JP6136101B2 - 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6136101B2 JP6136101B2 JP2012089320A JP2012089320A JP6136101B2 JP 6136101 B2 JP6136101 B2 JP 6136101B2 JP 2012089320 A JP2012089320 A JP 2012089320A JP 2012089320 A JP2012089320 A JP 2012089320A JP 6136101 B2 JP6136101 B2 JP 6136101B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- resin
- semiconductor wafer
- semiconductor
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜4のアルキル基を示し、xは0〜4の整数を示す。
式中、R3は水素原子又はメチル基を示す。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)下記式(1)で表される構造単位を有するアクリルポリマー(以下、(A)成分ともいう。)、(B)(メタ)アクリレート化合物(以下、単に(B)成分ともいう。)、(C)エポキシ樹脂(以下、単に(C)成分ともいう。)及び(D)光開始剤(以下、単に(D)成分ともいう。)を含有する。
式(1)で表される構造単位は、ヒドロキシフェニル基を側鎖に有する(メタ)アクリレート化合物に基づく単位である。
式中、R3は水素原子又はメチル基を示す。
(B)成分である(メタ)アクリレート化合物としては特に限定されないが、2官能以上の(メタ)アクリレートであることが好ましい。このような(メタ)アクリレートとしては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、1,3−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、1,2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、トリス(β−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアクリレート、下記式で表される化合物等が挙げられる。下記式中、R19及びR20は各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、g及びhは各々独立に、1〜20の整数を示す。
(C)エポキシ樹脂としては、高温接着性及び耐リフロー性の観点から、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、パターン形成性及び熱圧着性の点から、室温(25℃)で液状又は半固形状、具体的には軟化温度が50℃以下であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型、AD型、S型又はF型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、並びに3官能型又は4官能型のグリシジルアミンが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
(D)成分としては、感度向上の点から、波長が365nmである光に対する分子吸光係数が1000mL/g・cm以上であるものが好ましく、2000mL/g・cm以上であるものがより好ましい。なお、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量%アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、商品名:U−3310)を用いて吸光度を測定することによって求められる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、上記(A)〜(D)成分に加え、(E)成分としてエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含有することができる。ここで、(E)成分には、(B)成分及び(C)成分は含まれない。
本実施形態の感光性樹脂組成物には、適宜、(F)成分としてフィラーを含有させることもできる。(F)成分としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉及びニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄及びセラミック等の無機フィラー、並びに、カーボン及びゴム系フィラー等の有機フィラーが挙げられ、種類及び形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。
上記感光性樹脂組成物をフィルム状に成形することによって、フィルム状樹脂を得ることができる。図1は、本発明のフィルム状樹脂の一実施形態を模式的に示す端面図である。図1に示すフィルム状樹脂1は、上記感光性樹脂組成物をフィルム状に成形したものである。
フィルム状樹脂1は、例えば、図2に示す基材3上に上記感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させることによってフィルム状に成形される。このようにして、基材3と、基材3上に形成された上記フィルム状樹脂からなる樹脂層1とを備える樹脂シート100が得られる。図2は、本実施形態に係る樹脂止シート100を模式的に示す端面図である。図2に示す樹脂シート100は、基材3と、これの一方面上に設けられたフィルム状樹脂からなる樹脂層1とから構成される。
残存揮発分(%)=[(M1−M2)/M1]×100
図5は、本発明の樹脂層付半導体ウェハの一実施形態を模式的に示す上面図であり、図6は図5のIV−IV線に沿った端面図である。図5及び図6に示す樹脂層付半導体ウェハ20は、半導体ウェハ8と、これの一方面上に設けられたフィルム状樹脂(樹脂層)1と、を備える。
図7及び図9は、それぞれ本実施形態に係る樹脂パターンを模式的に示す上面図であり、図8は図7のV−V線に沿った端面図であり、図10は図9のVI−VI線に沿った端面図である。図7〜図10に示す樹脂パターン1aは、被着体としての半導体ウェハ8上において、略正方形の辺に沿ったパターン又は正方形のパターンを有するように形成されている。
以下、本実施形態に係るフィルム状樹脂を用いて製造される半導体装置について、図面を用いて具体的に説明する。なお、本発明のフィルム状樹脂の用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
図13(a)に示す半導体ウェハ8内には、ダイシングラインDによって区分された複数の半導体チップ12が形成されている。この半導体チップ12の回路面18側の面にフィルム状樹脂(樹脂層)1を積層する(図13(b))。樹脂層1を積層する方法としては、予めフィルム状に成形されたフィルム状樹脂を準備し、これを半導体ウェハ8に貼り付ける方法が簡便であるが、スピンコート法等を用いて液状の感光性樹脂組成物のワニスを半導体ウェハ8に塗布し、加熱乾燥する方法によってもよい。
