JP6143673B2 - アルカリ不含及びハロゲン不含の金属リン酸塩を含むオプトエレクトロニク半導体デバイス - Google Patents
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Description
DE-A 10 11 8630およびDE-A 10 15 9544には、ガラス部品を備えたLEDが開示されている。US-A 5965469には、接着剤として用いられるリン酸塩ガラスが開示されている。
本発明の課題は、例えば請求項1の上位概念に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、特に温度及び天候に対し耐性のある接着手段又はコンポーネントを提供することにある。
1.金属リン酸塩を含むコンポーネントが設けられており、光源とケーシングと電気端子とを備えたオプトエレクトロニクス半導体素子において、前記金属リン酸塩は実質的にアルカリ不含でありハロゲン不含であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
2.金属リン酸塩は、最大で1モル%のアルカリ金属酸化物とハロゲン含有成分を含む、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
3.前記金属リン酸塩は主成分としてリン酸塩を含む、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
4.前記金属リン酸塩は5〜75モル%のP2O5を含み、例えば5〜25モル%のAl2O3またはY2O3を含む、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
5.前記金属リン酸塩に、0.5〜10モル%までのバナジウムV、テルルTe及び/又はビスマスBiがそれぞれ添加されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
6.前記金属リン酸塩に、屈折率を高める無機成分、及び/又は充填剤として用いられる無機成分、及び/又は光学フィルタとして作用する無機成分、及び/又は反射を行う無機成分、及び/又は反射防止を行う無機成分、及び/又は放射を吸収する無機成分が添加されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
7.前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは、半導体素子の2つの部品を結合する手段として用いられる接着剤である、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
8.前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは変換素子のためのマトリックスである、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
9.前記金属リン酸塩を含むコンポーネントはケーシング部材またはレンズである、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
10.前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは蛍光体粒子のための保護層である、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
11.前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは、変換素子のコーティングまたは変換素子のコーティングのマトリックスである、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
図1には、基板2を備えたLED1が略示されている。基板2上にチップ3が載置されている。チップ3は、天井壁5と側壁6を備えたガラスカバー4により、スペースを隔てて取り囲まれている。側壁には、例えば換気スリットが形成されている。側壁6と基板2との間の接続は接着レーン10を介して行われ、この接着レーン10は、有利にはアルカリ不含かつハロゲン不含の金属リン酸塩によって製造されている。
−変換素子例えばセラミック変換素子及び/又はガラス中の蛍光体を基板に取り付けるための無機接着剤。この場合、金属リン酸塩は有利には非晶質であり、紫外線UVから可視領域VISに至るまで良好な透過性を有する。
−レンズをケーシングに取り付けるための無機接着剤。
−ガラスカバーをセラミック基板に取り付けるための無機接着剤。
−変換素子の無機マトリックス、この中に蛍光体が埋め込まれているか、またはこれを介して蛍光体粒子が相互に結合されている。これは例えばチップ上にじかに設けられているか、リモート蛍光体コンセプトに従い構成されている。この場合に有利であるのは、金属リン酸塩をUV−VISにおいて良好な透過性を有する非晶質とすることである。
−蛍光体粒子における無機保護層。このようにして蛍光体粒子を不活性化することができ、別のマトリックスに埋め込むことができる。この場合に有利であるのは、金属リン酸塩をUV−VISにおいて良好な透過性を有する非晶質とすることである。
−反射性素子。例えば、もっと高価な二酸化チタンを全体的または部分的に置き換える反射性の素子。この場合に有利であるのは、金属リン酸塩をUV−VISにおいて良好な透過性を有する結晶質とすることである。
−レンズ。この場合に有利であるのは、金属リン酸塩をUV−VISにおいて良好な透過性を有する非晶質とすることである。
−基板/ケーシング。この場合、充填材料を伴う金属リン酸塩が有利である。ただしここでは金属リン酸塩は、セラミック粒子またはガラス粒子を接着するためのみに用いることができる。
