CN101354870B - Tft-lcd控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种TFT-LCD控制方法,包括对彩色滤光片基板公共电极施加直流的第一公共电压信号,对阵列基板的公共电极线施加方波交流的第二公共电压信号,第二公共电压信号的上升沿对应于栅极电压信号的下降沿,第二公共电压最高值和最低值的保持时间之和等于栅极电压信号的一个周期,第二公共电压最低值的保持时间在栅极开启电压的保持时间之内。本发明在TFT关断瞬间,通过第二公共电压的电压变化来补偿现有技术存在的反馈电压ΔVP,使像素电压VP上不产生反馈电压ΔVP,消除了画面的闪烁,并消除了残存直流电压,改善了残像不良,并省略了调整公共电压的工艺,提高了产率,避免了因公共电压无法调整等原因造成的产品不良。

Description

TFT-LCD控制方法
技术领域
本发明涉及一种应用于薄膜晶体管液晶显示器上的提供公共电压的方法,特别是涉及一种采用对彩色滤光片基板和阵列基板分别提供公共电压的TFT-LCD控制方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有上下两个基板(panel):彩色滤光片基板(color filter panel,简称CF基板)和阵列基板(array panel,简称array基板),在两基板间充满着液晶材料,该液晶材料具有各项异性的电容值。通过分别对CF基板涂布的透明电极ITO施加公共电压,对array基板的像素(pixel)施加数据电压,在CF基板和Array基板间产生电场,液晶在该电场作用下的发生旋转。通过数据电压的变化,调整该电场强度和方向,来控制液晶材料的扭转及角度,从而可控制该区域光的透过量,最终获得想要的图像。
在TFT-LCD基板上,形成多个平行的栅极线(gate line),以及与栅极线绝缘垂直交叉的数据线(data line),由栅极线和数据线围成的区域称作一个像素(pixel),各像素栅极线和数据线的交叉部分形成了薄膜晶体管TFT。
图1为TFT-LCD单位像素的等效电路图。如图1所示,TFT的栅极g、源极s和漏极d,分别与栅极线GLN、数据线DLM和像素电极PNM连接。像素电极PNM与CF基板上的公共(common)电极COM之间充满了液晶材料,可把其等效地用液晶电容CLC表示。栅极g与漏极d之间形成寄生电容CGD
该TFT-LCD的工作原理为:首先向与栅极线GLN相连接的栅极g施加栅极开启电压VON,从而驱动TFT开启,把显示图像信号的数据电压VD通过数据线DLM施加到源极s,并将该数据电压VD施加到漏极d。那么上述数据电压VD通过像素电极PNM上的电压为VP,并将像素电压VP施加至液晶电容CLC,通过像素电极PNM与CF基板上公共电极COM之间的电压差而产生电场。但是,若连续向液晶材料施加方向不变化的电场,液晶材料会发生劣化,所以在LCD面板中,为了防止液晶材料的劣化,采用反转驱动方法,即把图像信号进行转换,使其相对于公共电极产生正负两个电场,即使显示同一灰度,电场也是在正负不断变化的,在保持透过率不变的前提下液晶分子在这可变电场中扭转方向发生变化,从而延缓了液晶的老化。
理想中,在TFT的开启状态(即对TFT栅极施加栅极开启电压)和关闭状态(即对TFT栅极施加栅极关闭电压),像素电极PNM上的电压VP应保持不变才能保证图像的质量。但从TFT-LCD单位像素的等效电路可知,因为存在栅极g与漏极d之间的寄生电容CGD,当TFT关闭,即栅极信号由VON下降到VOFF时刻,等效电路中电容上的电荷要重新分配。根据电荷守恒定律,可以计算出像素电压VP会有一定程度的降低,称作反馈(Feed Back)电压ΔVP
根据电荷守恒定律,有:
(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM)×CLC=(VP2-VOFF)×CGD+(VP2-VCOM)×CLC
由此推导出公式(1):
ΔVP=VP2-VP1=(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC)                 (1)
