JP6139777B2 - 残像除去装置、ディスプレイ及び残像除去方法 - Google Patents

Description

本発明はディスプレイ分野に関し、具体的には、残像除去装置、ディスプレイ及び残像除去方法に関する。

現在、狭額縁を実現するために、ビデオグラフィックスアレイ（Ｈａｌｆ−ｓｉｚｅ Ｖｉｄｅｏ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙ、ＨＶＧＡ）製品は、一般的に、二層配線設計を用いている。図１に示すように、Ｇ１、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ７、Ｇ９等のゲート信号線はゲート金属層を用いて伝送するものであり、Ｇ２、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ８等のゲート信号線はソース・ドレイン金属層を用いて伝送するものであるが、二層配線時に、二層の金属間の抵抗の差異が大きいとともに、成膜の均一性の差異等の原因の影響によって、二層金属において、ゲート層とソース・ドレイン層とは、ゲート信号のディレイの差異が大きく、特に、集積回路から離れるパネルの後端では、このゲート信号のディレイは、フィードスルー電圧ΔＶｐを影響し、画素電圧を異なるように影響し、グレースケール画面に明暗が交互である残像が生じてしまう。現在は、この問題に対して、パネル端で工程変更をしているが、変更の検証周期が長いと共に、工程変更によって上述した問題が厳しくなる可能性もある。

これに鑑み、本発明の主な目的は、パネル端で工程変更をする必要がなく、残像除去に必要な時間を短くするとともに、ゲート信号及びその下降時間が制御可能であるため、残像除去の効果を制御することができ、活用性が優れる残像除去装置、ディスプレイ及び残像除去方法を提供する。

本開示される実施形態によれば、変調されていないゲートターンオン電圧を受信するとともに、イネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力するマルチレベルゲート回路と、前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記マルチレベルゲート回路が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、且つ、異なる層のゲートラインにおける各層のゲートラインに、前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力するゲート駆動モジュールと、を備える残像除去装置を提供する。

１つの例示では、前記ゲート駆動モジュールは、複数のサブスイッチモジュールを有するスイッチモジュールと、複数のサブゲート信号生成モジュールを有するゲート信号生成モジュールと、を備え、前記異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに対しては、前記複数のサブスイッチモジュールにおいて、それに対応するサブスイッチモジュールが１つあり、且つ複数のゲート信号生成モジュールにおいて、それに対応するサブゲート信号生成モジュールが１つあり、その中に、各サブスイッチモジュールは、前記変調されたゲートターンオン電圧及び前記変調されていないゲートターンオン電圧の１つを選択して出力するものであり、各サブゲート信号生成モジュールは、対応するサブスイッチモジュールに接続され、対応するサブスイッチモジュールが選択して出力するゲートターンオン電圧を、前記異なる層にあるゲートラインにおける対応する層のゲートラインに出力するものである。

本発明実施形態によれば、上記のような残像除去装置を備えるディスプレイをさらに提供する。

本発明の実施形態によれば、マルチレベルゲート回路が変調されていないゲートターンオン電圧を受信すると共に、イネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力する工程と、ゲート駆動モジュールが前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記マルチレベルゲート回路が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、且つ、異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに、前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力する工程と、を備える残像除去方法をさらに提供する。

本発明の実施形態に係る残像除去装置、ディスプレイ及び消除残像方法は、パネル端で工程変更をする必要がなく、残像除去に必要な時間が短いとともに、ゲート信号及びその下降時間が制御可能であるため、残像除去効果を制御することができ、活用性が優れる。

本発明の実施形態においてデュアル駆動を用いるゲート信号の出力概略図である。 本発明に係る残像除去装置の概略図である。 本発明の実施形態に係るマルチレベルゲート（Ｍｕｌｔｉ−ｌｅｖｅｌ Ｇａｔｅ、ＭＬＧ）回路構造図を示す図である。 本発明の実施形態に係る残像除去装置の概略図である。 本発明の実施形態においてゲート信号のディレイ変調により生じる波形を示す概略図である。 従来技術のゲート信号の出力波形及び本発明の実施形態のゲート信号の出力波形を示す概略図である。 従来技術のゲート信号の出力波形及び本発明の実施形態のゲート信号の出力波形を示す概略図である。 従来技術のゲート信号の出力波形及び本発明の実施形態のゲート信号の出力波形を示す概略図である。 本発明の実施形態に係る残像除去のフローチャートである。 本発明の他の実施形態に係る残像除去の波形概略図である。 本発明の実施形態に係る残像除去のフローチャートの概略図である。

