CN101770750B - 液晶显示器及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种液晶显示器及其控制方法。液晶显示器包括彩膜基板和阵列基板，阵列基板上形成有存储电容电极线和与扫描驱动电路连接的栅线，所述彩膜基板或阵列基板上形成有公共电极，存储电容电极线连接有用于控制存储电容电极电位的控制电路；控制电路在扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号、且行扫描信号上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在行扫描信号下降沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压。本发明适用于液晶显示器的制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术，特别是涉及一种液晶显示器及其控制方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)主要包括：彩膜基板(Color Filter Panel)、阵列基板(Array Panel)以及填充在这两个基板之间的液晶层。阵列基板主要包括多个平行的栅线(gateline)，以及与栅线绝缘且垂直交叉的数据线(data line)，由栅线和数据线限定的区域称作一个像素(pixel)，每个像素包括一个像素电极以及控制该像素电极充电与否的薄膜晶体管TFT。
图1为现有技术TFT-LCD单位像素的等效电路图。如图1所示，薄膜晶体管TFT的栅极g、源极s和漏极d，分别与栅线Gi、数据线Dj和像素电极Pij连接。其中，将栅线Gi和数据线Dj所确定的像素电极称为Pij。像素电极Pij与彩膜基板上的公共电极之间充满了液晶材料，可把其等效地用液晶电容CLC表示；液晶电容CLC控制了液晶分子的偏转。栅极g与漏极d之间形成寄生电容CGD。为了实现对阵列基板公共电极电压的单独调整，现有技术在阵列基板上形成与栅线平行且数量相同的存储电容电极线Ci，并给存储电容电极线施加与彩膜基板公共电极Vcom(CF)相同的公共电极电压Vcom，这样在像素电极Pij和存储电容电极线Ci之间就形成了存储电容Cst，存储电容Cst与液晶电容CLC并联；存储电容Cst的作用是最大程度的保持像素电极的电荷量，减缓像素电极的电荷流失速度，从而维持液晶层间的压差。
理想状态下，在薄膜晶体管TFT处于开启状态、且像素电极Pij上的电压VP达到该像素显示灰度充电率时，应与薄膜晶体管TFT处于关闭状态时，保持像素电极Pij上的电压VP不变，这样才能保证显示图像的质量。但从图1所示的TFT-LCD单位像素的等效电路可知，由于薄膜晶体管TFT的栅极g与漏极d之间存在寄生电容CGD，因而当薄膜晶体管TFT由开启状态转化到关闭状态的瞬时，即行扫描信号由VON下降到VOFF时刻，根据关断前后TFT电荷守恒原理，等效电路中电容上的电荷要重新分配，像素电压VP会有一定程度的降低，称为跳变(kick Back)电压。
在薄膜晶体管TFT关断前后，根据电荷守恒定律，存在如下关系：
(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM)×(CLC+CST)＝(VP2-VOFF)×CGD+(VP2-VCOM)×(CLC+Cst)
由此推导出公式(1)：
ΔVP＝VP2-VP1＝(VON-VOFF)×CGD/(CGD+CLC+Cst) (1)
其中VP1和VP2分别表示薄膜晶体管TFT开启和关闭状态下像素电极Pij的电压值，VON和VOFF分别表示栅极的开启电压和关闭电压，ΔVP表示像素电极Pij的跳变电压。
由公式(1)可知，现有技术对彩膜基板公共电极和阵列基板存储电容电极线施加相同的公共电极电压，在TFT从开启状态转化到关闭状态的瞬间，像素电极存在着跳变电压ΔVP，易产生闪烁(flicker)、残像(image sticking)等显示问题，从而影响TFT-LCD的显示画面品质。
发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示器及其控制方法，使得液晶显示器在行扫描信号发生变化时，通过减小像素电极的跳变电压，来补偿液晶层之间的电势差，从而有利于提高液晶显示器的显示画面品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器，包括彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板上形成有存储电容电极线和与扫描驱动电路连接的栅线，所述彩膜基板或阵列基板上形成有公共电极，所述存储电容电极线连接有用于控制所述存储电容电极电位的控制电路；所述控制电路在所述扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号、且所述行扫描信号的上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在所述行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压。
在上述技术方案的基础上，所述存储电容电极电位控制电路包括：
输出所述控制电压的电压信号线；
多个开关单元，所述开关单元的个数与所述栅线的行数相同，且每个开关单元包括第一开关和第二开关；所述第一开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的上升沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第一电压；所述第二开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第二电压。
进一步的，所述第一开关为n型掺杂的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接；
所述第二开关包括p型掺杂的第二薄膜晶体管和电压放大器，所述第二薄膜晶体管的栅极通过所述电压放大器与所述栅线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第二薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接。
所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的沟道宽长比相互匹配，使得所述第一薄膜晶体管在行扫描信号的上升沿到来时能够根据所述控制电压输出所述第一电压到所述存储电容电极线，而所述第二薄膜晶体管能够在所述行扫描信号的下降沿到来时、在所述电压放大器的控制下根据所述控制电压输出所述第二电压到所述存储电容电极线。
为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器控制方法，包括：
通过扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号；
在所述行扫描信号的上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在所述行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压。
在上述技术方案的基础上，所述控制电压大于所述公共电极电压，所述公共电极电压比所述第一电压大0.01V～2V；所述第二电压比所述公共电极电压大0.01V～2V。
通过上述技术方案可知，本发明提供的液晶显示器及其控制方法中，在扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号的同时，对阵列基板存储电容电极线上的电位进行同步控制，实现在存储电容电极线上输出脉冲电压，可有效减小像素电极在行扫描信号反转前后存在的跳变电压，减缓像素电极上电荷的流失速度，对液晶层的电势差进行了补偿，从而有利于缓解显示画面闪烁、残像等显示问题，因此提升了液晶显示器显示的画面品质。
附图说明
图1为现有技术TFT-LCD单位像素的等效电路图；
图2为本发明液晶显示器实现存储电容电极线脉冲电压信号的等效电路图；
图3为本发明控制单位像素的等效电路图；
图4为本发明存储电容电极电压信号波形图。
附图标记说明：
3-控制电路； 31-电压信号线； 32-开关单元；
321-电压放大器； 4-扫描驱动电路； 5-栅线；
6-存储电容电极线； 7-数据驱动电路； 8-数据线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例的技术方案进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及处于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。彩膜基板上形成有公共电极。本发明的实施例并不局限于此，公共电极也可能形成于阵列基板上，不影响本发明的实现。阵列基板上形成有多条平行的栅线、存储电容电极线以及与其绝缘垂直交叉的数据线，由各栅线和数据线围成若干个像素，每个像素包括一个像素电极和用于控制该像素电极充电与否的薄膜晶体管；存储电容电极线连接有用于控制存储电容电极电位的控制电路；栅线连接有用于输入行扫描信号的扫描驱动电路；数据线连接有用于输入视频数据信号的数据驱动电路。
在控制本发明液晶显示器显示过程中，向彩膜基板公共电极施加公共电极电压Vcom，通过数据驱动电路向数据线施加视频数据信号；通过扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号，通过控制电路输出与方形行扫描信号同步变化的存储电容电极线的脉冲电压信号，具体的，控制电路在扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号、且行扫描信号的上升沿到来时，根据一控制电压向存储电容电极线施加第一电压V1，并在行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压V2，以使像素电极在行扫描信号反转时获得电位补偿；其中，第一电压V1小于第二电压V2。
发明人在实现本发明过程中发现，在减缓像素电极电荷流失方面，可采用两种方法，一种是通常所用的通过增加存储电容的方法，另一种是保持存储电容不变，通过增加存储电容之间的电势差的方法，对液晶层电势差进行补偿，来增加存储电容两端的电荷量，从而减缓像素电极的电荷流失，维持液晶层之间的压差，使得像素在TFT处于关闭状态时像素灰度显示的稳定性。为了减小跳变电压ΔVP，同时降低像素电极电荷流失量，通常有效的做法即为增加存储电容Cst。由于Cst满足以下关系：
Cst＝(ε×S)/d＝Q/U (2)
因而，如果增加存储电容的面积S，Cst的值也将相应增加，但这样会降低像素的开口率。如果保持Cst大小不变的同时，为了在控制像素电极充电的薄膜晶体管TFT处于关闭状态时，能够最大程度地保持液晶层像素电极的电荷量，由公式(2)可知，可通过加大像素电极与存储电容电极之间电势差U的方法，来维持存储电容两端的电荷总量，从而降低像素电极上电荷的流失速度。
为了在不降低像素开口率的同时，减缓像素电极在非充电状态下的电荷流失速度，本发明液晶显示器在扫描驱动电路向栅线逐行输出行扫描信号时，用于控制存储电容电极电位的控制电路同步向像素电容电极线输出脉冲电压，加大存储电容两极间的电势差，从而对液晶层的电势差进行补偿。这样，控制电路随着扫描驱动电路逐行输出行扫描信号，而逐行对存储电容电极线施加脉冲电压，实现当行扫描信号电压发生反转、且在像素的薄膜晶体管从开启状态变为关闭状态时，减小像素电极存在的跳变电压，减缓像素电极上的电荷流失速度，有利于缓解显示画面闪烁、残像等显示问题，因此提升了液晶显示器显示的画面品质。由于本发明液晶显示器每行存储电容电极线的电位均与行号相同的行扫描信号电位同步变化，因而不同行的存储电容电极线之间的脉冲电压不会发生相互干扰，从而本发明还有利于提高液晶显示器阵列基板故障检测的方便性和准确性。
图2为本发明液晶显示器实现存储电容电极线脉冲电压信号的等效电路图。图3为本发明控制单位像素的等效电路图。传统结构中的彩膜基板上公共电极和阵列基板公共电极是连通的，二者施加有相同的电压。区别于现有技术的是，本发明对彩膜基板公共电极施加直流电压，在不影响显示效果的基础上，可将阵列基板上每条栅线所控制的全部像素电极的存储电容端相连接，即用存储电容电极线将每条栅线所控制的全部像素电极的存储电容端连接，在对栅线施加方形行扫描电压的同时，通过控制电路对存储电容电极线施加与方形行扫描电压同步变化的脉冲电压，实现对控制阵列基板存储电容电极电位的独立控制。
如图2和图3所示，本发明用于控制存储电容电极电位的控制电路3可包括：电压信号线31、和多个开关单元32；开关单元32的数量与栅线5或存储电容电极线6的行数相同，每个开关单元32用于在扫描驱动电路4输入一条栅线5的行扫描信号时，控制行号相同的存储电容电极线6的脉冲电压的输出。其中，电压信号线31用于输出控制电压V，所述控制电压V大于彩膜基板的公共电极电压Vcom。图3所示的Pij为栅线Gi和数据线Dj所确定的像素电极。
每个开关单元32包括第一开关和第二开关。第一开关分别与扫描驱动电路4、电压信号线31以及存储电容电极线6连接，用于在扫描驱动电路4输出的行扫描信号的上升沿到来时，根据所述电压信号线31输出的控制电压V向存储电容电极线6施加第一电压V1。第二开关分别与扫描驱动电路4、电压信号线31和存储电容电极线6连接，用于在扫描驱动电路4输出的行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压V向存储电容电极线6施加第二电压V2。第一电压V1小于第二电压V2。
具体的，第一开关可为n型掺杂的第一薄膜晶体管TFT1。第一薄膜晶体管TFT1的栅极与栅线5连接，第一薄膜晶体管TFT1的源极与电压信号线31和存储电容电极线6其中之一连接，且第一薄膜晶体管TFT1的漏极与电压信号线31和存储电容电极线6其中的另一线连接。
第二开关包括p型掺杂的第二薄膜晶体管TFT2和放大器321。第二薄膜晶体管TFT2的栅极通过电压放大器321与栅线5连接，第二薄膜晶体管TFT2的源极与电压信号线31和存储电容电极线6其中之一线连接，且第二薄膜晶体管TFT2的漏极与电压信号线31和存储电容电极线6其中的另一线连接。
根据非晶硅薄膜晶体管的关断特性可知，控制非晶硅薄膜晶体管关断的电压VOFF小于0。当扫描驱动电路向栅线输入方形行扫描信号时，对于采用非晶硅形成TFT沟道层，为了使得用于控制像素电极充电与否的薄膜晶体管TFT在关断时尽可能的减少漏电流IOFF，可将方形行扫描信号的负压信号的电压取值范围设置在-8～-6V之间，而将方形行扫描信号的正压信号的电压取值范围设置在22～26V之间。在图3所示电路结构中，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2构成一个CMOS结构。由于第一薄膜晶体管TFT1是n型掺杂薄膜晶体管，因此，第一薄膜晶体管TFT1可采用高电平控制其开启；而第二薄膜晶体管TFT2是p型掺杂薄膜晶体管，因此，第二薄膜晶体管TFT2可采用低电平控制其开启，即：方形行扫描信号的正压信号VON可用于控制n型掺杂的第一薄膜晶体管TFT1的开启，而方形行扫描信号的负压信号VOFF经过电压放大器321放大后可用于控制p型掺杂的第二薄膜晶体管TFT2的开启。