樹脂層1は、露光、及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能な感光性樹脂である。より詳細には、樹脂層1を露光、及び現像によってパターニングして形成されるレジストパターン(樹脂パターン)が、半導体チップ及び支持部材等の被着体に対する接着性を有している。例えば、樹脂パターンに被着体を必要に応じて加熱しながら圧着することによって、樹脂パターンと被着体とを接着することが可能である。
パターニングの後、半導体ウェハ8の樹脂層1とは反対側の面を研磨して、半導体ウェハ8を所定の厚さまで薄くする(図14(b))。研磨は、例えば、樹脂層1上に粘着フィルムを貼り付け、粘着フィルムによって半導体ウェハ8を研磨用の治具に固定して行う。
研磨後、半導体ウェハ8の樹脂層1とは反対側の面に、ダイボンディング材30、及びダイシングテープ40を有しこれらが積層している複合フィルム5を、ダイボンディング材30が半導体ウェハ8に接する向きで貼り付ける(図14(c))。貼り付けは必要に応じて加熱しながら行う。
ダイシングの後、切り分けられた半導体チップ12(12a)を、樹脂層1及びダイボンディング材30とともにピックアップし(図16(b))、支持部材13にダイボンディング材30を介してマウントする(図17(a))。
支持部材13にマウントされた半導体チップ12a上の樹脂層1上に、2層目の半導体チップ12bを積層する(図17(b))。すなわち、半導体チップ12aと、その上層に位置する半導体チップ12bとが、それらの間に介在するパターニングされた樹脂層1(バッファーコート膜)によって接着される。半導体チップ12bは、パターニングされた樹脂層1のうち開口11は塞がないような位置に接着される。なお、半導体チップ12bの回路面18上にもパターニングされた樹脂層1(バッファーコート膜)が形成されている。
その後、半導体チップ12aは、そのボンディングパッドに接続されたワイヤ14aを介して支持部材13上の外部接続端子と接続され、半導体チップ12bはそのボンディングパッドに接続されたワイヤ14bを介して支持部材13上の外部接続端子と接続される。次いで、半導体チップ12a及び12bを含む積層体を封止材15によって封止することで、半導体装置220が得られる(図18)。
(第1工程)
図21に示す支持部材13の回路面18上に、樹脂層1を積層する(図22)。積層方法としては、予めフィルム状に成形されたフィルム状樹脂を準備し、これを支持部材13に貼り付ける方法が簡便であるが、スピンコート法等を用いて、感光性樹脂組成物を含有する液状のワニスを支持部材13上に塗布し、加熱乾燥する方法によって積層してもよい。
支持部材13上に設けられた樹脂層1に対して、所定の位置に開口が形成されているマスク4を介して活性光線(典型的には紫外線)を照射する(図23)。これにより樹脂層1が所定のパターンで露光される。
得られたレジストパターンの開口11に導電材を充填して導電層9を形成する(図25)。導電材の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、及び減圧充填等の各種の方法が採用できる。ここで使用する導電材は、半田、金、銀、ニッケル、銅、白金又はパラジウム等の金属、酸化ルテニウム等の金属酸化物等からなる電極材料、或いは、上記金属のバンプの他、例えば、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含有してなるものが挙げられる。導電性粒子としては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金及びパラジウム等の金属、酸化ルテニウム等の金属酸化物、並びに、有機金属化合物等の導電性粒子が用いられる。また、樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂、及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物が用いられる。
支持部材13上の樹脂層1に対して、半導体チップ12が直接接着される。半導体チップ12の接続用電極部は、導電層9を介して支持部材13の接続端子と電気的に接続される。なお、半導体チップ12における樹脂層1と反対側の回路面上に、パターン化された樹脂層(バッファーコート膜)が形成されていてもよい。
本発明では、上述した本実施形態に係る感光性樹脂組成物を用いて樹脂層付基板を提供することができる。本実施形態に係る樹脂層付基板は、基板と、この基板上に積層された、本実施形態に係る感光性樹脂組成物をフィルム状に成形することによって得られるフィルム状樹脂からなる樹脂層とを備える。基板が透明基板である場合、樹脂層付透明基板を得ることができる。樹脂層付透明基板は、図26に示すような固体撮像素子400の製造に好適である。具体的には、透明基板としてガラス基板7上に本発明に係る樹脂層を設けた樹脂層付透明基板を作製し、樹脂層を露光、現像することによりパターン形成した後、これを半導体チップ12上に貼り合わせることにより固体撮像素子400を製造できる。透明基板以外の基板としては、シリコンウェハ、シリコンチップ、樹脂基板等が挙げられる。
(合成例1)
フラスコに、4−ヒドロキシフェニルメタクリレート35.6g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート78.0g、メタクリル酸メチル20.0g、N,N−ジメチルホルムアミド300g及びアゾイソブチロニトリル6.43gを入れ、窒素雰囲気下にて80℃で6時間反応させた。得られた反応液にメタノール200gを添加した後、1000gのイオン交換水へゆっくり滴下して析出したアクリルポリマー(P−1)をろ過、乾燥した。得られたP−1のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)は22000であった。また、P−1のTgは80℃、フェノール性水酸基当量は約670g/eqであった。
フラスコに、4−ヒドロキシフェニルメタクリレート44.5g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート39.0g、メタクリル酸メチル45.0g、N,N−ジメチルホルムアミド300g及びアゾイソブチロニトリル6.43gを入れた以外は合成例1と同様にして、アクリルポリマー(P−2)を得た。得られたP−2のMwは22000、Tgは100℃、フェノール性水酸基当量は約500g/eqであった。
フラスコに、4−ヒドロキシフェニルメタクリレート89.0g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート39.0g、メタクリル酸メチル20.0g、N,N−ジメチルホルムアミド300g及びアゾイソブチロニトリル7.40gを入れた以外は合成例1と同様にして、アクリルポリマーP−3を得た。得られたP−3のMwは25000、Tgは120℃、フェノール性水酸基当量は約300g/eqであった。
フラスコに、4−ヒドロキシフェニルメタクリレート100.0g、N,N−ジメチルホルムアミド200g及びアゾイソブチロニトリル5.00gを入れた以外は合成例1と同様にして、アクリルポリマー(P−4)を得た。得られたP−4のMwは25000、Tgは160℃、フェノール性水酸基当量は約178g/eqであった。