以下、本発明の実施形態の図面を組み合わせて、本発明の実施形態の技術案を明確で完全に説明する。下記の実施形態は、当然ながら、ただ本発明の実施形態の一部であり、全ての実施形態ではない。本発明の実施形態に基づき、当業者が創造的な労働をしない前提で得られる全ての他の実施形態は、いずれも本発明の保護範囲に入る。

本発明の実施形態は、二層配線によってグレーレベル画面に明暗が交互になる残像問題を解決するために、図２に示すように、イネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力するマルチレベルゲート（ＭＬＧ）回路１と、変調されていないゲートターンオン電圧及び前記ＭＬＧ回路１が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、異なる層にあるゲートラインに供給するゲート駆動モジュール２と、を備える残像除去装置を提供する。

図２に示すように、前記ゲート駆動モジュール２は、スイッチモジュール２１及びゲート信号生成モジュール２２を備える。

前記スイッチモジュール２１は、複数のサブスイッチモジュールを備え、各サブスイッチモジュールは、マルチレベルゲート回路の出力端から前記マルチレベルゲート回路により変調されたゲートターンオン電圧を受信するとともに、変調されていないゲートターンオン電圧を受信し、且つ、前記マルチレベルゲート回路１により変調されたゲートターンオン電圧又は変調されないゲートターンオン電圧を選択して出力する。

前記ゲート信号生成モジュール２２は、複数のサブゲート信号生成モジュールを備え、各サブゲート信号生成モジュールは、前記スイッチモジュール２１において対応するサブスイッチモジュールに接続され、前記複数のサブゲート信号生成モジュールは、対応するサブスイッチモジュールが選択して出力するゲートターンオン電圧を、異なる層にあるゲートラインに供給する。

前記異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに対しては、前記複数のサブスイッチモジュールにおいて、それに対応するサブスイッチモジュールが１つあり、複数のサブゲート信号生成モジュールにおいて、それに対応するサブゲート信号生成モジュールが１つある。

本発明の実施形態に係る残像除去装置は、ゲート信号変調を採用して、異なる層に印加されるゲート信号の下降時間を変化することができる。即ち、異なる層に印加されるゲート信号の下降時間を制御することによって、異なる層に印加されるゲート信号の出力のディレイが異なるようになり、且つ、このディレイの差異が調整可能である。本発明では、残像除去の問題は、上述した明暗が交互であるストライプに限らず、他の本発明に係る装置により除去される残像であってもよい。

図３に示すように、前記ＭＬＧ回路１は、第１のスイッチトランジスタＱ１、第２のスイッチトランジスタＱ２、第３のスイッチトランジスタＱ３、第４のスイッチトランジスタＱ４、第１の抵抗Ｒ１、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３を備える。

前記第１のスイッチトランジスタＱ１は、ゲート電極がイネーブル信号ＯＥを受信し、ドレイン電極が前記第２のスイッチトランジスタＱ２のゲート電極に接続され、前記第１の抵抗Ｒ１は、電源電圧ＶＤＤと、前記第１のスイッチトランジスタＱ１のドレイン電極との間に直列に接続され、前記第１の抵抗Ｒ１は、Ｑ１が導通される時に、電源が直接に接地することを避けるものである。

前記第２のスイッチトランジスタＱ２は、ドレイン電極が前記第３のスイッチトランジスタＱ３のゲート電極に接続され、前記第３のスイッチトランジスタＱ３は、ドレイン電極が第２のゲートターンオン電圧ＶＯＮ２に接続される。前記第１のスイッチトランジスタは、ソース電極が前記第２のスイッチトランジスタのソース電極及び共通電位端に接続される。