其中VP1和VP2分别表示TFT开启和关闭状态下像素电极的电压值,VON和VOFF分别表示栅极的开启电压和关闭电压。从公式(1)可见:
(1)反馈电压ΔVP与数据电压VP的极性无关,总是把数据电压向下拉;
(2)公式(1)中分母的大小与反馈电压ΔVP有很大关系,即公式(1)中的分母越大,反馈电压ΔVP越小;但是液晶电容CLC一般是由液晶材料决定的,为了增大分母值,一般采用增加存储电容CST的方法。
其具体的作法是,在array基板上形成与栅极线GLN平行并数量相同的公共电极线CLN,并给公共电极线CLN输入与CF基板公共电极相同的公共电压(common Voltage)VCOM,在像素电极PNM和公共电极线CLN之间就形成了存储电容CST,它与液晶电容CLC并联,即一端连接像素电极PNM,电压为VP,另一端连接公共电极线CLN,电压为VCOM,从而减少反馈电压ΔVP
图2为实际应用TFT-LCD时单位像素的等效电路图。如图2所示,图2与图1的区别在于,图2增加多条平行于栅极线GLN并与其数量相同的公共电极线CLN,其输入与CF基板透明电极电压VCOM值相同,则在像素电极PNM与公共电极线CLN之间形成了存储电容CST
根据电荷守恒定律,有:
(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM)×(CLC+CST)=(VP2-VOFF)×CGD+(VP2-VCOM)×(CLC+CST)
由此推导出公式(2):
ΔVP=VP2-VP1=(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC+CST)                    (2)
从公式(2)可见,随着存储电容CST的增大,反馈电压ΔVP不断变小,但是存储电容CST并不能消除反馈电压ΔVP
图3为实际应用TFT-LCD时像素电压因反馈电压发生畸变的示意图。如图3所示,细虚线表示数据电压VD,在理想TFT-LCD中,当对TFT栅极施加开启电压VON时,数据电压VD被施加到像素电极PNM,像素电压为VP,在对栅极施加关闭电压VOFF时,像素电压VP应保持不变。但是实际上,如图3粗虚线像素电压VP所示,在栅极电压VG由开启电压下降为关闭电压时,像素电压VP下降了反馈电压ΔVP。其中,ΔVP=VP2-VP1=(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC+CST)
图3中施加到液晶材料的电压实际值,由该像素电压VP与公共电压VCOM之间的区域决定,所以对于以反转驱动方法为驱动方式的液晶显示器,必须调节公共电压VCOM值,使像素电压VP相对于公共电压VCOM保持对称。
由上述分析可知,反馈电压ΔVP的存在会影响TFT-LCD的画面品质,如产生闪烁(flicker)、残像(image sticking)等,并增加了模块(module)制成后调整公共电压Vcom工艺,增加了生产时间。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD控制方法,有效消除现有技术中影响液晶显示器画面品质的反馈电压。
为了实现上述目的,本发明提供了一种TFT-LCD控制方法,包括对彩色滤光片基板公共电极施加直流的第一公共电压信号,对阵列基板的公共电极线施加方波交流的第二公共电压信号,第二公共电压信号的上升沿对应于栅极电压信号的下降沿,所述第二公共电压最高值的保持时间和最低值的保持时间之和等于栅极电压信号的一个周期,第二公共电压最低值的保持时间在栅极开启电压的保持时间之内。
所述第一公共电压信号由PCB电路板的分压电路提供。
所述第二公共电压信号由一电压信号经运算放大器放大调整后提供。具体地,所述第二公共电压信号可以通过运算放大器正向放大提供,也可以通过所述运算放大器反向放大提供,所述第二公共电压信号还可以由开关电路通过开关信号选通第二公共电压的最高值和最低值来提供。
在上述技术方案基础上,所述第二公共电压信号的上升沿对应于栅极电压信号的下降沿具体为:当栅极电压信号由栅极开启电压下降到栅极关闭电压瞬间,所述第二公共电压的电压由最低值上升到最高值。
所述第二公共电压的最高值与最低值之间的差值为:
