JP6126834B2 - 先供給型半導体封止用液状樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
〔1〕複数の融点:200℃以上のはんだバンプが形成された半導体チップと、
配線が形成された後、配線が形成された面に半導体封止用液状樹脂組成物が供給された基板と、を、
半導体チップのはんだバンプと基板の配線とを対向させて加熱圧着することにより、
基板の配線と半導体チップのはんだバンプとが電気的に接続され、硬化した液状樹脂組成物で封止された半導体装置を得るための先供給型半導体封止用液状樹脂組成物であって、
(A)少なくとも液状ナフタレン型エポキシ樹脂を含有する液状エポキシ樹脂、
(B)イソフタル酸ジヒドラジド、
(C)平均粒径:1μm以下のシリカ粉末、および
(D)潜在性硬化促進剤
を含有し、(B)成分のヒドラジド当量が、(A)成分のエポキシ当量の0.7〜1.2倍であり、(C)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、40〜60質量部であり、(D)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、1.8〜3.3質量部であることを特徴とする、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物。
〔2〕複数の融点:200℃以上のはんだバンプが形成された半導体チップと、配線が形成された基板を備え、基板の配線と半導体チップのはんだバンプとが加熱圧着により電気的に接続され、上記〔1〕記載の先供給型半導体封止用液状樹脂組成物の硬化物で半導体チップと基板の間隙が封止された、半導体装置。
〔3〕融点:200℃以上のはんだが、Sn−Ag系またはSn−Ag−Cu系である、上記〔2〕記載の半導体装置。
〔4〕はんだバンプが、はんだ層が形成されたCuバンプである、上記〔2〕または〔3〕記載の半導体装置。
〔5〕加熱圧着の温度が、245℃以上300度未満である、上記〔2〕〜〔4〕のいずれか記載の半導体装置。
複数の融点:200℃以上のはんだバンプが形成された半導体チップと、
配線が形成された後、配線が形成された面に半導体封止用液状樹脂組成物が供給された基板と、を、
半導体チップのはんだバンプと基板の配線とを対向させて加熱圧着することにより、
基板の配線と半導体チップのはんだバンプとが電気的に接続され、硬化した液状樹脂組成物で封止された半導体装置を得るための先供給型半導体封止用液状樹脂組成物であって、
(A)少なくとも液状ナフタレン型エポキシ樹脂を含有する液状エポキシ樹脂、
(B)イソフタル酸ジヒドラジド、
(C)平均粒径:1μm以下のシリカ粉末、および
(D)潜在性硬化促進剤
を含有し、(B)成分のヒドラジド当量が、(A)成分のエポキシ当量の0.7〜1.2倍であり、(C)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、40〜60質量部であり、(D)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、1.8〜3.3質量部であることを特徴とする。
(A)少なくとも液状ナフタレン型エポキシ樹脂を含有する液状エポキシ樹脂、
(B)イソフタル酸ジヒドラジド、
(C)平均粒径:1μm以下のシリカ粉末、および
(D)潜在性硬化促進剤
を含有し、(B)成分のヒドラジド当量が、(A)成分のエポキシ当量の0.7〜1.2倍であり、(C)成分が、樹脂組成物:100質量部に対して、40〜60質量部であり、(D)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、1.8〜3.3質量部である。
表1、表2に示す配合で、樹脂組成物を調製した。実施例1〜9のいずれも液状樹脂組成物であり、作業性、ハンドリングの容易性、狭ピッチ化対応に優れていた。なお、エポキシ樹脂/マイクロカプセル型促進剤であるHXA3932HPに含有されているエポキシ樹脂は、「液状ビスフェノールF型エポキシ/液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂」が「54/13」の質量比で混合された状態でのエポキシ当量が、170g/eqであったので、「(B)成分当量/(A)成分当量」を求めるときには、「液状ビスフェノールF型エポキシ+液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂」で170g/eqとして計算した。
30μmのバンプが、50μmピッチで544個形成された幅:7.3mm、長さ:7.3mm、高さ:125μmの半導体チップ(Siチップ)を準備した。バンプは、SnAgはんだめっきされた銅バンプである。また、半導体チップのバンプパターンに対応した電極を有する厚さ:360μmのFR−4基板を準備した。この基板を50℃のステージに載置し、この基板の電極上に、23Gのニードルのディスペンサーを用いて、樹脂組成物を塗布し、その上から、パナソニックファクトリーソリューションズ製フリップチップボンダー(型番:FCB3)を用いて、160℃から260℃へ2秒で昇温させた後260℃×2秒温度保持、荷重:11Nの条件で半導体チップを圧接し、評価サンプルを作製した。その後、165℃で1時間加熱処理を行い、半導体チップを実装した試験片を作製した。
《SAT(Scanning Acoustic Tomograph)テスト》