在进行第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的尺寸设计时，由于方形行扫描信号的负压信号和正压信号的电压绝对值并不相等，采用正压信号控制的第一薄膜晶体管TFT1和采用负压信号控制的第二薄膜晶体管TFT2的宽长比(W/L)不同，其中，第一薄膜晶体管TFT1的宽长比小于第二薄膜晶体管TFT2的宽长比。为了能够根据控制电压V、且通过第一薄膜晶体管TFT1输出第一电压V1给像素电容电极线，以及跟据控制电压V、通过第二薄膜晶体管TFT2输出V2传输给像素电容电极线，可根据现有技术对第一薄膜晶体管TFT1的宽长比以及第二薄膜晶体管TFT2的宽长比进行匹配，通过匹配二者各自的宽长比，可实现根据控制电压、通过宽长比匹配的第一薄膜晶管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2分别将第一电压V1和第二电压V2施加到存储电容电极线6上。本发明要实现的目的是：在行扫描信号的上升沿到来时，行扫描信号施加到第一薄膜晶体管TFT1的栅极上，打开TFT1，从而TFT1能够根据控制电压V输出第一电压V1，V1小于公共电极电压Vcom；在行扫描信号的下降沿到来时，行扫描信号经过电压放大器321施加到第二薄膜晶体管TFT2的栅极上，打开TFT2，从而TFT2能够根据控制电压V输出第二电压V2，V2大于公共电极电压Vcom。
通过上述分析可知，图2和图3所示的电路结构可实现存储电容电极脉冲电压的输出，具有电路简单、易实现等优点。
该电路结构可设计在扫描驱动芯片中；还可将上述电路结构直接形成在阵列基板的衬底基板上，如：在采用多晶硅、单晶硅等半导体材料并利用TFT构图工艺制备阵列基板的同时，将上述用于控制存储电容电极电位的控制电路，形成在该阵列基板的衬底基板(如：玻璃基板)上。
图4为本发明存储电容电极电压信号波形图。下面结合图4说明图2和图3所示的电路结构的工作原理：
假设：在扫描驱动电路中输出第i行栅线Gi的行扫描信号；第i个开关单元用于扫描驱动电路输入第i行栅线Gi的行扫描信号时，控制第i行存储电容电极线Ci的脉冲电压的输出。
当施加在栅线Gi上的行扫描信号为正压信号VON时，正压信号VON同时施加到与栅线Gi连接的第一薄膜晶体管TFT1的栅极，使得第一薄膜晶体管TFT1开启，将电压信号线31输出的控制电压V通过第一薄膜晶体管TFT1输出第一电压V1并传输给第i行像素电容电极线Ci，这样，像素中的薄膜晶体管TFT开启，将数据驱动电路7向数据线8输入的数据信号传输给第i行像素的像素电极Pij，使得第i行像素电极Pij开始充电。其中第一电压V1小于公共电极电压Vcom。
当扫描驱动电路4向栅线Gi输出的行扫描信号从正压信号VON反转为负压信号VOFF时，扫描驱动电路将负压信号VOFF施加到栅线Gi上，使得栅线Gi上连接的同一行像素中的薄膜晶体管TFT关闭，该行像素的像素电极充电结束；同时，负压信号VOFF通过电压放大器321施加到第二薄膜晶体管TFT2的栅极，使得第二薄膜晶体管TFT2开启，将电压信号线31输出的控制电压V通过第二薄膜晶体管TFT2输出第二电压V2，并施加到第i行像素电容电极线Ci上。其中，V2大于公共电极电压Vcom。由于当薄膜晶体管TFT从开启状态改变为关闭状态时，施加在同一行存储电容电极线Ci连接的存储电容电极上的电压信号由第一电压V1改变为第二电压V2，且在薄膜晶体管TFT处于关闭状态时，存储电容电极一直处于一个高压状态(即第二电压V2)。
通过上述控制，可在行扫描信号中正压信号VON和负压信号VOFF的反转变换过程中，实现分别控制施加到存储电容电极脉冲电压在第一电压V1和第二电压V2的同步变化。此外，由于每行存储电容电极线的电位与行号相同的行扫描信号电位同步变化，因而不同行的存储电容电极线之间的脉冲电压不会发生相互干扰，从而本发明还有利于提高液晶显示器阵列基板故障检测的方便性和准确性。
如图4所示，彩膜基板公共电极Vcom(CF)上施加有直流公共电极电压Vcom。当施加在第i行栅线Gi的行扫描信号上升沿到来时，即当行扫描信号由VOFF上升到VON时，控制电路根据控制电压V向第i行存储电容电极线Ci输出第一电压V1；当施加在第i行栅线Gi的行扫描信号下降沿到来时，即当行扫描信号由VON下降为VOFF时，控制电路根据控制电压V向第i行存储电容电极线Ci输出第二电压V2，在薄膜晶体管TFT关断前后，根据电荷守恒定律，存在如下关系：
(VP1-VON)×CGD+(VP1-VCOM)×CLC+(VP1-V1)×Cst
＝(VP2-VOFF)×CGD+(VP2-VCOM)×CLC+(VP1-V2)×Cst
由此推导出公式(3)：
ΔV’P＝VP2-VP1＝[(VON-VOFF)×CGD-(V2-V1)×Cst]/(CGD+CLC+Cst) (3)
其中VP1和VP2分别表示薄膜晶体管TFT开启和关闭状态下像素电极Pij的电压值，VON和VOFF分别表示栅极的开启电压和关闭电压，ΔV’P为像素电极Pij的跳变电压。
通过对比公式(3)和公式(1)可得：ΔV’P＜ΔVP
可见，本实施例通过存储电容电极线输出脉冲电压，在像素中薄膜晶体管TFT从开启状态变为关闭状态时，可有效减小像素电极存在的跳变电压，减缓像素电极上电荷的流失速度，对液晶层的电势差进行了补偿，从而有利于缓解显示画面闪烁、残像等问题，因此提升了液晶显示器显示的画面品质。
同理，第i+1行栅线Gi+1上施加的行扫描信号与第i+1行存储电容电极线Ci+1同步变化，第i+2行栅线Gi+2上施加的行扫描信号与第i+2行存储电容电极线Ci+2同步变化，其它行栅线施加的行扫描信号与行号相同的存储电容电极线施加的存储电容电极电压信号的变化规律相同，从而实现在扫描驱动电路向栅线逐行输出行扫描信号，控制电路随着扫描驱动电路逐行对存储电容电极线施加同步变化的脉冲电压。
在图4所示的波形图中，存储电容电极线上输出的第一电压V1小于公共电极电压Vcom，且第二电压V2大于公共电极电压Vcom。为了保证像素电极电压小于通过数据线施加的数据信号电压，第一电压V1或第二电压V2与公共电极电压Vcom之间的差值，应控制在一定的范围内。
如果第二电压V2远大于公共电极电压Vcom，则一方面可能造成高驱动电压，增加液晶显示器的功耗；另一方面，由于液晶层之间的电势差过大，可能造成像素电极在薄膜晶体管处于关闭状态下时，像素电极电压反而大于充电电压，即像素电极电压大于数据信号电压，使得薄膜晶体管处于关闭状态下时，由于像素电极电压过大，从而引起画面的错误显示。
如果第二电压V2远小于公共电极电压Vcom，也有可能造成像素电极在薄膜晶体管处于关闭状态下时，像素电极电压仍大于充电电压，即像素电极电压大于数据信号电压，使得薄膜晶体管处于关闭状态下时，像素电极电压过大，从而引起画面的错误显示。
通过上述分析可知，控制电路向存储电容电极线输出的第一电压V1和第二电压V2，相对于彩膜基板公共电极上施加的公共电极电压Vcom之间的差值，应控制在一定的范围内。为了保证像素电极电压小于、接近于数据驱动芯片通过数据线施加的数据信号电压，公共电极电压Vcom与第一电压V1之间的差值应小于2V，优选的，公共电极电压Vcom与第一电压V1之间的差值为0.01V～2V；而第二电压V2与公共电极电压Vcom之间的差值应小于2V，优选的，第二电压V2与公共电极电压Vcom之间的差值为0.01V～2V。
综上所述，图4所示的电容电极电压信号的大小示意为本发明实施例的优选方式，控制电压公共电极电压Vcom，大于第一电压V1小于公共电极电压Vcom，第二电压V2大于公共电极电压Vcom。但本发明并不局限于此，在输出的第二电压V2大于第一电压V1时可以实现本发明。
另外，图4中电压信号线输出的控制电压V与第二开关输出到存储电容电极线上的V2大小相同。即通过控制电压放大器321的放大倍数和薄膜晶体管TFT2的沟道宽长比使得，当行扫描信号VOFF通过电压放大器321施加到第二薄膜晶体管TFT2的栅极、且电压控制线31输出的控制电压V通过TFT2输出与V相同大小的V2。本发明并不限于此，控制电压V可以比V2大，也可以比V2小，但优选大于公共电极电压Vcom。具体地，可以通过匹配TFT1和TFT2的沟道宽长比、电压放大器321的放大倍数的大小，以及控制电压信号线31输出的控制电压V的大小，达到控制存储电容电极线上的脉冲电压的目的。
此外，本发明还提供了一种液晶显示器控制方法，该方法包括：
步骤1、通过扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号；
步骤2、在所述行扫描信号的上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在所述行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压。
进一步地，在上述液晶显示器控制方法步骤2中，所述控制电压大于所述公共电极电压，所述公共电极电压比第一电压大0.01V～2V；第二电压比公共电极电压大0.01V～2V。
通过上述分析可知，本发明提供的液晶显示器及其控制方法中，在扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号的同时，对阵列基板存储电容电极线上的电位进行同步控制，实现在存储电容电极线上输出脉冲电压，由此可有效减小像素电极在薄膜晶体管关断前后存在的跳变电压，减缓像素电极上电荷的流失速度，对液晶层的电势差进行了补偿，从而有利于缓解显示画面闪烁、残像等显示问题，因此提升了液晶显示器显示的画面品质。
本发明实施例液晶显示器及其控制方法，能够适用于垂直电场型、或水平电场型液晶显示器，包括采用TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型、STN(SuperTwisted Nematic，超扭曲向列)型或FFS(Fringe Field Switching，边缘场切换)型等面板类型的液晶显示器。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种液晶显示器，包括彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板上形成有存储电容电极线和与扫描驱动电路连接的栅线，所述彩膜基板或阵列基板上形成有公共电极，其特征在于，
所述存储电容电极线连接有用于控制存储电容电极电位的控制电路；所述控制电路在所述扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号、且所述行扫描信号的上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在所述行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压；
所述存储电容电极电位的控制电路包括：
输出所述控制电压的电压信号线；
多个开关单元，所述开关单元的个数与所述栅线的行数相同，且每个开关单元包括第一开关和第二开关；所述第一开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的上升沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第一电压；所述第二开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第二电压；
所述第一开关为n型掺杂的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接；
所述第二开关包括p型掺杂的第二薄膜晶体管和电压放大器，所述第二薄膜晶体管的栅极通过所述电压放大器与所述栅线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第二薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接；
公共电极电压比所述第一电压大0.01V～2V；
所述第二电压比公共电极电压大0.01V～2V。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，
所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的沟道宽长比相互匹配，使得所述第一薄膜晶体管在行扫描信号的上升沿到来时能够根据所述控制电压输出所述第一电压到所述存储电容电极线，而所述第二薄膜晶体管能够在所述行扫描信号的下降沿到来时、在所述电压放大器的控制下根据所述控制电压输出所述第二电压到所述存储电容电极线。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的液晶显示器，其特征在于，所述控制电压大于所述公共电极电压。
4.根据权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于，所述控制电路设计在扫描驱动芯片中。
5.根据权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于，所述控制电路形成在所述阵列基板的衬底基板上。
6.一种液晶显示器控制方法，其特征在于，包括：
通过扫描驱动电路向栅线施加方形行扫描信号；
在所述行扫描信号的上升沿到来时，根据控制电压向存储电容电极线施加第一电压，并在所述行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向该存储电容电极线施加第二电压；所述第一电压小于所述第二电压；
所述存储电容电极电位的控制电路包括：
输出所述控制电压的电压信号线；
多个开关单元，所述开关单元的个数与所述栅线的行数相同，且每个开关单元包括第一开关和第二开关；所述第一开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的上升沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第一电压；所述第二开关分别与所述电压信号线和扫描驱动电路连接，用于在行扫描信号的下降沿到来时，根据所述控制电压向存储电容电极线施加第二电压；
所述第一开关为n型掺杂的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接；
所述第二开关包括p型掺杂的第二薄膜晶体管和电压放大器，所述第二薄膜晶体管的栅极通过所述电压放大器与所述栅线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电压信号线和存储电容电极线其中之一线连接，且所述第二薄膜晶体管的漏极与所述电压信号线和存储电容电极线其中另一线连接；所述公共电极电压比所述第一电压大0.01V～2V；
所述第二电压比公共电极电压大0.01V～2V。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器控制方法，其特征在于，所述控制电压大于所述公共电极电压。
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