VCOMH-VCOML=(VON-VOFF)×CGD/CST
其中,VCOM2H为第二公共电压的最高值,VCOM2L为第二公共电压的最低值,VON为栅极开启电压,VOFF为栅极关闭电压,CGD为寄生电容,CST为存储电容。
本发明提出了一种TFT-LCD控制方法,采用对CF基板的公共电极提供直流的第一公共电压VCOM1信号,对阵列基板公共电极线CLN提供方波交流的第二公共电压VCOM2信号,在栅极电压VG由开启状态转变为关闭状态瞬间,即栅极开启电压VON转变成栅极关闭电压VOFF时,通过第二公共电压VCOM2的电压变化,即第二公共电压VCOM2由最低值VCOM2L转变成最高值VCOM2H,由公式:
VCOM2H-VCOM2L=(VON-VOFF)×CGD/CST时,ΔVP=0
即当TFT关断的瞬间,通过第二公共电压的电压变化,来补偿现有技术存在的反馈电压ΔVP,使像素电压VP上没有产生反馈电压ΔVP,消除了画面的闪烁,并消除了残存直流电压,改善了残像不良,并省略了调整公共电压的工艺,提高了产率,避免了因公共电压无法调整等原因造成的产品不良。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为TFT-LCD单位像素的等效电路图;
图2为实际应用TFT-LCD时单位像素的等效电路图;
图3为实际应用TFT-LCD时像素电压因反馈电压发生畸变的示意图;
图4为本发明对彩膜基板和阵列基板分别提供公共电压时单位像素的等效电路图;
图5为本发明第二公共电压信号的波形示意图;
图6为本发明第二公共电压信号发生机理图;
图7、图8为本发明第一实施例示意图;
图9、图10为本发明第二实施例示意图。
附图标记说明:
GL-栅极线;         CL-公共电极线;    DL-数据线;
P-像素电极;        COM-公共电极;     VP-像素电压;
VCOM-公共电压;     VD-数据电压;      ΔVP-反馈电压;
CLC-液晶电容;      CST-存储电容;     CGD-寄生电容;
VON-栅极开启电压    VOFF-栅极关闭电压。
具体实施方式
本发明TFT-LCD控制方法中的TFT-LCD包括CF基板、array基板以及处于CF基板和array基板间的配向层和液晶材料,CF基板具有公共电极、彩色滤光层和黑色遮光层,array基板具有多个平行的栅极线GL、公共电极线CL以及与其绝缘垂直交叉的数据线DL,由各栅极线GL和数据线DL围成若干个像素。各像素栅极线GL和数据线DL的交叉部分形成了薄膜晶体管TFT。
本发明TFT-LCD控制方法具体采用对CF基板的公共电极提供直流的第一公共电压VCOM1信号,对阵列基板公共电极线CL提供方波交流的第二公共电压VCOM2信号,在栅极电压VG关闭瞬间,即栅极开启电压VON转变成栅极关闭电压VOFF时,通过第二公共电压VCOM2的电压变化,即第二公共电压VCOM2由最低值VCOM2L转变成最高值VCOM2H,来补偿现有技术存在的反馈电压ΔVP
图4为本发明对彩膜基板和阵列基板分别提供公共电压时单位像素的等效电路图。如图4所示,由于对CF基板公共电极提供第一公共电压VCOM1,对array基板公共电极线CL提供第二公共电压信号VCOM2,那么液晶材料受像素电极P与CF基板上公共电极形成的电场作用下,其等效液晶电容CLC的一端连接像素电压VP,另一端连接第一公共电压VCOM1。另外,在像素电极P与公共电极线CL之间等效成的存储电容CST,一端连接像素电压VP,另一端连接第二公共电压VCOM2。栅极g与漏极d之间存在寄生电容CGD,源极s与数据线DL连接。
图5为本发明第二公共电压信号的波形示意图。如图5所示,第二公共电压VCOM2信号中,VCOM2H是第二公共电压VCOM2信号的最高值,VCOM2L是第二公共电压VCOM2信号的最低值,二者的值并不是绝对的,但要满足一定的关系,VCOM2H-VCOM2L=(VON-VOFF)×CGD/CST,其中VON为栅极开启电压,VOFF为栅极关闭电压,CGD为寄生电容,CST为存储电容。第二公共电压VCOM2信号的上升沿(即第二公共电压VCOM2信号由最低值VCOM2L上升到最高值VCOM2H)对应于栅极电压VG信号的下降沿(即栅极电压VG信号由栅极开启电压VON下降到栅极关闭电压VOFF)。第二公共电压最高值VCOM2H的保持时间t 2H和第二公共电压最低值VCOM2L的保持时间t 2L之和为栅极电压VG信号的一个周期时间。其中t2L在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