前記第４のスイッチトランジスタＱ４は、ゲート電極が第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１の分圧に接続され、ドレイン電極が第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１に接続され、前記第３のスイッチトランジスタＱ３のソース電極と、前記第４のスイッチトランジスタＱ４のソース電極との接続点をマルチレベルゲート回路１の出力とする。

前記第２の抵抗Ｒ２は、前記第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１と前記第４のスイッチトランジスタＱ４のゲート電極との間に直列に接続され、前記第２の抵抗Ｒ２は、Ｑ４のゲート電極のバイアス電圧を決めて調整するものである。Ｒ２がないと、Ｑ４を遮断することができない。

前記第３の抵抗Ｒ３は、前記第４のスイッチトランジスタＱ４のゲート電極と、前記第２のスイッチトランジスタＱ２のドレイン電極との間に接続される。前記第３の抵抗Ｒ３は、Ｑ４のバイアス電圧をＶＯＮ１より小さくするものである。

その中に、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１は、変調されていないゲートターンオン電圧であり、即ち、通常のゲートターンオン電圧である。第２のゲートターンオン電圧ＶＯＮ２は、前記第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１より小さく、具体的には、ゲート信号の下降時間の要求によってＶＯＮ１とＶＯＮ２との差を設定してもよい。選択的には、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１の入力端および第２のゲートターンオン電圧ＶＯＮ２の入力端と地面との間に、コンデンサーＣを設けて、それによって、騒音低減及びフィルタの作用を果たして、入力電圧における交流信号が回路に与える影響を削除する。例示として、図３には、第１のゲートターンオン電圧の入力端のみに、一つのコンデンサーＣが追加されている。

具体的には、図４に示すように、スイッチモジュール２１は、第１のスイッチＫ１及び第２のスイッチＫ２を有する第１のサブスイッチモジュールと、第３のスイッチＫ３及び第４のスイッチＫ４を有する第２のサブスイッチモジュールと、を備え、前記複数のサブゲート信号生成モジュールは、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１及び第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２を備える。

前記第１のスイッチＫ１は、ＭＬＧ回路の出力端と、前記第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１との間に接続され、前記第２のスイッチＫ２は、変調されていない第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１と、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１との間に接続され、第３のスイッチＫ３は、ＭＬＧ回路の出力端と、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２との間に接続され、第４のスイッチＫ４は、変調されていない第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１と、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２との間に接続される。

その中に、ゲート信号生成モジュール２２は、複数のゲートラインを有し、且つ、前記第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１のゲートライン及び前記第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２のゲートラインは、異なる金属層にある。

図１に示す二層配線方式により、Ｇ１、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ７、Ｇ９等は、ゲート金属層で伝送するゲート信号線を用いて、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１に対応し、Ｇ２、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ８等は、ソース・ドレイン金属層で伝送するゲート信号線を用いて、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２に対応し、異なるサブゲート信号生成モジュールは、異なる金属層に対応する。

図３、図４及び図５を組み合わせてゲート信号の下降時間を変調する方法を説明する。図３に示すＭＬＧ回路１を用いて、イネーブル信号ＯＥによって、異なるゲートターンオン電圧を変調して出力し、これによって、出力されたゲート信号の下降時間を変調することができる。図３において、前記第１のスイッチトランジスタＱ１、第２のスイッチトランジスタＱ２及び前記第３のスイッチトランジスタＱ３は、Ｎ−ｍｏｓトランジスタであり、前記第４のスイッチトランジスタＱ４は、Ｐ−ｍｏｓトランジスタである。