半導体チップを実装した試験片(試験片数:7)を、パナソニックファクトリーソリューションズ製超音波探傷装置(型番:FCB3)により画層観察した。半導体チップ下に、樹脂組成物にボイドが発生しているか、樹脂組成物が全面に充填されているか、を観察した。表1、表2の「ボイド」の「SAT」の行に、〔(ボイドが観察された試験片数)/(試験片数:7)〕を示す。また、図4に、実施例1のSATテストでの画像を、図5に、比較例1のSATテストでの画像を示す。
半導体チップを実装した試験片(試験片数:2)のチップ部分を、研磨により除去し、半導体チップ周辺のソルダーレジスト開口部のボイドを光学顕微鏡により観察した。詳細には、試験片の半導体チップ周辺のソルダーレジスト開口部で、特に、配線間に跨るボイドに注意をして観察した。ソルダーレジスト開口部では、金めっきされた銅の配線が、配線幅:30μm、配線ピッチ:50μmで形成されていた。表1、表2の「ボイド」の「平面研磨」の行に、〔(ボイドが観察された試験片数)/(試験片数:2)〕を示す。また、図6に、実施例1の平面研磨テストでの画像を、図7に比較例1の平面研磨テストでの画像を示す。
半導体チップを実装した試験片(試験片数:7)の抵抗値測定パッド間の抵抗値を測定した。半導体チップ−基板間の接続が良好な試験片の抵抗値測定パッド間の抵抗の設計値は、30Ωであった。抵抗値測定パッド間の抵抗値が28〜32Ω以上のものを合格とし、抵抗値が28〜32Ωでないものを不合格とした。表1、表2に、「ボイド」の「導通性」の行に、〔(不合格の試験片数)/(試験片数:7)〕を示す。
《デラミネーションテスト》
半導体チップを実装した試験片(試験片数:5)を、パナソニックファクトリーソリューションズ製超音波探傷装置(型番:FCB3)により画層観察し、デラミネーションが発生していないことを確認した。その後、高温高湿層(温度:30℃、湿度:60%rh)中にて196時間吸湿させた。吸湿後、最高温度260℃のリフロー炉を3回繰り返し通過させ、再度同様の画像観察を行った。吸湿後リフロー後に、樹脂組成物のデラミネーションが発生しているものを不合格とした。表1、表2に、「吸湿後リフロー」の「デラミネーション」の行に、〔(不合格の試験片数)/(試験片数:5)〕を示す。
上記デラミネーションテストと同じ処理を施した半導体チップを実装した試験片(試験片数:5)の抵抗値測定パッド間の抵抗値を測定した。抵抗値測定パッド間の抵抗値が28〜32Ω以上のものを合格とし、抵抗値が28〜32Ωでないものを不合格とした。表1、表2に、「吸湿後リフロー」の「導通性」の行に、〔(不合格の試験片数)/(試験片数:5)〕を示す。
《デラミネーションテスト》
吸湿後リフロー試験で用いた試験片(試験片数:5)を、−55℃×30分と、−125℃×30分のヒートサイクル槽へ入れ、200回、500回、750回、1000回の各サイクルで取り出し、上述のSATテストと同様に測定を行った。表1、表2の「ヒートサイクル」の「デラミネーション」の行に、〔(ボイドが観察された試験片数)/(試験片数:5)〕を示す。なお、比較例1、4、7、8は、吸湿後リフロー試験で不合格の試験片があったため、本テストは行わなかった。また、比較例10は、実装性試験で全ての試験片が不合格であったので、本テストは行わなかった。なお、比較例6は、吸湿後リフロー試験で不合格の試験片があったが、合格の試験片が5個以上あったので、本テストを行った。
上記デラミネーションテストと同じ処理を施した半導体チップを実装した試験片(試験片数:5)の抵抗値測定パッド間の抵抗値を測定した。抵抗値測定パッド間の抵抗値が28〜32Ω以上のものを合格とし、抵抗値が28〜32Ωでないものを不合格とした。表1、表2に、「ヒートサイクル」の「導通性」の行に、〔(不合格の試験片数)/(試験片数:5)〕を示す。
21、25 半導体チップ
21 はんだバンプ
26 Cuバンプ
27 はんだ層
31 基板
32 配線
Claims (4)
- 複数の融点:200℃以上のはんだバンプが形成された半導体チップと、
配線が形成された後、配線が形成された面に半導体封止用液状樹脂組成物が供給された基板と、を、
半導体チップのはんだバンプと基板の配線とを対向させて加熱圧着することにより、
基板の配線と半導体チップのはんだバンプとが電気的に接続され、硬化した液状樹脂組成物で封止された半導体装置を得るための先供給型半導体封止用液状樹脂組成物であって、
(A)少なくとも液状ナフタレン型エポキシ樹脂を含有する液状エポキシ樹脂、
(B)イソフタル酸ジヒドラジド、
(C)平均粒径:1μm以下のシリカ粉末、および
(D)潜在性硬化促進剤
を含有し、(B)成分のヒドラジド当量が、(A)成分のエポキシ当量の0.7〜1.2倍であり、(C)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、40〜60質量部であり、(D)成分が、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物:100質量部に対して、1.8〜3.3質量部であることを特徴とする、先供給型半導体封止用液状樹脂組成物。 - 複数の融点:200℃以上のはんだバンプが形成された半導体チップと、配線が形成された基板を備え、基板の配線と半導体チップのはんだバンプとが加熱圧着により電気的に接続され、請求項1記載の先供給型半導体封止用液状樹脂組成物の硬化物で半導体チップと基板の間隙が封止された、半導体装置。
- 融点:200℃以上のはんだが、Sn−Ag系またはSn−Ag−Cu系である、請求項2記載の半導体装置。
- はんだバンプが、はんだ層が形成されたCuバンプである、請求項2または3記載の半導体装置。
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