−変換素子を周囲の影響から保護するための変換素子のカバー層。この場合に有利であるのは、金属リン酸塩をUV−VISにおいて良好な透過性を有する非晶質とすることであり、あるいは部分結晶質とし、付加的な散乱作用つまりは均質化作用をもたせることである。後者は、気泡または散乱粒子によっても達成することができる。
−機能的なコーティング例えば変換素子の上に位置する反射防止膜(非鏡面化)。この場合、付加的にナノ粒子を添加することもできるし、あるいは所期のように微小多孔性を生じさせてもよい。
金属リン酸塩の水溶液例えばリン酸モノアルミニウムAl(H2PO4) x・nH2O(例えばBundenheimのFFB716水溶液)を、薄膜としてチップの上に塗布し、湿った層の上に変換素子を配置する。その際にこの塗布は、一般的なコーティング法によって行い、例えばディップコーティング、スピンコーティング、スクリーン印刷、タンポン印刷、ブレード塗布、吹き付け塗布などの手法によって行う。ついで低い温度(<150℃)で乾燥を行い、必要に応じて周囲圧力を減少させて、及び/又は重量を加えて、乾燥を行う。焼成すなわち凝縮は、150〜800℃の温度範囲にあり、有利には200〜400℃の温度範囲にある。250℃を超えると、三リン酸塩(AlH2P3O10)が発生し、500℃もしくは600℃を超えると、長鎖および環状のポリリン酸アルミニウムが発生する。
実施例1による金属リン酸塩の水溶液中に、粉末状の蛍光体例えばYAG:Ceを懸濁させ、チップの上に層として塗布する。ついで低い温度(<150℃)で乾燥を行い、その際、必要に応じて周囲圧力も下げる。実施例1に従い焼成を行う。
実施例1による金属リン酸塩の水溶液中に、蛍光体例えばYAG:Ceを粉末状で懸濁させ、低温(<150℃)で、必要に応じて周囲圧力も低下させて、乾燥を行う。場合によってはこれを行う前に、湿潤に作用させる目的で、あるいは凝集形成を阻止する目的で、蛍光体粉末に対し表面活性化物質が加えられる。ついで固体の物体が粉砕され、粉末化される。その後、蛍光体が金属リン酸塩から成る薄い保護層によって取り囲まれる。変換素子を製造するため蛍光体粒子が、金属リン酸塩から成る既述の周囲の保護層とともに、別のマトリックスたとえばシリコーンまたはガラスに埋め込まれる。
LED基板における反射性素子の二酸化チタンを、DE 10 2007 031 960 A1に記載されたアルミニウムオルトリン酸塩二水和物と完全にまたは部分的に置き換える(製造プロセス及び用途)。
水溶性であり有利には濃縮された実施例1による金属リン酸塩の溶液を、例えば金属、グラファイトまたはプラスチックから成る型に注入し、あるいは代案として、場合によっては注型された変換素子にじかに注入する。後者の場合、濡れ角によって凸形状が生じる。ついで低温(<150℃)で、必要に応じて周囲圧力も低下させて、乾燥を行う。実施例1に従い焼成を行う。鋳型からの取り出しは、中庸な焼成温度になった後ですでに行うことができ、その後、鋳型のない状態においていっそう高温で焼成を行うことができる。場合によっては、引き続き後処理を行うこともできる。
実施例1による金属リン酸塩の水溶液中に、酸化物充填剤例えばガラス、セラミックまたは金属酸化物を粉末状で懸濁させ、適切な型に注入する。ついで低温(<150℃)で、必要に応じて周囲圧力も低下させて、乾燥が行われる。実施例1に従い焼成が行われる。
実施例1による金属リン酸塩の水溶液を変換素子に薄く被覆し、低温(<150℃)で、必要に応じて周囲圧力も低下させて、乾燥を行う。実施例1に従い焼成を行う。
実施例7と同様。この場合、有利には乾燥及び凝縮を行って、層の中に細かい気泡が生じるようにする。それらの気泡によって屈折率が低減され、このことで反射防止作用を生じさせる。択一的に、ナノ粒子を添加することもできる。
Claims (4)
- 光源と、ケーシングと、電気端子と、蛍光体を備えた変換素子と、金属リン酸塩を含むコンポーネントとを備えたオプトエレクトロニクス半導体素子において、
前記金属リン酸塩は、最大で1モル%のアルカリ金属酸化物とハロゲン含有成分を含み、
前記金属リン酸塩は、三リン酸塩、メタリン酸塩、ポリリン酸塩、又は、ウルトラリン酸塩を含み、かつ非晶質の形態であり、
前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは変換素子のためのマトリックスであり、または、
前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは蛍光体粒子のための保護層であり、または、
前記金属リン酸塩を含むコンポーネントは、変換素子のコーティングまたは変換素子のコーティングのマトリックスであることを特徴とする、
オプトエレクトロニクス素子。 - 前記金属リン酸塩は5〜25モル%のAl2O3またはY2O3を含む、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記金属リン酸塩に、0.5〜10モル%までのバナジウムV、テルルTe及び/又はビスマスBiがそれぞれ添加されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記金属リン酸塩に、屈折率を高める無機成分、及び/又は充填剤として用いられる無機成分、及び/又は光学フィルタとして作用する無機成分、及び/又は反射を行う無機成分、及び/又は反射防止を行う無機成分、及び/又は放射を吸収する無機成分が添加されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。
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