出力されたイネーブル信号ＯＥが高レベルである場合は、第１のスイッチトランジスタＱ１のゲート電極が高レベルであり、第１のスイッチトランジスタＱ１が導通され、そうすると、第２のスイッチトランジスタＱ２のゲート電極が低レベルであり、第２のスイッチトランジスタＱ２が遮断され、そうすると、第２のスイッチトランジスタＱ２のドレイン電極が高レベルであり、第３のスイッチトランジスタはＮ−ｍｏｓトランジスタであり、第３のスイッチトランジスタＱ３のゲート電極は、第２のスイッチトランジスタＱ２のドレイン電極に接続され、且つ第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３を通して第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を受信すし、ＶＯＮ１が第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３を通して第３のスイッチトランジスタＱ３のゲート電極に接続され、且つ、第２のスイッチトランジスタＱ２が遮断されるため、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３に電流が流れない。また、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３の抵抗で電圧降下が生じないため、第３のスイッチトランジスタＱ３のゲート電極の電圧が第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１に等しく、第３のスイッチトランジスタＱ３のドレイン電極は第２のゲートターンオン電圧ＶＯＮ２を受信し、第３のスイッチトランジスタＱ３が導通され、第４のスイッチトランジスタＱ４は、Ｐ−ｍｏｓトランジスタであり、第４のスイッチトランジスタＱ４のゲート電極は、第２の抵抗Ｒ２と第３の抵抗Ｒ３との間に接続され、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３の抵抗で電圧降下が生じないため、第４のスイッチトランジスタＱ４のゲート電極の電圧は第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１に等しく、第４のスイッチトランジスタＱ４のドレイン電極の電圧は第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１であり、第４のスイッチトランジスタＱ４が遮断され、第３のスイッチトランジスタＱ３が導通され、第４のスイッチトランジスタＱ４が遮断されるため、ＭＬＧ回路１がＶＯＮ２を出力する。

ＯＥが低レベルである場合は、第１のスイッチトランジスタＱ１のゲート電極が低レベルであり、第１のスイッチトランジスタＱ１が遮断され、そうすると、第２のスイッチトランジスタＱ２のゲート電極が高レベルであり、第２のスイッチトランジスタＱ２が導通され、第２のスイッチトランジスタＱ２のドレイン電極が低レベルであり、第３のスイッチトランジスタＱ３はＮ−ｍｏｓトランジスタであり、第３のスイッチトランジスタのゲート電極が接地されて低レベルであり、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１が第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ３を通して分圧して接地されと、第３のスイッチトランジスタが遮断され、第４のスイッチトランジスタＱ４がＰ−ｍｏｓトランジスタであり、第４のスイッチトランジスタＱ４のゲート電極の電圧は第２の抵抗Ｒ２及び第３の電圧Ｒ３の分圧により決まられ、第４のスイッチトランジスタが導通され、第３のスイッチトランジスタＱ３が遮断され、第４のスイッチトランジスタＱ４が導通されるため、ＭＬＧ回路１はＶＯＮ１を出力する。

ＭＬＧ回路１によって複数のゲートターンオン電圧の出力を実現することができ、ＶＯＮ２電圧の大きさを選択することでゲートターンオン電圧の下降程度を調整することができ、ＯＥ信号のデューティ比を調整することでゲートターンオン電圧の下降時間を調整することができ、ＯＥが低レベルである場合は、マルチレベルゲート回路の出力がＶＯＮ１であり、ＯＥが高レベルである場合は、マルチレベルゲート回路の出力がＶＯＮ２であり、ＶＯＮ１＞ＶＯＮ２であり、ゲート信号の変調が実現される。

通常に出力されるゲートターンオン電圧ＶＯＮ１と、マルチレベルゲート回路１が出力する、ＯＥに伴って変調されるゲートターンオン電圧と、及びゲート電極オフ信号ＶＯＦＦと、をゲート駆動モジュール２に供給し、且つ、マルチレベルゲート信号を印加するかどうかをスイッチモジュール２１で制御することによって、ゲート信号の変調を実現し、従って、異なる層に印加されるゲート信号の下降時間が短くなり、異なる層に印加されるゲート信号の出力自身がディレイし、その波形は図５に示される。

図４では、第１のスイッチＫ１、第２のスイッチＫ２、第３のスイッチＫ３及び第４のスイッチＫ４からスイッチモジュール２１を構成し、スイッチモジュール２１は、ＭＬＧ回路１の出力端から出力される、ＭＬＧ回路１により変調されたゲートターンオン電圧を受信するとともに、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１をさらに受信し、前記スイッチモジュール２１は、前記ＭＬＧ回路１により変調されたゲートターンオン電圧、又は変調されてない第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を選択して出力することができる。

図４に示すように、ゲート信号生成モジュール２２に含まれる複数のサブゲート信号生成モジュールは、前記スイッチモジュール２１において対応するサブスイッチモジュールにそれぞれ接続され、前記ゲート信号生成モジュールは、スイッチモジュール２１が選択して出力するゲート信号を、異なる層にあるゲートラインに供給することができる。具体的には、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１は、ゲート信号におけるＧ１、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ７、Ｇ９等のゲート信号を生成し、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２は、ゲート信号におけるＧ２、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ８等のゲート信号を生成することができる。第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１及び第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２は、いずれも、前端回路で生成するマルチレベルゲート出力信号、ＶＯＮ１及びＶＯＦＦを受信することができる。

従来の設計では、図６ａに示すように、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成するゲート信号の出力波形は、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成するゲート信号の出力波形と同じである。本発明の実施形態では、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成するゲート信号の出力波形は、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成するゲート信号の出力波形と異なってもよく、図６ｂに示すように、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成するＧ１、Ｇ３等のゲート信号は変調されたが、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成するＧ２、Ｇ４等のゲート信号は不変であり、或いは、図６ｃに示すように、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成するＧ２、Ｇ４等のゲート信号は変調されたが、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成するＧ１、Ｇ３等のゲート信号は不変である。

図４では、第１のスイッチＫ１及び第３のスイッチＫ３を切断し、第２のスイッチＫ２及び第４のスイッチＫ４をオンすると、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１及び第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２は、ともに、ＶＯＮ１及びＶＯＦＦのみを受信する。このとき、Ｇ１〜ＧＮは、いずれも、同じであって変調されていない第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を出力する。

図４では、第２のスイッチＫ２及び第３のスイッチＫ３を切断し、第１のスイッチＫ１及び第４のスイッチＫ４をオンすると、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１は、ＭＬＧ出力信号及びＶＯＦＦを受信し、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２は、ＶＯＮ１及びＶＯＦＦを受信する。このとき、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成するＧ１、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ７、Ｇ９等のゲート信号は変調されたが、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成するＧ２、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ８等のゲート信号は、依然として変調されていない。

同様に、図４では、第１のスイッチＫ１及び第４のスイッチＫ４を切断し、第２のスイッチＫ２及び第３のスイッチＫ３をオンすると、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１が生成する信号は、変調されていない第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１であり、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２が生成する信号は変調される。

実際に応用する場合は、ゲート層及びソース・ドレイン層の後端では、ゲート信号のディレイは不確定的である、ゲート層の後端のゲート信号のディレイは、ソース・ドレイン層の後端のゲート信号のディレイより大きい場合があるし、ゲート層の後端のゲート信号のディレイは、ソース・ドレイン層の後端のゲート信号のディレイより小さい場合もあり、且つ、ディレイの大きさの差異の程度も不確定的である。

どの層の後端のゲート信号のディレイが大きいかを知るために、後端の信号波形を検出する。一般的に、実際に変調する場合は、図７に示す操作のみをすればよい。まず、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１のディレイが第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２のディレイより大きいことを仮定して、ＭＬＧ出力信号を第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２に印加し、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１に印加し、その後、表示時の残像効果を確認し、例えば、残像が厳しくなると、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２のディレイが第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１のディレイより大きいことを確定でき、ＭＬＧ出力信号を第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１に印加し、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２に印加し、その後、表示時の残像効果を確認し、残像が除去されると、ゲート信号の変調を終了し、残像が存在するが以前より軽くなると、これに基づいて、表示効果によってイネーブル信号ＯＥのデューティ比を微細に調整する。ＭＬＧ出力信号を第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２に印加し、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１に印加し、その後、表示時の残像効果を確認し、残像が軽くなると、第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１のディレイは、第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２のディレイより大きいことを確定でき、続いて、ＭＬＧ出力信号を第２のサブゲート信号生成モジュールＧＭ２に印加し、第１のゲートターンオン電圧ＶＯＮ１を第１のサブゲート信号生成モジュールＧＭ１に印加し、且つ、これに基づいて、表示効果によってイネーブル信号ＯＥのデューティを微細に調整する。

