方法 |
US7466603B2 (en) | 2006-10-03 | 2008-12-16 | Inapac Technology, Inc. | Memory accessing circuit system |
KR101373793B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2014-03-13 | 마벨 월드 트레이드 리미티드 | 플래시 메모리 제어 인터페이스 |
US7664993B2 (en) | 2007-02-27 | 2010-02-16 | Microsoft Corporation | Automation of testing in remote sessions |
JP4349532B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2009-10-21 | エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 | メモリ制御装置、メモリ制御方法、情報処理システム、そのプログラム及び記憶媒体 |
JP2008269669A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びデータ処理システム |
US7971124B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-06-28 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for distinguishing single bit errors in memory modules |
US7818638B2 (en) | 2007-06-15 | 2010-10-19 | Micron Technology, Inc. | Systems and devices including memory with built-in self test and methods of making and using the same |
ATE488084T1 (de) * | 2007-07-25 | 2010-11-15 | Nxp Bv | Verfahren, server und mobilkommunikationsvorrichtung zur verwaltung eindeutiger speichervorrichtungsidentifikationen |
WO2009032446A1 (en) * | 2007-08-01 | 2009-03-12 | Devicevm, Inc. | Diagnostic virtual appliance |
US7768847B2 (en) | 2008-04-09 | 2010-08-03 | Rambus Inc. | Programmable memory repair scheme |
US20090271066A1 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-29 | Underdal Olav M | Diagnostic data mining |
CA2749799C (en) * | 2009-01-15 | 2018-05-29 | Electronic Warfare Associates, Inc. | Systems and methods of implementing remote boundary scan features |
US8208326B1 (en) * | 2009-06-09 | 2012-06-26 | Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. | Method and apparatus for memory test |
JP2011008850A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Sony Corp | メモリ及び情報処理方法 |
US8456926B2 (en) * | 2010-11-18 | 2013-06-04 | Grandis, Inc. | Memory write error correction circuit |
US8474039B2 (en) * | 2010-01-27 | 2013-06-25 | Mcafee, Inc. | System and method for proactive detection and repair of malware memory infection via a remote memory reputation system |
US8607107B2 (en) * | 2010-04-20 | 2013-12-10 | Mentor Graphics Corporation | Test access mechanism for diagnosis based on partitioining scan chains |
-
2012
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-
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