フラスコに、メタクリル酸43.0g、2−ヒドロキシメチルメタクリレート39.0g、メタクリル酸メチル20.0g、N,N−ジメチルホルムアミド300g、アゾイソブチロニトリル5.10gを入れた以外は合成例1と同様にして、アクリルポリマー(P−5)を得た。得られたP−5のMwは25000、Tgは100℃であった。
得られたアクリルポリマーのMwは、以下の条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定を行い、標準ポリスチレン換算した値である。
検出器:東ソー製RI8020
ポンプ:東ソー製DP8020
デガッサ:東ソー製SD8022
カラム:日立化成製GL−160A−S+GL−150A−S
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1mL/min
得られたアクリルポリマーをアプリケーターを用いて離型剤付きPETフィルム(帝人デュポン社製、商品名:A−53)に塗布した後、オーブン中にて80℃で20分間、100℃で20分間の順で加熱して200μmのフィルムを作製したものを10mm×10mmの大きさに切り出してTg測定用サンプルを作製した。Tgは、該サンプルを粘弾性測定装置(レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製、商品名:ARES)で、測定プレートとして直径8mmの平行プレートを用い、昇温速度5℃/min、周波数1Hz条件で測定したときの、20℃〜200℃でのtanδピーク温度である。
(合成例6)
撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた500mLフラスコ内に、撹拌しながら液状の高純度ビスフェノールAビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(東都化成製、商品名:YD−825GS、エポキシ当量178g/eq)178g(1.0当量)、アクリル酸36g(0.5当量)、トリフェニルホスフィン0.5g及びヒドロキノン0.15gを仕込み、100℃で7時間反応させ、分子内に炭素−炭素二重結合及びエポキシ基を有する化合物(E−1)を得た。E−1を水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定し、酸価が0.3KOHmg/g以下であることを確認した。
上記で得られた樹脂及び他の化合物を用いて、下記表1及び表2に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例3〜5、参考例1〜2、6及び比較例1〜2の感光性樹脂組成物(樹脂層形成用ワニス)を得た。
PVP:アルドリッチ社製、ポリ(4−ビニルフェノール)(重量平均分子量:8000、水酸基当量:約120g/eq、ガラス転移温度:180℃)。
M−313:東亜合成社製、イソシアヌル酸EO変性ジ及びトリアクリレート(放射線重合性基当量:約160g/eq、5%質量減少温度:>400℃)。
YDF−8170C:東都化成社製、ビスフェノールF型ビスグリシジルエーテル(エポキシ当量:165g/eq、5%質量減少温度:270℃)。
I−819:BASF社製、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(365nmでの分子吸光係数:2300mL/g・cm)。
I−379EG:BASF社製、2−ジメチルアミノー2−(4−メチルーベンジル)−1−(4−モリフォリンー4−イルーフェニル)―ブタンー1−オン(365nmでの分子吸光係数:7800mL/g・cm)。
2P4MHZ−PW:四国化成社製、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール。
TrisP−PA:本州化学工業社製、α,α,α’−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1−エチル−4−イソプロピルベンゼン(水酸基当量:141g/eq)。
パークミルD:日油社製、ジクミルパーオキサイド。
R−972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)
PEGMEA:関東化学社製、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。
実施例3〜5、参考例1〜2、6及び比較例1〜2で得られた感光性樹脂組成物を乾燥後の膜厚が40μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間、100℃で20分間の順で加熱して、基材及び基材上に感光性樹脂組成物からなる樹脂層を有する樹脂シートを得た。得られた樹脂シートについて、以下の評価を行った。
評価に用いた突起電極付ウェハ(以下、電極付ウェハ)は、ウェハ上に銅バンプが形成され、さらにその上にハンダボールが載っている構成を有するウェハである。具体的には、8インチサイズ(厚み:725μm)で、銅ピラー先端に鉛フリーはんだ層(Sn−3.5Ag:融点221℃)を有する構造のバンプが形成された、日立超LSIシステムズ製、JTEG PHASE11_80(サイズ7.3mm×7.3mm、バンプピッチ80μm、銅バンプ20μm、鉛フリーはんだ20μm、バンプ数328、厚み0.55mm、製品名)を用いた。
ウェハに通常の鏡面シリコンウェハを用いた以外は、上記埋込性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に樹脂シートを積層した。得られた積層体の基材(PETフィルム)を剥離除去した後、樹脂層側から、パターン用マスク(新映社製)を介して、高精度平行露光機(オーク製作所製、商品名:EXM−1172−B−∞)によって50mJ/cm2露光した。次いで、80℃のホットプレート上で30秒間加熱した後、スピン現像機(ミクロ技研社製)を用いて、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)水溶液を用い、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度26℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、120℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性樹脂組成物の樹脂パターンを形成した。
半導体素子搭載用支持部材として、プリフラックス処理によって防錆皮膜が形成された銅配線パターンを表面に有するガラスエポキシ基板のパターン表面にレジスト「SR−AUS308」(太陽インキ製造(株)製、商品名)を塗布したものを準備した。
A:導通が確認された。
C:導通不良の箇所が存在した。