変調によって残像を軽くする場合は、チップで最初の出力信号の波形を微細に調整することで、パネル配線による上述したディレイを補償することができる、例えば、ＯＥのデューティ比を変えることで第２のゲートターンオン電圧の幅を調整して、ゲート信号の下降時間を微細に調整し、図８に示すように、ＯＥ信号は、ゲートターンオン電圧における第２のゲートターンオン電圧の幅をｔ１に制御し、ＯＥ’信号は、ゲートターンオン電圧における第２のゲートターンオン電圧の幅をｔ２に制御する。具体的には、必要によって設置すればよく、ゲートターンオン電圧の下降の程度も要求によって設置すればよい。

以上は、二層配線の状況であるが、二層以上の多層配線の状況の場合があれば、具体的な処理方式は、上述した相応の方式の原理に類似するが、区別は、２つ以上のサブゲート信号生成モジュールを用いて２層以上のゲート信号を変調する必要があるところにある。

本発明の実施形態は、マルチレベルゲート回路がイネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力する工程と、ゲート駆動モジュールが変調されていないゲートターンオン電圧及び前記マルチレベルゲート回路が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに、前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力する工程とを備える残像除去方法をさらに提供する。

１つの例示では、各層のゲートラインに対しては、対応するサブスイッチモジュールは、変調されていないゲートターンオン電圧を受信し、マルチレベルゲート回路の出力端から変調されたゲートターンオン電圧を受信し、変調されていないゲートターンオン電圧及び変調されたゲートターンオン電圧の１つを選択し、選択されたゲートターンオン電圧を、対応するサブゲート信号生成モジュールに供給し、そして、該サブゲート信号生成モジュールは、該サブスイッチモジュールから接收されたゲートターンオン電圧を出力する。本発明が解决する技術的課題に具体的に応用する場合は、図９に示すフローのように、配線において異なる層にあるゲート信号を変調し、異なる層のゲート信号の下降時間を変える工程と、異なる層のゲート信号の下降時間を制御し、それによって、異なる層のゲート信号の出力ディレイを除去する工程と、を備える。

本発明の実施形態は、上述した残像除去装置を備えるディスプレイを提供する。前記ディスプレイは、液晶パネル、電子ペーパ、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレートＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション装置等の表示機能を有するいずれの製品又は部材である。

以上のように、本発明の実施形態に係る残像除去装置、ディスプレイ及び残像除去方法は、パネル端で工程変更する必要がなく、残像除去に必要な時間が短く、且つ、ゲート信号及びその下降時間が制御可能であるため、残像除去効果も制御することができ、活用性が優れる。

以上の記述は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するものではない。

１ マルチレベルゲート回路
２ ゲート駆動モジュール
２１ スイッチモジュール
２２ ゲート信号生成モジュール

Claims (9)

1. 残像除去装置であって、
   変調されていないゲートターンオン電圧を受信し、イネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力するマルチレベルゲート回路と、
   前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記マルチレベルゲート回路が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、且つ、異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに、前記変調されてないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力するゲート駆動モジュールと、を備えることを特徴とする残像除去装置。
2. 前記ゲート駆動モジュールは、複数のサブスイッチモジュールを有するスイッチモジュールと、複数のサブゲート信号生成モジュールを有するゲート信号生成モジュールと、を備え、前記異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに対しては、前記複数のサブスイッチモジュールにおいて、それに対応するサブスイッチモジュールが１つあり、複数のサブゲート信号生成モジュールにおいて、それに対応するサブゲート信号生成モジュールが１つあり、
   各サブスイッチモジュールは、前記変調されたゲートターンオン電圧及び前記変調されていないゲートターンオン電圧の１つを選択して出力し、
   各サブゲート信号生成モジュールは、対応するサブスイッチモジュールに接続され、対応するサブスイッチモジュールが選択して出力するゲートターンオン電圧を前記異なる層にあるゲートラインにおいて対応する層のゲートラインに供給することを特徴とする請求項１に記載の残像除去装置。
3. 前記マルチレベルゲート回路は、第１のスイッチトランジスタ、第２のスイッチトランジスタ、第３のスイッチトランジスタ、第４のスイッチトランジスタ、第１の抵抗、第２の抵抗及び第３の抵抗を備え、
   前記第１のスイッチトランジスタは、ゲート電極がイネーブル信号を受信し、ドレイン電極が前記第２のスイッチトランジスタのゲート電極に接続され、
   前記第１の抵抗は、電源電圧と前記第１のスイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に接続され、
   前記第２のスイッチトランジスタのドレイン電極は、前記第３のスイッチトランジスタのゲート電極に接続され、
   前記第３のスイッチトランジスタのドレイン電極は、第２のゲートターンオン電圧に接続され、
   前記第４のスイッチトランジスタは、ドレイン電極が第１のゲートターンオン電圧に接続され、ゲート電極が前記第２の抵抗を介して前記第４のスイッチトランジスタのドレイン電極に接続され、前記第３のスイッチトランジスタのソース電極と前記第４のスイッチトランジスタのソース電極との接続点を前記マルチレベルゲート回路の出力端とし、
   前記第２の抵抗は、前記第１のゲートターンオン電圧と前記第４のスイッチトランジスタのゲート電極との間に直列に接続され、
   前記第３の抵抗は、前記第４のスイッチトランジスタのゲート電極と前記第２のスイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に接続されることを特徴とする請求項２に記載の残像除去装置。
4. 前記第１のスイッチトランジスタ、前記第２のスイッチトランジスタ及び前記第３のスイッチトランジスタは、Ｎ−ｍｏｓトランジスタであり、前記第４のスイッチトランジスタは、Ｐ−ｍｏｓトランジスタであることを特徴とする請求項３に記載の残像除去装置。
5. 前記スイッチモジュールは、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有する第１のサブスイッチモジュールと、第３のスイッチ及び第４のスイッチを有する第２のサブスイッチモジュールと、を備え、前記ゲート信号生成モジュールは、第１のサブゲート信号生成モジュール及び第２のサブゲート信号生成モジュールを備え、
   前記第１のスイッチは、前記マルチレベルゲート回路の出力端と前記第１のサブゲート信号生成モジュールとの間に接続され、
   前記第２のスイッチは、変調されていないゲートターンオン電圧の入力端と前記第１のサブゲート信号生成モジュールとの間に接続され、
   前記第３のスイッチは、前記マルチレベルゲート回路の出力端と前記第２のサブゲート信号生成モジュールとの間に接続され、
   前記第４のスイッチは、変調されていないゲートターンオン電圧の入力端と前記第２のサブゲート信号生成モジュールとの間に接続されることを特徴とする請求項２に記載の残像除去装置。
6. 前記第１のゲート信号生成モジュールのゲートライン及び前記第２のゲート信号生成モジュールのゲートラインは、異なる金属層にあることを特徴とする請求項２に記載の残像除去装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の残像除去装置を備えることを特徴とするディスプレイ。
8. 残像除去方法であって、
   マルチレベルゲート回路は変調されていないゲートターンオン電圧を受信し、イネーブル信号によって、変調されたゲートターンオン電圧を出力する工程と、
   ゲート駆動モジュールは、前記変調されていないゲートターンオン電圧及び前記マルチレベルゲート回路が出力する変調後のゲートターンオン電圧を受信し、且つ、異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに、前記変調されてないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力する工程と、を備えることを特徴とする残像除去方法。
9. 異なる層にあるゲートラインにおいて各層のゲートラインに、前記変調されてないゲートターンオン電圧及び前記変調されたゲートターンオン電圧の１つを出力する工程は、
   異なる層にあるゲートラインにおける各層のゲートラインに対しては、この層のゲートラインに対応するスイッチサブモジュールが、前記変調されたゲートターンオン電圧及び前記変調されていないゲートターンオン電圧の１つを選択し、且つこの層のゲートラインに対応するサブゲート信号生成モジュールが、選択されたゲートターンオン電圧をこの層のゲートラインに供給する工程を備えることを特徴とする請求項８に記載の残像除去方法。

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