CN1700078A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示装置，是将保持电容线的电平变更为H电平及L电平等两种。藉由该变更，将施加至液晶的电压移位，而对液晶施加充分的电压，以进行显示。接着，藉由变更该第1电平与第2电平的差的电压值，来调整对比与画面亮度。此外，将在两条保持电容线与数据线交叉的部位所产生的电容值设定为大致相同。

Description

显示装置

技术领域

本发明关于一种将像素电路配置成矩阵状的显示装置。

背景技术

以往，以可薄型化、小型化且耗电量低的显示装置而言，液晶显示装置已为众所周知，且被采用为各式各样机器的显示器。该液晶显示装置(以下称为LCD(Liquid Crystal Display))具备：在2块分别在对向面侧形成有电极的基板之间封入液晶而相贴合的构成。而且，于电极间施加电压信号，而控制依据配向状态而改变光学特性的液晶的配向，进而控制来自光源的光的穿透率，借此进行显示。

在此，当持续对形成于基板的对向面侧的电极间施加直流电压时，已知会有液晶分子配向状态呈固定的所谓残影的问题产生。因此，以往是采用对基准电压呈极性周期性反转的交流电压信号来作为用以驱动液晶的电压信号。

该液晶驱动电压信号进行极性反转的方式已知有：于以矩阵状排列多个像素的液晶显示装置中，每一图框(frame)的反转、每一垂直扫描(1V)单位(或1图场(field)单位)的反转、每一水平扫描(1H)单位的反转、每一像素(1 dot)单位的反转。其中，1图框单位为例如以NTSC(National Television System Committee，(美国)国家电视系统委员会)信号而言所称的1图框单位，1图场单位是相当于构成1图框的多个图场的各单位(例如奇数图场与偶数图场)。

在日本专利早期公开2003-150127号公报中，以1像素(点(dot))单位进行极性反转的点反转方式是上述方式中反转最不易对显示品质造成影响，而为较佳的方式。然而，该方式会有驱动方式易趋于复杂的问题。

此外，在日本专利早期公开2003-150127号公报中，亦提案于点反转方式中，将作为保持电容的基极的线的SC线的电压予以变更的技术内容。

发明内容

为改善上述缺点，本发明提供一种显示装置，具有配置成矩阵状的像素电路的显示装置，各像素电路具备：

像素TFT，其一端连接于供有数据信号的数据线，栅极连接于选择线，且藉由将选择线的选择信号设定为H电平或L电平，而形成导通或不导通；

保持电容，其一端连接于像素TFT的另一端，另一端连接于保持电容线，且保持由数据线供给的数据信号的电压；以及

液晶组件，其一方电极连接于像素TFT的所述另一端，另一方的电极保持在共通电极电位，且对两电极间的液晶施加电压，

所述保持电容线当将所述像素TFT导通，而将数据线上的数据信号写入保持电容之后，由第1电平变化为第2电平，借此使施加至液晶组件的电压移位，

所述保持电容线对应各像素电路之列而设置两条，配置在列方向的多个像素电路连接于两条保持电容线的任一条，同时两条保持电容线控制成两种电位，

而且所述保持电容线中的第1电平及第2电平的差的电压值为可变的。

本发明还提供  一种显示装置，将像素电路配置成矩阵状的显示装置，各像素电路具备：

像素TFT，其一端连接于供有数据信号的数据线，栅极连接于选择线，且藉由将选择线的选择信号设定为H电平或L电平，而形成导通或不导通；

保持电容，其一端连接于像素TFT的另一端，另一端连接于保持电容线，且保持由数据线供给的数据信号的电压；以及

液晶组件，其一方电极连接于像素TFT的所述另一端，另一方的电极保持在共通电极电位，且对两电极间的液晶施加电压，

所述保持电容线当将所述像素TFT导通，而将数据线上的数据信号写入保持电容之后，由第1电平变化为第2电平，借此将施加于液晶组件的电压移位，

所述保持电容线对应各像素电路之列而设有两条，于列方向所配置的多个像素电路连接于两条保持电容线的任一条，同时两条保持电容线控制为两种电位，

而且，在所述两条保持电容线与所述数据线交叉的部位所产生的电容值设定为大致相同。

根据本发明，可藉由可变更所述保持电容线中的第1电平与第2电平的差的电压值，而调整对比与画面亮度。

因此，无需变更电源电压或转换数据信号等，即可调整亮度或对比等。

此外，将在所述两条保持电容线与所述数据线的交叉部位所产生的电容值设定为大致相同。因此，在两条保持电容线进行电压反转时，可缩小数据线的电位的变动，而可减小对于显示造成的不良影响。

附图说明

图1表示实施形态的构成图；

图2表示电容线SC-A、SC-B的信号波形图；

图3表示正常显黑(normally black)情形下电压移位的状态图；

图4表示正常显白(normally white)情形下电压移位的状态图；

图5表示像素电路的俯视构成图；

图6表示像素电路的剖视构成图；

图7表示TN液晶与VA液晶的穿透率变化图；

图8表示SC驱动器的构成图；以及

图9表示VA模式的像素的构造及动作图。

【主要组件符号说明】

1                 像素电路

10                像素TFT

12                液晶组件

14                保持电容

16                寄生电容

18                栅极电容

20                垂直驱动器

22                SC驱动器

24                电压产生电路

26                数据存储器

30                像素电极

40                共通电极

50                配向分割部

60                液晶分子

100               玻璃基板

102               缓冲层

104               氧化膜

106               层间绝缘膜

108               平坦化层

DL                数据线

GL                栅极线

SC、SC-A、SC-B    保持电容线

SCL               半导体层

Vath              阈值电压

Vcom              共通电极电源

VDD、VSS、Vsc(H)、Vsc(L)电平

具体实施方式

以下根据附图，说明本发明的实施形态。

图1表示本实施形态的概略构成。像素电路1是于整个显示区域呈矩阵配置。矩阵配置亦可为锯齿状，而非为完全的格子状。此外，显示可为黑白，亦可为全彩色(full color)，当为全彩色时，像素一般是RGB三色，但亦可视需要追加包含白色的特定颜色的像素。

如图所示，1个像素电路1是具有：漏极连接于数据线DL的n信道像素TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)10；连接于该像素TFT10的源极的液晶组件12；以及保持电容14。像素TFT10的栅极是连接有按每一水平扫描线配置的栅极线GL。在此，像素TFT10的栅极-源极间一定会产生栅极电容18。

液晶组件12是于像素TFT10的源极连接有按其每一像素个别设置的像素电极，并将相对于该像素电极夹着液晶的全像素共享的共通电极对向配置而构成。其中，共通电极是连接于共通电极电源Vcom。

此外，保持电容14中，将构成像素TFT10的源极的半导体层予以延伸的部分是直接作为一方的电极，隔着氧化膜相对向形成的电容线SC的一部分是成为对向电极。其中，亦可将成为保持电容14的电极的部分与像素TFT10的部分切离而成为个别的半导体层，而以金属配线将两者予以连接。

在此，电容线SC是对于1列(水平扫描线)有SC-A、SC-B等两条，于水平扫描方向，各像素电路的保持电容是交互连接于SC-A、SC-B。在该图左侧所示的像素电路中，保持电容14是连接于电容线SC-A，相邻像素的保持电容14是连接于电容线SC-B。

此外，于该像素中，虽未连接电容线SC-B，但电容线SC-B会通过像素区域中。因此，液晶组件12的像素电极与电容线SC-B之间将产生寄生电容16。

栅极线GL是连接有垂直驱动器20，该垂直驱动器20是在每一水平期间依序一条一条选择栅极线GL而设为H电平。垂直驱动器20是具有移位缓存器(shift register)，接收表示一垂直扫描期间的开始的信号STV，而将移位缓存器的第1段设为H电平，之后，藉由例如时脉信号，将H电平一个一个移位，借此可依序一条一条选择各水平扫描线的栅极线GL，而设为H电平。在此，例如栅极线GL的H电平是VDD电位，L电平是VSS电位，这些电源电压VDD、VSS是供给至垂直驱动器20，借此方式来设定垂直驱动器的输出，亦即栅极线GL的H电平、L电平。

SC驱动器22是将2个电压电平输出至2个保持电容线SC-A、SC-B。

亦即，于本实施形态中，SC驱动器22是从电压产生电路24接收所供给的2个电压电平Vsc(H)、Vsc(L)，借此来控制2个保持电容线SC-A、SC-B的电压。此外，电压产生电路24是根据储存于数据存储器26的设定数据，而产生Vsc(H)、Vsc(L)。

数据存储器26内的设定数据是可依据从外部供给的设定信号而改写，而将与设定信号相对应的设定数据储存于数据存储器26。电压产生电路24是根据储存于数据存储器26的设定数据，而产生Vsc(H)、Vsc(L)。因此，可藉由设定信号，来设定Vsc(H)、Vsc(L)。此外，电压产生电路是由VDD及VSS来利用Vsc(H)、Vsc(L)，且使用定电压产生电路来产生Vsc(H)、Vsc(L)。可利用电阻分割等来形成简单的构成。

此外，设定信号可藉由从外部的微电脑进行串行传送(serialtransfer)等，而储存于数据存储器26。

在显示装置中一般是设置有对比(contrast)或亮度的调整按钮等，按照其设定值来决定设定信号，并将该设定信号储存于数据存储器26。

此外，虽未图标，但在显示装置中亦设置有例如水平驱动器，用以控制对于数据线DL按线顺序供给所输入进来的视讯信号(videosignal)。亦即，在本例中是按照每一像素的视讯信号的时脉(clock)，由水平驱动器输出每一像素的取样时脉(sampling clock)，且藉由该取样时脉，将开关(switch)设为导通(on)或不导通(off)，而将一水平扫描线份的视讯信号(数据信号)予以闩锁(latch)。接着，将经闩锁的有关一水平扫描线的各像素的数据信号在横跨一水平扫描期间输出至数据线DL。

此外，实际上，视讯信号是有RGB三种，垂直方向的各像素是成为R、G、B中任一色的同一色的像素。因此，对于数据线DL是设定有RGB任一色的数据信号。

接着，在本实施形态的装置中是采用点反转方式的AC施加方式。亦即，在水平扫描方向的各像素(dot)中，将施加至液晶组件12的像素电极的电压设为极性与共通电极的电压Vcom相反的数据信号而予以施加。

图3左侧所示为根据第1极性的数据信号，标注为Vvideo的三角形斜边表示与亮度相对应的数据信号(写入电压)。数据信号为由黑电平至白电平的电位差Vb(动态范围(dynamic range))，移位后施加至像素电极的电压是以Vcom为中心，电压接近Vcom者为白，远离Vcom者为黑。因此，在本例中，白电平为Vcom-Vb/2，黑电平为Vcom+Vb/2。此外，在相邻像素中，如图3右侧所示，是成为与第1极性相反的第2极性，白电平为Vcom+Vb/2，黑电平为Vcom-Vb/2。

然后，如图2所示，将像素TFT10导通，而使数据写入处理完成之后，电容线SC-A、SC-B是移位预定电压ΔVsc的多。在本例中，液晶是使用正常显白(normally white)的TN型(Twisted Nematic，扭转向列型)。关于图3左侧的像素，是连接有电容线SC-A，Vsc是朝向电压较高的方向移位电压ΔVsc的多。此外，关于图3右侧的像素，是连接有电容线SC-B，Vsc是朝向电压较低的方向移位电压ΔVsc的多。

借此方式，如图3所示，施加至像素电极的数据信号是移位与ΔVsc相对应的电压的多，且将其施加于与Vcom之间。在此，ΔVsc是设定成对应于与液晶的施加电压相对应的穿透率开始变化的阈值电压Vath的电压，且藉由移位后的电压，可进行藉由液晶组件12进行的显示。此外，数据信号的动态范围是设定成使移位后的动态范围成为于显示中从黑电平至白电平的电位差。

其中，于图3中，Va(W)为白电平的数据信号的移位量，Va(B)是黑电平的数据信号的移位量。因此，这些移位量是由ΔVsc所决定。此外，Vb为数据信号的黑电平与白电平的电位差(动态范围)，Vb’是移位后的动态范围。

在此，当使用正常显黑(normally black)的垂直配向型(VerticalAlign，VA)时，是如图4所示。如上所述，数据信号为从黑电平至白电平的电位差Vb(动态范围)，移位后施加至像素电极的电压是以Vcom为中心，电压接近Vcom者为黑，远离Vcom者为白。因此，在本例中，黑电平为Vcom-Vb/2，白电平为Vcom+Vb/2。此外，在相邻像素中，如图4右侧所示，成为与第1极性相反的第2极性，黑电平为Vcom+Vb/2，白电平为Vcom-Vb/2。

在此，移位后的液晶组件12的像素电极的电压值Vpixel是如下式所示。

Vpixel＝VVideo±{(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)｝.ΔVsc  (1)

在本实施形态中，是利用TN型的正常显白的液晶。因此，藉由施加电压来进行黑显示。当移位后的相对于Vcom的黑电平电压为VB，写入时的动态范围为Vb时，为了进行黑显示，必须满足下式。

{(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)｝.ΔVsc＝VB-Vb/2    (2)

亦即，Vb/2相当于当写入时的对于Vcom的黑电平电压，VB是移位后的黑电平电压，因此VB-Vb/2即成为移位电压。

此外，像素电路是根据电源电压VDD而动作。因此，移位电压ΔVsc低于VDD为动作条件。

ΔVsc＜VDD    (3)

因此，必须以满足这些(2)、(3)式的方式形成像素电路。

另一方面，若决定面板尺寸、像素数、所利用的液晶，则液晶组件12的电容值Clc即可决定。此外，若决定像素TFT10的尺寸，则像素TFT10的栅极电容Cgs即可决定。因此，在显示面板的设计阶段并不能进行较大的变更。

因此，在本实施形态中，是变更保持电容14的电容值Csc及寄生电容16的电容值Cpa。亦即，若保持电容14的电容值Csc比寄生电容16的电容值Cpa大于某比率以上，即便将ΔVsc设定成较小，亦可满足(2)式，因此亦可满足(3)式。然后，藉由减小ΔVsc，可达成低耗电量化的目的。

此外，以ΔVsc不大于VDD的方式来决定Cpa，借此即可免于设置特别的电源来作为Vsc电压产生电路。此外，可得到达成低耗电量化、提升像素开口率等优点。

此外，将寄生电容16是设为与栅极相同的高度，在与像素电极之间是存有层间绝缘膜与平坦化膜。藉由加厚该平坦化膜，可减少寄生电容16。另一方面，为了加大保持电容14，可使栅极氧化膜变薄。此外，变更保持电容14的面积，亦可易于变更保持电容14的电容值。以上述手法，可调整保持电容14、寄生电容16的电容值。

具体例

当构成为：Csc＝320fF、Cpa＝10fF、Clc＝430fF、Cgs＝3fF、ΔVsc＝5.58、Vb＝3.5V、Vb＝2.5V、VDD＝8.5V左右时，则成为{(320-Cpa)/(3+430+320+Cpa)｝.ΔVsc＝3.5-2.5/2。而且，ΔVsc＜8.5。

因此，此时关于寄生电容16的电容值可导出为Cpa＜95fF。

例如，当不满足该条件，而Cpa为95fF以上时，移位电压将会变得不足，而使黑电平显示无法充分进行。

此外，移位后的液晶组件12的像素电极的电压值Vpixel是如下式(与上述(1)式相同)表示。

Vpixel＝VVideo±{(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)｝.ΔVsc

在此，Cgs、Cpa＜＜Csc、Clc时，Vpixel如下所示。

VpixelVvideo±Csc/(Clc+Csc).ΔVsc

此外，TN液晶在未施加电压的状态下，分子会朝向平行于电极的方向，此时的介电常数ε_‖会小于在施加有电压的状态下，分子朝向垂直于电极的方向时的介电常数ε_⊥。亦即，ε_⊥＞ε_‖。此外，液晶组件的电容值Clc是依液晶材料的介电常数而定，因此，Clc_⊥＞Clc_‖。

本实施形态是利用TN型的正常显白的液晶。因此，藉由施加电压来进行黑显示。当移位后的对于Vcom的黑电平电压为VB、写入时的动态范围为Vb、黑电平的电压移位量为Va(B)、白电平的电压移位量为Va(W)时，Va(B)、Va(W)如下所示。

Va(B)＝Csc/(Clc_⊥+Csc).ΔVsc

Va(W)＝Csc/(Clc_‖+Csc).ΔVsc

因此，Va(W)＞Va(B)。

此外，移位后的动态范围Vb’是如下所示。

Vb’＝Vb-{Va(W)-Va(B)｝

因此，Vb’＜Vb

由上述关系可知，藉由改变ΔVsc的大小，可改变Va(B)、Va(W)及Vb’。

在本实施形态中，如上所述，依据设定信号来改变Vsc(H)、Vsc(L)，进而改变两者的差，亦即ΔVsc。接着，藉由改变该ΔVsc，来调整亮度及对比。亦即，由于Va(B)、Va(W)发生变化，所以亮度发生变化；由于Vb’发生变化，所以对比发生变化，藉由调整ΔVsc，即可进行亮度及对比的调整。

此外，像素电路是根据电源电压VDD而动作。因此，移位电压ΔVsc最好低于VDD，且最好满足ΔVsc＜VDD。

图5中显示显示面板的概略俯视构成。如该图所示，在行(垂直扫描)方向，将数据线DL配置在各行，在列(水平扫描)方向，将两条保持电容线SC-A、SC-B配置在各列。

于图中，数据线DL虽呈同一宽度的直线状，但并非一定要如此。为了像素间的遮光而使用数据线DL时，关于该部位最好将线宽加大。此外，δ(delta)型排列时，数据线DL一定会弯曲。

此外，电容线SC-A、SC-B中，形成保持电容14的部分较宽广，而确保电容。再者，在本例中，相邻像素的部分亦作为保持电容14而加以利用。亦即，使图中左侧的像素中形成保持电容14的半导体层(保持电容线SC-A的相反侧的电极)延伸至相邻像素，借此使像素间以及相邻像素的一部分亦作为本身像素的保持电容14而加以利用。此外，如后所述，数据线的下侧部分亦作为保持电容14的一部分而加以利用。

此外，为了使数据线DL与保持电容线SC-A、SC-B的交叉部分的面积变小，最好仅使该部分缩小线宽。

接着，使该两条保持电容线SC-A及SC-B与数据线DL交叉的面积相同。借此方式，保持电容线SC-A、SC-B与数据线DL构成的寄生电容的电容值变为相同，且于保持电容线SC-A、SC-B反转时，可使数据线DL的电位的变动较小，而可减少对显示造成的不良影响。

图6表示配置1条保持电容线SC的部分的剖视图。如该图所示，于玻璃基板100上是设有缓冲层102，且于该缓冲层102上设有半导体层SCL。该半导体层SCL虽然是形成像素TFT10等，但图标的部分则是形成保持电容14的部分。于半导体层SCL上是形成有氧化膜104。该氧化膜104是以与像素TFT10的栅极氧化膜相同的制造过程形成。然后，于该栅极氧化膜104之上形成保持电容线SC。该保持电容线SC是以与像素TFT10的栅极相同的制造过程形成。

在保持电容线SC之上是形成有层间绝缘膜106，且于该层间绝缘膜106之上形成有数据线DL。

再者，包覆数据线DL而形成平坦化层108，且于该平坦化层108之上形成像素电极30。其中，虽未图标，但在该像素电极30上是隔着配向膜设有液晶层，且在该液晶层之上配置有形成共通电极的对向基板，而将液晶予以包夹。

如此，保持电容线SC与数据线DL是于交叉部分隔着层间绝缘膜106而相对向。因此，在该部分会产生电容。其中，在本例中，半导体层SCL延伸到交叉部分的下方，该部分亦作为保持电容14的一部分而加以利用。

此外，图7中表示TN液晶与VA液晶对于施加电压的穿透率。若为TN液晶时，当使施加至液晶的电压持续上升，初始穿透率为固定的高电平(白电平)，但当施加至液晶的电压大于阈值电压时，穿透率即会开始减少，之后，穿透率即以固定的比率减少，而成为固定的低电平(黑电平)。另一方面，若为VA液晶时，当使施加至液晶的电压持续上升，初始穿透率为固定的低电平(白电平)，但当施加至液晶的电压大于阈值电压时，穿透率即会开始增加，之后，穿透率即以固定的比率增加，而成为固定的高电平(白电平)。

此外，如图7所示，TN液晶与VA液晶中，显示所需电压范围(动态范围)虽不同，但在本实施形态中，可藉由变更ΔVsc来调整电压范围。

于本实施形态中，是于SC驱动器22中，将用于垂直驱动器20的电源电压VDD、VSS或输入至面板的电压，利用在电容线SC(SC-A或SC-B)中的H电平电压(Vsc(H))及/或L电平电压(Vsc(L))。其中，对于垂直驱动器20，除了VDD、VSS之外，还供给GND电位。亦即，垂直驱动器20是具有用以驱动栅极线GL的移位缓存器，而于该移位缓存器中利用GND电位。因此，亦可将该GND电位利用在H电平电压(Vsc(H))或L电平电压(Vsc(L))的任一方。再者，只要是输入至面板的电位，即使是其它电位，亦可加以利用。因此，于SC驱动器22中，对于H电平电压(Vsc(H))及L电平电压(Vsc(L))双方，亦可利用用在垂直驱动器20中的电位。其中，在以下说明中，基本上，是以对于SC驱动器22的H电平电压(Vsc(H))或L电平电压(Vsc(L))的一方利用VDD或VSS为例加以说明。

亦即，如图8所示，于供给H电平至电容线SC的期间，将为H电平的显示控制信号供给至开关SW1、SW2的控制端。开关SW1、SW2是分别形成n信道TFT与p信道TFT并联的构成，开关SW1的p信道TFT的栅极与开关SW2的n信道TFT的栅极相连接，在此供给将显示控制信号以反相器(inverter)予以反转的信号，而将显示控制信号供给至开关SW1的n信道TFT的栅极与开关SW2的p信道TFT的栅极。此外，对于开关SW1的输入点是输入例如VDD或Vsc(H)，对于开关SW2的输入点是输入Vsc(L)或VSS。接着，开关SW1、SW2的输出点是连接于电容线SC-A或SC-B。

亦即，对于SC驱动器22，为了驱动电容线SC-A、SC-B，而需有2个电压，而本实施形态中，是将其中的1个或2个设为用于垂直驱动器20的VDD或VSS。例如，当于L电平利用Vsc(L)时，将H电平设为VDD，于H电平利用Vsc(H)时，则将L电平设为VSS或输入至面板的电压。因此，显示装置中，只要产生Vsc(H)或Vsc(L)的任一方即可，或者两者均不需要，因此可简化电源电路。此外，SC驱动器22是近接垂直驱动器20而设，因此，将被输入至垂直驱动器20的VDD或VSS输入至SC驱动器22的配线可较短。

其中，图8所示的电路是对于1条电容线SC(SC-A或SC-B)设置1个，且对于VDD决定Vsc(L)，抑或对于VSS决定Vsc(H)，以使例如H电平与L电平的差为ΔVsc。

接着，根据该图8的电路，当显示控制信号为H电平时，开关SW1呈导通，且输出例如Vsc(H)；而当显示控制信号为L电平时，则开关SW2呈导通，且输出例如Vss。

在此，根据图9(a)至(c)来说明使用VA液晶的VA模式显示装置的像素的构造以及动作。

图9(a)、(b)图表示使用VA液晶的VA模式液晶显示装置(LCD)的概略剖视图，而表示沿着具有如图9(c)所示的概略俯视构造的LCD的A-A线的剖视构造的一例。在该LCD中，配向膜一般是采用未施予磨擦处理(rubbing treatment)的非磨擦式。因此，液晶的初期配向并没有预先倾斜(pre-tilt)，在电压非施加状态下，液晶分子的长轴方向是朝向基板法线方向而配向。初期配向成垂直方向的液晶分子60如图9(a)及图9(b)所示，当对于LCD的共通电极40与像素电极30之间开始施加电压时，在最初电压较低的状态下所产生的弱电场(参照图中以虚线表示的电力线(electric line of force))是在像素电极30的端部等斜向倾斜，且藉由该斜电场来规定随着电压上升，液晶分子随之倒下的方位。

其中，例如在1像素区域内，如图所示，先分别设置配向分割部50，借此可在1像素区域内的多区域中，分割成分别不同的方位。在9图(a)至(c)的例中，该配向分割部50是可藉由在电极不在区域(窗)或电极上设置突起部而构成，且以分别在画面的垂直方向呈折线状延伸的图案(pattem)而形成在共通电极40与像素电极30双方。此外，并非局限于上述图案，例如亦可藉由在1像素区域内，长边方向的上端及下端分为2叉的图案而设置电极不在区域(窗)或突起部而构成。藉由上述配向分割部50，如9图(a)、图9(b)所示，是可将1像素内的液晶配向方位的边界固定在该分割部50，而可防止液晶分子倒下方位在像素内的边界位置在每一像素或每一驱动时序均不相同而造成显示参差不齐等对于显示品质造成的不良影响。

此外，在本实施形态中，可采用于以下的任一类型LCD：仅以配置于面板背后等的光源的光进行显示，对于像素电极及共通电极双方均采用氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)等透明导性电极的透过型LCD；使用反射金属电极作为像素电极，且将来自外光的光予以反射而进行显示的反射型LCD；再者于使用光源时为穿透模式，当关闭光源时则为反射模式而发挥作用的半透过型LCD。在反射型LCD或半透过型LCD等中，虽可达成更佳的对比的提升等，但如本实施形态所示，藉由进行极性反转，即使为例如ECB模式的反射型或半透过型LCD，亦可以非常高的对比来进行显示。

Claims (10)

1.一种显示装置，具有配置成矩阵状的像素电路的显示装置，各像素电路具备：

像素TFT，其一端连接于供有数据信号的数据线，栅极连接于选择线，且藉由将选择线的选择信号设定为H电平或L电平，而形成导通或不导通；

保持电容，其一端连接于像素TFT的另一端，另一端连接于保持电容线，且保持由数据线供给的数据信号的电压；以及

液晶组件，其一方电极连接于像素TFT的所述另一端，另一方的电极保持在共通电极电位，且对两电极间的液晶施加电压，

所述保持电容线当将所述像素TFT导通，而将数据线上的数据信号写入保持电容之后，由第1电平变化为第2电平，借此使施加至液晶组件的电压移位，

所述保持电容线对应各像素电路之列而设置两条，配置在列方向的多个像素电路连接于两条保持电容线的任一条，同时两条保持电容线控制成两种电位，

而且所述保持电容线中的第1电平及第2电平的差的电压值为可变的。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，具有：产生所述保持电容线的第1电平和第2电平的电压的电压产生电路；以及用以储存所产生的电压的值的数据存储器，

而且所述电压产生电路根据由数据存储器输出的数据，来决定所产生的第1电平与第2电平的电压的值。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述数据存储器按照所输入的设定信号而输出数据。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述设定信号按照显示装置的显示亮度或对比而决定。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述两种电位中，当一方的电位由正往负的方向或由负往正的方向移位时，另一方的电位是往其相反方向移位。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述两条保持电容线与所述数据线交叉的部位所产生的电容值设定为大致相同。

7.一种显示装置，将像素电路配置成矩阵状的显示装置，各像素电路具备：

像素TFT，其一端连接于供有数据信号的数据线，栅极连接于选择线，且藉由将选择线的选择信号设定为H电平或L电平，而形成导通或不导通；

保持电容，其一端连接于像素TFT的另一端，另一端连接于保持电容线，且保持由数据线供给的数据信号的电压；以及

液晶组件，其一方电极连接于像素TFT的所述另一端，另一方的电极保持在共通电极电位，且对两电极间的液晶施加电压，

所述保持电容线当将所述像素TFT导通，而将数据线上的数据信号写入保持电容之后，由第1电平变化为第2电平，借此将施加于液晶组件的电压移位，

所述保持电容线对应各像素电路之列而设有两条，于列方向所配置的多个像素电路连接于两条保持电容线的任一条，同时两条保持电容线控制为两种电位，

而且，在所述两条保持电容线与所述数据线交叉的部位所产生的电容值设定为大致相同。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述两条保持电容线与所述数据线的交叉部位的面积大致相同。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述两条保持电容线，在连接有像素电路的像素内部中，其面积是经扩大。

10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述两种电位中，当一方的电位由正往负的方向或由负往正的方向移位时，另一方的电位是往其相反方向移位。

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