パターン用マスクを使用しなかった以外は、上記パターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に、感光性封止樹脂組成物の光硬化物層を形成した。得られた光硬化物層が形成されたシリコンウェハを、3mm×3mmの大きさに個片化し、ホットプレート上で120℃で5分間乾燥した後、シリコンチップ(縦10mm×横10mm×厚み0.40mm)上に、光硬化物層がシリコンチップと接するようにして積層し、1kgfで加圧しながら、260℃で2秒間圧着したものを評価用のサンプルとした。得られたサンプルを、180℃のオーブン中で2時間加熱し、更に、260℃のホットプレート上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機(Dage社製、商品名:Dage−4000)を用いて接着力を測定した。
Claims (14)
- 前記(メタ)アクリレート化合物が、3官能以上の(メタ)アクリレートを含む、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- イミダゾール系硬化促進剤を更に含有する、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- フィラーを更に含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を更に含有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物をフィルム状に成形した、フィルム状樹脂。
- 基材と、該基材上に形成された請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、樹脂シート。
- 被着体上に積層された請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層を露光し、露光後の前記樹脂層をアルカリ現像液で現像処理することによって得られる、樹脂パターン。
- 半導体ウェハと、
該半導体ウェハ上に積層された請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層と、
を備える、樹脂層付半導体ウェハ。 - 透明基板と、
該透明基板上に積層された請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層と、
を備える、樹脂層付透明基板。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を用いて、半導体素子同士が接着された構造、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する、半導体装置。
- 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光及び現像して、前記金属バンプの表面を露出する工程と、
前記金属バンプの表面が露出した半導体ウェハを前記樹脂層と共に切断して、樹脂層付き半導体素子を得る工程と、
前記樹脂層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、前記半導体素子の樹脂層を挟んで圧着する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 金属バンプが形成された回路面を有する第1の半導体ウェハの前記回路面上に、請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光及び現像して、前記金属バンプの表面を露出する工程と、
前記金属バンプの表面を露出した第1の半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを、前記第1の半導体ウェハの樹脂層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、
前記半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子を得る工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 回路面を有する第1の半導体ウェハの前記回路面上に、請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光及び現像して樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンを覆うように金属をめっきする工程と、
前記金属めっきの表面を切削又は研磨して前記樹脂パターンの表面を露出する工程と、
前記めっきを形成した第1の半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを第1の半導体ウェハの樹脂パターンを挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089320A JP6136101B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089320A JP6136101B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013216804A JP2013216804A (ja) | 2013-10-24 |
JP6136101B2 true JP6136101B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=49589302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089320A Expired - Fee Related JP6136101B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6136101B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014042055A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | アルプス電気株式会社 | 半導体装置 |
JP6328987B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-05-23 | デクセリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6536024B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-07-03 | 日立化成株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
US10106643B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Dual-cure nanostructure transfer film |
JP7238271B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2023-03-14 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置、及び電子装置の製造方法 |
JP2020024984A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社カネカ | チップ接着用ポジ型感光性ダイボンド剤、近紫外線硬化性の基板接着剤及びそれを用いたチップの製造方法 |