如图5所示,当栅极电压VG信号由栅极开启电压VON下降到栅极关闭电压VOFF瞬间,第二公共电压VCOM2的电压由最低值VCOM2L上升到最高值VCOM2H,图4中等效电路中电容上的电荷要重新分配。根据电荷守恒定律,(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM1)×CLC+(VP1-VCOM2L)×CST=(VP2-VOFF)×CGD++(VP2-VCOM1)×CLC+(VP2-VCOM2H)×CST
由此推导出公式(3):
ΔVP=VP2-VP1=(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC+CST)-
-(VCOMH-VCOML)×CST/(CGD+CLC+CST)            (3)
当ΔVP=0时,由此推导出公式(4):
VCOMH-VCOML=(VON-VOFF)×CGD/CST             (4)
即当第二公共电压VCOM2信号幅值具有上述特征时,像素电压VP保持在图像数据电压VD,不存在反馈电压ΔVP。使数据电压VD的正桢和负桢相对于第一公共电压VCOM1对称,消除了画面的闪烁,并消除了残存直流电压,改善了残像不良。并省略了调整公共电压的工艺,提高了产率,避免了因公共电压无法调整等原因造成的产品不良。
本发明上述技术方案中,所述第一公共电压VCOM1是直流电压,信号由PCB电路板的分压电路提供,与现有技术的公共电压VCOM信号相似,不再赘述。第二公共电压VCOM2是一个方波交流信号,可以通过PCB电路板上的芯片产生的电压信号经由运算放大器放大调整后得到,下面通过具体实施例详细描述第二公共电压信号的生成方法。
第一实施例
图6为本发明第二公共电压信号发生机理图,图7、图8为本发明第一实施例示意图,本实施例中,第二公共电压VCOM2通过运算放大器反向放大而来。
如图6所示,由PCB电路板的芯片(可以采用Tcon进行编程)产生信号V′COM2,其中V′COM2具有如下特征:
(1)信号V′COM2是一个方波交流信号;
(2)最低值V′COM2L的保持时间为t′2L,最高值V′COM2H的保持时间为t′2H,并保证t′2L和t′2H之和为栅极信号的周期;
(3)信号V′COM2的下降沿对应于栅极信号的下降沿;
(4)t′2H的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
第二公共电压VCOM2信号是由上述V′COM2信号通过运算放大器反向放大得来的。如图7所示,OP1为运算放大器,OP1的反向输入端为交流电压V′COM2,OP1的正向端输入为直流电压VPOSITIVE,可由模拟电压AVDD或数字电压DVDD提供,OP1的输出则是第二公共电压VCOM2信号。其中电阻R1~R4用来调节第二公共电压VCOM2信号的幅值和电压值,电容C1和C2起到滤波作用。
根据运算放大器虚短、虚断特性,可以得到公式(5):
VCOM2=-(R4/R3)×V′COM2+[(R3+R4)/R3]×[R2/(R1+R2)])×VPOSITIVE    (5)
其中VPOSITIVE为模拟电压AVDD或数字电压DVDD。
由公式(5)可知,第二公共电压VCOM2信号是信号V′COM2的反向放大,通过电阻R4和R3的比值可以控制第二公共电压VCOM2信号的幅值大小,通过电阻R1~R4的调节可控制第二公共电压VCOM2信号的电压值。
图8是第二公共电压VCOM2信号与信号V′COM2的关系图,第二公共电压VCOM2信号是信号V′COM2的反向放大信号,二者时序相同,幅值和电压值不同。其中,V′COM2H是信号V′COM2的最高值,V′COM2L是信号V′COM2的最低值;信号V′COM2的下降沿(电压由V′COM2H下降到电压V′COM2L)对应于栅极信号的下降沿;t′2H和t′2L分别是电压V′COM2H和电压V′COM2L的保持时间,其中t′2H和t′2L之和为栅极信号的一个周期时间,t′2H的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
VCOM2H是信号VCOM2的最高值,VCOM2L是信号VCOM2的最低值;信号VCOM2的下降沿(电压由VCOM2H下降到电压VCOM2L)对应于栅极信号的下降沿;t2H和t2L分别是电压VCOM2H和电压VCOM2L的保持时间,其中t2H和t2L之和为栅极信号的一个周期时间,t2H的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
第二实施例
图9、图10为本发明第二实施例示意图,本实施例中,第二公共电压VCOM2通过运算放大器正向放大而来。
如图6所示,由PCB电路板的芯片(可以采用Tcon进行编程)产生信号V″COM2,其中V″COM2具有如下特征:
(1)信号V″COM2是一个方波交流信号;
(2)最低值V”COM2L的保持时间为t”2L,最高值V”COM2H的保持时间为t”2H,并保证t”2L和t”2H之和为栅极信号的周期;
(3)信号V”COM2的上升沿对应于栅极信号的下降沿;
(4)t”2L的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
第二公共电压VCOM2信号是由上述V”COM2信号通过运算放大器正向放大得来的。如图9所示,OP2为运算放大器,OP2的反向输入端为直流电压VNEGATIVE,可由模拟电压AVDD或数字电压DVDD提供,OP2的正向端输入为交流电压V”COM2,OP2的输出则是第二公共电压VCOM2信号。其中电阻R′1~R′4用来调节第二公共电压VCOM2信号的幅值和电压值,电容C′1和C′2起到滤波作用。
根据运算放大器虚短、虚断特性,可以得到公式(6):
VCOM2=-(R′4/R′3)×VNEGATIVE+[(R′3+R′4)/R′3]×[R′2/(R′1+R′2)])×V”COM2    (6)
其中VNEGATIVE为模拟电压AVDD或数字电压DVDD。
由公式(6)可知,第二公共电压VCOM2信号是信号V”COM2的正向放大,通过电阻R′4和R′3的比值的调节可控制第二公共电压VCOM2信号的电压值,通过电阻R′1~R′4可以控制第二公共电压VCOM2信号的幅值大小。
图10是第二公共电压VCOM2信号与信号V”COM2的关系图,第二公共电压VCOM2信号是信号V”COM2的正向放大信号,二者时序相同,幅值和电压值不同。其中,V”COM2H是信号V”COM2的最高值,V”COM2L是信号V”COM2的最低值;信号V”COM2的上升沿(电压由V”COM2L上升到电压V”COM2H)对应于栅极信号的下降沿;t”2H和t”2L分别是电压V”COM2H和电压V”COM2L的保持时间,其中t”2H和t”2L之和为栅极信号的一个周期时间,t”2L的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
VCOM2H是信号VCOM2的最高值,VCOM2L是信号VCOM2的最低值;信号VCOM2的上升沿(电压由VCOM2L上升到电压VCOM2H)对应于栅极信号的下降沿;t2H和t2L分别是电压VCOM2H和电压VCOM2L的保持时间,其中t2H和t2L之和为栅极信号的一个周期时间,t2L的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
第三实施例
本实施例中,第二公共电压VCOM2由开关电路产生。
由两个分压电阻电路分别生成两个可变电压:VCOM2L和VCOM2H,由开关电路控制第二公共电压VCOM2信号,其中需要给开关电路提供开关信号。当栅极电压VG由栅极开启电压VON下降到栅极关闭电压VOFF的瞬间,开关信号为高(或低),开关电路选通VCOM2H电压,第二公共电压VCOM2信号的电压由VCOM2L上升到VCOM2H,VCOM2H电压开始保持,当开关信号为低(或高)时,开关选通VCOM2L电压,第二公共电压VCOM2信号的电压由VCOM2H下降到VCOM2L。其中,开关信号具有如下特征:
(1)开关信号是一个方波交流信号,其最低值为VLOW,最高值为VHIGH,实现开关电路的选通通道;
(2)电压VLOW的保持时间为tLOW,电压VHIGH的保持时间tHIGH,保证tLOW和tHIGH之和为栅极信号的周期;
(3)开关信号的上升沿(或下降沿)对应于栅极信号的下降沿;
(4)tLOW(或tHIGH)的时间在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
通过上述实施例,通过开关信号的选通与关闭来选择第二公共电压VCOM2信号是最高值VCOM2H或是最低值VCOM2L,其中VCOM2H和VCOM2L可由PCB板的分压电路产生,VCOM2H和VCOM2L的值并不是绝对的,但二者关系应为,VCOM2H-VCOM2L=(VON-VOFF)×CGD/CST,并得到的第二公共电压VCOM2信号的特征为,VCOM2信号的上升沿(即第二公共电压VCOM2信号由最低值VCOM2L上升到最高值VCOM2H)对应于栅极电压VG信号的下降沿(即栅极电压VG信号由栅极开启电压VON下降到栅极关闭电压VOFF)。第二公共电压最高值VCOM2H的保持时间t2H和第二公共电压最低值VCOM2L的保持时间t2L之和为栅极电压VG信号的一个周期时间。其中t2L在栅极开启电压VON保持时间之内,越小越佳。
被施加到阵列基板存储电容CST上,从图5可知,当TFT瞬间关断的同时,第二公共电压VCOM2信号电压由VCOM2L上升到VCOM2H。由公式(4)可得到:
VCOM2H-VCOM2L=(VON-VOFF)×CGD/CST时,ΔVP=0
即当TFT关断的瞬间,像素电压VP上没有产生反馈电压ΔVP,从而保证了液晶显示器的图像质量。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种TFT-LCD控制方法,其特征在于,包括对彩色滤光片基板公共电极施加直流的第一公共电压信号,对阵列基板的公共电极线施加方波交流的第二公共电压信号,第二公共电压信号的上升沿对应于栅极电压信号的下降沿,所述第二公共电压最高值的保持时间和最低值的保持时间之和等于栅极电压信号的一个周期,第二公共电压最低值的保持时间在栅极开启电压的保持时间之内。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第一公共电压信号由PCB电路板的分压电路提供。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压信号由一电压信号经由运算放大器放大调整后提供。
4.根据权利要求3所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压信号通过所述运算放大器正向放大提供。
5.根据权利要求3所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压信号通过所述运算放大器反向放大提供。
6.根据权利要求1所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压信号由开关电路通过开关信号选通第二公共电压的最高值和最低值来提供。
7.根据权利要求1~6中任一权利要求所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压信号的上升沿对应于栅极电压信号的下降沿具体为:当栅极电压信号由栅极开启电压下降到栅极关闭电压瞬间,所述第二公共电压的电压由最低值上升到最高值。
8.根据权利要求7所述的TFT-LCD控制方法,其特征在于,所述第二公共电压的最高值与最低值之间的差值为:VCOMH-VCOML=(VON-VOFF)×CGD/CST
其中,VCOM2H为第二公共电压的最高值,VCOM2L为第二公共电压的最低值,VON为栅极开启电压,VOFF为栅极关闭电压,CGD为寄生电容,CST为存储电容。
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