JP7169808B2 (ja) * | 2018-08-06 | 2022-11-11 | 株式会社カネカ | ネガ型感光性ダイボンド剤、近紫外線硬化性の基板接着剤及びそれを用いたチップの製造方法 |
JP7012415B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-01-28 | 古河電気工業株式会社 | 端子付き電線 |
JP6867522B2 (ja) * | 2020-01-21 | 2021-04-28 | デクセリアルズ株式会社 | 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11212263A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-08-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPH11322744A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | Mitsui Chem Inc | 光増感剤および該光増感剤を用いる可視光硬化性樹脂組成物およびその用途 |
JP4481789B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2010-06-16 | 昭和高分子株式会社 | エポキシ硬化剤 |
JP5830830B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2015-12-09 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、感光性接着剤組成物及びフィルム状接着剤の製造方法、並びに接着剤パターンの形成方法 |
JP5708313B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2015-04-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の形成方法、カラーフィルタ及びカラーフィルタの形成方法 |
JP5183708B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2013-04-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-04-10 JP JP2012089320A patent/JP6136101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013216804A (ja) | 2013-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6136101B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5732815B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、接着剤層付透明基板、及び半導体装置。 | |
JP6436081B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 | |
JP5549671B2 (ja) | 感光性接着剤、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 | |
WO2010024087A1 (ja) | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 | |
JP5830830B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、感光性接着剤組成物及びフィルム状接着剤の製造方法、並びに接着剤パターンの形成方法 | |
JP5712475B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。 | |
KR20120080634A (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 | |
TW200948921A (en) | Method for making a semiconductor device | |
JP5499516B2 (ja) | 接着剤組成物、回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP7351393B2 (ja) | 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5830883B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011146731A (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013179272A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法、及び樹脂組成物 | |
WO2012046695A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6085920B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 | |
JP5477389B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5754072B2 (ja) | 粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP2016114623A (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置 | |
US20070082203A1 (en) | Dual-stage wafer applied underfills | |
JP2016148767A (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置 | |
JP5630334B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014215440A (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置 | |
JP5994266B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置 | |
JP2015228524A (ja) | 液状感光性接着剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170417 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6136101 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |